1.本实用新型属于半导体技术领域,特别涉及一种平板式外延炉硅外延层的均匀性调整装置。
背景技术:2.目前,硅材料作为第三代宽禁带半导体,具有禁带宽度大、耐高温、抗辐射等优异的物理特性,为功率器件的制造奠定了良好的材料基础。通常器件主要是在单晶衬底上生长的外延层上制作的。由于在单晶生长的过程中控制掺杂较为困难,难以达到器件制造要求,虽然离子注入也可以实现的掺杂,但是其效果远远达不到利用cvd外延工艺得到的精确控制掺杂浓度的水平,因此外延层材料的生长是器件制造中重要且必不可少的关键技术。
3.外延材料的浓度掺杂均匀性与生长厚度均匀性严重影响到器件性能,良好的外延层均匀性可以降低器件性能的离散。因此,中国cn206558478u专利中提出一种超掺杂均匀性大面积外延层生长腔室结构,达到了上述目的。现有技术中提到了旋转托盘与反应腔室转动配合,但并未提出旋转托盘与反应腔室如何转动配合。
技术实现要素:4.本实用新型提出一种平板式外延炉硅外延层的均匀性调整装置,旋转托盘与反应腔室实现转动配合的目的。
5.本实用新型的技术方案是这样实现的:平板式外延炉硅外延层的均匀性调整装置,包括反应腔室和转动设置在反应腔室内的旋转托盘,所述反应腔室的内部设置有凹槽,所述凹槽内设置有电机,所述电机的转轴穿出凹槽位于反应腔室内,所述反应腔室内设置有底座,所述底座呈圆形,所述底座的中心与电机的转轴固定连接,所底座的周边与腔室的内壁之间间隔设置,所述旋转托盘固定设置在底座上,所述底座包括从外到内固定连接的第一座体、第二座体和第三座体,所述第一座体与电机的转轴固定连接,所述旋转托盘与第三座体固定连接。
6.旋转托盘位于反应腔室内,反应腔室的凹槽内设置有电机,电机的转轴转动带动位于反应腔室内且与电机固定连接的底座转动,底座中的第一座体与电机的转轴固定连接,底座中的第三座体与旋转托盘固定连接,在底座随着电机转轴转动的过程中,旋转托盘随之同步转动,实现了旋转托盘在反应腔室内转动的目的。
7.作为一种优选的实施方式,所述第一座体的周边固定设置有若干均匀分布的插块,所述第二座体与第一座体相对的一侧开设有与插块相对应的插槽,所述插块插入到插槽内,通过插块和插槽的配合实现了第一座体与第二座体的固定连接。
8.作为一种优选的实施方式,所述第二座体与第三座体一体设置,所述第三座体上开设有若干均匀分布的通孔,所述旋转托盘上设置有与通孔相对应对的凸块,所述凸块插入到通孔内,通过通孔与凸块之间的固定连接实现了第三座体与旋转托盘之间的固定。
9.作为一种优选的实施方式,所述通孔为扇形通孔且其拐角均倒角设置,所述通孔
与第一座体相对的一侧宽度大于其与第一座体相背的一侧宽度,使得凸块与通孔之间的配合度更好,更加方便凸块插入到通孔内。
10.作为一种优选的实施方式,所述凸块与通孔之间过盈配合,实现了凸块与通孔之间的固定连接过程。
11.作为一种优选的实施方式,所述凸块的厚度大于旋转托盘的厚度,所述凸块的底部与反应腔室的底壁之间间隔设置,所述通孔的外侧与第三座体的外侧之间间隔设置,增大了凸块与通孔之间的接触面积,使得凸块与通孔之间的连接更加牢固。
12.采用了上述技术方案后,本实用新型的有益效果是:
13.旋转托盘位于反应腔室内,反应腔室的凹槽内设置有电机,电机的转轴转动带动位于反应腔室内且与电机固定连接的底座转动,底座中的第一座体与电机的转轴固定连接,底座中的第三座体与旋转托盘固定连接,在底座随着电机转轴转动的过程中,旋转托盘随之同步转动,实现了旋转托盘在反应腔室内转动的目的。
附图说明
14.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
15.图1为本实用新型的结构示意图;
16.图2为底座的结构示意图;
17.图3为底座和电机转轴连接的结构示意图。
18.图中,1-反应腔室;2-旋转托盘;3-凹槽;4-电机;5-底座;6-第一座体;7-第二座体;8-第三座体;9-插块;10-插槽;11-凸块;12-通孔。
具体实施方式
19.下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
20.如图1所示,平板式外延炉硅外延层的均匀性调整装置,包括反应腔室1和转动设置在反应腔室1内的旋转托盘2,所述反应腔室1的内部设置有凹槽3,所述凹槽3内设置有电机4,所述电机4的转轴穿出凹槽3位于反应腔室1内,所述反应腔室1内设置有底座5,所述底座5呈圆形,所述底座5的中心与电机4的转轴固定连接,所底座5的周边与腔室的内壁之间间隔设置,所述旋转托盘2固定设置在底座5上,所述底座5包括从外到内固定连接的第一座体6、第二座体7和第三座体8,所述第一座体6与电机4的转轴固定连接,所述旋转托盘2与第三座体8固定连接。
21.旋转托盘2位于反应腔室1内,反应腔室1的凹槽3内设置有电机4,电机4的转轴转动带动位于反应腔室1内且与电机4固定连接的底座5转动,底座5中的第一座体6与电机4的转轴固定连接,底座5中的第三座体8与旋转托盘2固定连接,在底座5随着电机4转轴转动的
过程中,旋转托盘2随之同步转动,实现了旋转托盘2在反应腔室1内转动的目的。
22.所述第一座体6的周边固定设置有若干均匀分布的插块9,所述第二座体7与第一座体6相对的一侧开设有与插块9相对应的插槽10,所述插块9插入到插槽10内,通过插块9和插槽10的配合实现了第一座体6与第二座体7的固定连接。所述第二座体7与第三座体8一体设置,所述第三座体8上开设有若干均匀分布的通孔12,所述旋转托盘2上设置有与通孔12相对应对的凸块11,所述凸块11插入到通孔12内,通过通孔12与凸块11之间的固定连接实现了第三座体8与旋转托盘2之间的固定。所述通孔12为扇形通孔12且其拐角均倒角设置,所述通孔12与第一座体6相对的一侧宽度大于其与第一座体6相背的一侧宽度,使得凸块11与通孔12之间的配合度更好,更加方便凸块11插入到通孔12内。所述凸块11与通孔12之间过盈配合,实现了凸块11与通孔12之间的固定连接过程。所述凸块11的厚度大于旋转托盘2的厚度,所述凸块11的底部与反应腔室1的底壁之间间隔设置,所述通孔12的外侧与第三座体8的外侧之间间隔设置,增大了凸块11与通孔12之间的接触面积,使得凸块11与通孔12之间的连接更加牢固。
23.在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。在本实用新型的描述中,除非另有规定和限定,需要说明的是,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是机械连接或电连接,也可以是两个元件内部的连通,可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
24.以上仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。