技术特征：
1.一种低温度系数高介低损耗微波电子陶瓷材料，其特征在于，其化学组成为：34～36wt%的tio2、32～35.5wt%的bi2o3、18～20wt%的nd2o3、8.5～9wt%的cao、1.8～2.2wt%的li2o、0.1～0.13wt%的na2o、0.05～0.08wt%的sio2、0.05～0.08wt%的nb2o5、0.05～0.08 wt%的zro2、0.05～0.09wt%mgo、0.03～0.05wt%的fe2o3、0.01～0.02wt%的moo3，0.008～0.015%的bao，以上组份的百分含量之和为100%。2.根据权利要求1所述的低温度系数高介低损耗微波电子陶瓷材料，其特征在于，其化学组成为，按重量百分比计： tio
2 35.4%，bi2o
3 33.1%，nd2o
3 19.9%，cao 9%，li2o 2.1%，na2o 0.128%，sio
2 0.075%，nb2o
5 0.075%，zro
2 0.071%，mgo 0.081%，fe2o
3 0.046%，moo
3 0.012%，bao 0.012%。3.权利要求1或2所述的低温度系数高介低损耗微波电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，按所述比例将化学纯的原料进行混料、球磨、干燥、机械成型、预烧、粉碎、细磨、等静压成型、烧结、退火，即得。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述球磨时，采用粒度0.2～1.0mm的tzp锆球进行研磨，研磨时间为12～16h。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述预烧时，在惰性气体环境下进行1200～1300℃的预烧。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述退火在1000℃~1200℃氧气环境中退火4～6h。
技术总结
本发明公开了一种低温度系数高介低损耗微波电子陶瓷材料，属于材料技术领域，其化学组成为：34～36wt%的TiO2、32～35.5wt%的Bi2O3、18～20wt%的Nd2O3、8.5～9wt%的CaO、1.8～2.2wt%的Li2O、0.1～0.13wt%的Na2O、0.05～0.08wt%的SiO2、0.05～0.08wt%的Nb2O5、0.05～0.08 wt%的ZrO2、0.05～0.09wt%MgO、0.03～0.05wt%的Fe2O3、0.01～0.02wt%的MoO3，0.008～0.015%的BaO，合计为100%；本发明所制得的陶瓷基板材料：介电常数180～200范围@1MHz，介电损耗在0.17%～0.25%@1MHz范围内，绝缘电阻105MΩ，耐压强度E≥5*106V/mm，Q值@1GHz为1400～1500，谐振频率温度系数τf为-25～+30ppm/℃。25～+30ppm/℃。
技术研发人员：杨勤 陈建杰 张华峰 赵春美 朱家辉
受保护的技术使用者：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
技术研发日：2022.04.02
技术公布日：2022/8/16