技术特征：
1.一种微米级球形金红石型二氧化钛，其特征在于：金红石型二氧化钛的粒度d50为1～10微米，金红石型二氧化钛中tio2的含量≥99.9wt％。2.一种微米级球形金红石型二氧化钛的微流控制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤(1)：选取y型微流控设备，使用管径φ0.1mm～4.5mm，流速2～20ml/min；步骤(2)：外相溶液配制，外相溶液由碳原子数为2～6的液体醇加入蒸馏水和沉淀剂构成，搅拌至沉淀剂全部溶解；步骤(3)：内相溶液配制，使用钛酸四丁酯、异丙醇钛、硫酸氧钛、偏钛酸其中一种作为钛源，在钛源中加入弱酸抑制剂，搅拌均匀；步骤(4)：将步骤2和3配制的液体分别导入y型微流控设备的两个进料口，并保持y型微流控设备的两个进料口段恒温70℃加热；步骤(5)：对步骤1中y型微流控设备微流场反应温度为100～200℃，微流场反应气压在0.5～2.1mpa，微流场反应时间为2～17min；步骤(6)：对步骤5所得产物进行收集，碳原子数为2～6的液体醇类溶剂离心洗涤、80℃烘箱干燥1h获得ti(oh)4产物；步骤(7)：对步骤6所得产物，进行热处理获得金红石相tio2微米球产物。3.根据权利要求2所述的一种微米级球形金红石型二氧化钛的微流控制备方法，其特征在于，步骤1的管径φ0.5mm～2.5mm。4.根据权利要求2所述的一种微米级球形金红石型二氧化钛的微流控制备方法，其特征在于，步骤2蒸馏水与液体醇类的体积比为：1:30～1:200。5.根据权利要求2所述的一种微米级球形金红石型二氧化钛的微流控制备方法，其特征在于，步骤二中的沉淀剂为羟基缓释剂。6.根据权利要求2所述的一种金红石型二氧化钛的微流控制备方法，其特征在于，步骤4内、外相溶液进料流速为5～10ml/min。7.根据权利要求2所述的一种微米级球形金红石型二氧化钛的微流控制备方法，其特征在于，步骤5微流场反应温度为120～160℃，微流场反应压力为0.8～1.1mpa。8.根据权利要求2所述的一种微米级球形金红石型二氧化钛的微流控制备方法，其特征在于，步骤7的热处理工艺是以5℃/min升温速率从室温升至600℃保温3h，而后以5℃/min升温速率升温至800℃保温4h，得到微米级球形金红石型二氧化钛产品。9.根据权利要求4所述的一种金红石型二氧化钛的微流控制备方法，其特征在于，蒸馏水与液体醇类的体积比为：1:50～1:100。10.一种如权利要求1至9任一项所述的金红石型二氧化钛作为填料在覆铜板中的应用。
技术总结
本发明公开了一种微米级球形金红石型二氧化钛及其微流控制备方法，属于新材料制备技术领域，包括以下步骤：(1)选择管径φ0.1mm～4.5mm的Y型微流控反应设备；(2)配制外相溶液：碳原子数为2～6的液体醇类，加入蒸馏水和沉淀剂，搅拌至沉淀剂全部溶解；(3)配制内相溶液：钛源中加入弱酸抑制剂；(4)将外相溶液和内相溶液分别导入Y型微流控装置的两个进料口进行加热；(5)控制流速10mL/min，保持100～200℃恒温，(6)从出料口将Ti(OH)4产物收集，并用液体醇类反复洗涤离心多次；(7)将离心后的沉淀置于干燥箱中烘干，将烘干后得到的Ti(OH)4粉末进行热处理得到TiO2微球产品，解决了现有工艺生产成本高的技术问题，产品主要应用于覆铜板等半导体封装材料中。等半导体封装材料中。等半导体封装材料中。
技术研发人员：曹家凯 李晓冬 张建平 林铭 李政熹
受保护的技术使用者：联瑞新材（连云港）有限公司
技术研发日：2022.12.16
技术公布日：2023/3/28