一种加热装置的制作方法

1.本实用新型涉及mocvd设备技术领域，具体为一种加热装置。


背景技术：

2.金属有机化学气相沉积(metal-organic-chemical-vapor-deposition)，以下简称mocvd)设备中使用的石墨盘是目前外延生长最重要的配件之一。led外延片是指在一块加热至适当温度的衬底基片上所生长出的特定单晶薄膜，其是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。
3.随着产业化的应用，为了进一步降低成本,在装载衬底的石墨基座上设计了尽可能多的pocket(口袋)数目，虽然该设置降低了成本，但其导致石墨基座上最外沿区域的加热丝受热面积少，进而导致外圈pocket(口袋)内led外延片传导的热能偏低。
4.由于目前的mocvd的各圈加热丝均处于同一水平面，并且最外圈的led外延片由于加热丝的传导的温场导致温度和mo浓度分布不均匀，外延片最靠近腔壁的区域温度相对偏低，mo浓度相对偏高，因此该设置易影响led外延片的发光主波长均匀性、电性良率均匀性、工作电压以及亮度均匀性。


技术实现要素：

5.基于此，本实用新型的目的是提供一种加热装置，以解决背景技术中由于mocvd的各圈加热丝均处于同一水平面，并且最外圈的led外延片最靠近腔壁的区域温度相对偏低，mo浓度相对偏高，易影响led外延片的发光主波长均匀性、电性良率均匀性、工作电压以及亮度均匀性的问题。
6.本实用新型的一方面在于提供一种加热装置，包括石墨基座和加热组件；
7.在所述石墨基座上设有自所述石墨基座的中心向所述石墨基座的边缘依次排列的若干放置槽组，所述放置槽组包括一个或多个放置槽，所述放置槽组的放置槽围绕所述石墨基座的中心设置，各所述放置槽组的放置槽的数量自所述石墨基座的中心向所述石墨基座的边缘递增；
8.所述加热组件包括设于所述石墨基座边缘的若干加热丝，若干所述加热丝环绕于靠近所述石墨基座边缘的所述放置槽组；
9.其中，所述加热丝上设有用于增加热辐射的倾斜部，所述倾斜部朝向所述石墨基座的中心。
10.进一步地，所述倾斜部的高度由靠近所述石墨基座的边缘的一端逐渐向另一端递减。
11.进一步地，所述倾斜部的角度为0.1
°‑5°
。
12.进一步地，所述倾斜部的高度为1mm-15mm。
13.进一步地，所述倾斜部的长度为3mm-15mm。
14.进一步地，所述加热丝的两端还设有安装件，以通过所述安装件将所述加热丝可
拆卸连接于所述石墨基座上。
15.进一步地，所述加热丝的每个端部均设有至少两个所述安装件，其中，所述加热丝上设有供所述安装件穿过的通孔。
16.进一步地，每个所述放置槽组均围绕所述石墨基座的中心设置。
17.进一步地，每个所述放置槽组中各个放置槽排列成圆弧形。
18.进一步地，每一所述放置槽组与其相邻的一所述放置槽组紧密贴合。
19.与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：
20.在本装置中，由于现有的石墨基座外圈的放置槽最外沿区域底部加热丝受热面积较少，因此本实用新型内的加热组件包括设于石墨基座边缘的若干个加热丝，若干个加热丝环绕于靠近石墨基座边缘的放置槽组，其中，加热丝上设有用于增加热辐射的倾斜部，且倾斜部朝向石墨基座的中心，利用倾斜部实现其单位长度的电阻率不同，热辐射更大，改善了石墨基座外圈的放置槽最外沿区域温度低的情况，调整了该区域mo浓度分布，进而改善led外延片内的发光主波长均匀性、电性良率均匀性、工作电压以及亮度均匀性。
附图说明
21.图1为本实用新型第一实施例中石墨基座和加热组件的结构示意图；
22.图2为本实用新型第一实施例中加热丝和通孔的结构示意图；
23.图3为本实用新型第一实施例中倾斜部的结构示意图。
24.图中：1、石墨基座；2、加热组件；201、加热丝；3、放置槽组；301、放置槽；4、倾斜部；5、安装件；6、通孔。
具体实施方式
25.为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的若干实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。
26.需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
27.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
28.请参阅图1至图3，所示为本实用新型中第一实施例中的一种加热装置，应用于mocvd设备内，其包括石墨基座1和加热组件2；
29.为解决现有技术中由于mocvd设备内的各圈加热丝201均处于同一水平面，并且最外圈的led外延片mo浓度偏高，该设置易影响led外延片的发光主波长均匀性、电性良率均匀性、工作电压以及亮度均匀性的问题，则在石墨基座1内上设有自石墨基座1的中心向石
墨基座1的边缘依次排列的若干放置槽组3，放置槽组3包括一个或多个放置槽301，放置槽组3的放置槽301围绕石墨基座1的中心设置，各放置槽组3的放置槽301的数量自石墨基座1的中心向石墨基座1的边缘递增；
30.加热组件2包括设于石墨基座1边缘的若干加热丝201，若干加热丝201环绕于靠近石墨基座1边缘的放置槽组3；
31.其中，加热丝201上设有用于增加热辐射的倾斜部4，倾斜部4朝向石墨基座1的中心。
32.具体来说，现有的衬底在加工过程中需将其放置在石墨基座1内的放置槽301内，通过放置槽301的数量以石墨基座1的中心逐渐向石墨基座1的边缘递增的设置，实现最大程度利用石墨基座1的可用面积，减少对石墨基座1空间的浪费，有利于批量性加工，其中，每一放置槽组3与其相邻的一放置槽组3紧密贴合，此外，由于现有的mocvd设备其包括加热器，加热器与衬底间的热传导需要依靠石墨基座1上的放置槽301作为媒介，而现有的石墨基座1外圈的放置槽301最外沿区域底部加热丝201受热面积较少，因此本装置内的加热组件2包括设于石墨基座1边缘的若干个加热丝201，若干个加热丝201环绕于靠近石墨基座1边缘的放置槽组3，其中，加热丝201上设有用于增加热辐射的倾斜部4，具体为最外圈的加热丝201上设有倾斜部4，利用倾斜部4实现其单位长度的电阻率不同，热辐射更大，改善了石墨基座1外圈的放置槽301最外沿区域温度低的情况，调整了该区域mo浓度分布，进而改善led外延片内的发光主波长均匀性、电性良率均匀性、工作电压以及亮度均匀性，示例并非限定，在石墨基座1的内部还设有加热丝201，在实际情况中，利用该加热丝201为处于石墨基座1内部的放置槽组3进行热传导，以保障石墨基座1的正常工作，其中，由于位于内部的放置槽组3并未受到影响，因此该加热丝201并未设置本实用新型的倾斜部4。
33.进一步地，倾斜部4的高度由靠近石墨基座1的边缘的一端逐渐向另一端递减，其中，倾斜部4的角度为0.1
°‑5°
、倾斜部4的高度为1mm-15mm(根据图3中标记h)，以及倾斜部4的长度为3mm-15mm(根据图3中标记r)。
34.此外，为便于在石墨基座1上装配的加热丝201，则在加热丝201的两端上设有安装件5，以通过安装件5将加热丝201可拆卸连接于石墨基座1上。
35.进一步地，加热丝201的每个端部均设有至少两个安装件5，其中，加热丝201上设有供安装件5穿过的通孔6，示例并非限定，安装件5具体可采用现有的螺栓，利用螺栓将加热丝201安装于石墨基座1上，并且采用在加热丝201的每个端部上均至少设有两个安装件5，以实现对加热丝201的装配稳定，降低加热丝201在工作时出现松动的情况。
36.进一步地，每个放置槽组3均围绕石墨基座1的中心设置，且每个放置槽组3中各个放置槽301排列成圆弧形。
37.综上，本实用新型当中的一种加热装置，相对于传统的加热丝201，至少具有如下有益效果：
38.1.在本装置中，由于现有的石墨基座1外圈的放置槽301最外沿区域底部加热丝201受热面积较少，因此本装置内的加热组件2包括设于石墨基座1边缘的若干个加热丝201，若干个加热丝201环绕于靠近石墨基座1边缘的放置槽组3，其中，加热丝201上设有用于增加热辐射的倾斜部4，且倾斜部4朝向石墨基座1的中心，利用倾斜部4实现其单位长度的电阻率不同，热辐射更大，改善了石墨基座1外圈的放置槽301最外沿区域温度低的情况，
调整了该区域mo浓度分布，进而改善led外延片内的发光主波长均匀性、电性良率均匀性、工作电压以及亮度均匀性。
39.2.通过放置槽301的数量以石墨基座1的中心逐渐向石墨基座1的边缘递增的设置，实现最大程度利用石墨基座1的可用面积，减少对石墨基座1空间的浪费，有利于批量性加工。
40.3.利用安装件5和通孔6的设置，以实现对加热丝201的装配稳定，降低加热丝201在工作时出现松动的情况。
41.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
42.以上实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。