1.一种用于晶体拉制时的晶体冷却装置，包括上法兰（3）、下法兰（5）、晶体冷却管（7）、冷却介质通道和保温板（30），其特征是：在所述上法兰（3）与下法兰（5）之间设有复数个晶体冷却管（7），在晶体冷却管（7）的外围设有冷却介质通道，所述冷却介质通道的进口通过管道连接冷却源，冷却介质通道的出口通过管道连接冷却介质回收机构，在下法兰（5）的下面设有保温板（30）；或在下法兰（5）的下方设有冷却盘（25），在冷却盘（25）的下面设有保温板（30）形成所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置。
2.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却盘（25）的中部设有空腔（24），在所述空腔（24）内设有复数个固定柱（26），在每个固定柱（26）上分别设有晶体提拉孔（27），空腔（24）分别连通出水管（23）和进水管（28），所述出水管（23）和进水管（28）连通冷却介质通道。
3.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述下法兰（5）或冷却盘（25）的下面由外向内设有至少一级向上凹陷的台阶形成阶梯面，在每级阶梯面上分别设置一圈晶体下穿孔（9）或晶体提拉孔（27）。
4.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述保温板（30）为平板型结构，在保温板（30）上设有复数个穿孔（3001），每个穿孔（3001）分别对应下法兰（5）上的晶体下穿孔（9）或冷却盘（25）上的晶体提拉孔（27），保温板（30）的外形尺寸大于或等于下法兰（5）或冷却盘（25）的外形尺寸。
5.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述保温板（30）为平板型结构时，在保温板（30）的上面由外向内设有至少一级向上凸起的阶梯台阶（3003），所述阶梯台阶（3003）与下法兰（5）或冷却盘（25）下面的阶梯面对应配合。
6.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述保温板（30）的替换结构形式为在保温板（30）的中部设置向下凹陷的凹槽形成桶型结构，在保温板（30）上设有复数个穿孔（3001），每个穿孔（3001）分别对应下法兰（5）上的晶体下穿孔（9）或冷却盘（25）上的晶体提拉孔（27），所述凹槽的内缘面与下法兰（5）或冷却盘（25）的外缘面为间隙配合或过盈配合。
7.根据权利要求6所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述下法兰（5）或冷却盘（25）的外缘面与凹槽的内缘面间隙配合时，在间隙处设有保温填充物（32）。
8.根据权利要求6所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述保温板（30）设置为桶型结构时，在保温板（30）的上面由外向内设有至少一级向上凸起的阶梯台阶（3003），所述阶梯台阶（3003）与下法兰（5）或冷却盘（25）下面的阶梯面对应配合。
9.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第一结构为在上法兰（3）与下法兰（5）之间设置连接筒（4），在所述连接筒（4）内设有复数个晶体冷却管（7），每个晶体冷却管（7）的上端分别连接设置在上法兰（3）上的晶体上穿孔（1），每个晶体冷却管（7）的下端分别连接设置在下法兰（5）上的晶体下穿孔（9），由连接筒（4）的内缘面与上法兰（3）下端面、下法兰（5）上端面之间的空腔形成冷却介质通道，在上法兰（3）上分别设有出水口（2）和进水口（6），所述出水口（2）和进水口（6）分别形成冷却介质通道的进口和出口。
10.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第二结构为在每个晶体冷却管（7）的外围分别套接套管（13），每个套管（13）的上端头分别连通设置在上法兰（3）中部的进水腔（11），每个套管（13）的下端头分别连通设置在下法兰（5）中部的集水腔（16），由套管（13）的内缘面与晶体冷却管（7）的外缘面之间的冷却腔（12）、进水腔（11）和集水腔（16）形成冷却介质通道，所述进水腔（11）连通进水口（6），所述集水腔（16）通过回水管（14）连接出水口（2），所述出水口（2）和进水口（6）分别形成冷却介质通道的进口和出口。
11.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第三结构为在每个晶体冷却管（7）的外围分别套接套管（13），在每个套管（13）的上端头分别设有向下凹陷的半圆台阶（22），每个套管（13）的上端头分别连通设置在上法兰（3）上部的进水腔（11），每个半圆台阶（22）的上端头分别连通设置在上法兰（3）下部的回水腔（20），每个套管（13）的下端头分别连通设置在下法兰（5）上部的集水腔（16），由套管（13）的内缘面与晶体冷却管（7）的外缘面之间的冷却腔（12）、进水腔（11）、回水腔（20）和集水腔（16）形成冷却介质通道，所述进水腔（11）连通进水口（6），所述回水腔（20）通过连接管（19）连接出水口（2），所述出水口（2）和进水口（6）分别形成冷却介质通道的进口和出口。
12.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第四结构为在每个晶体冷却管（7）的外围分别套接套管（13），在每个套管（13）的上端头分别设有向下凹陷的半圆台阶（22），每个套管（13）的上端头分别连通设置在上法兰（3）上部的进水腔（11），每个半圆台阶（22）的上端头分别连通设置在上法兰（3）下部的回水腔（20），每个套管（13）的下端头分别连接下法兰（5），由套管（13）的内缘面与晶体冷却管（7）的外缘面之间的冷却腔（12）、进水腔（11）和回水腔（20）形成冷却介质通道，所述进水腔（11）连通进水口（6），所述回水腔（20）通过连接管（19）连接出水口（2），所述出水口（2）和进水口（6）分别形成冷却介质通道的进口和出口。
13.根据权利要求11或12任一权利要求所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述晶体冷却管（7）与套管（13）之间的冷却腔（12）内设有隔板（29）。
14.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述上法兰（3）的第一结构为上法兰（3）为实心结构，在上法兰（3）的上面分别设有复数个贯通至上法兰（3）下面的晶体上穿孔（1）、出水口（2）和进水口（6）；或在上法兰上面的中部设置气体穿孔（31），在气体穿孔（31）外围的上法兰的上面设有复数个贯通至上法兰下面的晶体上穿孔、出水口和进水口。
15.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述上法兰（3）的第二结构为在上法兰（3）的下面设有向上凹陷的凹槽，在所述凹槽的开口端设有下盖板（17），下盖板（17）与凹槽形成的空腔为进水腔（11），在凹槽的槽底分别设有复数个贯通至上法兰（3）上面的晶体冷却管穿孔、出水口（2）和进水口（6），在下盖板（17）上设有复数个套管穿孔及回水管穿孔。
16.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述上法兰（3）的第三结构为在上法兰（3）的上下两面分别设有上凹槽和下凹槽，在上凹槽和下凹槽的开口端分别设有进水腔盖板（18）和回水腔盖板（21），进水腔盖板（18）与上凹槽形成的空腔为进水腔（11），回水腔盖板（21）与下凹槽形成的空腔为回水腔（20），在进水腔盖板（18）上分别设有复数个贯通至下凹槽槽底的晶体冷却管穿孔、出水口（2）和进水口（6），在回水腔盖板（21）上设有复数个套管穿孔及回水管穿孔，在上凹槽的槽底设有贯通至下凹槽槽底的半圆形进水孔，所述回水腔（20）通过连接管（19）连通出水口（2）。
17.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述下法兰（5）的第一结构为下法兰（5）为实心结构，在下法兰（5）的上面设有复数个贯通至下法兰（5）下面的晶体下穿孔（9）。
18.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述下法兰（5）的第二结构为在下法兰（5）的上面设有向下凹陷的凹槽，在所述凹槽的开口端设有上盖板（15），在凹槽的槽底设有复数个贯通至下法兰（5）下面的晶体冷却管穿孔，在上盖板（15）上设有复数个套管穿孔。
19.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述复数个晶体冷却管（7）的设置形式为中间设置一个晶体冷却管（7），在中间晶体冷却管（7）的外围呈放射状设有复数组晶体冷却管（7），每组晶体冷却管（7）包括至少两个晶体冷却管（7）；或复数个晶体冷却管的第二设置形式为在上法兰（3）上气体穿孔（31）的外围呈放射状设置复数组晶体冷却管，每组晶体冷却管包括至少两个晶体冷却管。