1.一种单颗粒金刚石的制备方法，其特征在于：于光滑的衬底表面设置一层能够与碳产生固溶的金属获得含金属层的衬底，然后将含金属层的衬底置于含碳源的气氛中进行第一次化学气相沉积生长金刚石，从衬底上剥离金刚石，获得单颗粒金刚石a。
2.根据权利要求1所述的一种单颗粒金刚石的制备方法，其特征在于：所述衬底选自硅片、硬质合金、不锈钢中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种单颗粒金刚石的制备方法，其特征在于：所述金属选自铁、钴、镍、钨中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种单颗粒金刚石的制备方法，其特征在于：所述金属层的厚度为10nm-1μm。
5.根据权利要求1所述的一种单颗粒金刚石的制备方法，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的一种单颗粒金刚石的制备方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的一种单颗粒金刚石的制备方法，其特征在于：
8.根据权利要求1-7任意一项所述的一种单颗粒金刚石的制备方法，其特征在于：所述单颗粒金刚石a的晶体结构为单晶或多晶；
9.根据权利要求1-7任意一项所述的一种单颗粒金刚石的制备方法，其特征在于：将单颗粒金刚石a进行第二次化学气相沉积生长获得单颗粒金刚石b，第二次化学气相沉积时，通入气体的质量流量比为氢气：碳源：掺杂气源＝99-95：0.5-5：0-3，沉积的压力为2-7kpa，衬底的表面温度为700-950℃，每生长一次，将单颗粒金刚石a取出，摇晃单颗粒金刚石a后，再继续生长，单次生长的时间≤10h，所述碳源为甲烷，所述掺杂气源选自氨气、磷化氢、硼烷中的至少一种。
10.根据权利要求8所述的一种单颗粒金刚石的制备方法，其特征在于：