1.一种键合晶体的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：粗加工步骤s110：对于需要键合的两种晶体基片，从胚料通过定向、切割、磨砂、抛光的方式，加工成所需尺寸；超声波清洗步骤s120：利用清洗剂对待键合晶体基片，放置在超声波清洗槽内进行超声波清洗，清洗完成后进行甩干；预键合步骤s130：将清洗后的待键合晶体基片放置在光胶靠体上，并一同放在控温加热板上加热烘烤5min至10min，而后给晶体施加推力，使两个键合面接触并吸附，完成光胶；热处理步骤s140：将预键合后的晶体放置在马弗炉中进行热处理，保温后随炉冷却至室温，取出；精加工步骤s150：采用粗磨或滚圆，将晶体整形至所需要的尺寸，再采用抛光的方式对通光面进行修整。
2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：在粗加工步骤s110中，所需尺寸包括一定的预留量，待键合晶体基片的键合面为正方形，其键合面光洁度达到10/5，平整度＜λ/10，粗糙度达到0.3nm至0.6nm。
3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：在超声波清洗步骤s120中，所述的超声波清洗用的清洗剂由乙醇和乙醚按照1:1的体积份进行混合，或者是使用ph值为6-7的有机酸溶液，清洗槽的温度为30℃至40℃；所述的超声波清洗使用的超声波频率为40khz，清洗剂区的清洗时长为2至4min，去离子水区的清洗时长为15min至25min。
4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：所述控温加热板的温度为95℃至120℃。
5.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：在热处理步骤s140中，所述热处理的升温速率为0.2℃/min至0.5℃/min，温度为590℃至1600℃，保温时长为100h至160h。
6.根据权利要求5所述的加工方法，其特征在于：对于yvo4晶体的键合，温度为590℃至610℃，保温时间为150h至160h。
7.根据权利要求5所述的加工方法，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：
9.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：在精加工步骤s150中，所述滚圆，将晶体截面尺寸整形到直径为d的圆，其中，d∈[2，5]，尺寸单位为mm。
10.一种使用权利要求1-9中任一项所述加工方法加工的键合晶体，其特征在于：