碳化钽涂层的制备方法和制备装置与流程

文档序号:36965527发布日期:2024-02-07 13:12阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种碳化钽涂层的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的碳化钽涂层的制备方法,其特征在于,所述将所述硅粉和所述钽粉加热的步骤,包括:

3.根据权利要求2所述的碳化钽涂层的制备方法,其特征在于,所述第一预设温度为1350-1450℃;和/或,

4.根据权利要求3所述的碳化钽涂层的制备方法,其特征在于,所述将所述硅粉和所述钽粉加热到第一预设温度的步骤,包括:按照加热功率为0.8-1.2kw/h,将所述硅粉和所述钽粉加热到第一预设温度;和/或,

5.根据权利要求1所述的碳化钽涂层的制备方法,其特征在于,使用所述加热机构将所述硅粉和所述钽粉加热的步骤,包括:

6.根据权利要求1所述的碳化钽涂层的制备方法,其特征在于,所述在所述原料堆放区域填充钽粉和硅粉的步骤,包括:

7.根据权利要求1所述的碳化钽涂层的制备方法,其特征在于,在将所述硅粉和所述钽粉加热的步骤之前,还包括:

8.根据权利要求6或7所述的碳化钽涂层的制备方法,其特征在于,所述钽粉和所述硅粉的重量比为(4~10):(1~2.5);和/或,

9.根据权利要求1所述的碳化钽涂层的制备方法,其特征在于,所述待镀层工件包括相对设置的第一端面和第二端面、以及连接所述第一端面和所述第二端面的生长面;

10.根据权利要求9所述的碳化钽涂层的制备方法,其特征在于,所述待镀层工件为弧形工件或环形工件。

11.根据权利要求1所述的碳化钽涂层的制备方法,其特征在于,还包括:

12.一种碳化钽涂层的制备装置,其特征在于,包括坩埚和设置于所述坩埚外的加热机构;所述坩埚包括坩埚本体、隔板和石墨板;所述坩埚本体具有一腔室;所述隔板设置于所述腔室内,以将所述腔室分隔为原料区和沉积区,所述隔板上设有连通所述原料区与所述沉积区的多个通孔;所述石墨板位于所述原料区的远离所述沉积区的一端且置于所述坩埚本体的底壁上,所述石墨板与所述隔板之间构成原料堆放区域;其中,

13.根据权利要求12所述的碳化钽涂层的制备装置,其特征在于,所述坩埚还包括:

14.根据权利要求12所述的碳化钽涂层的制备装置,其特征在于,所述坩埚还包括:

15.根据权利要求12所述的碳化钽涂层的制备装置,其特征在于,还包括:

16.根据权利要求15所述的碳化钽涂层的制备装置,其特征在于,所述待镀层工件为弧形工件或环形工件。


技术总结
本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种碳化钽涂层的制备方法和制备装置,碳化钽涂层的制备方法包括在原料堆放区域填充钽粉和硅粉,并将待镀层工件放置于沉积区且置于隔板上;使用加热机构将硅粉和钽粉加热,以生成气态的碳化硅和气态的硅化钽,并使气态的碳化硅和气态的硅化钽穿过通孔移动至待镀层工件的表面反应生成碳化钽涂层。本发明的碳化钽涂层的制备方法不需要使用烃类和炔类物质,进而不容易在加热条件下出现燃爆危险,提高了安全性。

技术研发人员:周亮亮,张洁,高玉强,伍艳,叶磊
受保护的技术使用者:湖南三安半导体有限责任公司
技术研发日:
技术公布日:2024/2/6
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