1.一种低熔点高熵玻璃，其特征在于，包括以摩尔比计的以下组分：v2o5：5～35％；bi2o3:5～35％；p2o5:5～35％；al2o3：5～35％；b2o3：5～35％。
2.根据权利要求1所述的低熔点高熵玻璃，其特征在于，包括以摩尔比计的以下组分：v2o5：15～25％；bi2o3:15～25％；p2o5:15～25％；al2o3：15～30％；b2o3：10～25％。
3.根据权利要求1所述的低熔点高熵玻璃，其特征在于，包括以摩尔比计的以下组分：v2o5：20％；bi2o3:20％；p2o5:20％；al2o3：20％；b2o3：20％。
4.根据权利要求1所述的低熔点高熵玻璃，其特征在于，包括以摩尔比计的以下组分：v2o5：15％；bi2o3:15％；p2o5:15％；al2o3：30％；b2o3：25％。
5.根据权利要求1所述的低熔点高熵玻璃，其特征在于，包括以摩尔比计的以下组分：v2o5：25％；bi2o3:25％；p2o5:25％；al2o3：15％；b2o3：10％。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的低熔点高熵玻璃，其特征在于，其玻璃化转变温度范围为480～520℃，软化温度范围为610～650℃，并且使用温度范围为650℃～900℃；其热膨胀系数为7.82～8.18×10-6k-1，并且封接时接头的剪切强度为32～36mpa；其在10％盐酸溶液中浸泡1h的质量损失率为5.1～11％，并且其在550～630℃，在陶瓷基板上铺展开时的润湿角最小为6°。
7.一种根据前述权利要求1-6中任一项所述的低熔点高熵玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的低熔点高熵玻璃的制备方法，其特征在于，步骤s10中，所述球磨机为行星球磨机，球料比为4～10：1，转速为300～600r/min。
9.根据权利要求7所述的低熔点高熵玻璃的制备方法，其特征在于，步骤s20中，所述坩埚为氧化铝坩埚，并且所述预定速度为2～10℃/min，所述预定温度为1200～1400℃，所述预定时间为1～4h，并且通过马弗炉或高温箱式电阻炉进行加热。
10.一种根据前述权利要求1-6中任一项所述的低熔点高熵玻璃在封接第一材质的材料和第二材质的材料中的应用，其特征在于，所述第一材质的材料和所述第二材质的材料各自包括以下中的一种：金属、陶瓷、玻璃和半导体。