1.一种控制半导体材料稳定生长的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤中的任意一步或至少两步的组合：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体材料包括ingaas材料、algaas材料或ingasb材料中的任意一种。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述前炉材料包括上一炉材料；
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述源炉温度的调整按照以下公式进行：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤（2）所述反射高能电子衍射图像中特定结构包括2×4重构；
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤（2.1）所述脱氧温度的调整按照以下公式进行：
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤（3）所述阀位差的调整按照以下公式进行：
8.一种控制半导体材料稳定生长的装置，其特征在于，所述装置包括以下模块中的任意一种或至少两种的组合：
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现权利要求1-7任一项所述控制半导体材料稳定生长的方法。