金属氧化物膜的制造方法和晶体管的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及金属氧化物膜的制造方法和晶体管的制造方法。本发明要求2013年8 月7日申请的日本专利申请号2013-164248的优先权，对于认可基于文献参照的编入的指 定国，通过参照将该申请所述的内容编入本申请中。
【背景技术】
[0002] 氧化铝、氧化硅等金属氧化物被用于半导体装置、光学薄膜等用途。期望将金属氧 化物以所需膜厚形成于所需位置，若能够更简便地进行薄膜的形成，则关系到低成本高产 量。
[0003] 专利文献1中公开了一种成膜方法，其具有：在基板的成膜面上，形成对于成膜材 料的粒子示出高亲和性的高亲和性区域和与所述亲和性区域相比示出低亲和性的低亲和 性区域的工序；在与所述基板之间，使用具备电子捕捉部的溅射装置，使所述成膜材料的粒 子飞向所述成膜面，使所述成膜材料选择性地堆积在所述高亲和性区域的工序。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1:日本特开2010-199402号公报
【发明内容】
[0007] 发明要解决的课题
[0008] 在专利文献1所述的成膜方法中，使用溅射装置，将成膜材料选择性地堆积在基 板上。如此以使用溅射法、蒸镀法的干式法进行金属氧化物的成膜的技术是已知的。但是， 干式法主要使用真空装置进行，因此与以湿式法进行的情况相比，存在成本升高、产量降低 的趋势。
[0009] 此外，通过对基板照射紫外线，选择性地进行金属氧化物的成膜的技术已经普及， 但对基板的密合性很难说是良好的。
[0010] 本发明是鉴于这种情况而完成的，目的在于提供一种有效得到密合性良好的金属 氧化物膜的技术。
[0011] 解决课题的手段
[0012] 本发明方式是为了实现上述目的而完成的，本发明的金属氧化物膜的制造方法具 备：将含有有机金属络合物的溶液涂布于基板的涂布工序；将得到的涂膜暴露于臭氧的臭 氧暴露工序；对所述涂膜进行加热的加热工序。
[0013] 此外，本发明方式的金属氧化物膜的制造方法特征还在于，所述加热工序中的加 热温度为180度以下。
[0014] 此外，本发明方式的金属氧化物膜的制造方法特征还在于，在所述臭氧暴露工序 之后，进一步具备用有机溶剂对所述基板进行清洗的清洗工序，在所述臭氧暴露工序中，将 所述涂膜选择性地暴露于臭氧。
[0015] 此外，特征还在于所述有机金属络合物为1分子中的总碳原子数为4~30的金属 络合物的至少一种。
[0016] 此外，特征还在于所述有机金属络合物为乙酰丙酮金属络合物，所述含有有机金 属络合物的溶液的溶剂包含醇类、酮类、醚类、卤代烃类、环状烃类的至少1种。
[0017] 此外，特征还在于所述金属氧化物膜至少含有Al、0、C、H四种元素，所述四种元素 之间的C与H的组成比的总量为70%以上。
[0018] 此外，特征还在于在所述清洗工序中所用的所述有机溶剂包含醇类、酮类、醚类、 卤代烃类、环状烃类的至少一种。
[0019] 此外，本发明方式的晶体管的制造方法具备：在基板上形成栅极的工序；将含有 有机金属络合物的溶液涂布于所述基板的工序；将得到的涂膜选择性地暴露于臭氧的工 序；用有机溶剂对所述基板进行清洗的工序；对所述涂膜进行烧制，得到绝缘膜的工序；形 成源极、漏极和半导体层的工序。
[0020] 此外，本发明方式的金属氧化物膜特征在于，其为至少含有A1、0、C、H四种元素的 金属氧化物膜，所述四种元素之间的C与H的组成比的总量为70%以上。
[0021] 发明效果
[0022] 本发明能够提供一种有效得到密合性良好的金属氧化物的金属氧化物膜的技术。
【附图说明】
[0023] 图1为用于说明本实施方式的金属氧化物膜的制造方法的一例的截面图。
[0024] 图2为用于说明本变形例的金属氧化物膜的制造方法的一例的截面图。
[0025] 图3为得到的氧化铝膜的140倍的SEM图像。
[0026] 图4为得到的氧化铝膜的600倍的光学显微镜图像。
[0027] 图5为基于氧化铝膜的线&间隙的170倍的SEM图像。
[0028] 图6为示出基于氧化铝膜的线&间隙的100倍的SEM图像和基于EDX的线扫描结 果的图。
[0029] 图7为得到的氧化铝膜的120倍的SEM图像。
[0030] 图8为示出基于氧化铝膜的线&间隙的120倍的SEM图像和基于EDX的线扫描结 果的图。
[0031] 图9为氧化铝膜的170倍的SEM图像。
[0032] 图10为得到的氧化铝膜的120倍的SEM图像。
[0033] 图11为示出得到的氧化铝膜的120倍的SEM图像和基于EDX的线扫描结果的图。
[0034] 图12为示出对加热温度和相对介电常数?绝缘击穿电压进行测定的结果的图。
[0035] 图13为示出对氧化铝膜的加热温度和组成比进行测定的结果的图。
【具体实施方式】
[0036] 以下，参照附图对于本发明的实施方式的一例进行说明。
[0037] 图1为用于说明本实施方式的金属氧化物膜的制造方法的一例的截面图。
[0038] (第1工序）
[0039] 首先，如图1的（A)所示，制备有机金属络合物溶液1。对于有机金属络合物溶液 1，通过将有机金属络合物11溶解于溶剂12中来获得。作为有机金属络合物11中所用的 材料，可以使用例如 Cu (acac) 2、Mn (acac) 3、VO (acac) 2、Fe (acac) 3、Co (acac) 3、Zn (acac) 2 等乙酰丙酮金属络合物。需要说明的是，"acac"表示乙酰丙酮。
[0040] 溶剂12只要为可溶解有机金属络合物11的液体即可，可以使用例如乙醇、丙醇、 丁醇、戊醇、己醇、辛醇、壬醇、苄醇、甲基环己醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、戊二醇、己二醇、 辛二醇、己三醇等醇类；以及甲酸丁酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁 酯、乙酸戊酯、乙酸己酯、乙酸苄酯、乙酸3-甲氧基丁基酯、乙酸2-乙基丁基酯、乙酸2-乙 基己基酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸丁酯、丙酸戊酯等酯类；二甲基甲酰胺、二甲 基乙酰胺、二乙基甲酰胺、二乙基乙酰胺等酰胺类；二甲基酮、甲基乙基酮、戊酮、己酮、甲基 异丁基酮、庚酮、二异丁基酮等酮类；乙腈等腈类；二乙基醚、二丙基醚、二异丙基醚、二丁 基醚、二己基醚等醚类；苯甲醚、四氢呋喃、四氢吡喃等环状醚类；二甲氧基乙烷、二乙氧基 乙烷、二丁氧基乙烷、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、乙二醇二丁醚等乙二醇醚类；甲 缩醛、乙缩醛等缩醛类；戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十二烷等链烷烃类；甲苯、二甲 苯、乙基苯、异丙基苯、三甲基苯、四氢化萘、丁基苯、异丙基甲苯、二乙基苯、戊基苯、二戊基 苯、环戊烷、环己烷、甲基环己烷、乙基环己烷、萘烷等环状烃类；氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲 烷（氯仿）、四氯甲烷、氯乙烷、二氯乙烷、三氯乙烷、四氯乙烷、五氯乙烷、氯丙烷、二氯丙 烷、三氯丙烷、氯丁烷、二氯丁烷、三氯丁烷、氯戊烷、氯苯、二氯苯、氯甲苯、二氯甲苯、溴甲 烧、漠丙烷、漠苯、氣漠乙烧等卤代经类。
[0041] (第2工序）
[0042] 接着，如图1的（B)所示，在基板2上涂布有机金属络合物溶液1，形成被膜10。对 于基板2,可以使用通常使用的基板材料。可以使用例如聚对苯二甲酸乙二酯（PET)、聚萘 二甲酸乙二酯（PEN)、聚酰亚胺等树脂基板；或