用于全包封半导体器件的高导热型环氧树脂组合物的制作方法

技术特征：

1.一种用于全包封半导体器件的高导热型环氧树脂组合物，其特征是，所述的高导热型环氧树脂组合物的组分及含量为：

所述的无机填料选自结晶型二氧化硅粉末、角型三氧化二铝粉末、氮化硅粉末、氮化铝粉末中的一种或几种。

2.根据权利要求1所述的用于全包封半导体器件的高导热型环氧树脂组合物，其特征是：所述的环氧树脂选自邻甲酚醛环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、线性酚醛环氧树脂、联苯型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、开链脂肪族环氧树脂、脂环族环氧树脂、杂环型环氧树脂中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的用于全包封半导体器件的高导热型环氧树脂组合物，其特征是：所述的酚醛树脂选自苯酚线性酚醛树脂及其衍生物、苯甲酚线性酚醛树脂及其衍生物、单羟基或二羟基萘酚醛树脂及其衍生物、对二甲苯与苯酚或萘酚的缩合物、双环戊二烯与苯酚的共聚物中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的用于全包封半导体器件的高导热型环氧树脂组合物，其特征是：所述的结晶型二氧化硅粉末、角型三氧化二铝粉末、氮化硅粉末、氮化铝粉末的中位径都为10～40微米；

所述的球形氧化铝粉末的中位径为5～30微米。

5.根据权利要求1所述的用于全包封半导体器件的高导热型环氧树脂组合物，其特征是：所述的阻燃剂为溴代环氧树脂与三氧化二锑配合的阻燃剂，其中，溴代环氧树脂与三氧化二锑的重量比为10：1。

6.根据权利要求1所述的用于全包封半导体器件的高导热型环氧树脂组合物，其特征是：所述的固化促进剂选自咪唑化合物、叔胺化合物和有机膦化合物中的一种或几种。

7.根据权利要求6所述的用于全包封半导体器件的高导热型环氧树脂组合物，其特征是：所述的咪唑化合物选自2-甲基咪唑、2,4-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑和2-(十七烷基)咪唑中的一种或几种；

所述的叔胺化合物选自三乙胺卞基二甲胺、α-甲基卞基二甲胺、2-(二甲胺基甲基)苯酚、2,4,6-三(二甲胺基甲基)苯酚和1，8-二氮杂双环(5,4,0)十一碳烯-7中的一种或几种；

所述的有机膦化合物选自三苯基膦、三甲基膦、三乙基膦、三丁基膦、三(对甲基苯基)膦和三(壬基苯基)膦中的一种或几种。

8.根据权利要求1所述的用于全包封半导体器件的高导热型环氧树脂组合物，其特征是：所述的脱模剂选自巴西棕榈蜡、合成蜡和矿物质蜡中的一种或几种；

所述的硅烷偶联剂选自γ-环氧丙基丙基醚三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷和γ-氨丙基三甲氧基硅烷中的一种或几种；

所述的着色剂为炭黑；

所述的低应力改性剂为液体硅油、硅橡胶粉末或它们的混合物。

9.根据权利要求1所述的用于全包封半导体器件的高导热型环氧树脂组合物，其特征是：所述的无机离子捕捉剂选自水合金属氧化物、酸性金属盐及铝镁的化合物中的一种或几种。

10.根据权利要求9所述的用于全包封半导体器件的高导热型环氧树脂组合物，其特征是：所述的水合金属氧化物是Bi₂O₃·3H₂O，所述的酸性金属盐是Zr(HPO₄)₂·H₂O，所述的铝镁的化合物是Mg₆Al₂(CO₃)(OH)₁₆·4H₂O。