本发明涉及碘领域，具体是一种放射性甲基碘的工业制备方法。
背景技术：
现有技术中，用于现代科学领域如半导体、碘硫化锑(SbSI)这类化合物晶体作为具有潜在应用前景的一类材料，其合成路线的探索及控制生长越来越受到人们的关注。到目前为止，研究者们已经利用化学气相沉积法(CVD)，超声化学法和高温水热方法制备出SbSI等晶体。如用CVD方法可通过单质反应源在温度超过600℃的条件下生长出碘硫化锑(SbSI)晶体。
发明专利内容
本发明专利提供一种放射性甲基碘的工业制备方法，以解决上述背景技术中提出的不节能环保的问题。实现本发明第一个目的的技术方案是：1、本发明属于一种放射性甲的工业制备方法，包括；无机化合物与有机化合物的质量比为1∶1～5。无机化合物为钼酸盐或高锰酸盐。复合催化剂的添加量为初始所投精碘量的0.05～0.4％。
附图说明
无
具体实施方式
本发明一种放射性甲基碘的工业制备方法，以解决上述背景技术中提出的不节能环保的问题。实现本发明第一个目的的技术方案是：1、本发明属于一种放射性甲的工业制备方法，包括；无机化合物与有机化合物的质量比为1∶1～5。无机化合物为钼酸盐或高锰酸盐。复合催化剂的添加量为初始所投精碘量的0.05～0.4％。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。