技术总结
本发明涉及一种聚吡咯膜及其制备方法和应用，所述聚吡咯膜在波长为320、440、463和540 nm处有吸收峰；所述聚吡咯膜的红外光谱的特征吸收，为1545 cm–1、1466 cm–1、1305 cm–1、1182 cm–1、1092 cm–1、1043 cm–1、915 cm–1、787 cm–1、和678 cm–1。本发明还提供所述聚吡咯膜的制备方法。聚吡咯膜的用途，用于工作电极和超级电容器。本发明所合成的大尺寸、自持聚吡咯薄膜，不仅适合于研究聚吡咯膜的力学、电子学和光学等基本物化性质；而且方便裁剪，适用于组装柔性超级电容器或电池。
技术研发人员：盖利刚;白娜娜;班青
受保护的技术使用者：齐鲁工业大学
文档号码：201610967270
技术研发日：2016.10.28
技术公布日：2017.02.15