技术特征：
技术总结
提供通过湿式成膜法获得表现高迁移率的半导体元件的半导体材料，及提供获得该半导体材料的化合物。通式(1)所示的化合物(式中，Ar表示任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的杂芳香族基团，R1表示非环式的碳原子数1～20的烷基(该烷基中的‑CH2‑以氧原子、硫原子及氮原子各自不直接键合的方式任选被‑O‑、‑R’C＝CR’‑、‑CO‑、‑OCO‑、‑COO‑、‑S‑、‑SO2‑、‑SO‑、‑NH‑、‑NR’‑或‑C≡C‑取代，该烷基中的氢原子任选被卤素基团、腈基或芳香族基团取代(其中，R’表示碳原子数1～20的非环式或环式的烷基。)。)。)。
技术研发人员：稻垣翔;石塚亚弥;饵取秀树
受保护的技术使用者：DIC株式会社
技术研发日：2017.03.14
技术公布日：2018.09.04