本发明涉及金属络合物、含有该金属络合物的组合物、及含有该金属络合物的发光元件。
背景技术
作为发光元件的发光层中使用的发光材料，对显示出来自三重激发态的发光的磷光发光性化合物等进行了研究。例如，专利文献1及专利文献2中公开了配体具有1,2,4－三唑结构的铱络合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2015/0349267号说明书
专利文献2：国际公开第2014/085296号
技术实现要素：
发明要解决的课题
但是，上述金属络合物的发光稳定性并不充分。
因此，本发明的目的在于，提供一种发光稳定性优异的金属络合物。本发明的目的还在于，提供含有该金属络合物的组合物、膜及发光元件。
用于解决课题的方法
本发明提供以下的[1]～[15]。
[1]一种金属络合物，其用式(1)表示。
[化1]
[式中，
x表示氮原子或＝c(rx)－所示的基团。rx表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、取代氨基或卤素原子，这些基团任选具有取代基。在x存在两个以上的情况下，它们相同或不同。
r1表示碳原子数4以上的烷基，该基团任选具有取代基。在r1存在两个以上的情况下，它们相同或不同。
r2表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、取代氨基或卤素原子，这些基团任选具有取代基。在r2存在两个以上的情况下，它们相同或不同。
环a及环b各自独立地表示芳香族烃环或芳香族杂环，这些环任选具有取代基。在该取代基存在两个以上的情况下，它们相同或不同，任选彼此键合并与各自所键合的原子一起形成环。在环a及环b存在两个以上的情况下，它们各自相同或不同。
m表示铑原子、钯原子、铱原子或铂原子。
n1表示1以上的整数，n2表示0以上的整数，n1+n2为2或3。
在m为铑原子或铱原子的情况下，n1+n2为3，在m为钯原子或铂原子的情况下，n1+n2为2。
a1－g1－a2表示阴离子性的二齿配体。a1及a2各自独立地表示碳原子、氧原子或氮原子，这些原子任选为构成环的原子。g1表示单键、或者表示与a1及a2一起构成二齿配体的原子团。在a1－g1－a2存在两个以上的情况下，它们相同或不同。]
[2]根据[1]所述的金属络合物，其中，环b为苯环、芴环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环。
[3]根据[2]所述的金属络合物，其用式(1a)表示。
[化2]
[式中，
m、n1、n2、r1、r2、环a、x及a1－g1－a2表示与上述相同的含义。
r3、r4、r5及r6各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、取代氨基或卤素原子，这些基团任选具有取代基。
在r3、r4、r5及r6存在两个以上的情况下，它们各自相同或不同。r3与r4、r4与r5、以及r5与r6任选彼此键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。]
[4]根据[3]所述的金属络合物，其用式(1b)表示。
[化3]
[式中，
m、n1、n2、r1、r2、r3、r4、r5、r6、x及a1－g1－a2表示与上述相同的含义。
r7、r8及r9各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、取代氨基或卤素原子，这些基团任选具有取代基。在r7、r8及r9存在两个以上的情况下，它们各自相同或不同。r7与r8、r8与r9任选彼此键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。]
[5]根据[1]～[4]中任一项所述的金属络合物，其中，至少一个r1为式(2)所示的基团。
[化4]
[式中，
r11表示烷基，该基团任选具有取代基。在r11存在两个以上的情况下，它们相同或不同。
r12表示环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、取代氨基或卤素原子，这些基团任选具有取代基。在r12存在两个以上的情况下，它们相同或不同。
n3表示1～3的整数，n4表示0～2的整数，n5表示0或1，n3+n4+n5为3。]
[6]根据[5]所述的金属络合物，其中，n5为0。
[7]根据[5]或[6]所述的金属络合物，其中，n4为0。
[8]根据[1]～[7]中任一项所述的金属络合物，其中，r2为任选具有取代基的烷基。
[9]根据[1]～[8]中任一项所述的金属络合物，其中，m为铂原子或铱原子。
[10]根据[1]～[9]中任一项所述的金属络合物，其中，n2为0。
[11]根据[1]～[10]中任一项所述的金属络合物，其中，x为氮原子。
[12]一种组合物，其含有：
[1]～[11]中任一项所述的金属络合物；以及
选自式(h－1)所示的化合物及包含式(y)所示的结构单元的高分子化合物中的至少一种。
[化5]
[式中，
arh1及arh2各自独立地表示芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。
nh1及nh2各自独立地表示0或1。在nh1存在两个以上的情况下，它们相同或不同。所存在的两个以上的nh2相同或不同。
nh3表示0以上的整数。
lh1表示亚芳基、二价杂环基、或－[c(rh11)2]nh11－所示的基团，这些基团任选具有取代基。在lh1存在两个以上的情况下，它们相同或不同。
nh11表示1以上且10以下的整数。rh11表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。所存在的两个以上的rh11相同或不同，任选彼此键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。
lh2表示－n(－lh21－rh21)－所示的基团。在lh2存在两个以上的情况下，它们相同或不同。
lh21表示单键、亚芳基或二价杂环基，这些基团任选具有取代基。rh21表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。]
[化6]
[式中，ary1表示亚芳基、二价杂环基、或者、至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团，这些基团任选具有取代基。]
[13]一种组合物，其含有：
[1]～[11]中任一项所述的金属络合物；以及
选自空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料、抗氧化剂及溶剂中的至少1种材料。
[14]一种膜，其含有[1]～[11]中任一项所述的金属络合物。
[15]一种发光元件，其含有[1]～[11]中任一项所述的金属络合物。
发明的效果
根据本发明，能够提供发光稳定性优异的金属络合物。另外，根据本发明，能够提供含有该金属络合物的组合物、膜及发光元件。
具体实施方式
以下，对本发明的适宜实施方式进行详细地说明。
＜通用术语的说明＞
本说明书中通用的术语只要没有特别记载则为以下的含义。
me表示甲基、et表示乙基、bu表示丁基、i－pr表示异丙基、t－bu表示叔丁基、ph表示苯基。
氢原子(也记为“h”)可以为氘原子，也可以为氕原子。
在表示金属络合物的式中，表示与中心金属形成的键的实线是指共价键或配位键。
“高分子化合物”表示具有分子量分布且聚苯乙烯换算的数均分子量为1×103以上(例如1×103～1×108)的聚合物。
高分子化合物可以为嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一者，也可以为其他的形态。
关于高分子化合物的末端基团，若聚合活性基团原样残留，则在将高分子化合物用于发光元件的制作的情况下，有发光特性或亮度寿命降低的可能性，因此优选为稳定的基团。作为该末端基团，优选为与主链共轭键合的基团，可举出例如通过碳－碳键与芳基或一价杂环基进行键合的基团。
“结构单元”是指在高分子化合物中存在1个以上的单元。
“低分子化合物”是指不具有分子量分布且分子量为1×104以下的化合物。
“烷基”可以为直链及支链中的任一种。直链烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为1～50，优选为1～10，更优选为1～6。支链烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～50，优选为3～12，更优选为4～8。
烷基任选具有取代基。作为烷基，例如可举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、2－丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、2－乙基丁基、己基、庚基、辛基、2－乙基己基、3－丙基庚基、癸基、3,7－二甲基辛基、2－乙基辛基、2－己基癸基、十二烷基等。另外，烷基可以为这些基团中的氢原子的一部分或全部被环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基团。作为这样的烷基，例如可举出：三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3－苯基丙基、3－(4－甲基苯基)丙基、3－(3,5－二己基苯基)丙基、6－乙氧基己基。
“环烷基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～50，优选为3～30，更优选为4～20。
环烷基任选具有取代基。作为环烷基，例如可举出环己基、环己基甲基、环己基乙基。
“芳基”是指从芳香族烃中除去与构成环的碳原子直接键合的1个氢原子后余下的原子团。芳基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为6～60，优选为6～20，更优选为6～10。
芳基任选具有取代基。作为芳基，例如可举出：苯基、1－萘基、2－萘基、1－蒽基、2－蒽基、9－蒽基、1－芘基、2－芘基、4－芘基、2－芴基、3－芴基、4－芴基、2－苯基苯基、3－苯基苯基、4－苯基苯基等。另外，芳基可以为这些基团中的氢原子的一部或全部被烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基团。
“烷氧基”可以为直链及支链中的任一种。直链烷氧基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为1～40，优选为4～10。支链烷氧基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～40，优选为4～10。
烷氧基任选具有取代基。作为烷氧基，例如可举出：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2－乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7－二甲基辛氧基、月桂氧基等。另外，烷氧基可以为这些基团中的氢原子的一部或全部被环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基团。
“环烷氧基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～40，优选为4～10。
环烷氧基任选具有取代基。作为环烷氧基，例如可举出环己基氧基。
“芳氧基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为6～60，优选为6～48。
芳氧基任选具有取代基。作为芳氧基，例如可举出：苯氧基、1－萘氧基、2－萘氧基、1－蒽氧基、9－蒽氧基、1－芘氧基等。另外，芳氧基可以为这些基团中的氢原子的一部或全部被烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、氟原子等取代后的基团。
“p价的杂环基”(p表示1以上的整数)是指：从杂环式化合物中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子之中的p个氢原子后余下的原子团。p价的杂环基之中，优选为从芳香族杂环式化合物中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子之中的p个氢原子后余下的原子团、即“p价的芳香族杂环基”。
“芳香族杂环式化合物”是指：噁二唑、噻二唑、噻唑、噁唑、噻吩、吡咯、磷杂环戊二烯、呋喃、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪、哒嗪、喹啉、异喹啉、咔唑、二苯并磷杂环戊二烯等杂环自身表现出芳香族性的化合物；以及、吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并硼杂环戊二烯、二苯并噻咯、苯并吡喃等杂环自身不表现出芳香族性、但在杂环上稠合有芳香环的化合物。
p价的杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为2～60，优选为3～20，更优选为4～20。
p价的杂环基任选具有取代基。p价的杂环基中，作为一价杂环基，例如可举出：噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基、嘧啶基、三嗪基等。另外，一价杂环基可以为这些基团中的氢原子的一部或全部被烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基等取代后的基团。
“卤素原子”表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
“氨基”任选具有取代基，优选为取代氨基。作为氨基所具有的取代基，优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基。
作为取代氨基，优选为二取代氨基。作为二取代氨基，例如可举出：二烷基氨基、二环烷基氨基及二芳基氨基。
作为二取代氨基，例如可举出：二甲基氨基、二乙基氨基、二苯基氨基、双(4－甲基苯基)氨基、双(4－叔丁基苯基)氨基、双(3,5－二叔丁基苯基)氨基。
“烯基”可以为直链及支链中的任一种。直链烯基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为2～30，优选为3～20。支链烯基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～30，优选为4～20。
“环烯基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～30，优选为4～20。
烯基及环烯基任选具有取代基。作为烯基，例如可举出：乙烯基、1－丙烯基、2－丙烯基、2－丁烯基、3－丁烯基、3－戊烯基、4－戊烯基、1－己烯基、5－己烯基、7－辛烯基、以及、这些基团中的氢原子的一部或全部被取代基取代后的基团。作为环烯基，例如可举出：环己烯基、2－降冰片烯基。
“炔基”可以为直链及支链中的任一种。炔基的碳原子数不包括取代基的碳原子，通常为2～20，优选为3～20。支链炔基的碳原子数不包括取代基的碳原子，通常为4～30，优选为4～20。
“环炔基”的碳原子数不包括取代基的碳原子，通常为4～30，优选为4～20。
炔基及环炔基任选具有取代基。作为炔基，例如可举出：乙炔基、1－丙炔基、2－丙炔基、2－丁炔基、3－丁炔基、3－戊炔基、4－戊炔基、1－己炔基、5－己炔基、以及、这些基团中的氢原子的一部或全部被取代基取代后的基团。
“亚芳基”是指从芳香族烃中除去与构成环的碳原子直接键合的2个氢原子后余下的原子团。亚芳基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。
亚芳基任选具有取代基。作为亚芳基，例如可举出：亚苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氢菲二基、并四苯二基、芴二基、芘二基、苝二基、
[化7]
[化8]
[化9]
[化10]
式中，r及ra各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基。所存在的两个以上的r及ra各自相同或不同，ra彼此任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。
二价杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为2～60，优选为3～20，更优选为4～15。
二价杂环基任选具有取代基。作为二价杂环基，例如可举出：从吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并噻咯、吩噁嗪、吩噻嗪、吖啶、二氢吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子之中的2个氢原子后的二价基团、以及、这些基团中的氢原子的一部或全部被取代基取代后的基团。二价杂环基优选为式(aa－1)～式(aa－34)所示的基团。二价杂环基包括键合有两个以上这些基团的基团。
[化11]
[化12]
[化13]
[化14]
[化15]
[化16]
[化17]
式中，r及ra表示与上述相同的含义。
“交联基”通过供于加热、紫外线照射、近紫外线照射、可见光照射、红外线照射、自由基反应等而能够生成新键的基团。交联基优选为式(b－1)～(b－17)中任一者所示的基团。这些基团任选具有取代基。
[化18]
“取代基”表示卤素原子、氰基、烷基、环烷基、芳基、一价杂环基、烷氧基、环烷氧基、芳氧基、氨基、取代氨基、烯基、环烯基、炔基或环炔基。取代基可以为交联基。
在本说明书，“发光稳定性优异的金属络合物”(或“金属络合物的发光稳定性优异”)是指：在通过一定的激发条件使金属络合物连续地激发的情况下，金属络合物的来自三重激发态的发光亮度不易降低。作为使金属络合物激发的方法，例如可举出光激发、电流激发。
本实施方式的金属络合物的发光稳定性优异，因此含有本实施方式的金属络合物的组合物、膜及发光元件的发光稳定性也优异。
在本说明书中，芳基、一价杂环基或取代氨基可以为树枝状基团。
“树枝状基团”是指具有以原子或环作为分支点的规则的树枝状支链结构(即，树状高分子结构)的基团。作为具有树枝状基团的化合物(以下称为“树状高分子”)，例如可举出：国际公开第2002/067343号、日本特开2003－231692号公报、国际公开第2003/079736号、国际公开第2006/097717号等文献中记载的结构。
作为树枝状基团，优选为式(d－a)或(d－b)所示的基团。
[化19]
式中，
mda1、mda2及mda3各自独立地表示0以上的整数。
gda表示氮原子、芳香族烃基或杂环基，这些基团任选具有取代基。
arda1、arda2及arda3各自独立地表示亚芳基或二价杂环基，这些基团任选具有取代基。在arda1、arda2及arda3存在两个以上的情况下，它们各自相同或不同。
tda表示芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。所存在的两个以上的tda相同或不同。
[化20]
式中，
mda1、mda2、mda3、mda4、mda5、mda6及mda7各自独立地表示0以上的整数。
gda表示氮原子、芳香族烃基或杂环基，这些基团任选具有取代基。所存在的两个以上的gda相同或不同。
arda1、arda2、arda3、arda4、arda5、arda6及arda7各自独立地表示亚芳基或二价杂环基，这些基团任选具有取代基。在arda1、arda2、arda3、arda4、arda5、arda6及arda7存在两个以上的情况下，它们各自相同或不同。
tda表示芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。所存在的两个以上的tda相同或不同。
mda1、mda2、mda3、mda4、mda5、mda6及mda7通常为10以下的整数，优选为5以下的整数，更优选为0或1。优选mda2、mda3、mda4、mda5、mda6及mda7为相同的整数，更优选mda1、mda2、mda3、mda4、mda5、mda6及mda7为相同的整数，进一步优选mda1、mda2、mda3、mda4、mda5、mda6及mda7全部为0。
gda优选为式(gda－11)～(gda－15)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
[化21]
式中，
*表示与式(d－a)中的arda1、式(d－b)中的arda1、式(d－b)中的arda2或式(d－b)中的arda3形成的键。
**表示与式(d－a)中的arda2、式(d－b)中的arda2、式(d－b)中的arda4或式(d－b)中的arda6形成的键。
***表示与式(d－a)中的arda3、式(d－b)中的arda3、式(d－b)中的arda5或式(d－b)中的arda7形成的键。
rda表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团任选进一步具有取代基。在rda存在两个以上的情况下，它们相同或不同。
rda优选为氢原子、烷基、环烷基、烷氧基或环烷氧基，更优选为氢原子、烷基或环烷基，这些基团任选具有取代基。
arda1、arda2、arda3、arda4、arda5、arda6及arda7优选为式(arda－1)～(arda－3)所示的基团。
[化22]
式中，
rda表示与上述相同的含义。
rdb表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。在rdb存在两个以上的情况下，它们相同或不同。
rdb优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基或一价杂环基，进一步优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
tda优选为式(tda－1)～(tda－3)所示的基团。
[化23]
式中，rda及rdb表示与上述相同的含义。
式(d－a)所示的基团优选为式(d－a1)～(d－a3)所示的基团。
[化24]
式中，
rp1、rp2及rp3各自独立地表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基或卤素原子。在rp1及rp2存在两个以上的情况下，它们各自相同或不同。
np1表示0～5的整数，np2表示0～3的整数，np3表示0或1。所存在的两个以上的np1相同或不同。
式(d－b)所示的基团优选为式(d－b1)～(d－b3)所示的基团。
[化25]
式中，
rp1、rp2及rp3各自独立地表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基或卤素原子。在rp1及rp2存在两个以上的情况下，它们各自相同或不同。
np1表示0～5的整数，np2表示0～3的整数，np3表示0或1。在np1及np2存在两个以上的情况下，它们各自相同或不同。
np1优选为0～3的整数，更优选为1～3的整数，进一步优选为1。np2优选为0或1，更优选为0。np3优选为0。
rp1、rp2及rp3优选为烷基或环烷基。
＜金属络合物＞
接下来，对本实施方式的金属络合物进行说明。本实施方式的金属络合物用式(1)表示。
[化26]
x所表示的以＝c(rx)－表示的基团中的rx优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，更优选为氢原子、烷基或芳基，进一步优选为氢原子或烷基。
x优选为氮原子。
式(1)所示的金属络合物由m(铑原子、钯原子、铱原子或铂原子)、以尾标n1规定其数量的配体和以尾标n2规定其数量的配体构成。
出于使金属络合物的发光稳定性优异的理由，m优选为铂原子或铱原子，更优选为铱原子。
在m为铑原子或铱原子的情况下，n1优选为2或3，更优选为3。另外，在m为钯原子或铂原子的情况下，n1优选为2。
出于使金属络合物的发光稳定性优异的理由，r1所示的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，优选为5以上，更优选为7以上。
出于容易合成的理由，r1所示的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，优选为20以下，更优选为15以下，进一步优选为10以下。
出于使金属络合物的发光稳定性优异、且容易合成的理由，r1所示的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，例如优选为4以上且20以下，更优选为4以上且15以下，进一步优选为4以上且10以下，特别优选为5以上且10以下，极优选为7以上且10以下。
出于使金属络合物的发光稳定性优异的理由，r1任选具有的取代基优选为烷氧基、环烷基、环烷氧基、芳基、一价杂环基、取代氨基或卤素原子，更优选为环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，进一步优选为环烷基或芳基，特别优选为环烷基，这些基团任选进一步具有取代基。另外，r1优选为不具有取代基的烷基。
可以认为：在本实施方式中，因r1和r2的立构位阻而使环a与三唑环成为扭曲的位置关系，这有助于金属络合物的优异的发光稳定性。
在r1中，出于使金属络合物的发光稳定性优异的理由，与三唑环直接键合的碳原子所具有的氢原子的数量优选为0或1，更优选为0。
出于使金属络合物的发光稳定性优异的理由，r1优选为仲烷基或叔烷基，这些基团任选具有取代基，更优选为叔烷基。作为仲烷基，例如可举出：后述式(2)的n3为2且n5为1的基团。作为叔烷基，例如可举出：后述式(2)的n3为3的基团。
关于r1，出于使金属络合物的发光稳定性优异的理由，优选至少一个r1为式(2)所示的基团。
[化27]
由于r1为碳原子数4以上的烷基，因此，在n3为1的情况下，r11所示的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数且为3以上。另外，在n3为2的情况下，2个r11所示的烷基的碳原子数的合计不包括取代基的碳原子数且为3以上。另外，在n3为3的情况下，3个r11所示的烷基的碳原子数的合计不包括取代基的碳原子数且为3以上。
出于使金属络合物的发光稳定性优异的理由，r11任选具有的取代基优选为烷氧基、环烷基、环烷氧基、芳基、一价杂环基、取代氨基或卤素原子，更优选为环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，进一步优选为环烷基或芳基，特别优选为环烷基，这些基团任选进一步具有取代基。极优选r11为不具有取代基的烷基。
出于使金属络合物的发光稳定性优异的理由，r12优选为环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，更优选为环烷基或芳基，进一步优选为环烷基，这些基团任选具有取代基。
作为r12任选具有的取代基，优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、一价杂环基、取代氨基或卤素原子，更优选为烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，进一步优选为烷基、环烷基或芳基，特别优选为烷基或环烷基，这些基团任选进一步具有取代基。
出于使金属络合物的发光稳定性优异的理由，n3优选为2或3，更优选为3。
出于使金属络合物的发光稳定性优异的理由，n4优选为0或1，更优选为0。
出于使金属络合物的发光稳定性优异的理由，n5优选为0。
作为式(2)所示基团的优选例子，可举出式(i－02)～(i－21)所示的基团。
[化28]
作为式(2)所示的基团，上述之中，优选式(i－08)、式(i－09)、式(i－10)、式(i－12)、式(i－13)、式(i－14)、式(i－15)、式(i－20)或式(i－21)所示的基团，更优选式(i－12)、式(i－14)或式(i－15)所示的基团。
出于使金属络合物的发光稳定性优异的理由，r2优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、一价杂环基或取代氨基，更优选为烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，进一步优选为烷基、环烷基或芳基，特别优选为烷基，这些基团任选具有取代基。极优选r2为不具有取代基的烷基。
r2任选具有的取代基的例子及优选的范围与上述的r12任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
当r1为叔烷基时，出于使金属络合物的发光波长成为短波长的理由，r2优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。
当r1为仲烷基时，出于使金属络合物的发光波长成为短波长的理由，r2优选为烷基、环烷基或芳基，更优选为仲烷基、叔烷基、环烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。
出于容易合成的理由，r2所示的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，优选为6以下，更优选为4以下。
当r1为叔烷基时，r2所示的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，可以为1以上。
当r1为仲烷基时，r2所示的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，优选为3以上。
r2所示的环烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，优选为5以上，进一步优选为6以上。另外，r2所示的环烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，优选为10以下。
r2所示的芳基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，优选为6以上。r2所示的芳基特别优选为不具有取代基的苯基。
作为r2的优选例子，可举出式(ii－01)～(ii－14)所示的基团。
[化29]
作为r2，上述之中，优选为式(ii－01)、式(ii－02)、式(ii－03)、式(ii－04)、式(ii－05)、式(ii－06)、式(ii－07)、式(ii－08)或式(ii－10)所示的基团，更优选为式(ii－01)、式(ii－02)、式(ii－04)、式(ii－06)或式(ii－10)所示的基团，进一步优选为式(ii－01)、式(ii－02)、式(ii－04)或式(ii－06)所示的基团。
关于环a，具有r2作为取代基的环优选为6元的芳香族烃环或6元的芳香族杂环，更优选为6元的芳香族烃环，这些环任选具有取代基。
环a优选为单环的芳香族烃环、具有稠环的芳香族烃环、单环的芳香族杂环、或具有稠环的芳香族杂环，更优选为单环的芳香族烃环、具有稠环的芳香族烃环、或具有稠环的芳香族杂环，进一步优选为单环的芳香族烃环、或具有稠环的芳香族烃环，特别优选为单环的芳香族烃环，这些环任选具有取代基。
作为环a所示的单环的芳香族烃环，优选为任选具有取代基的苯环。作为环a所示的稠环的芳香族烃环，优选萘环、芴环、茚环、菲环，更优选芴环、菲环，进一步优选芴环，这些环任选具有取代基。
作为环a所示的单环的芳香族杂环，优选吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环，这些环任选具有取代基。作为环a所示的稠环的芳香族杂环，优选二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、咔唑环，这些环任选具有取代基。
出于使金属络合物的发光稳定性更优异的理由，环a所任选具有的除了r2以外的取代基优选为烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，更优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，进一步优选为烷基、环烷基或芳基，特别优选为烷基或芳基，这些基团任选进一步具有取代基。
作为环a，例如可举出式(l－1)～(l－16)所示的结构。这些之中，作为环a，优选式(l－1)～(l－10)所示的结构，更优选式(l－1)～(l－6)所示的结构，特别优选式(l－1)或(l－2)所示的结构。在此，键合键表示与临位的氮原子形成的键。
[化30]
[化31]
[化32]
[化33]
式中，
rl4表示氢原子、烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，这些基团任选具有取代基。所存在的两个以上的rl4相同或不同，相邻的rl4彼此任选相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。
rl5表示烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，这些基团任选具有取代基。所存在的两个以上的rl5相同或不同，任选彼此键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。
rl4优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，优选为氢原子、烷基或环烷基，这些基团任选具有取代基。作为rl4所示的烷基或环烷基，优选式(iii－01)～(iii－10)所示的基团。
[化34]
rl5优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为烷基、环烷基或芳基，进一步优选为芳基，这些基团任选具有取代基。作为rl5所示的芳基，优选式(iv－01)～(iv－09)所示的基团。
[化35]
关于环b，与m直接键合的环优选为6元的芳香族烃环或6元的芳香族杂环，更优选为6元的芳香族烃环，这些环任选具有取代基。
环b优选为单环的芳香族烃环、具有稠环的芳香族烃环、单环的芳香族杂环、或具有稠环的芳香族杂环，更优选为单环的芳香族烃环、具有稠环的芳香族烃环、或具有稠环的芳香族杂环，进一步优选为单环的芳香族烃环、或具有稠环的芳香族烃环，特别优选为单环的芳香族烃环，这些环任选具有取代基。
作为环b，例如可举出：苯环、萘环、芴环、茚环、菲环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、咔唑环、吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环。环b优选为苯环、芴环、茚环、菲环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、咔唑环、吡啶环、二氮杂苯环或三嗪环，更优选为苯环、芴环、菲环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、咔唑环、吡啶环、二氮杂苯环或三嗪环，进一步优选为苯环、芴环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、咔唑环、吡啶环或嘧啶环，特别优选为苯环、芴环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环，极优选为苯环。这些环任选具有取代基。
出于使金属络合物的发光稳定性更优异的理由，环b任选具有的取代基优选为烷基、环烷基、芳基、一价杂环基、取代氨基或卤素原子，更优选为烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，进一步优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，特别优选为烷基、环烷基或芳基，极优选为烷基或芳基，这些基团任选还具有取代基。
出于使金属络合物的发光稳定性优异的理由，式(1)所示的金属络合物优选为式(1a)所示的金属络合物。
[化36]
出于容易合成金属络合物的理由，r3及r6优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基、一价杂环基、取代氨基或卤素原子，更优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，进一步优选为氢原子、烷基或芳基，特别优选为氢原子，这些基团任选具有取代基。
出于容易合成金属络合物的理由，r4及r5优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基、一价杂环基、取代氨基或卤素原子，更优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，进一步优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基、一价杂环基，特别优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，极优选为氢原子、烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。
r3、r4、r5及r6任选具有的取代基的例子及优选的范围与上述的r12任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
出于使金属络合物的发光稳定性更优异的理由，r4优选为芳基、一价杂环基或取代氨基，更优选为芳基或一价杂环基，进一步优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
出于使金属络合物的发光稳定性更优异、且容易合成的理由，优选的是，r4为任选具有取代基的芳基、且r5为氢原子或任选具有取代基的烷基。
作为r4及r5的适宜例子，可举出：式(ii－01)～(ii－17)所示的基团、式(d－a)所示的基团、及式(d－b)所示的基团。
[化37]
在r4及r5中，作为式(d－a)或(d－b)所示基团的适宜例子，例如可举出式(ii－18)～(ii－25)所示的基团。
[化38]
[化39]
作为r4及r5，上述之中，更优选为式(ii－01)、式(ii－02)、式(ii－04)、式(ii－06)、式(ii－10)、式(ii－11)、式(ii－12)、式(ii－15)、式(ii－16)、式(ii－17)、式(ii－18)、式(ii－19)、式(ii－21)、式(ii－24)或式(ii－25)所示的基团，特别优选为式(ii－01)、式(ii－02)、式(ii－04)、式(ii－10)、式(ii－15)、式(ii－16)、式(ii－17)、式(ii－18)、式(ii－24)或式(ii－25)所示的基团。
在适宜的一种方式中，r3、r5及r6可以为氢原子。此时，r4可以为氢原子，也可以为氢原子以外的基团。
在适宜的另一种方式中，r5可以为烷基，且r4可以为芳基。此时，r3及r6可以为氢原子，也可以为氢原子以外的基团。
出于使金属络合物的发光稳定性优异的理由，式(1)所示的金属络合物优选为式(1b)所示的金属络合物。
[化40]
出于使金属络合物的发光稳定性更优异的理由，r7、r8及r9优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，更优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，进一步优选为氢原子、烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。
r7、r8及r9任选具有的取代基的例子及优选的范围与上述的r12任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
作为r7、r8及r9的适宜例子，可举出：式(ii－01)～(ii－17)所示的基团、式(d－a)所示的基团、及式(d－b)所示的基团。
在r7、r8及r9中，作为式(d－a)或(d－b)所示基团的适宜例子，例如可举出式(ii－18)～(ii－25)所示的基团。
作为r7、r8及r9，上述之中，更优选为式(ii－01)、式(ii－02)、式(ii－06)、式(ii－10)、式(ii－11)、式(ii－14)、式(ii－15)、式(ii－24)或式(ii－25)所示的基团，特别优选式(ii－01)、式(ii－02)、式(ii－06)、式(ii－10)、式(ii－15)、式(ii－24)或式(ii－25)所示的基团。
在适宜的一种方式中，r7可以为氢原子。此时，r8及r9可以为氢原子，也可以为氢原子以外的基团。
在适宜的一种方式中，r7及r9可以为氢原子。此时，r8可以为氢原子，也可以为氢原子以外的基团(优选为：任选具有取代基的烷基或任选具有取代基的芳基)。
作为a1－g1－a2所示的阴离子性的二齿配体，例如可举出下述式所示的配体。
[化41]
[化42]
式中，*表示与m进行键合的部位。
a1－g1－a2所示的阴离子性的二齿配体可以为下述式所示的配体。其中，a1－g1－a2所示的阴离子性的二齿配体与以尾标n1定义其个数的配体不同。
[化43]
式中，*表示与m进行键合的部位。
rl1表示氢原子、烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或卤素原子，这些基团任选具有取代基。所存在的两个以上的rl1相同或不同。
rl2表示烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或卤素原子，这些基团任选具有取代基。
作为式(1)所示的金属络合物(x为氮原子)，例如可举出下述式所示的金属络合物。
[化44]
[化45]
[化46]
[化47]
[化48]
[化49]
[化50]
[化51]
[化52]
[化53]
[化54]
[化55]
[化56]
[化57]
[化58]
[化59]
[化60]
[化61]
[化62]
[化63]
[化64]
[化65]
[化66]
[化67]
[化68]
[化69]
[化70]
[化71]
作为式(1)所示的金属络合物(x为＝c(rx)－所示的基团)，例如可举出下述式所示的金属络合物。
[化72]
[化73]
作为式(1)所示的金属络合物，也可以同样地例示出如下的金属络合物，该金属络合物具有：上述之中的一个金属络合物所具有的2个配体和其他金属络合物所具有的1个配体。另外，作为式(1)所示的金属络合物，也可以同样地例示出如下的金属络合物，该络合物具有：上述之中的一个金属络合物所具有的1个配体、其他金属络合物所具有的1个配体、以及其他金属络合物所具有的1个配体。
另外，作为式(1)所示的金属络合物，也可以同样地例示出：上述的金属络合物中的ir被置换为rh的金属络合物。另外，作为式(1)所示的金属络合物，也可以同样地例示出：上述的金属络合物所具有的2个配体配位于pt或pd的金属络合物。
另外，关于上述的金属络合物的例示，可以说示出了环a、环b、x、r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8、r9及a1－g1－a2的适宜的一种方式，作为环a、环b、x、r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8、r9及a1－g1－a2的适宜例子，可以例示上述金属络合物的例示中的各基团。
另外，将上述金属络合物的例示中的环a、环b、x、r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8、r9及a1－g1－a2任意组合而得的金属络合物也可以作为适宜的金属络合物来进行例示。
式(1)所示的金属络合物因r1及r2的立构位阻所致的环a及三唑环的扭曲、以及金属原子(m)周围的绝对构型，而可以存在多种异构体。在本实施方式中，金属络合物可以为多种异构体中的单独1种、或者多种异构体中的2种以上的混合物。
例如，式(1)所示的金属络合物中，作为几何异构体，可以存在facial体及meridional体。此时，出于使发光稳定性优异的理由，facial体的比例相对于金属络合物总体优选为80摩尔％以上，更优选为90摩尔％以上，进一步优选为99摩尔％以上，特别优选为100摩尔％。
另外，关于式(1)所示的金属络合物，作为几何异构体，可以存在有因r1及r2的立构位阻而产生的阻转异构体、以及、源自金属原子周围的绝对构型的异构体(δ体及λ体)，通过它们的组合，而可以存在多个对映异构体及非对映异构体。在本实施方式中，金属络合物可以为这些异构体中的1种，也可以为2种以上的混合物。
＜金属络合物的制造方法＞
·制造方法1
本实施方式的金属络合物例如可以通过使成为配体的化合物与金属化合物反应的方法(制造方法1)来制造。根据需要，可以进行金属络合物的配体的官能团转变反应。
制造方法1的一种方式可以为包含如下工序的反应：使式(m－1)所示的化合物与金属化合物或其水合物反应，得到金属络合物中间体(1)的工序a；使金属络合物中间体(1)与式(m－1)所示的化合物或a1－g1－a2所示配体的前体反应的工序b。
[化74]
式中，m、n1、n2、r1、r2、环a、环b、x及a1－g1－a2表示与上述相同的含义。
在工序a中，作为金属化合物，例如可举出：氯化铱、三(乙酰丙酮合)铱(iii)、氯(环辛二烯)铱(i)二聚体、乙酸铱(iii)等铱化合物；氯铂酸钾等铂化合物；氯化钯、乙酸钯等钯化合物；以及，氯化铑等铑化合物。作为金属化合物的水合物，例如可举出氯化铱·三水合物、氯化铑·三水合物。
作为金属络合物中间体(1)，例如可举出式(m－2)所示的金属络合物。
[化75]
式中，m、环a、环b、r1、r2及x表示与上述相同的含义。
n6表示1或2。在m为铑原子或铱原子的情况下，n6为2，在m为钯原子或铂原子的情况下，n6为1。
在工序a中，式(m－1)所示的化合物的量相对于金属化合物或其水合物1摩尔通常为2～20摩尔。
在工序b中，式(m－1)所示的化合物或a1－g1－a2所示配体的前体的量相对于金属络合物中间体(1)1摩尔通常为1～100摩尔。
制造方法1的另一方式可以为包含如下工序的方法：使式(m－1)所示的化合物与金属化合物或其水合物反应，得到金属络合物的工序f。例如，本实施方式的金属络合物的实施方式之一、即式(m－7)所示的化合物可以通过使式(m－1)所示的化合物与铱化合物或其水合物反应而得到。
[化76]
在工序f中，作为金属化合物，例如可举出氯化铱、三(乙酰丙酮合)铱(iii)、氯(环辛二烯)铱(i)二聚体、乙酸铱(iii)等铱化合物，作为金属化合物的水合物，例如可举出氯化铱·三水合物。
在工序f中，式(m－1)所示的化合物的量相对于金属化合物或其水合物1摩尔通常为2～20摩尔。
·制造方法2
本实施方式的金属络合物例如也可以通过金属络合物的配体的官能团转变反应来制造(制造方法2)。
在制造方法2中，作为官能团转变反应，可举出：suzuki反应、buchwald反应、stille反应、negishi反应及kumada反应等使用过渡金属催化剂的公知偶联反应等。
作为制造方法2，例如可举出包含如下工序的方法：使式(m－3)所示的金属络合物与式(m－4)所示的化合物发生偶联反应的工序c。
[化77]
式中，
m、n1、n2、环a、环b、r1、r2、x及a1－g1－a2表示与上述相同的含义。
nw1表示1以上且10以下的整数。
z1表示烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。
w1及w2中的一者表示选自氯原子、溴原子及碘原子中的卤素原子，另一者表示选自取代基b组中的基团。
＜取代基b组＞
－b(orc2)2(式中，rc2表示氢原子、烷基、环烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。所存在的两个以上的rc2相同或不同，任选彼此键合并与各自所键合的氧原子一起形成环结构)所示的基团；
－bf3q’(式中，q’表示li、na、k、rb或cs)所示的基团；
－mgy’(式中，y’表示氯原子、溴原子或碘原子)所示的基团；
－zny”(式中，y”表示氯原子、溴原子或碘原子)所示的基团；以及
－sn(rc3)3(式中，rc3表示氢原子、烷基、环烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。所存在的两个以上的rc3相同或不同，任选彼此键合并与各自所键合的锡原子一起形成环结构)所示的基团。
作为－b(orc2)2所示的基团，可例示式(w－1)～(w－10)所示的基团。
[化78]
nw1优选为1～5的整数，更优选为1或2，进一步优选为1。
z1优选为芳基或一价杂环基，更优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
z1任选具有的取代基的例子及优选的范围与r3、r4、r5及r6任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
作为w1及w2中的卤素原子，出于容易进行偶联反应的理由，优选为溴原子或碘原子。
作为w1及w2中的选自取代基b组中的基团，优选为－b(orc2)2所示的基团，更优选为式(w－7)所示的基团。
在适宜的一种方式中，w1可以为卤素原子，且w2可以为选自取代基b组中的基团。
在偶联反应中，为了促进反应，可以使用钯催化剂等催化剂。作为钯催化剂，例如可举出：乙酸钯、双(三苯基膦)二氯化钯(ii)、四(三苯基膦)钯(0)、[1,1’－双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯(ii)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)。
钯催化剂可以与三苯基膦、三(邻甲苯基)膦、三(叔丁基)膦、三环己基膦、1,1’－双(二苯基膦)二茂铁等磷化合物并用。
在偶联反应中使用钯催化剂的情况下，其量例如相对于式(m－3)所示的化合物1摩尔通常为有效量，优选以钯元素换算为0.00001～10摩尔。
在偶联反应中，根据需要可以并用钯催化剂和碱。
式(m－3)所示的金属络合物的实施方式之一、即式(m－3a)所示的金属络合物及式(m－3b)所示的金属络合物例如可以由式(m－5)所示的金属络合物来合成。
[化79]
式中，m、r1、r2、r3、r5、r6、环a、n1、n2、x及a1－g1－a2表示与上述相同的含义。
更详细而言，式(m－3a)所示的金属络合物例如可以通过使式(m－5)所示的金属络合物和n－溴代琥珀酰亚胺在有机溶剂中反应的工序d来合成。
另外，式(m－3b)所示的金属络合物例如可以通过使式(m－3a)所示的金属络合物和双(频那醇合)二硼在有机溶剂中反应的工序e来合成。
在工序d中，n－溴代琥珀酰亚胺的量相对于式(m－5)所示的化合物1摩尔通常为1～50摩尔。
在工序e中，双(频那醇合)二硼的量相对于式(m－3a)所示的化合物1摩尔通常为1～50摩尔。
工序e的反应中，为了促进反应，可以使用钯催化剂等催化剂。作为钯催化剂，可以例示出与上述相同的催化剂。
在工序e中，钯催化剂可以与三苯基膦、三(邻甲苯基)膦、三(叔丁基)膦、三环己基膦、1,1’－双(二苯基膦)二茂铁等磷化合物并用。
在工序e中使用钯催化剂的情况下，其量例如相对于式(m－3a)所示的化合物1摩尔通常为有效量，优选以钯元素换算为0.00001～10摩尔。
在工序e中，根据需要与钯催化剂和碱并用。
工序a、工序b、工序c、工序d、工序e及工序f通常在溶剂中进行。作为溶剂，可举出：甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、甘油、2－甲氧基乙醇、2－乙氧基乙醇等醇系溶剂；二乙醚、四氢呋喃(thf)、二噁烷、环戊基甲基醚、二甘醇二甲醚等醚系溶剂；二氯甲烷、氯仿等卤素系溶剂；乙腈、苄腈等腈系溶剂；己烷、十氢萘、十五烷、甲苯、二甲苯、三甲苯等烃系溶剂；n,n－二甲基甲酰胺、n,n－二甲基乙酰胺等酰胺系溶剂；丙酮、二甲基亚砜、水等。
在工序a、工序b、工序c、工序d、工序e及工序f中，反应时间通常为30分钟～200小时，反应温度通常在反应体系内存在的溶剂的熔点至沸点之间。
式(m－1)所示的化合物(x为氮原子)例如可以通过下述方法来合成：使式(m－6)所示的芳基酰肼化合物和式(m－7)所示的芳基酰胺化合物在碱及酸酐的存在下发生缩合。
[化80]
式中，r1、r2、环a及环b表示与上述相同的含义。
该反应通常在溶剂中进行。作为溶剂，可举出：甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、甘油、2－甲氧基乙醇、2－乙氧基乙醇等醇系溶剂；二乙醚、四氢呋喃(thf)、二噁烷、环戊基甲基醚、二甘醇二甲醚等醚系溶剂；二氯甲烷、氯仿、氯苯、二氯苯、氯丁烷等卤素系溶剂；乙腈、苄腈等腈系溶剂；己烷、十氢萘、甲苯、二甲苯、三甲苯等烃系溶剂；n,n－二甲基甲酰胺、n,n－二甲基乙酰胺等酰胺系溶剂；丙酮、二甲基亚砜、水等。
该反应的反应时间通常为30分钟～200小时，反应温度通常在反应体系内存在的溶剂的熔点至沸点之间。
在该反应中，式(m－6)所示的化合物的量相对于式(m－7)所示的化合物1摩尔通常为0.05～20摩尔。
式(m－6)所示的化合物例如可以按照“europeanjournalofmedicinalchemistry,96,330－339；2015”、“tetrahedronletters,54(26),3353－3358；2013”等文献中记载的方法来合成。式(m－6)所示的化合物可以为盐酸盐等盐。
式(m－7)所示的化合物例如可以按照“journaloftheamericanchemicalsociety,130(49),16474－16475；2008”、“catalysisscience&technology,5(2),1181－1186；2015”等文献中记载的方法来合成。
式(m－1)所示的化合物(x为＝c(rx)－所示的基团)例如可以通过以下的方法来合成。首先，使式(m－8)所示的芳基酰胺化合物与氯化剂反应，由此合成式(m－9)所示的氯化羧基酰亚胺氯化物。之后，使式(m－9)所示的氯化羧基酰亚胺氯化物与式(m－10)所示的芳基胺化合物反应，由此合成式(m－11)所示的二氢咪唑化合物。之后，使式(m－11)所示的二氢咪唑化合物与氧化剂反应，由此可以合成式(m－1)所示的化合物。
[化81]
式中，r1、r2、rx、环a及环b表示与上述相同的含义。
这些反应通常在溶剂中进行。作为溶剂，可举出：甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、甘油、2－甲氧基乙醇、2－乙氧基乙醇等醇系溶剂；二乙醚、四氢呋喃(thf)、二噁烷、环戊基甲基醚、二甘醇二甲醚等醚系溶剂；二氯甲烷、氯仿、氯苯、二氯苯、氯丁烷等卤素系溶剂；乙腈、苄腈等腈系溶剂；己烷、十氢萘、甲苯、二甲苯、三甲苯等烃系溶剂；n,n－二甲基甲酰胺、n,n－二甲基乙酰胺等酰胺系溶剂；丙酮、二甲基亚砜、水等。
这些反应的反应时间通常为30分钟～200小时，反应温度通常在反应体系内存在的溶剂的熔点至沸点之间。
这些反应中，式(m－9)所示的化合物的量相对于式(m－10)所示的化合物1摩尔通常为0.05～20摩尔。
式(m－8)所示的化合物例如可以通过使对应的羧酸化合物与伯胺化合物缩合来合成。
式(m－10)所示的化合物例如可以按照“chemicalengineering&technology,39(10),1933－1938；2016”、“organic&biomolecularchemistry,14(38),9046－9054；2016”等文献中记载的方法来合成。式(m－10)所示的化合物可以为盐酸盐等盐。
＜金属络合物的制造方法＞中说明的各反应所使用的化合物、催化剂及溶剂各自可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
本实施方式的金属络合物可以作为发光元件中使用的材料来适宜地使用。尤其是，本实施方式的金属络合物可以作为发光元件的发光层中使用的发光材料来适宜地使用。
＜组合物＞
本实施方式的组合物含有式(1)所示的金属络合物。
另外，本实施方式的组合物中，除了含有式(1)所示的金属络合物以外，还可以含有选自空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料(与式(1)所示的金属络合物不同)、抗氧化剂及溶剂中的至少1种材料。
本实施方式的组合物可以含有式(1)所示的金属络合物中的1种，也可以含有2种以上。
在适宜的一种方式中，组合物可以含有：式(1)所示的金属络合物；以及具有选自空穴注入性、空穴传输性、电子注入性及电子传输性中的至少一种功能的主体材料。这种组合物适宜用于发光元件的发光层。主体材料可以单独含有1种，也可以含有2种以上。
在本方式中，关于式(1)所示的金属络合物的含量，在将该金属络合物和主体材料的合计设为100质量份的情况下，通常为0.05～80质量份，优选为0.1～50质量份，更优选为0.5～40质量份。
出于使使用本方式的组合物而得的发光元件的外部量子效率优异的理由，主体材料所具有的最低激发三重态状态(t1)优选与式(1)所示的金属络合物所具有的t1为同等的能级、或者更高的能级。
作为主体材料，出于可以通过溶液涂布工艺来制作使用本方式的组合物而得的发光元件的理由，优选相对于能够溶解式(1)所示的金属络合物的溶剂而显示出溶解性的主体材料。
主体材料被分类为低分子化合物和高分子化合物，优选低分子化合物。
[低分子主体]
对作为主体材料而优选的低分子化合物(以下称为“低分子主体”)进行说明。
低分子主体优选为式(h－1)所示的化合物。
[化82]
arh1及arh2优选为苯基、芴基、螺双芴基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、吡咯基、吲哚基、氮杂吲哚基、咔唑基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、吩噁嗪基或吩噻嗪基，更优选为苯基、螺双芴基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基或氮杂咔唑基，进一步优选为苯基、吡啶基、咔唑基或氮杂咔唑基，特别优选为式(tda－1)或(tda－3)所示的基团，极优选为式(tda－3)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
作为arh1及arh2任选具有的取代基，优选为卤素原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，更优选为烷基、环烷基、烷氧基或环烷氧基，进一步优选为烷基或环烷基，这些基团任选进一步具有取代基。
nh1优选为1。nh2优选为0。
nh3通常为0以上且10以下的整数，优选为0以上且5以下的整数，进一步优选为1以上且3以下的整数，特别优选为1。
nh11优选为1以上且5以下的整数，更优选为1以上且3以下的整数，进一步优选为1。
rh11优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为氢原子、烷基或环烷基，进一步优选为氢原子或烷基，这些基团任选具有取代基。
lh1优选为亚芳基或二价杂环基。
lh1优选为式(a－1)～(a－3)、(a－8)～(a－10)、(aa－1)～(aa－6)、(aa－10)～(aa－21)或(aa－24)～(aa－34)所示的基团，更优选为式(a－1)、(a－2)、(a－8)、(a－9)、(aa－1)～(aa－4)、(aa－10)～(aa－15)或(aa－29)～(aa－34)所示的基团，进一步优选为式(a－1)、(a－2)、(a－8)、(a－9)、(aa－2)、(aa－4)、(aa－10)～(aa－15)所示的基团，特别优选为式(a－1)、(a－2)、(a－8)、(aa－2)、(aa－4)、(aa－10)、(aa－12)或(aa－14)所示的基团，极优选为式(a－1)、(a－2)、(aa－2)、(aa－4)或(aa－14)所示的基团。
作为lh1任选具有的取代基，优选为卤素原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，更优选为烷基、烷氧基、芳基或一价杂环基，进一步优选为烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选进一步具有取代基。
lh21优选为单键或亚芳基，更优选为单键，该亚芳基任选具有取代基。
lh21所表示的亚芳基或二价杂环基的定义及例子与lh1所表示的亚芳基或二价杂环基的定义及例子相同。
rh21优选为芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。
rh21所示的芳基及一价杂环基的定义及例子与arh1及arh2所示的芳基及一价杂环基的定义及例子相同。
rh21任选具有的取代基的定义及例子与arh1及arh2任选具有的取代基的定义及例子相同。
式(h－1)所示的化合物优选为式(h－2)所示的化合物。
[化83]
式中，arh1、arh2、nh3及lh1表示与上述相同的含义。
作为式(h－1)所示的化合物，可以例示式(h－101)～(h－118)所示的化合物。
[化84]
[化85]
[化86]
[化87]
[高分子主体]
对作为主体化合物而优选的高分子化合物(以下称为“高分子主体”)进行说明。
高分子主体优选为包含式(y)所示结构单元的高分子化合物。
[化88]
ary1所示的亚芳基更优选为式(a－1)、(a－2)、(a－6)～(a－10)、(a－19)或(a－20)所示的基团，进一步优选为式(a－1)、(a－2)、(a－7)、(a－9)或式(a－19)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
ary1所示的二价杂环基更优选为式(aa－1)～(aa－4)、(aa－10)～(aa－15)、(aa－18)～(aa－21)、(aa－33)或(aa－34)所示的基团，进一步优选为式(aa－4)、(aa－10)、(aa－12)、(aa－14)或(aa－33)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
ary1所表示的至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团中的亚芳基及二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围分别与上述的ary1所示的亚芳基及二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围相同。
作为“至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团”，例如可举出下述式所示的基团，它们任选具有取代基。
[化89]
[化90]
式中，rxx表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。
rxx优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。
ary1所示的基团中任选具有的取代基优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团任选进一步具有取代基。
作为式(y)所示的结构单元，例如可举出式(y－1)～(y－10)所示的结构单元，从使用含有高分子主体和式(1)所示金属络合物的组合物得到的发光元件的亮度寿命的观点出发，优选为式(y－1)～(y－3)所示的结构单元，从电子传输性的观点出发，优选为式(y－4)～(y－7)所示的结构单元，从空穴传输性的观点出发，优选为式(y－8)～(y－10)所示的结构单元。
[化91]
式中，ry1表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。所存在的两个以上的ry1相同或不同，相邻的ry1彼此任选相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。
ry1优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。
式(y－1)所示的结构单元优选为式(y－1’)所示的结构单元。
[化92]
式中，ry11表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。所存在的两个以上的ry11相同或不同。
ry11优选为烷基、环烷基或芳基，更优选为烷基或环烷基，这些基团任选具有取代基。
[化93]
式中，
ry1表示与上述相同的含义。
xy1表示－c(ry2)2－、－c(ry2)＝c(ry2)－或－c(ry2)2－c(ry2)2－所示的基团。ry2表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。所存在的两个以上的ry2相同或不同，ry2彼此任选相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。
ry2优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。
在xy1中，－c(ry2)2－所示的基团中的2个ry2的组合优选为：两者为烷基或环烷基；两者为芳基；两者为1价杂环基；或者一者为烷基或环烷基而另一者为芳基或1价杂环基，更优选为：一者为烷基或环烷基而另一者为芳基，这些基团任选具有取代基。所存在的2个ry2任选彼此键合并与各自所键合的原子一起形成环，在ry2形成环的情况下，－c(ry2)2－所示的基团优选为式(y－a1)～(y－a5)所示的基团，更优选为式(y－a4)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
[化94]
在xy1中，－c(ry2)＝c(ry2)－所示的基团中的2个ry2的组合优选为：两者为烷基或环烷基、或者、一者为烷基或环烷基而另一者为芳基，这些基团任选具有取代基。
在xy1中，－c(ry2)2－c(ry2)2－所示的基团中的4个ry2优选为任选具有取代基的烷基或环烷基。所存在的两个以上的ry2任选彼此相互键合并与各自所键合的原子一起形成环，在ry2形成环的情况下，－c(ry2)2－c(ry2)2－所示的基团优选为式(y－b1)～(y－b5)所示的基团，更优选为式(y－b3)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
[化95]
式中，ry2表示与上述相同的含义。
式(y－2)所示的结构单元优选为式(y－2’)所示的结构单元。
[化96]
式中，ry1及xy1表示与上述相同的含义。
[化97]
式中，ry1及xy1表示与上述相同的含义。
式(y－3)所示的结构单元优选为式(y－3’)所示的结构单元。
[化98]
式中，ry1及xy1表示与上述相同的含义。
[化99]
[化100]
式中，
ry1表示与上述相同的含义。
ry3表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。
ry3优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
式(y－4)所示的结构单元优选为式(y－4’)所示的结构单元，式(y－6)所示的结构单元优选为式(y－6’)所示的结构单元。
[化101]
式中，ry1及ry3表示与上述相同的含义。
[化102]
式中，
ry1表示与上述相同的含义。
ry4表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。
ry4优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
作为式(y)所示的结构单元，例如可举出：包含式(y－101)～(y－121)所示的亚芳基的结构单元、包含式(y－201)～(y－206)所示的二价杂环基的结构单元、包含式(y－301)～(y－305)所示的至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团的结构单元。
[化103]
[化104]
[化105]
[化106]
[化107]
[化108]
[化109]
[化110]
[化111]
[化112]
就用式(y)表示且ary1为亚芳基的结构单元而言，出于使使用含有高分子主体和式(1)所示金属络合物的组合物得到的发光元件的亮度寿命优异的理由，相对于高分子化合物所含的结构单元的合计量，优选为0.5～80摩尔％，更优选为30～60摩尔％。
就用式(y)表示且ary1为二价杂环基或者至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团的结构单元而言，出于使使用含有高分子主体和式(1)所示金属络合物的组合物得到的发光元件的电荷传输性优异的理由，相对于高分子化合物所包含的结构单元的合计量，优选为0.5～30摩尔％，更优选为3～20摩尔％。
式(y)所示的结构单元在高分子主体中可以仅包含1种，也可以包含2种以上。
出于使空穴传输性优异的理由，高分子主体优选还包含式(x)所示的结构单元。
[化113]
式中，
ax1及ax2各自独立地表示0以上的整数。
arx1及arx3各自独立地表示亚芳基或二价杂环基，这些基团任选具有取代基。
arx2及arx4各自独立地表示亚芳基、二价杂环基、或者、至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团，这些基团任选具有取代基。在arx2及arx4存在两个以上的情况下，它们相同或不同。
rx1、rx2及rx3各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。
在rx2及rx3存在两个以上的情况下，它们相同或不同。
出于使使用含有高分子主体和式(1)所示金属络合物的组合物得到的发光元件的亮度寿命优异的理由，ax1优选为2以下，更优选为1。
出于使使用含有高分子主体和式(1)所示金属络合物的组合物得到的发光元件的亮度寿命优异的理由，ax2优选为2以下，更优选为0。
rx1、rx2及rx3优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
arx1及arx3所示的亚芳基更优选为式(a－1)或(a－9)所示的基团，进一步优选为式(a－1)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
arx1及arx3所示的二价杂环基更优选为式(aa－1)、(aa－2)或(aa－7)～(aa－26)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
arx1及arx3优选为任选具有取代基的亚芳基。
arx2及arx4所示的亚芳基更优选为式(a－1)、(a－6)、(a－7)、(a－9)～(a－11)或(a－19)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
arx2及arx4所示的二价杂环基的更优选的范围与arx1及arx3所示的二价杂环基的更优选的范围相同。
arx2及arx4所示的至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团中的亚芳基及二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围分别与arx1及arx3所示的亚芳基及二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围相同。
作为arx2及arx4所示的至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团，可举出与式(y)的ary1所示的至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团同样的基团。
arx2及arx4优选为任选具有取代基的亚芳基。
arx1～arx4及rx1～rx3所示的基团中任选具有的取代基优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团任选进一步具有取代基。
式(x)所示的结构单元优选为式(x－1)～(x－7)所示的结构单元，更优选为式(x－1)～(x－6)所示的结构单元，进一步优选为式(x－3)～(x－6)所示的结构单元。
[化114]
[化115]
[化116]
[化117]
式中，
rx4及rx5各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、卤素原子、一价杂环基或氰基，这些基团任选具有取代基。所存在的两个以上的rx4相同或不同。所存在的两个以上的rx5相同或不同，相邻的rx5彼此任选相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。
出于使空穴传输性优异的理由，式(x)所示的结构单元的含量相对于高分子化合物所包含的结构单元的合计量优选为0.1～50摩尔％，更优选为1～40摩尔％，进一步优选为5～30摩尔％。
作为式(x)所示的结构单元，例如可举出式(x1－1)～(x1－11)所示的结构单元，优选为式(x1－3)～(x1－10)所示的结构单元。
[化118]
[化119]
[化120]
[化121]
[化122]
在高分子主体中，式(x)所示的结构单元可以仅包含1种，也可以包含2种以上。
作为高分子主体，例如可举出表1的高分子化合物(p－1)～(p－6)。在此，“其他”的结构单元是指除了式(y)所示的结构单元、式(x)所示的结构单元以外的结构单元。
[表1]
表中，p、q、r、s及t表示各结构单元的摩尔比率。p+q+r+s+t＝100，且100≥p+q+r+s≥70。
高分子主体可以为嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一种，也可以为其他的样式。高分子主体例如优选为将两种以上的原料单体共聚而成的共聚物。
(高分子主体的制造方法)
高分子主体可以使用chemicalreview(chem.rev.),第109卷,897－1091页(2009年)等中记载的公知聚合方法来制造。作为高分子主体的制造方法，可例示：通过suzuki反应、yamamoto反应、buchwald反应、stille反应、negishi反应及kumada反应等使用过渡金属催化剂的偶联反应使其聚合的方法。
在上述聚合方法中，作为投入单体的方法，可举出：将单体总量一次性投入反应体系的方法；将单体的一部分投入并使其反应后，将其余的单体一次性投入、连续投入或分批投入的方法；连续或分批投入单体的方法等。
作为过渡金属催化剂，可举出钯催化剂、镍催化剂等。
聚合反应的后处理通过单独或组合公知的方法来进行，该公知的方法例如为：通过分液来除去水溶性杂质的方法；在甲醇等低级醇中加入聚合反应后的反应液，过滤所析出的沉淀，然后使其干燥的方法等。在高分子主体的纯度低的情况下，例如可以通过结晶、再沉淀、基于索氏萃取器的连续萃取、柱色谱等通常的方法进行纯化。
[溶剂]
本实施方式的组合物可以为含有式(1)所示的金属络合物和溶剂的液状组合物(也称为墨液，ink)。这样的墨液适于使用了喷墨印刷法、喷嘴印刷法等印刷法的发光元件的制作。
墨液的粘度只要根据印刷法的种类进行调整即可，但在应用于喷墨印刷法等溶液经由喷出装置的印刷法的情况下，出于不易发生喷出时的堵塞及飞行弯曲的理由，优选在25℃下为1～20mpa·s。
墨液所含的溶剂优选为能够使墨液中的固体成分溶解或均匀分散的溶剂。作为溶剂，例如可举出：1,2－二氯乙烷、1,1,2－三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂；thf、二噁烷、苯甲醚、4－甲基苯甲醚等醚系溶剂；甲苯、二甲苯、三甲苯、乙苯、己基苯、环己基苯等芳香族烃系溶剂；环己烷、甲基环己烷、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十二烷、联环己烷等脂肪族烃系溶剂；丙酮、甲乙酮、环己酮、苯乙酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯等酯系溶剂；乙二醇、甘油、1,2－己二醇等多元醇系溶剂；异丙醇、环己醇等醇系溶剂；二甲基亚砜等亚砜系溶剂；n－甲基－2－吡咯烷酮、n,n－二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂。溶剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
在墨液中，溶剂的配合量相对于式(1)所示的金属络合物100质量份通常为1000～100000质量份，优选为2000～20000质量份。
[空穴传输材料]
空穴传输材料被分类为低分子化合物和高分子化合物，优选为高分子化合物，更优选为具有交联基的高分子化合物。
作为低分子化合物，例如可举出：三苯基胺及其衍生物、n,n’－二－1－萘基－n,n’－二苯基联苯胺(α－npd)、以及n,n’－二苯基－n,n’－二(间甲苯基)联苯胺(tpd)等芳香族胺化合物。
作为高分子化合物，例如可举出：聚乙烯基咔唑及其衍生物；在侧链或主链具有芳香族胺结构的聚芳撑及其衍生物。高分子化合物可以为键合有电子接受性部位的化合物。作为电子接受性部位，例如可举出：富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、三硝基芴酮等，优选为富勒烯。
在本实施方式的组合物中，空穴传输材料的配合量相对于式(1)所示的金属络合物100质量份通常为1～400质量份，优选为5～150质量份。
空穴传输材可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[电子传输材料]
电子传输材料被分类为低分子化合物和高分子化合物。电子传输材料可以具有交联基。
作为低分子化合物，例如可举出：以8－羟基喹啉为配体的金属络合物、噁二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、芴酮、二氰基二苯乙烯及联苯醌、以及它们的衍生物。
作为高分子化合物，例如可举出：聚亚苯基、聚芴、及它们的衍生物。高分子化合物可以用金属掺杂。
在本实施方式的组合物中，电子传输材料的配合量相对于式(1)所示的金属络合物100质量份通常为1～400质量份，优选为5～150质量份。
电子传输材料可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[空穴注入材料及电子注入材料]
空穴注入材料及电子注入材料各自被分类为低分子化合物和高分子化合物。空穴注入材料及电子注入材料可以具有交联基。
作为低分子化合物，例如可举出：铜酞菁等金属酞菁；碳；钼、钨等的金属氧化物；氟化锂、氟化钠、氟化铯、氟化钾等金属氟化物。
作为高分子化合物，例如可举出：聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚亚苯基亚乙烯、聚亚噻吩亚乙烯、聚喹啉和聚喹喔啉、以及它们的衍生物；在主链或侧链包含芳香族胺结构的聚合物等导电性高分子。
在本实施方式的组合物中，空穴注入材料及电子注入材料的配合量各自相对于式(1)所示的金属络合物100质量份通常为1～400质量份，优选为5～150质量份。
空穴注入材料及电子注入材料各自可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
(离子掺杂)
在空穴注入材料或电子注入材料包含导电性高分子的情况下，导电性高分子的电导率优选为1×10－5s/cm～1×103s/cm。为了将导电性高分子的电导率设为该范围，可以在导电性高分子中掺杂适量的离子。
关于要掺杂的离子的种类，在空穴注入材料的情况下为阴离子，在电子注入材料的情况下为阳离子。作为阴离子，例如可举出聚苯乙烯磺酸离子、烷基苯磺酸离子、樟脑磺酸离子。作为阳离子，例如可举出锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子。
要掺杂的离子可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[发光材料]
发光材料(与式(1)所示的金属络合物不同)被分类为低分子化合物和高分子化合物。发光材料任选具有交联基。
作为低分子化合物，例如可举出：萘及其衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、以及以铱、铂或铕为中心金属的三重态发光络合物。
作为高分子化合物，例如可举出：包含亚苯基、萘二基、芴二基、菲二基、二氢菲二基、式(x)所示的基团、咔唑二基、吩噁嗪二基、吩噻嗪二基、蒽二基、芘二基等的高分子化合物。
发光材料优选包含三重态发光络合物和/或高分子化合物。
作为三重态发光络合物，例如可举出以下所示的金属络合物。
[化123]
[化124]
[化125]
[化126]
[化127]
在本实施方式的组合物中，发光材料的含量相对于式(1)所示的金属络合物100质量份通常为0.1～400质量份。
[抗氧化剂]
抗氧化剂优选为能够与式(1)所示的金属络合物溶解于相同的溶剂、且不阻碍发光及电荷传输的化合物。作为抗氧化剂，例如可举出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂。
在本实施方式的组合物中，抗氧化剂的配合量相对于式(1)所示的金属络合物100质量份通常为0.001～10质量份。
抗氧化剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
＜膜＞
本实施方式的膜含有式(1)所示的金属络合物。本实施方式的膜例如适于作为发光元件的发光层。
本实施方式的膜可以使用墨液，并通过例如旋涂法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、毛细管涂布法、喷嘴涂布法来制作。
膜的厚度通常为1nm～10μm。
＜发光元件＞
本实施方式的发光元件含有式(1)所示的金属络合物。
本实施方式的发光元件例如可以具有：由阳极及阴极构成的电极；以及设置于该电极间且含有式(1)所示金属络合物的层。
[层构成]
含有式(1)所示金属络合物的层通常为发光层、空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的1种以上的层，优选为发光层。这些层各自包含发光材料、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料。这些层各自可以如下形成：使各层的材料溶解于上述溶剂而制备墨液，并使用与上述膜的制作相同的方法而形成。
本实施方式的发光元件在阳极与阴极之间可以具有发光层。关于本实施方式的发光元件，从空穴注入性及空穴传输性的观点出发，优选在阳极与发光层之间具有空穴注入层及空穴传输层中的至少1层，从电子注入性及电子传输性的观点出发，优选在阴极与发光层之间具有电子注入层及电子传输层中的至少1层。
作为空穴传输层、电子传输层、发光层、空穴注入层及电子注入层的材料，除了式(1)所示的金属络合物之外，各自可举出上述的空穴传输材料、电子传输材料、发光材料、空穴注入材料及电子注入材料等。
空穴传输层的材料、电子传输层的材料及发光层的材料任选具有交联基，也可以在使用具有交联基的材料形成各层后，通过使该材料交联而使层不溶化。由此，可以避免各层的材料溶解于形成邻接的层时所使用的溶剂中的情况。
在本实施方式的发光元件中，作为发光层、空穴传输层、电子传输层、空穴注入层、电子注入层等各层的形成方法，在使用低分子化合物的情况下，例如可举出：利用粉末的真空蒸镀法、基于利用溶液或熔融状态的成膜的方法，在使用高分子化合物的情况下，例如可举出基于利用溶液或熔融状态的成膜的方法。
要层叠的层的顺序、数量及厚度可以考虑外部量子效率及亮度寿命来进行调整。
[基板/电极]
发光元件中的基板优选为可以形成电极、且在形成有机层时不发生化学变化的基板。基板例如为由玻璃、塑料、硅等材料形成的基板。基板优选为透明或半透明，在不透明的基板的情况下，优选距离基板最远的电极为透明或半透明。
作为阳极的材料，例如可举出导电性的金属氧化物、半透明的金属，优选为氧化铟、氧化锌、氧化锡；铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物等导电性化合物；银与钯与铜的复合体(apc)；nesa、金、铂、银、铜。
作为阴极的材料，例如可举出锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、锌、铟等金属；这些之中的2种以上的合金；这些之中的1种以上与银、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡之中的1种以上形成的合金；以及石墨和石墨层间化合物。作为合金，例如可列举出镁－银合金、镁－铟合金、镁－铝合金、铟－银合金、锂－铝合金、锂－镁合金、锂－铟合金、钙－铝合金。
阳极及阴极各自可以形成2层以上的层叠结构。
[用途]
为了使用发光元件而得到面状的发光，以面状的阳极与阴极重合的方式配置即可。为了得到图案状的发光，有下述方法：在面状的发光元件的表面设置设有图案状窗的掩模的方法、使欲作为非发光部的层形成得极端厚而实质上不发光的方法、以图案状形成阳极或阴极、或者这两种电极的方法。利用这些中的任一方法形成图案，并以能够独立进行开关(on/off)的方式配置若干电极，由此可得到能够显示数字、文字等的分段型的显示装置。为了形成点阵显示装置，将阳极和阴极共同形成条状并以正交的方式进行配置即可。通过分别涂布多种发光色不同的高分子化合物的方法、使用滤色器或荧光转换过滤器的方法，能够进行部分彩色显示、多彩显示。点阵显示装置可以进行无源驱动，也可以与tft等组合进行有源驱动。这些显示装置可以用于计算机、电视、便携终端等的显示器。面状的发光元件可以适宜地用作液晶显示装置的背光用面状光源、或者面状的照明用光源。如果使用柔性的基板，则也可以用作曲面状的光源和显示装置。
以上，对本发明的适宜实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。
实施例
以下，通过实施例对本发明更详细地进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。
lc－ms通过下述的方法进行测定。
使测定试样以浓度达到约2mg/ml的方式溶解于氯仿或四氢呋喃，向lc－ms(agilent公司制、商品名：1100lcmsd)中注入约1μl。就lc－ms的流动相而言，边使乙腈及四氢呋喃的比率发生变化边使用，以0.2ml/分钟的流量来流动。色谱柱使用l－column2ods(3μm)(化学物质评价研究机构制、内径：2.1mm、长度：100mm、粒径3μm)。
nmr通过下述的方法进行测定。
使5mg～10mg的测定试样溶解于约0.5ml的氘代氯仿(cdcl3)、氘代四氢呋喃、氘代二甲基亚砜、氘代丙酮、氘代n,n－二甲基甲酰胺、氘代甲苯、氘代甲醇、氘代乙醇、氘代2－丙醇或氘代二氯甲烷，使用nmr装置(agilent公司制、商品名：inova300或mercury400vx、jeol公司制、商品名：ecz400s)进行测定。
作为化合物纯度的指标，使用高效液相色谱(hplc)面积百分率的值。该值只要没有特别记载，则设为hplc(岛津制作所制、商品名：lc－20a)中的uv＝254nm时的值。此时，关于要测定的化合物，以浓度成为0.01～0.2质量％的方式使其溶解于四氢呋喃或氯仿，根据浓度在hplc中注入1～10μl。就hplc的流动相而言，边使乙腈/四氢呋喃的比率在100/0～0/100(容积比)为止变化边使用，以1.0ml/分钟的流量进行流动。色谱柱使用kaseisorblcods2000(东京化成工业公司制)或具有同等性能的ods色谱柱。检测器使用光电二极管阵列检测器(岛津制作所制、商品名：spd－m20a)。
作为化合物纯度的指标，使用了气相色谱(gc)面积百分率的值。该值只要没有特别记载，则设为gc(agilent公司制、商品名：agilent7820)中的值。此时，关于要测定的化合物，以浓度成为0.01～0.2质量％的方式使其溶解于四氢呋喃或氯仿，根据浓度在gc中注入1～10μl。载气使用氦气，以1.0ml/分钟的流量进行流动。边使柱温箱在50℃～300℃为止变化边使用。关于加热器温度，设为注入口280℃、检测器320℃。色谱柱使用sge公司制的bpx－5(30m×0.25mm×0.25μm)。
tlc－ms通过下述的方法进行测定。
使测定试样以任意的浓度溶解于甲苯、四氢呋喃或氯仿中的任意溶剂，在dart用tlc板(technoapplications公司制、商品名：ysk5－100)上进行涂布，使用tlc－ms(日本电子公司制、商品名：jms－t100td(theaccutoftlc))进行测定。使测定时的氦气温度在200℃～400℃的范围内进行调节。
＜实施例1＞金属络合物1的合成
通过下述的方法合成金属络合物1。
[化128]
将反应容器内设为氮气气氛后，加入2,4－二甲基苯胺(200g)及环戊基甲基醚(400ml)，并进行搅拌。之后，使用冰浴冷却反应容器，向其中滴加16质量％的氯化氢环戊基甲基醚溶液(357g)。滴加后，在室温下继续搅拌1小时，过滤所析出的固体，将所得的固体用己烷(150ml)进行清洗。使用2－丙醇使所得的固体重结晶，在室温下使其减压干燥，由此得到化合物1a(220g、浅红色固体)。
将反应容器内设为氮气气氛后，加入化合物1a(140g)、氯仿(2100ml)及三乙胺(267ml)，进行搅拌。之后，使用冰浴冷却反应容器，滴加2,2－二甲基丁酰氯(113ml)。滴加后，在室温下继续搅拌1小时，之后，加入饱和碳酸钠水溶液(400ml)，在室温进行搅拌。对所得的混合物进行分液，将所得的有机层用饱和碳酸钠水溶液及离子交换水进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤。将所得的滤液浓缩后，加入庚烷，搅拌1小时，过滤所得的固体，在40℃下使其减压干燥，由此得到化合物1b(164g、白色固体)。化合物1b的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物1b的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(cdcl3,400mhz)δ(ppm)：0.94(3h,t),1.29(6h,s),1.67(2h,q),2.21(3h,s),2.28(3h,s),6.99(1h,s),7.00(1h,d),7.12(1h,br),7.65(1h,d).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物1b(60g)、单氯苯(480ml)、2－氟吡啶(26ml)及三氟甲烷磺酸酐(50ml)，在室温下搅拌30分钟。之后，向其中加入苯酰肼(41g)，在90℃下搅拌3小时。之后，向其中加入碳酸氢钠水溶液(500ml)，萃取有机层，将所得的有机层用离子交换水进行清洗。对所得的有机层进行减压浓缩，由此得到固体。将所得的固体用硅胶柱色谱(氯仿及四氢呋喃的混合溶剂)进行纯化后，使用2－丙醇及庚烷的混合溶剂进行重结晶。将所得的固体在50℃下减压干燥，由此以白色固体的形式得到化合物1c(70g、收率80％)。化合物1c的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物1c的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝320[m+h]+
1h－nmr(600mhz、cd2cl2)δ(ppm)：7.42－7.37(m,2h),7.35－7.31(m,2h),7.29－7.25(m,2h),7.19(d,1h),7.07(s,1h),2.40(s,3h),1.79－1.72(m,4h),1.57－1.45(m,1h),1.34(s,3h),1.15(s,3h),0.89(t,3h).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入三乙酰丙酮铱(0.96g)、化合物1c(2.50g)及十五烷(6.25ml)，在加热回流下搅拌51小时。之后，向其中加入甲苯，用铺设有硅胶的过滤器进行过滤后，使用甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂从所得的硅胶中萃取包含金属络合物1的黄色溶液。通过对所得的溶液进行减压浓缩而得到固体后，将所得的固体用硅胶柱色谱(甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂)进行分离纯化，由此得到金属络合物1。通过纯化，确认到作为金属络合物1的4种异构体，作为生成物而得到异构体1、异构体2、以及异构体3和4的混合物。
将所得的异构体1进一步使用甲苯及乙腈的混合溶剂进行重结晶。将所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到黄色固体(0.18g、收率8％)。异构体1的hplc面积百分率值为99.4％。
异构体1的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝1149[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝7.29(d,3h),7.21－7.14(m,6h),7.04(d,3h),7.65(t,3h),7.41(t,3h),5.91(d,3h),2.43(s,9h),2.03(s,9h),1.66－1.56(m,3h),1.43－1.31(m,3h),1.17－1.07(m,18h),0.87(t,9h).
将所得的异构体2进一步使用甲苯及乙腈的混合溶剂进行重结晶。将所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到黄色固体(0.40g、收率18％)。异构体2的hplc面积百分率值为99.3％。
异构体2的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝1149[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝7.27－7.13(m,9h),6.83(d,1h),6.75－6.67(m,2h),6.63－6.53(m,3h),6.46－6.33(m,3h),5.99－5.86(m,3h),2.47－2.40(m,9h),2.05(s,6h),1.78(s,3h),1.59－1.43(m,4h),1.42－1.27(m,2h),1.23(s,3h),1.20－1.16(m,6h),1.14(s,3h),1.10(s,3h),1.03(s,3h),0.78(t,3h),0.72－0.62(m,6h).
将异构体3和4的混合物进一步用硅胶柱色谱(甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂)进行纯化后，使用甲苯及乙腈的混合溶剂进行重结晶。将所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到黄色固体(0.62g、收率28％)。关于异构体3和4的混合物的hplc面积百分率值，异构体3为24％、异构体4为75％。
异构体3和4的混合物的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝1149[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝7.29(t,9h),7.23－7.10(m,27h),6.67－6.48(m,24h),6.46－6.34(m,12h),5.98－5.86(m,12h),2.45(s,9h),2.44－2.40(m,27h),2.08(s,9h),1.83(s,9h),1.80－1.74(m,18h),1.73－1.62(m,6h),1.57－1.40(m,9h),1.39－1.27(m,18h),1.24(s,9h),1.22－1.14(m,27h),1.08(s,9h),1.05(s,18h),0.79(t,9h),0.69(t,9h),0.64(t,18h).
＜实施例2＞金属络合物2的合成
通过下述的方法合成金属络合物2。
[化129]
将反应容器内设为氩气气氛后，加入2,2’－二甲基己酸(40g)、氯仿(240ml)、n,n’－二甲基甲酰胺(0.21ml)及亚硫酰氯(20ml)，在45℃下搅拌3小时。之后，使用水浴冷却反应容器，得到包含2,2’－二甲基己酰氯的反应液。
将另行准备的反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物1a(41.5g)、氯仿(400ml)及三乙胺(75ml)，将反应容器设置于冰浴进行冷却。之后，向其中滴加上述得到的包含化合物2,2’－二甲基己酰氯的反应液。滴加后，在室温下继续搅拌1小时，之后，加入2mol/l碳酸钠水溶液(280ml)，在室温下进行搅拌。对所得的混合物进行分液，得到有机层。将所得的有机层用离子交换水(280ml)进行清洗。将所得的有机层用无水硫酸镁进行干燥后，进行减压浓缩，由此以淡黄色油状物的形式得到化合物2b(60g、收率88％)。化合物2b的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物2b的tlc－ms的测定结果如下所示。
tlc－ms(dart,positive)：m/z＝248[m+h]+
将反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物2b(40g)、单氯苯(320ml)、2－氟吡啶(14ml)及三氟甲烷磺酸酐(27ml)，在室温下搅拌30分钟。之后，向其中加入3－溴苯酰肼(35g)，在90℃下搅拌7小时。之后，向其中加入2mol/l碳酸氢钠水溶液(160ml)，进行搅拌后，萃取有机层，将所得的有机层用离子交换水进行清洗。对所得的有机层进行减压浓缩，由此得到油状物。将所得的油状物用硅胶柱色谱(氯仿及乙醇的混合溶剂)进行纯化后，使用庚烷进行重结晶。将所得的固体在50℃下减压干燥，由此以白色固体的形式得到化合物2c(48g、收率77％)。化合物2c的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物2c的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(appi,positive)：m/z＝426[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝7.60－7.55(m,1h),7.41(d,1h),7.25(d,1h),7.21－7.13(m,2h),7.09－7.03(m,2h),2.36(s,3h),1.76－1.59(m,4h),1.43－1.07(m,11h),0.84(t,3h).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物2c(2.2g)、4－叔丁基苯基硼酸(1.0g)、甲苯(22ml)及(二叔丁基(4－二甲基氨基苯基)膦)二氯化钯(ii)(18mg)，升温至80℃。之后，向其中加入20质量％的四丁基氢氧化铵水溶液(16ml)，在加热回流下搅拌18小时。将所得的反应混合物冷却至室温后，加入甲苯，萃取有机层。将所得的有机层用离子交换水进行清洗，用无水硫酸镁使其干燥后，用铺设有硅胶及硅藻土的过滤器进行过滤，对所得的滤液进行减压浓缩，由此得到固体。将所得的固体用硅胶柱色谱(氯仿及乙醇的混合溶剂)纯化后，使用庚烷进行重结晶。将所得的固体在50℃下减压干燥，由此以白色固体的形式得到化合物2d(2.2g、收率85％)。化合物2d的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物2d的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(appi,positive)：m/z＝480[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝7.53－7.48(m,1h),7.46－7.39(m,2h),7.40－7.37(m,2h),7.34－7.29(m,2h),7.26－7.19(m,3h),7.07(s,1h),2.40(s,3h),1.74(s,3h),1.70－1.61(m,1h),1.47－1.36(m,1h),1.34－1.30(m,12h),1.29－1.14(m,4h),1.12(s,3h),0.86(t,3h)
将反应容器内设为氩气气氛后，加入三乙酰丙酮铱(1.0g)、化合物2d(2.0g)及十五烷(3ml)，在加热回流下搅拌46小时。之后，向其中加入甲苯，用铺设有硅胶的过滤器进行过滤后，使用甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂从所得的硅胶中萃取包含金属络合物2的黄色溶液。通过对所得的溶液进行减压浓缩而得到固体后，将所得的固体用乙腈及庚烷进行清洗，用硅胶柱色谱(甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂)进行纯化。将所得的固体使用甲苯及乙腈的混合溶剂进行重结晶后，将所得的固体在50℃下减压干燥，由此以黄色固体的形式得到金属络合物2(1.0g)。金属络合物2的hplc面积百分率值为98.8％。
金属络合物2的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝1629[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝7.41－7.16(m,15h),7.10－6.64(m,12h),6.19－6.04(m,3h),2.54－2.43(m,9h),2.16－1.67(m,9h),1.62－1.03(m,63h),0.85－0.63(m,9h).
＜实施例3＞金属络合物3的合成
通过下述的方法合成金属络合物3。
[化130]
将反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物2c(10.0g)、单氯丁烷(80ml)、2－氟吡啶(4ml)及三氟甲烷磺酸酐(7ml)，在室温下搅拌30分钟。之后，向其中加入3－甲基苯酰肼(6.4g)，在85℃下搅拌5小时。之后，向其中加入2mol/l碳酸氢钠水溶液(43ml)，进行搅拌后萃取有机层，将所得的有机层用离子交换水进行清洗。通过对所得的有机层进行减压浓缩而得到油状物。将所得的油状物用硅胶柱色谱(氯仿及乙醇的混合溶剂)进行纯化后，将所得的固体使用庚烷进行重结晶。使所得的固体在50℃下减压干燥，由此以白色固体的形式得到化合物3a(5.5g)。化合物3a的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物3a的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(appi,positive)：m/z＝362[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝7.28－7.22(m,2h),7.16－6.95(m,5h),2.34(s,3h),2.22(s,3h),1.71(s,3h),1.68－1.57(m,1h),1.43－1.33(m,1h),1.32－1.07(m,10h),0.86(t,3h).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入三乙酰丙酮铱(1.9g)、化合物3a(5.0g)及十五烷(10ml)，在加热回流下搅拌36小时。之后，向其中加入甲苯，用铺设有硅胶的过滤器进行过滤后，使用甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂从所得的硅胶中萃取包含金属络合物3的黄色溶液。通过对所得的溶液进行减压浓缩而得到固体后，用硅胶柱色谱(甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂)进行纯化。将所得的固体使用乙酸乙酯及庚烷的混合溶剂进行重结晶后，使所得的固体在50℃下减压干燥，由此以黄色固体的形式得到金属络合物3(2.4g)。金属络合物3的hplc面积百分率值为92.6％。
金属络合物3的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝1629[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝7.33－7.01(m,9h),6.75－6.31(m,6h),5.80－5.59(m,3h),2.50－2.39(m,9h),2.13－1.72(m,18h),1.61－0.90(m,36h),0.85－0.62(m,9h).
＜实施例4＞金属络合物4的合成
通过下述的方法合成金属络合物4。
[化131]
[化132]
将反应容器内设为氩气气氛后，加入2－苯基－4,4,5,5－四甲基－1,3,2－二氧杂硼烷(50g)、2－甲基－4－溴苯胺(46g)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(3g)、2－二环己基膦基－2’,6’－二甲氧基联苯(4g)及甲苯(1l)，在室温下进行搅拌。之后，向其中滴加20质量％的四乙基氢氧化铵水溶液，在70℃下搅拌5小时。将所得的反应混合物冷却至室温后，进行分液，将所得的有机层用离子交换水进行清洗。对所得的清洗液进行分液，使所得的有机层用硫酸镁进行干燥，进行过滤，将所得的滤液浓缩。之后，向其中加入四氢呋喃及活性白土，在室温下搅拌30分钟后，重复两次用铺设有硅藻土的过滤器进行过滤的操作。将所得的滤液减压浓缩，加入甲苯及活性炭，在室温下搅拌30分钟后，用铺设有硅藻土的过滤器进行过滤，将所得的滤液浓缩。重复上述操作，由此得到化合物4a(92g、红褐色油)。化合物4a的gc面积百分率值为99.5％以上。
将反应容器内设为氮气气氛后，加入化合物4a(92g)及环戊基甲基醚(214ml)，并进行搅拌。之后，使用冰浴冷却反应容器，滴加16质量％的氯化氢环戊基甲基醚溶液(114g)，接下来，滴加庚烷(649ml)。滴加后，在室温下继续搅拌1小时，过滤所析出的固体，将所得的固体用庚烷及丙酮进行清洗。将所得的固体使用2－丙醇、甲醇、乙醇及庚烷进行两次以上的重结晶，在室温下使其减压干燥，由此得到化合物4b(37g、浅红色固体)。重复上述操作，由此确保必要量。
化合物4b的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(400mhz、cdcl3)δ(ppm)＝7.33－7.65(8h,m),4.85(3h,s),2.46(3h,s).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入2,2’－二甲基己酸(29g)、氯仿(174ml)及n,n’－二甲基甲酰胺(0.14g)，在50℃下进行搅拌。之后，向其中滴加亚硫酰氯(24g)，在50℃下搅拌4小时，得到2,2’－二甲基己酰氯。
将另行准备的反应容器内设为氮气气氛后，加入化合物4b(39g)、氯仿(290ml)及三乙胺(47ml)，进行搅拌。之后，使用冰浴冷却反应容器，向其中滴加上述制备的2,2’－二甲基己酰氯。滴加后，在室温下继续搅拌2小时，之后，加入饱和碳酸钠水溶液(300ml)并在室温进行搅拌。对所得的混合物进行分液，将所得的有机层用饱和碳酸钠水溶液及离子交换水进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤。对所得的滤液进行减压浓缩后，用硅胶柱色谱(己烷及乙酸乙酯的混合溶剂)进行分离纯化，由此得到油状化合物。在所得的油状化合物中加入己烷，将反应容器在加入了干冰的丙酮浴中边进行冷却边搅拌1小时，过滤所得的固体，使所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到化合物4c(40g、白色固体)。化合物4c的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物4c的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(400mhz、cdcl3)δ(ppm)＝7.98(1h,d),7.55(1h,d),7.42(1h,t),7.41(4h,m),7.31(1h,t),2.32(3h,s),1.62(2h,s),1.35(10h,s),0.91(3h,s).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物4c(30g)、单氯苯(300ml)、2－氟吡啶(9ml)及三氟甲烷磺酸酐(18ml)，在室温下搅拌30分钟。之后，向其中加入2－溴苯甲酰基肼(23g)，在90℃下搅拌3小时。之后，向其中加入碳酸氢钠水溶液(300ml)并萃取有机层，将所得的有机层用离子交换水进行清洗。对所得的有机层进行减压浓缩，由此得到固体。向所得的固体加入己烷，进行清洗。将清洗后的固体使用2－丙醇、庚烷及乙腈进行两次以上的重结晶。将所得的固体在50℃下减压干燥，由此以白色固体的形式得到化合物4d(31g)。化合物4d的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物4d的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝488[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cdcl3)δ(ppm)＝7.57－7.64(m,4h),7.38－7.49(m,6h),7.28－7.30(d,1h),7.07(t,1h),1.85(3h,s),1.67－1.74(2h,m),1.42－1.50(1h,m),1.39(3h,s),1.14－1.36(3h,m),1.17(3h,s),0.88(3h,t).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物4d(10g)、4－叔丁基苯基硼酸(4g)及甲苯，在室温下进行搅拌。之后，向其中加入双(二叔丁基(4－二甲基氨基联苯)膦)二氯化钯(72mg)，加热至90℃。之后，向其中滴加20质量％的四丁基氢氧化铵水溶液(64g)，在90℃下搅拌3小时。之后，将反应容器冷却至室温，对所得的混合物进行分液。将所得的有机层用离子交换水进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用离子交换水进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤。在所得的滤液中加入活性炭，在室温下搅拌30分钟后，用铺设有硅藻土的过滤器进行过滤。对所得的滤液进行减压浓缩后，加入己烷，过滤所得的固体。将所得的固体使用己烷及2－丙醇进行两次以上的重结晶，使所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到化合物4e(9g、白色固体)。化合物4e的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物4e的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝542[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cdcl3)δ(ppm)＝7.63－7.68(m,4h),7.31－7.52(m,8h),7.25(d,2h),7.15－7.17(d,2h),1.88(s,3h),1.43(s,3h),1.28(s,9h),1.21(s,3h),1.45－1.78(m,1h),1.17－1.39(m,5h),0.88(3h,t)
将反应容器内设为氩气气氛后，加入三乙酰丙酮铱(1.1g)、化合物4e(5.0g)及十五烷(13ml)，在加热回流下搅拌48小时。之后，向其中加入甲苯，用铺设有硅胶的过滤器进行过滤后，使用甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂从所得的硅胶中萃取包含金属络合物4的黄色溶液。通过对所得的溶液进行减压浓缩而得到固体后，将所得的固体用硅胶柱色谱(甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂)进行纯化，由此得到固体。对于所得的固体，将使用甲苯及乙腈的混合溶剂进行的重结晶、以及使用甲苯及己烷的混合溶剂进行的重结晶分别重复两次以上。将所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到金属络合物4(1.7g、黄色固体)。金属络合物4的hplc面积百分率值为98.3％。
金属络合物4的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝7.42－7.73(24h,m),6.97－7.11(18h,m),6.13－6.26(3h,m),2.23－2.27(4h,m),2.01(1h,s)1.94(1h,s),0.97－1.89(34h,m),1.88(2h,d),1.56(3h,s),1.20(27h,s),0.70－0.84(9h,m)
＜实施例5＞金属络合物5的合成
通过下述的方法合成金属络合物5。
[化133]
将反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物4d(10.0g)、苯基硼酸(2.6g)及甲苯(150ml)，在室温下进行搅拌。之后，向其中加入双(二叔丁基(4－二甲基氨基联苯)膦)二氯化钯(72mg)，加热至90℃。之后，向其中滴加20质量％的四丁基氢氧化铵水溶液(64g)，在90℃下搅拌3小时。之后，将反应容器冷却至室温，对所得的混合物进行分液。将所得的有机层用离子交换水进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用离子交换水进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤。在所得的滤液中加入活性炭，在室温下搅拌30分钟后，用铺设有硅藻土的过滤器进行过滤。对所得的滤液进行减压浓缩后，加入己烷，过滤所得的固体。将所得的固体使用己烷及2－丙醇进行两次以上的重结晶后，使所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到化合物5a(6.3g、白色固体)。化合物5a的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物5a的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝486[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cdcl3)δ(ppm)＝7.61－7.66(m,4h),7.41－7.52(m,7h),7.34(t,1h),7.21－7.29(m,5h),1.88(3h,s),1.58－1.78(2h,m),1.45－1.52(1h,m),1.42(3h,s),1.17－1.39(3h,m),1.21(3h,s),0.88(3h,t)
将反应容器内设为氩气气氛后，加入三乙酰丙酮铱(1.1g)、化合物5a(5.0g)及十五烷(12.5ml)，在加热回流下搅拌40小时。之后，向其中加入甲苯，用铺设有硅胶的过滤器进行过滤后，使用甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂从所得的硅胶中萃取包含金属络合物5的黄色溶液。通过对所得的溶液进行减压浓缩而得到固体后，将所得的固体用硅胶柱色谱(甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂)进行分离纯化，由此得到固体。对于所得的固体，将使用甲苯及乙腈的混合溶剂进行的重结晶、以及使用甲苯及己烷的混合溶剂进行的重结晶分别重复两次以上。将所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到金属络合物5(1.8g、黄色固体)。金属络合物5的hplc面积百分率值为98.6％。
金属络合物5的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝7.43－7.73(24h,m),6.76－7.11(21h,m),6.21－6.30(3h,m),2.26(6h,q),1.91－2.02(4h,m),1.56(3h,s),0.91－1.82(32h,m),0.67－0.83(9h,m).
＜实施例6＞金属络合物8的合成
[化134]
将反应容器内设为氮气气氛后，加入1,2,3－三甲基苯(168g)、双(频那醇合)二硼(384g)、(1,5－环辛二烯)(甲氧基)铱(i)(二聚体)(8g)及环戊基甲基醚(1681ml)，进行搅拌。之后，向其中加入(1,5－环辛二烯)(甲氧基)铱(i)(二聚体)(10g)，在95℃下继续搅拌6小时。之后，将反应容器冷却至室温，得到反应混合物。准备形成氮气气氛的反应容器，加入甲醇(2391g)，用冰浴进行冷却并搅拌后，向其中加入上述所得的反应混合物。之后，向其中加入活性白土(336g)，搅拌30分钟后，用过滤器进行过滤。将所得的溶液浓缩而得到固体。将所得的固体用硅胶柱色谱(甲苯及己烷的混合溶剂)进行分离纯化，将所得的固体使用乙腈进行重结晶，使所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到化合物8a(165g、白色固体)。
化合物8a的1h－nmr测定结果如下所示。
1h－nmr(400mhz、cdcl3)δ(ppm)＝7.46(s,2h),2.29(s,6h),2.19(s,3h),1.34(s,12h).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物2c(9.0g)、化合物8a(6.2g)、40质量％的四丁基氢氧化铵水溶液(32.9g)、离子交换水(32.9g)及甲苯(108.0g)，在室温下进行搅拌。之后，向其中加入双(二叔丁基(4－二甲基氨基联苯)膦)二氯化钯(0.2g)，在80℃下搅拌2小时。之后，使反应容器冷却至室温，对所得的混合物进行分液。将所得的有机层用离子交换水(91.0g)进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用离子交换水(91.0g)进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤。在所得的滤液中加入活性炭(1.6g)，在室温下搅拌1小时后，用铺设有硅藻土的过滤器进行过滤。将所得的滤液减压浓缩，得到甲苯溶液。
将反应容器内设为氩气气氛后，加入上述得到的甲苯溶液(49.9g)、化合物8a(5.2g)、40质量％的四丁基氢氧化铵水溶液(32.9g)、离子交换水(32.9g)及甲苯(108.0g)，在室温下进行搅拌。之后，向其中加入双(二叔丁基(2－丁烯基)膦)二氯化钯(0.2g)，在80℃下搅拌27小时。之后，将反应容器冷却至室温，对所得的混合物进行分液。将所得的有机层用离子交换水进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用离子交换水进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤。在所得的滤液中加入活性炭，在室温下搅拌1小时后，用铺设有硅藻土的过滤器进行过滤。将所得的滤液浓缩后，加入庚烷，搅拌1小时，进行过滤而得到固体。将所得的固体用甲苯及庚烷的混合溶剂进行重结晶，使所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到化合物8b(6.2g、白色固体)。化合物8b的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物8b的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝466[m+h]+
1h－nmr(cd2cl2,400mhz)：δ(ppm)＝7.51－7.45(m,2h),7.40(t,1h),7.35－7.28(m,2h),7.24－7.19(m,1h),7.09－7.06(m,1h),6.91(s,2h),2.40(s,3h),2.28(s,6h),2.16(s,3h),1.75(s,3h),1.70－1.61(m,1h),1.45－1.35(m,1h),1.33(s,3h),1.30－1.16(m,4h),1.11(s,3h),0.89－0.83(m,3h).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入三乙酰丙酮铱(1.6g)、化合物8b(6.0g)及十五烷(14.2g)，在加热回流下搅拌45小时。之后，向其中加入甲苯(31.6g)，使用铺设有硅胶(18.9g)的过滤器进行过滤后，使用甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂从所得的硅胶中萃取包含金属络合物8的黄色溶液。通过对所得的溶液进行减压浓缩而得到固体后，将所得的固体用硅胶柱色谱(甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂)进行分离纯化，由此得到固体。将所得的固体用甲苯及乙腈进行重结晶，将所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到金属络合物8(3.2g、黄色固体)。金属络合物8的hplc面积百分率值为99.1％。
金属络合物8的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝1585[m+h]+
1h－nmr(cd2cl2,400mhz)：δ(ppm)＝7.42－7.16(m,9h),6.99－6.62(m,12h),6.31－6.12(m,3h),2.53－2.41(m,9h),2.31－2.00(m,36h),1.86－1.77(m,3h),1.44－0.98(m,33h),0.85－0.62(m,9h).
＜实施例7＞金属络合物9的合成
[化135]
将反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物4d(7.4g)、5’－间－三联苯硼酸(3.0g)、双(二叔丁基(4－二甲基氨基联苯)膦)二氯化钯(0.04g)及甲苯(25ml)，在室温下进行搅拌。之后，向其中加入40质量％的四丁基氢氧化铵水溶液(17ml)，在90℃下搅拌23小时。之后，将反应容器冷却至室温，对所得的混合物进行分液。将所得的有机层用离子交换水(50ml)进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用离子交换水(50ml)进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤。在所得的滤液中加入活性炭(5.0g)，在室温下搅拌1小时后，用铺设有硅藻土的过滤器进行过滤。对所得的滤液进行浓缩，将所得的固体用硅胶柱色谱(氯仿及四氢呋喃的混合溶剂、以及氯仿)进行两次以上的分离纯化，使所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到化合物9a(4.7g、白色固体)。化合物9a的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物9a的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝7.74－7.33(m,25h),1.92－1.83(s,3h),1.77－1.56(m,2h),1.50－1.14(m,10h),0.86(t,3h).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入三乙酰丙酮铱(0.9g)、化合物9a(4.5g)及十五烷(22ml)，在加热回流下搅拌38小时。之后，将反应容器冷却至室温，向其中加入2－丙醇(120ml)，过滤所析出的固体，将所得的固体用2－丙醇及庚烷进行清洗，得到包含金属络合物9的黄色固体。将所得的固体用硅胶柱色谱(二氯甲烷及甲苯的混合溶剂)进行分离纯化，将所得的固体用甲苯及乙腈进行重结晶，将所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到金属络合物9(1.7g、黄色固体)。金属络合物9的hplc面积百分率值为99.5％以上。
金属络合物9的lc－ms及nmr测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝2104[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝7.66－6.96(m,69h),6.73－6.54(m,3h),2.39－2.22(m,7h),2.12－1.94(m,2h),1.64－1.05(m,36h),0.87－0.67(m,9h).
＜实施例8＞金属络合物10的合成
[化136]
将反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物2b(28.0g)、单氯苯(360ml)、2－氟吡啶(11ml)及三氟甲烷磺酸酐(21ml)，在90℃下进行搅拌，之后，向其中加入3,4－二氯苯碳酰肼(25.5g)，在90℃下搅拌9小时。之后，向其中加入碳酸氢钠水溶液(200ml)，萃取有机层，将所得的有机层用离子交换水(100ml)进行清洗。使所得的有机层用硫酸镁干燥后进行过滤，对所得的滤液进行减压浓缩，将所得的固体用己烷进行清洗。将所得的固体使用乙腈进行重结晶，将所得的固体在50℃下减压干燥，由此以白色固体的形式得到化合物10a(37.8g)。化合物10a的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物10a的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(400mhz、cdcl3)δ(ppm)＝0.86(t,3h),1.04－1.50(m,11h),1.58－1.90(m,4h),2.40(s,3h),6.98－7.36(m,5h),7.50(s,1h).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物10a(35.0g)、2,4－二甲基苯基硼酸(26.0g)、甲苯(700ml)、三(二亚苄基丙酮)二钯(2.3g)及2－二环己基膦基－2’,4’,6’－三异丙基联苯(2.8g)，在90℃下进行加热搅拌。之后，向其中加入40质量％的四丁基氢氧化铵水溶液(409ml)，在90℃下搅拌9小时。之后，将反应容器冷却至室温，对所得的混合物进行分液。将所得的有机层用离子交换水(150ml)进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用离子交换水(150ml)进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤。在所得的滤液中加入活性炭(4.0g)，在室温下搅拌1小时后，用铺设有硅藻土的过滤器进行过滤。将所得的滤液减压浓缩，用硅胶柱色谱(己烷及乙酸乙酯的混合溶剂)进行分离，得到油状物。
将反应容器内设为氩气气氛后，加入上述所得的油状物(30.0g)、2,4－二甲基苯基硼酸(2.2g)、甲苯(450ml)、三(二亚苄基丙酮)二钯(1.0g)及2－二环己基膦基－2’,4’,6’－三异丙基联苯(1.2g)，在90℃下进行加热搅拌。之后，向其中加入40质量％的四丁基氢氧化铵水溶液(234ml)，在90℃下搅拌5小时。之后，将反应容器冷却至室温，对所得的混合物进行分液。将所得的有机层用离子交换水(150ml)进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用离子交换水(150ml)进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤。在所得的滤液中加入活性炭(4.0g)，在室温下搅拌1小时后，用铺设有硅藻土的过滤器进行过滤。对所得的滤液进行浓缩，得到红褐色油状物。将所得的红褐色油状物用反相硅胶柱色谱(乙腈)进行分离纯化，接下来，将所得的油状物用硅胶柱色谱(氯仿及乙醇的混合溶剂)进行分离纯化，接下来，将所得的油状物利用循环gpc(recyclegpc)进行分离纯化。使所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到化合物10b(2.2g、无色透明油状物)。化合物10b的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物10b的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝556[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cd2cl3)δ(ppm)＝0.86(t,3h),1.12－1.44(m,11h),1.58－2.04(m,10h),2.20(s,6h),2.37(s,3h),6.46－7.25(m,12h).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入三乙酰丙酮铱(0.4g)、化合物10b(2.0g)及十五烷(6ml)，在加热回流下搅拌54小时。之后，向其中加入甲苯(30ml)，用铺设有硅胶(20.0g)的过滤器进行过滤后，对所得的硅胶使用甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂萃取包含金属络合物10的黄色溶液。对所得的溶液进行减压浓缩，将所得的油状物用硅胶柱色谱(甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂)进行分离纯化，接下来，将所得的固体用反相硅胶柱色谱(乙腈及乙酸乙酯的混合溶剂)进行分离纯化，由此得到固体。将所得的固体用甲苯及乙醇的混合溶剂进行重结晶，将所得的固体在50℃下进行减压干燥，由此得到金属络合物10(0.6g、黄色固体)。金属络合物10的hplc面积百分率值为99.5％以上。
金属络合物10的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝1858[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cdcl3)δ(ppm)＝0.82－2.30(m,99h),5.69－7.27(m,33h)
＜实施例9＞金属络合物11的合成
[化137]
[化138]
将反应容器内设为氩气气氛后，加入2,2’－二甲基己酸(40g)、氯仿(240ml)、n,n’－二甲基甲酰胺(0.21ml)及亚硫酰氯(20ml)，在45℃下搅拌3小时。之后，使用水浴冷却反应容器，得到包含2,2’－二甲基己酰氯的反应液。
将另行准备的反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物11a(41.5g)、氯仿(400ml)及三乙胺(75ml)，将反应容器设置于冰浴进行冷却。之后，向其中滴加上述得到的包含2,2’－二甲基己酰氯的反应液。滴加后，在室温下继续搅拌1小时。之后，向其中加入2mol/l的碳酸钠水溶液(280ml)，在室温下进行搅拌。对所得的混合物进行分液，得到有机层。将所得的有机层用离子交换水(280ml)进行清洗。将所得的有机层用无水硫酸镁进行干燥后，进行减压浓缩，由此以淡黄色油状物的形式得到化合物6b(60g、收率88％)。化合物11b的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物11b的tlc－ms的测定结果如下所示。
tlc－ms(dart,positive)：m/z＝248[m+h]+
将反应容器设为氩气气氛后，加入化合物11b(25.2g)、2－氟吡啶(10.8g)、氯苯(202ml)及三氟乙酸酐(31.3g)，进行搅拌。之后，使用水浴冷却反应容器，向其中加入2－溴3－甲基苯甲酰基肼(25.4g)，在室温下搅拌10分钟。取出少量的所得反应液，用氯仿进行稀释后，实施hplc测定。确认化合物6b的残存量变得小于2％后，在90℃下搅拌7小时。将反应容器冷却后，向其中加入碳酸氢钠水溶液(100ml)，萃取有机层，将所得的有机层用离子交换水进行清洗。在所得的有机层中加入硫酸镁，使其干燥。之后，向其中加入活性炭12.6g，进行搅拌，用铺设有硅藻土的过滤器进行过滤，对所得的滤液进行减压浓缩而得到固体。向所得的固体加入氯仿及四氢呋喃，用铺设有硅胶及硅藻土的过滤器进行过滤，对所得的滤液进行减压浓缩而得到固体。将所得的固体使用甲苯及庚烷的混合溶剂进行重结晶。将所得的固体在50℃下进行减压干燥，由此以白色固体的形式得到化合物11c(36.2g、收率81％)。化合物11c的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物11c的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(400mhz、cd2cl2－d2)δ(ppm)＝7.61－7.53(m,1h),7.28－7.21(m,1h),7.21－7.12(m,1h),7.12－7.01(m,3h),2.34(s,3h),2.30(s,3h),1.75－1.60(m,5h),1.42－1.08(m,10h),85(t,3h).
将反应容器内设为氮气气氛后，加入3－溴螺芴(5.0g)、双(频那醇合)二硼(4.1g)、乙酸钾(4.9g)及环戊基甲基醚(125ml)，进行搅拌。之后，向其中加入[1,1’－双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯(ii)、二氯甲烷(0.3g)，在90℃下继续搅拌16小时。之后，将反应容器冷却至室温，对所得的混合物进行分液。将所得的有机层用离子交换水(50ml)进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用子交换水(50ml)进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤，对所得的滤液进行减压浓缩。向所得的固体加入甲苯及活性炭(1.4g)，在室温下搅拌1小时后，用铺设有硅藻土的过滤器进行过滤。对所得的滤液进行浓缩，得到白色固体。将所得的白色固体使用甲苯及乙腈进行重结晶，使其在50℃下减压干燥，由此得到化合物11d(4.5g、白色固体)。
化合物11d的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(cd2cl2、400mhz)：δ(ppm)＝1.33(12h,m),6.64(4h,m),7.06－7.23(3h,m),7.35(3h,t),7.51(1h,d),7.86(2h,d),7.91(1h,d),8.26(1h,s).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物11c(1.7g)、化合物11d(2.0g)、40质量％的四丁基氢氧化铵水溶液(5.9g)、离子交换水(5.9g)及甲苯(19.9g)，在室温下进行搅拌。之后，向其中加入双(二叔丁基(4－二甲基氨基联苯)膦)二氯化钯(0.03g)，在80℃下搅拌19小时。之后，将反应容器冷却至室温，对所得的混合物进行分液。将所得的有机层用离子交换水(27.0g)进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用离子交换水(27.0g)进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤。在所得的滤液中加入活性炭(0.5g)，在室温下搅拌1小时后，用铺设有硅藻土的过滤器进行过滤。对所得的滤液进行减压浓缩，得到固体。将所得的固体用硅胶柱色谱(己烷及乙酸乙酯的混合溶剂)进行分离纯化，由此得到固体。将所得的固体用甲苯及庚烷的混合溶剂、以及甲苯及乙腈的混合溶剂进行两次以上的重结晶，将所得的固体在50℃下进行减压干燥。
重复上述一系列的操作，由此得到化合物11e(2.6g、白色固体)。化合物11e的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物11e的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(cd2cl2,400mhz)：δ(ppm)＝7.89－7.85(m,2h),7.84－7.80(m,1h),7.60－7.57(m,1h),7.40－7.35(m,3h),7.30－7.26(m,2h),7.23(d,1h),7.18－7.08(m,5h),7.05(br,1h),6.82(dd,1h),6.74－6.63(m,4h),2.32(s,3h),2.27(s,3h),1.76(s,3h),1.69－1.59(m,1h),1.44－1.37(m,1h),1.32(s,3h),1.29－1.15(m,4h),1.09(s,3h),0.85(t,3h).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入三乙酰丙酮铱(0.5g)、化合物11e(2.5g)及十五烷(7.2g)，在加热回流下搅拌46小时。之后，向其中加入甲苯(9.0g)，使用铺设有硅胶(22.6g)的过滤器进行过滤后，对所得的硅胶使用甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂萃取包含金属络合物11的黄色溶液。通过对所得的溶液进行减压浓缩而得到固体后，将所得的固体用硅胶柱色谱(甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂)进行分离纯化，由此得到固体。将所得的固体用甲苯及乙腈进行重结晶，将所得的固体在50℃下进行减压干燥，由此得到金属络合物11(0.7g、黄色固体)。金属络合物11的hplc面积百分率值为99.0％。
金属络合物11的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝2218[m+h]+
1h－nmr(cd2cl2,400mhz)：δ(ppm)＝7.90－7.82(m,9h),7.51－7.34(m,15h),7.27－7.09(m,15h),6.90－6.78(m,3h),6.75－6.59(m,12h),6.57－6.51(m,3h),5.88－5.78(m,3h),2.25－2.05(m,27h),2.01－1.83(m,6h),1.47－1.06(m,30h),0.89－0.72(m,9h).
＜实施例10＞金属络合物12的合成
[化139]
将反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物11c(15.0g)、苯基硼酸(4.4g)、双(二叔丁基(4－二甲基氨基联苯)膦)二氯化钯(0.1g)及甲苯(75ml)，在80℃下进行搅拌。之后，向其中加入40质量％的四丁基氢氧化铵水溶液(55ml)，在80℃下搅拌40小时。之后，将反应容器冷却至室温，对所得的混合物进行分液。将所得的有机层用离子交换水(75ml)进行清洗。对所得的清洗液进行分液，将所得的有机层用离子交换水(75ml)进行清洗。对所得的清洗液进行分液，使所得的有机层用硫酸镁进行干燥。之后，向其中加入活性炭(15.0g)，在室温下搅拌1小时后，用铺设有硅藻土的过滤器进行过滤。将所得的滤液减压浓缩，得到油状物。将所得的油状物用硅胶柱色谱(氯仿及乙醇的混合溶剂)进行分离纯化，将所得的固体用庚烷及2－丙醇的混合溶剂进行重结晶。将所得的固体在50℃下进行减压干燥，由此得到化合物12a(4.0g、白色固体)。化合物12a的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物12a的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝7.40－6.94(m,11h),2.42－2.34(m,3h),2.23－2.15(m,3h),1.78－1.48(m,6h),1.42－1.16(m,6h),1.13－1.06(m,3h),0.92－0.77(m,3h).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入三乙酰丙酮铱(1.1g)、化合物12a(4.0g)及十五烷(50ml)，在加热回流下搅拌52小时。之后，向其中加入甲苯(32ml)，使用铺设有硅胶(16.0g)的过滤器进行过滤后，使用甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂萃取包含金属络合物12的黄色溶液。通过对所得的溶液进行减压浓缩而得到固体后，将所得的固体用硅胶柱色谱(甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂)进行分离纯化，将所得的固体用乙醇进行清洗。进一步地，将所得的固体用反相硅胶柱色谱(二氯甲烷及乙腈的混合溶剂)进行分离纯化。将所得的固体用乙腈进行清洗，用甲苯及乙醇的混合溶剂进行重结晶。将所得的固体在50℃下进行减压干燥，由此得到金属络合物12(1.5g、黄色固体)。金属络合物12的hplc面积百分率值为99.4％。
金属络合物12的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝7.33－7.08(m,18h),7.02－6.93(m,6h),6.73－6.48(m,3h),5.81－5.71(m,3h),2.43－2.32(m,9h),2.16－1.97(m,15h),1.91－1.79(m,3h),1.58－1.03(m,36h),0.84－0.67(m,9h).
＜实施例11＞金属络合物13的合成
[化140]
将反应容器内设为氩气气氛后，加入2－二苯并呋喃羧酸(20.0g)、硫酸(1.8g)及乙醇(600ml)，在80℃下搅拌45小时，由此得到反应溶液1。重复上述操作，由此得到反应溶液2。将所得的反应溶液1及2合并，进行浓缩后，加入乙酸乙酯(400ml)，进行置换浓缩。在所得的溶液中加入乙酸乙酯(200ml)及离子交换水(200ml)后，进行清洗。将所得的有机层用碳酸钠水溶液(200ml)进行清洗，接下来，将所得的有机层用离子交换水(200ml)进行清洗。将所得的有机层用硫酸镁干燥后，用铺设有硅藻土及硅胶的过滤器进行过滤。对所得的滤液进行减压浓缩，由此得到油状物。将所得的油状物在50℃下进行减压干燥，由此得到化合物13a(39.4g、黄色油状物)。化合物13a的hplc面积百分率值为99.0％。
重复上述的一系列操作，确保化合物13a的必要量。
化合物13a的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝1.40(3h,t),4.39(2h,q),7.38(1h,dt),7.50(1h,dt),7.59(2h,d),8.02(1h,dd),8.16(1h,dd),8.67(1h,d).
将反应容器设为氩气氛下之后，加入化合物13a(40.0g)、乙醇(360ml)、离子交换水(40ml)及肼一水合物(125.0g)，在80℃下搅拌6小时。将反应容器冷却至室温后，加入离子交换水(300ml)，在0℃下搅拌1小时，结果生成固体。通过过滤而得到所得的固体后，用离子交换水(200ml)清洗2次，接下来，用50％乙醇水溶液(200ml)清洗1次。向所得的固体加入2－丙醇(565ml)，悬浮并搅拌，然后进行过滤，将所得的固体在50℃下进行减压干燥，由此得到化合物13b(34.5g、白色固体)。化合物13b的hplc面积百分率值为97.1％。
化合物13b的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(400mhz、cd3od)δ(ppm)＝4.84(2h,s),7.39(1h,dt),7.52(1h,dt),7.60(1h,dd),7.64(1h,d),7.93(1h,dd),8.07(1h,dd),8.48(1h,d).
使反应容器为氩气氛下后，加入化合物4c(22.0g)、单氯苯(220ml)、2－氟吡啶(6.7ml)及三氟甲烷磺酸酐(12.8ml)，在室温下进行搅拌。之后，向其中加入化合物13b(17.7g)，在85℃下搅拌3小时。将反应容器冷却至室温后，加入碳酸氢钠水溶液(78ml)，萃取有机层。将所得的有机层用离子交换水(88ml)进行清洗。将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤，对所得的滤液进行减压浓缩，将所得的固体用己烷进行清洗。将所得的固体使用乙腈进行重结晶后，在50℃下进行减压干燥，由此得到化合物13c(28.2g、白色固体)。化合物13c的hplc面积百分率值为99.5％以上。
化合物13c的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝0.89(3h,t),1.18(3h,s),1.20－1.35(3h,m),1.46(1h,dt),1.66－1.75(1h,m),1.83(3h,s),7.29(1h,dt),7.34－7.66(12h,m),7.80(1h,dd),8.02(1h,d).
将反应容器内设为氩气气氛后，加入三乙酰丙酮铱(4.4g)、化合物13c(18.0g)及十五烷(90ml)，在加热回流下搅拌66小时。将反应容器冷却至室温后，加入2―丙醇(90ml)，结果生成固体。通过过滤而得到所得的固体后，加入甲苯(15ml)，使用铺设有硅胶(76g)的过滤器进行过滤。对所得的固体使用甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂萃取包含金属络合物14的黄色溶液。对所得的溶液进行减压浓缩，将所得的固体用硅胶柱色谱(甲苯及乙酸乙酯的混合溶剂)进行分离纯化，由此得到固体。将所得的固体使用甲苯及乙醇的混合溶剂进行重结晶后，在50℃下进行减压干燥，由此得到金属络合物13(7.0g、黄色固体)。金属络合物13的hplc面积百分率值为99.5％以上。
金属络合物13的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝1689[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cd2cl2)δ(ppm)＝0.49－0.86(10h,m),0.94－1.70(35h,m),1.81－1.91(4h,m),2.23－2.32(5h,m),6.51－6.59(3h,m),6.78－7.27(15h,m),7.43－7.81(24h,m).
＜比较例1＞金属络合物6的合成
通过下述的方法合成金属络合物6。
[化141]
将反应容器内设为氮气气氛后，加入苯甲酰肼(100g)、三乙胺(114ml)及四氢呋喃(1.5l)，在0℃下进行搅拌。之后，向其中滴加乙酰氯(52ml)，在室温下搅拌4小时。之后，将反应容器冷却至室温，过滤所得的固体，将所得的固体用四氢呋喃进行清洗。对所得的溶液进行浓缩，将所得的固体使用乙酸乙酯进行重结晶，由此得到化合物6a(70g)。化合物6a的hplc面积百分率值为98.7％。
化合物6a的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝179[m+h]+
1h－nmr(300mhz、dmso－d6)δ(ppm)＝10.26(br,s,1h),9.86(br,s,1h),7.83－7.86(m,2h),7.45－7.56(m,3h),1.90(s,3h).
将反应容器设为氮气气氛后，加入化合物6a(70g)及二甲苯(700ml)，在室温下进行搅拌。之后，向其中每次少量加入五氯化磷(123g)，在130℃下搅拌2小时。之后，将反应容器冷却至室温，向其中每次少量加入2,6－二异丙基苯胺(70g)，在130℃下搅拌8小时。之后，将反应容器冷却至室温，通过对所得的混合物进行减压浓缩而除去二甲苯后，使所得的残渣溶解于乙酸乙酯。对所得的溶液分别用离子交换水、10质量％的碳酸氢钠水溶液、饱和盐水进行清洗。使所得的有机层用硫酸钠进行干燥后，进行过滤，对所得的滤液进行减压浓缩。将所得的固体用硅胶柱色谱(己烷及乙酸乙酯的混合溶剂)进行分离纯化，由此得到固体。将所得的固体使用n,n－二甲基甲酰胺及水进行重结晶，将所得的固体在50℃下进行减压干燥，由此得到化合物6b(70g、白色固体)。化合物6b的hplc面积百分率值为99.2％。
化合物6b的lc－ms及nmr的测定结果如下所示。
lc－ms(apci,positive)：m/z＝320[m+h]+
1h－nmr(400mhz、cdcl3)δ(ppm)＝7.53－7.58(m,1h),7.48(d,2h),7.33(d,2h),7.28－7.30(m,1h),7.21－7.25(m,2h),2.39(q,2h),2.26(s,3h),1.14(d,6h),0.87(d,6h).
将反应容器内设为氮气气氛后，加入三乙酰丙酮铱(1.2g)、化合物6b(4.0g)及十三烷(1ml)，在280℃下搅拌18小时。之后，将反应容器冷却至室温，向其中加入二氯甲烷。对所得的溶液进行减压浓缩，将所得的残渣用硅胶柱色谱(乙酸乙酯及甲醇的混合溶剂)进行分离纯化，由此得到固体。将所得的固体使用甲苯及乙腈进行重结晶，将所得的固体在50℃下进行减压干燥，由此得到金属络合物6(1.7g、黄色固体)。金属络合物6的hplc面积百分率值为99.5％以上。
金属络合物6的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(600mhz、thf－d8)δ(ppm)＝7.56(t,3h),7.42(dd,3h),7.40(dd,3h),6.87(dd,3h),6.52(td,3h),6.35(td,3h),6.17(dd,3h),2.83(hept,3h),2.34(hept,3h),2.10(s,9h),1.23(d,9h),0.98(d,9h),0.96(d,9h),0.92(d,9h).
＜比较例2＞金属络合物7的合成
通过下述的方法合成金属络合物7。
[化142]
将反应容器内设为氮气气氛后，加入苯甲酰肼(50g)及n－甲基－2－吡咯烷酮(200ml)，在0℃下进行搅拌。之后，向其中滴加溶解于n－甲基－2－吡咯烷酮(40ml)的2,6－二甲基苯甲酰氯(40g)，在室温下搅拌18小时。之后，将所得的混合物加入离子交换水(1.2l)中，进行搅拌后，进行分液。将所得的有机层分别用1m盐酸水溶液、离子交换水进行清洗，将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤，对所得的滤液进行减压浓缩，由此得到化合物7a(43g、白色固体)。
化合物7a的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(600mhz、cdcl3)δ(ppm)＝9.64(br,1h),8.90(br,1h),7.86(d,2h),7.56(t,1h),7.45(t,2h),7.02－7.08(m,3h),2.41(s,6h).
将反应容器设为氮气气氛后，加入化合物7a(43g)及甲苯(740ml)，在室温下进行搅拌。之后，向其中每次少量加入五氯化磷(67g)，在110℃下搅拌21小时。之后，将反应容器冷却至室温，将所得的混合物加入冰水(500ml)中，在室温下搅拌2小时。对所得的混合物进行分液后，将所得的有机层分别用离子交换水、10质量％的碳酸氢钠水溶液进行清洗，将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤，对所得的滤液进行减压浓缩，由此得到油状化合物7b(40g)。
将反应容器设为氮气气氛后，加入化合物7b(40g)、2,6－二甲基4－己基苯胺(32g)及二甲苯(800ml)，在室温下进行搅拌。之后，向其中加入对甲苯磺酸(3g)，在120℃下搅拌116小时。之后，将反应容器冷却至室温，向其中加入离子交换水(800ml)，在室温下搅拌1小时。对所得的混合物进行分液，将所得的有机层用5％的碳酸氢钠水溶液进行清洗。将所得的有机层用硫酸镁干燥后，进行过滤，对所得的滤液进行减压浓缩，由此得到褐色油状物。将所得的褐色油状物用硅胶柱色谱(庚烷及乙酸乙酯的混合溶剂、以及乙腈及四氢呋喃)分离纯化两次以上，由此得到化合物7c(1.3g、白色固体)。化合物7c的hplc面积百分率值为99.5％以上。重复上述操作，由此确保必要量。
化合物7c的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(600mhz、thf－d8)δ(ppm)＝7.42(d,2h),7.30(t,1h),7.24(t,2h),7.15(t,1h),6.98(d,2h),6.85(s,2h),2.51(t,2h),2.07(s,6h),1.81(s,6h),1.56(m,2h),1.26－1.32(m,6h),0.88(t,3h).
将反应容器内设为氮气气氛后，加入三乙酰丙酮铱(0.6g)、化合物7c(2.0g)及十三烷(2ml)，在250℃下搅拌120小时。之后，将反应容器冷却至室温，向其中加入二氯甲烷。对所得的溶液进行减压浓缩后，将所得的残渣用硅胶柱色谱(庚烷及乙酸乙酯的混合溶剂)进行分离纯化，由此得到金属络合物7(0.6g、黄色固体)。金属络合物7的hplc面积百分率值为99.2％。
金属络合物7的nmr的测定结果如下所示。
1h－nmr(600mhz、thf－d8)δ(ppm)＝7.04－7.08(m,6h),6.93(s,3h),6.92(s,3h),6.88(d,3h),6.84(d,3h),6.61(t,3h),6.43(t,3h),6.29(d,3h),2.57(t,6h),2.12(s,9h),1.95(s,9h),1.82(s,9h),1.70(s,9h),1.62(m,6h),1.28－1.36(m,18h),0.89(t,9h).
＜发光稳定性的评价＞
[发光稳定性的评价装置]
利用发光稳定性的评价装置，从后述测定试样的玻璃基板侧照射激发光，使测定试样中包含的有机层发光。就激发光源而言，使用了浜松photonics公司制的lightningcurelc－l1v3(波长385nm)。就来自测定试样的发光的测定而言，使用了作为发光亮度测定装置的株式会社topcon制的bm－9。在发光亮度测定装置的测光入射口处设置短波长截止滤光片，使得波长400nm以下的光不会被测光。
[激发光源的激发光强度的调整]
在发光稳定性的评价中，调整激发光源的激发光强度，使得来自后述各测定试样的发光的光子数相同。
为了算出使来自各测定试样的发光的光子数变得相同的条件，使用了式(11)、式(12)、式(13－1)、式(13－2)、式(14)、式(15)、式(16)及式(17)。
第一，由式(11)算出来自测定试样的发光的光子数。在此，表示发光光谱强度的intpl(λ)是使用在石英基板上形成有后述测定试样中包含的有机层而得到的试样，并使用日本分光公司制的fp－6500而测定的。
[数学式1]
(此处，npl表示发光的光子数[个]。λ表示波长[nm]。intpl(λ)表示发光光谱强度[w]。)
第二，将由式(11)算出的表示发光的光子数npl改写为式(12)。
[数学式2]
npl＝κint×nnrm-pl(12)
(此处，npl表示与上述相同的含义。kint表示比例系数。nnrm－pl表示标准化光子数。)
在式(12)中，表示标准化光子数的nnrm－pl由式(13－1)算出。
[数学式3]
(此处，λ及nnrm－pl表示与上述相同的含义。intnrm－pl(λ)表示标准化发光光谱。)
在式(13-1)中，表示标准化发光光谱的intnrm-pl(λ)由式(13-2)算出。
[数学式4]
intnrm-pl(λ)＝intpl(λ)/max(intpl(λ))(13-2)
(此处，λ、intnrm-pl(λ)及intpl(λ)表示与上述相同的含义。)
第三，使用表示标准化发光光谱的intnrm-pl(λ)，由式(14)算出标准化亮度。
[数学式5]
(此处，λ及intnrm-pl(λ)表示与上述相同的含义。lnrm表示标准化亮度。lf(λ)表示能见度光谱。)
第四，使用表示标准化亮度的lnrm，由式(15)算出发光亮度。
[数学式6]
(此处，lpl表示发光亮度[cd/m2]。λ、intpl(λ)、lf(λ)、kint、intnrm-pl(λ)及lnrm表示与上述相同的含义。)
第五，使用式(12)和式(15)，由式(16)算出发光的光子数相同的条件。通过使用该式(16)，可以算出满足来自各测定试样的发光的光子数达到相同的条件的、各测定试样的发光亮度。
[数学式7]
npl＝κint×nnrm-pl＝constant
(此处，npl、kint及nnrm-pl表示与上述相同的含义。)
[数学式8]
(此处，leqv表示发光亮度[cd/m2]。lnrm、nnrm-pl及kint表示与上述相同的含义。)
例如，在使试样a以亮度la发光的情况下，发光的光子数与试样a达到相同那样的试样b的发光亮度可以由使用了试样a及试样b的标准化光子数和标准化亮度的式(17)算出。
[数学式9]
(此处，la表示试样a的发光亮度[cd/m2]。lb表示试样b的发光亮度[cd/m2]。nanrm－pl表示试样a的标准化光子数。nbnrm－pl表示试样b的标准化光子数。lanrm表示试样a的标准化亮度。lbnrm表示试样b的标准化亮度。)
＜实施测定例1＞发光稳定性的测定
制备使金属络合物1(异构体3和4的混合物)和式(h－113)所示的化合物(以下也称为“化合物h－113”)(luminescencetechnology公司制、lt－n4013)以2.0质量％的浓度溶解而得的甲苯溶液(金属络合物1:化合物h－113＝25质量％:75质量％)。
[化143]
在玻璃基板上，将上述得到的甲苯溶液通过旋涂法以75nm的厚度进行成膜，在氮气气氛下(氧浓度10ppm以下、水分浓度10ppm以下)以130℃加热10分钟，由此形成有机层。
将形成了有机层的基板在蒸镀机内减压至1.0×10－4pa以下之后，蒸镀约80nm的铝。蒸镀后，在氮气气氛下(氧浓度10ppm以下、水分浓度10ppm以下)使用玻璃基板进行密封，由此制作测定试样fl－1。
以使测定试样fl－1的发光亮度成为2736cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－1观测到的发光的发光光谱峰为468nm，色度cie(x,y)为(0.177,0.324)，该发光为源自金属络合物1的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－1连续地发光，对发光亮度相对于测定开始时的发光亮度达到85％为止的时间(以下也称为“lt85”)进行测定。测定的结果为：lt85为50.1小时。
＜实施测定例2＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物1的异构体1，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样fl－2，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样fl－2的发光亮度，为2652cd/m2。
以使测定试样fl－2的发光亮度成为2652cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－2观测到的发光的发光光谱峰为467nm，色度cie(x,y)为(0.195,0.311)，该发光为源自金属络合物1的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－2连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为46.2小时。
＜实施测定例3＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物1的异构体2，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样fl－3，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样fl－3的发光亮度，为2695cd/m2。
以使测定试样fl－3的发光亮度成为2695cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－3观测到的发光的发光光谱峰为467nm，色度cie(x,y)为(0.184,0.318)，该发光为源自金属络合物1的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－3连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为40.6小时。
＜实施测定例4＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物2，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样fl－4，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样fl－4的发光亮度，为3007cd/m2。
以使测定试样fl－4的发光亮度成为3007cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－5观测到的发光的发光光谱峰为479nm，色度cie(x,y)为(0.173,0.402)，为源自金属络合物2的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－5连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为83.3小时。
＜实施测定例5＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物3，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样fl－5，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样fl－5的发光亮度，为3225cd/m2。
以使测定试样fl－5的发光亮度成为3225cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－6观测到的发光的发光光谱峰为477nm，色度cie(x,y)为(0.187,0.425)，为源自金属络合物3的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－5连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为45.8小时。
＜实施测定例6＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物4，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样fl－6，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样fl－6的发光亮度，为3004cd/m2。
以使测定试样fl－6的发光亮度成为3004cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－7观测到的发光的发光光谱峰为479nm，色度cie(x,y)为(0.170,0.404)，为源自金属络合物4的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－6连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为69.6小时。
＜实施测定例7＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物5，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样fl－7，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样fl－7的发光亮度，为2895cd/m2。
以使测定试样fl－7的发光亮度成为2895cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－7观测到的发光的发光光谱峰为477nm，色度cie(x,y)为(0.168,0.380)，为源自金属络合物5的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－7连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为54.1小时。
＜实施测定例8＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物8，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样fl－8，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样fl－8的发光亮度，为3063cd/m2。
以使测定试样fl－8的发光亮度成为3063cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－8观测到的发光的发光光谱峰为480nm，色度cie(x,y)为(0.178,0.415)，为源自金属络合物8的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－8连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为44.9小时。
＜实施测定例9＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物9，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样fl－9，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样fl－9的发光亮度，为3085cd/m2。
以使测定试样fl－9的发光亮度成为3085cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－9观测到的发光的发光光谱峰为480nm，色度cie(x,y)为(0.197,0.412)，为源自金属络合物9的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－9连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为97.6小时。
＜实施测定例10＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物10，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样fl－10，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样fl－10的发光亮度，为3503cd/m2。
以使测定试样fl－10的发光亮度成为3503cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－10观测到的发光的发光光谱峰为485nm，色度cie(x,y)为(0.214,0.477)，为源自金属络合物10的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－10连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为44.1小时。
＜实施测定例11＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物11，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样fl－11，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样fl－11的发光亮度，为2649cd/m2。
以使测定试样fl－11的发光亮度成为2649cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－11观测到的发光的发光光谱峰为469nm，色度cie(x,y)为(0.173,0.317)，为源自金属络合物11的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－11连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为41.2小时。
＜实施测定例12＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物12，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样fl－12，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样fl－12的发光亮度，为2679cd/m2。
以使测定试样fl－12的发光亮度成为2679cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－12观测到的发光的发光光谱峰为469nm，色度cie(x,y)为(0.175,0.319)，为源自金属络合物12的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－12连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为45.6小时。
＜实施测定例13＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物13，并且代替化合物h－113，而使用下述式(h－103)所示的化合物(以下也称为“化合物h－103”)(luminescencetechnology公司制、lt－e107)，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样fl－13，测定发光稳定性。
[化144]
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样fl－13的发光亮度，为1941cd/m2。
以使测定试样fl－13的发光亮度成为1941cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－13观测到的发光的发光光谱峰为453nm，色度cie(x,y)为(0.149,0.196)，该发光为源自金属络合物13的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－13连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为44.5小时。
＜实施测定例14＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物3，并且代替化合物h－113，而使用化合物h－103，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样fl－14，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样fl－14的发光亮度，为3178cd/m2。
以使测定试样fl－14的发光亮度成为3178cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－14观测到的发光的发光光谱峰为477nm，色度cie(x,y)为(0.186,0.419)，该发光为源自金属络合物3的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－14连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为53.5小时。
＜实施测定例15＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物4，并且代替化合物h－113，而使用化合物h－103，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样fl－15，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样fl－15的发光亮度，为2965cd/m2。
以使测定试样fl－15的发光亮度成为2965cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样fl－15观测到的发光的发光光谱峰为479nm，色度cie(x,y)为(0.164,0.400)，该发光为源自金属络合物4的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样fl－15连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为103.7小时。
＜比较测定例1＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物6，除此以外，与实施测定例1同样地制作测定试样cfl－1，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样cfl－1的发光亮度，为2595cd/m2。
以使测定试样cfl－1的发光亮度成为2595cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样cfl－1观测到的发光的发光光谱峰为467nm，色度cie(x,y)为(0.161,0.304)，该发光为源自金属络合物6的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样cfl－1连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为1.97小时。
＜比较测定例2＞发光稳定性的测定
代替金属络合物1的异构体3和4的混合物，而使用金属络合物7，除此以外，与实施测定例1同样地操作，制作测定试样cfl－2，测定发光稳定性。
按照上述式(17)，算出变得与测定试样fl－1的发光的光子数相同的测定试样cfl－2的发光亮度，为2631cd/m2。
以使测定试样cfl－2的发光亮度成为比上述低的亮度的1195cd/m2的方式调整激发光源的激发光强度。需要说明的是，由测定试样cfl－2观测到的发光的发光光谱峰为470nm，色度cie(x,y)为(0.164,0.324)，该发光为源自金属络合物7的发光。之后，在将调整后的激发光强度保持固定的状态下，使测定试样cfl－2连续地发光，测定lt85。测定的结果为：lt85为1.17小时。
如上所述，与金属络合物6和7相比，金属络合物1～5及8～12的发光稳定性优异。另外，金属络合物13、3及4的发光稳定性同等优异。
[表2]
产业上的可利用性
根据本发明，能够提供发光稳定性优异的金属络合物。另外，根据本发明，能够提供含有该金属络合物的组合物、膜及发光元件。