技术特征：
技术总结
本发明公开了高迁移率发光半导体及其制备方法、用途和应用方法，高迁移率发光半导体的制备方法包括芳基溴代物或碘代物与芳基硼酸或硼酸酯之间的铃木偶联化学反应，高迁移率发光半导体的应用到器件的方法，器件采用底栅顶接触器件结构，栅极采用n型的掺杂硅，热生长一层300nm的SiO2作为绝缘层，在沉积有机半导体层之前，栅极绝缘层用OTS在真空炉120℃进行修饰，形成单层OTS修饰层；修饰层相继用氯仿，正己烷，异丙醇和丙酮进行清洗，并利用高迁移率发光半导体采用旋涂的方式进行镀膜。本发明合成得到的材料，表现出聚集诱导发光的性质，而传统的荧光染料在高浓度条件下则具有聚集诱导荧光猝灭的现象，因此有效克服了传统的荧光染料的缺陷。
技术研发人员：唐本忠;赵征
受保护的技术使用者：香港科技大学
技术研发日：2018.09.04
技术公布日：2019.03.12