用于有机电子器件的组合物的制作方法

文档序号:19904848发布日期:2020-02-11 14:20阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种组合物,所述组合物包含至少一种式(1)的化合物和至少一种式(2)的化合物

其中以下适用于所使用的符号和标记:

x在每次出现时相同或不同地是cr0或n,条件是至少一个基团x代表n;

x1在每次出现时相同或不同地是cr或n;

x2在每次出现时相同或不同地是cr1或n;

y选自o或s;

l在每次出现时相同或不同地是单键或具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系,所述芳族或杂芳族环系可以被一个或多个基团r3取代,优选具有6至18个c原子的芳族或杂芳族环系,所述芳族或杂芳族环系可以被一个或多个基团r3取代;

ar1、ar2在每种情况下在每次出现时彼此独立地是具有5至40个芳族环原子的芳基或杂芳基基团,所述芳基或杂芳基基团可以被一个或多个基团r3取代;

ar3是具有6至40个芳族环原子的芳族环系或具有10至40个芳族环原子的杂芳族环系,所述芳族环系和所述杂芳族环系可以被一个或多个基团r3取代;

ar4和ar5在每种情况下彼此独立地是具有6至40个芳族环原子的芳族环系或具有10至40个芳族环原子的杂芳族环系,所述芳族环系和所述杂芳族环系可以被一个或多个基团r3取代,条件是ar4和ar5不能同时为苯基;

r0、r、r1在每次出现时相同或不同地选自h,d,f,cl,br,i,cn,no2,n(ar)2,n(r2)2,c(=o)ar,c(=o)r2,p(=o)(ar)2,p(ar)2,b(ar)2,si(ar)3,si(r2)3,具有1至20个c原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷基基团,或具有3至20个c原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团,或具有2至20个c原子的烯基基团,所述基团在每种情况下可以被一个或多个基团r2取代,其中一个或多个不相邻的ch2基团可以被r2c=cr2、si(r2)2、c=o、c=s、c=nr2、p(=o)(r2)、so、so2、nr2、o、s或conr2替换,并且其中一个或多个h原子可以被d、f、cl、br、i、cn或no2替换,具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系,所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可以被一个或多个基团r2取代,或具有5至40个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团,所述芳氧基或杂芳氧基基团可以被一个或多个基团r2取代,或具有5至40个芳族环原子的芳烷基或杂芳烷基基团,所述芳烷基或杂芳烷基基团可以被一个或多个基团r2取代;键合到同一碳原子或相邻碳原子的两个取代基r0和/或r和/或r1可以任选地形成可以被一个或多个基团r2取代的单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系;

r2在每次出现时相同或不同地选自h,d,f,cl,br,i,cn,no2,n(ar)2,nh2,n(r3)2,c(=o)ar,c(=o)h,c(=o)r3,p(=o)(ar)2,具有1至40个c原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷基基团,或具有3至40个c原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团,或具有2至40个c原子的烯基或炔基基团,所述基团在每种情况下可以被一个或多个基团r3取代,其中一个或多个不相邻的ch2基团可以被hc=ch、r3c=cr3、c≡c、si(r3)2、ge(r3)2、sn(r3)2、c=o、c=s、c=se、c=nr3、p(=o)(r3)、so、so2、nh、nr3、o、s、conh或conr3替换,并且其中一个或多个h原子可以被d、f、cl、br、i、cn或no2替换,具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系,所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可以被一个或多个基团r3取代,或具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团,所述芳氧基或杂芳氧基基团可以被一个或多个基团r3取代,或这些体系的组合,其中两个或更多个相邻取代基r2可以任选地形成可以被一个或多个基团r3取代的单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系;

r3在每种情况下相同或不同地选自h,d,f,cn,具有1至20个c原子的脂族烃基或具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系,其中一个或多个h原子可以被d、f、cl、br、i或cn替换且其可以被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代;两个或更多个相邻取代基r3可以彼此形成单环或多环的脂族环系;

ar在每次出现时相同或不同地是具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系,所述芳族或杂芳族环系可以被一个或多个非芳族的基团r3取代;与同一n原子、p原子或b原子键合的两个基团ar也可以通过单键或选自n(r3)、c(r3)2、o或s的桥连基彼此桥连;并且

n和m彼此独立地表示0、1、2或3。

2.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述式(1)的化合物符合式(1a)、(1b)、(1c)或(1d),

其中所用的符号和标记具有在权利要求1中给出的含义,并且p和o在每种情况下彼此独立地表示0、1、2或3。

3.根据权利要求1或2所述的组合物,其特征在于,所述式(2)的化合物符合式(2a),

其中所用的符号和标记具有在权利要求1中给出的含义,q和t在每种情况下彼此独立地表示0、1、2、3或4,并且r和s在每种情况下彼此独立地表示0、1、2或3。

4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的组合物,其特征在于,取代基ar4或ar5之一表示具有6至40个芳族环原子的芳族环系或具有10至40个芳族环原子的杂芳族环系,所述芳族环系和所述杂芳族环系可以被一个或多个基团r3取代,并且另一个取代基表示具有6至40个芳族环原子的芳族环系,所述芳族环系可以被一个或多个基团r3取代,条件是ar4和ar5不能同时是苯基。

5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的组合物,其特征在于,取代基ar4和ar5在每种情况下彼此独立地表示具有6至40个芳族环原子的芳族环系,所述芳族环系可以被一个或多个基团r3取代,条件是ar4和ar5不同时是苯基。

6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的组合物,其特征在于,所述组合物包含至少一种另外的化合物,所述另外的化合物选自空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、宽带隙材料、荧光发光体、磷光发光体、主体材料、电子阻挡材料、电子传输材料和电子注入材料、n型掺杂剂和p型掺杂剂。

7.一种制剂,所述制剂包含根据权利要求1至6中的一项或多项所述的组合物和至少一种溶剂。

8.根据权利要求1至6中的一项或多项所述的组合物在有机电子器件中的用途。

9.根据权利要求8所述的用途,其特征在于,所述有机电子器件选自有机集成电路(oic)、有机场效应晶体管(ofet)、有机薄膜晶体管(otft)、有机电致发光器件、有机太阳能电池(osc)、有机光学检测器和有机光感受器。

10.一种有机电子器件,所述有机电子器件包含至少一种根据权利要求1至6中的一项或多项所述的组合物。

11.根据权利要求10所述的器件,其特征在于,所述器件选自有机集成电路(oic)、有机场效应晶体管(ofet)、有机薄膜晶体管(otft)、有机电致发光器件、有机太阳能电池(osc)、有机光学检测器和有机光感受器。

12.根据权利要求10或11所述的器件,其特征在于,所述器件是选自有机发光晶体管(olet)、有机场猝熄器件(ofqd)、有机发光电化学电池(olec、lec、leec)、有机激光二极管(o-laser)和有机发光二极管(oled)的电致发光器件。

13.根据权利要求10至12中的一项或多项所述的器件,其特征在于,所述器件在发光层(eml)中、在电子传输层(etl)中、在电子注入层(eil)中和/或在空穴阻挡层(hbl)中包含根据权利要求1至6中的一项或多项所述的组合物。

14.根据权利要求10至13中的一项或多项所述的器件,其特征在于,所述器件在发光层中包含根据权利要求1至6中的一项或多项所述的组合物以及磷光发光体。

15.一种用于制造根据权利要求10至14中的一项或多项所述的器件的方法,其特征在于,通过气相沉积或从溶液中施加至少一个包含根据权利要求1至6中的一项或多项所述的组合物的有机层。

16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,在权利要求1至6中的一项中所述的至少一种式(1)的化合物和至少一种式(2)的化合物,任选与其它材料一起,从至少两种材料源依次或同时地进行气相沉积,并形成所述有机层。

17.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,根据权利要求1至6中的一项或多项所述的组合物用作所述气相沉积的材料源,并形成所述有机层。

18.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,使用根据权利要求7所述的制剂以施加所述有机层。

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