技术特征：
1.一种含硅化合物，其特征在于，其结构式如式ⅰ所示：其中，n为≥2的正整数；ar1选自被取代或未被取代的多价的芳基或杂芳基环系；ar2、ar3分别独立地选自被取代或未被取代的单环芳基、被取代或未被取代的稠环芳基、被取代或未被取代的单环杂芳基、或者被取代或未被取代的稠杂环芳基；r1和r2分别独立地选自c
1-c6烷基、环烷基、卤代烷基、c
1-c6烷氧基或烯基；l选自键、被取代或未被取代的单环芳基、被取代或未被取代的稠环芳基、被取代或未被取代的单环杂芳基、被取代或未被取代的稠杂环芳基、或者以下基团：其中，所述ar4、ar5分别独立地选自被取代或未被取代的单环芳基、被取代或未被取代的稠环芳基、被取代或未被取代的单环杂芳基、或者被取代或未被取代的稠杂环芳基；a、b分别独立地选自0或1-4的正整数。2.根据权利要求1所述的含硅化合物，其特征在于，ar2、ar3分别独立地选自以下基团：苯、萘、蒽、菲、咔唑、苯并咔唑、噻吩、呋喃、吡咯、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并吡咯、吡啶或吡嗪；其中，ar2、ar3选自的所述基团未被取代或被1-4个r3取代；其中，所述r3独立地选自c
1-c
10
烷基、环烷基、氰基、卤素、硝基、卤代烷基或c
1-c
10
烷氧基。3.根据权利要求2所述的含硅化合物，其特征在于，所述含硅化合物具有如下通式结构：
4.根据权利要求1-3任一项所述的含硅化合物，其特征在于，n为2、3、4或5；ar1选自以下多价的环系：苯、联苯、三联苯、萘、蒽、菲、咔唑、苯并咔唑、三苯胺、噻吩、呋喃、吡咯、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并吡咯、吡啶、嘧啶、芴或螺二芴；其中，ar1选自的所述多价的环系未被取代或被1-4个r4取代；所述r4独立地选自c
1-c
10
烷基、环烷基、氰基、卤素、硝基、卤代烷基或c
1-c
10
烷氧基。5.根据权利要求4所述的含硅化合物，其特征在于，ar1选自以下多价的环系：选自以下多价的环系：其中，ar1选自的所述多价的环系未被取代或被1-4个r4取代；所述r4独立地选自甲基、乙基、辛烷基、甲氧基或辛烷氧基。6.根据权利要求5所述的含硅化合物，其特征在于，ar1选自以下多价的环系：其中，ar1选自的所述多价的环系未被取代或被1-4个r4取代；所述r4独立地选自甲基、乙基或辛烷基。7.根据权利要求6所述的含硅化合物，其特征在于，ar1选自以下多价的环系：
8.根据权利要求1-3和5任一项所述的含硅化合物，其特征在于，l选自键、苯基、噻吩基、呋喃基、嘧啶基、吡咯基、萘基、蒽基、菲基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并吡咯基、基、呋喃基、嘧啶基、吡咯基、萘基、蒽基、菲基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并吡咯基、9.根据权利要求1-3和5任一项所述的含硅化合物，其特征在于，r1和r2分别独立地选自c
1-c5烷基、卤代的c
1-c5烷基、c
1-c5烷氧基或c
2-c6烯基。10.根据权利要求9所述的含硅化合物，其特征在于，r1和r2独立地选自甲基、乙基、丙基、三氟甲基、二氟甲基、全氟乙基、甲氧基、乙氧基、乙烯基、丙烯基或烯丙基。11.根据权利要求10所述的含硅化合物，其特征在于，所述含硅化合物具有如下通式结构：12.根据权利要求1所述的含硅化合物，其特征在于，所述含硅化合物选自：
13.一种含硅聚合物，其特征在于，其单体包括权利要求1-12任一项所述的含硅化合物。14.权利要求1-12任一项所述的含硅化合物或权利要求13所述的含硅聚合物在制备有机发光二极管器件、有机场效晶体管或有机薄膜太阳能电池中的应用。15.一种有机发光二极管器件，其特征在于，所述有机发光二极管器件包括：发光层；其他功能层，所述其他功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一层；其中，所述发光层的原料和所述其他功能层材料的原料中的至少一种包括权利要求1-12任一项所述的含硅化合物；或者，所述发光层材料和所述其他功能层材料中的至少一种包括权利要求13所述的含硅聚合物。