用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的制备及使用方法与流程

本发明属于放射性污染去污领域，具体涉及一种用于放射性污染去污的防冻生物质基泡沫去污剂的制备及其使用方法，特别适合低温地区放射性污染去污和消洗处理。

背景技术：

随着经济的发展，日益增长的能源需求促使核能开发。虽然当今的核能安全性较高，但核能开发、使用及核设施退役过程中仍然存在着表面放射性污染的风险。在表面放射性污染的去污过程中，常采用液体洗消、成膜洗消和泡沫洗消等方式进行去污处理，快速高效地将放射性污染降到最低限度。

采用液体洗消，对物体表面腐蚀大，产生的放射性废液量多，后期废液处理难度较大，且含放射性核素的废液在回收过程中易浸入建筑物和地面，在物体内部造成更难以清除的二次污染。采用成膜洗消，成膜的时间较长，膜易破损、难剥离，对于垂直壁和天花板的去污效果较差，并且去污成本高。而采用泡沫洗消，对物体表面腐蚀小，去污时间短，成本较低，泡沫易回收，不易造成二次污染，且产生的废液量仅为液体洗消的1/5～1/10，在退役核设施的去污中已广泛应用。但目前报道的泡沫去污剂通常在室温以上条件下使用，而低温环境条件下，尤其是低温地区，当温度降低到0℃以下时，泡沫去污剂就冻结，无法产生泡沫，无法喷施，无法进行消洗去污处理。不能满足低温地区放射性污染快速消洗和去污等核应急处理应用要求，因此，急需开发一种适应于低温地区放射性污染消洗和去污的防冻泡沫去污剂。

在使用泡沫进行去污的过程中，要求泡沫的稳定性要尽可能的高，即由泡沫去污剂产生的泡沫不易破灭，半衰期尽可能的长，充分发挥泡沫优异的润湿和界面性能，从而达到良好的去污效果。同时，稳定性高的泡沫，不易排液，易于回收，可避免了稳定性低的泡沫在回收前产生大量液体，造成液体扩散所带来的二次污染问题。向泡沫去污剂中加入合适的稳泡剂，可大幅提高泡沫的稳定性，延长泡沫的半衰期。

根据放射性核素污染的程度，污染分为附着污染、表层污染和深部污染三类。对于放射性核素的附着污染，通常仅通过稳定性好、半衰期长的泡沫，就能达到良好的去污效果。对于放射性核素的表层污染和深部污染，需要使用稳定性好、半衰期长的泡沫负载酸或螯合剂，才能达到较好的去污效果。但物体表面往往同时存在附着污染、表层污染和深部污染三种放射性核素污染，需要在泡沫中加入酸或螯合剂进行去污，然而不匹配的酸或螯合剂，会造成泡沫的稳定性变差、半衰期减小，无法发挥泡沫去污的优势。因而，选择匹配的酸或螯合剂，是放射性核素泡沫去污剂研制成功的重要环节。

发泡剂是泡沫去污剂的关键成分，通常由表面活性剂组成，而生物质基表面活性剂原料来源广，有良好的生物相容性和生物降解性，通常为无毒或低毒，对环境友好，在泡沫去污剂中有着广泛的应用前景。

为了实现低温地区放射性污染去污目的，去污剂首先必须具有防冻功能，在低温地区不冻结、可发泡、泡沫稳定性高，去污效果良好。为了防止去污剂在低温条件下冻结，可在泡沫去污剂中加入防冻剂。但是，在泡沫去污剂中，加入不适合的防冻剂，可能会造成发泡剂无法发泡、稳泡剂无法稳泡、酸或螯合剂的作用变差。因此，在防冻剂、发泡剂、稳泡剂、稳泡助剂、酸或螯合剂同时存在的泡沫体系中，研制出具有稳定性高、去污效果好的用于放射性污染去污的防冻生物质基泡沫去污剂，对于低温地区核应急处理具有重要意义。

技术实现要素：

本发明的一个目的是解决上述问题和/或缺陷，并提供后面所述的优点。

为了实现根据本发明的这些目的和其它优点，提供了一种用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂，所述去污剂的成分按重量份包括：1～2份生物质基发泡剂、0.2～0.4份生物质稳泡剂、0.05～0.2份稳泡助剂、1～2份有机酸、30～50份防冻剂、45～70份水。

优选的是，所述生物质基发泡剂为烷基糖苷、茶皂素、鼠李糖脂、槐糖脂、α-烯基磺酸钠中的两种或两种以上的组合。

优选的是，所述生物质基发泡剂为重量比为5～6:4～5:2～3:1～2的烷基糖苷、α-烯基磺酸钠、茶皂素和鼠李糖脂。

优选的是，所述生物质基发泡剂为重量比为6:4:3:1的烷基糖苷、α-烯基磺酸钠、茶皂素和鼠李糖脂。

优选的是，所述生物质稳泡剂为羧甲基纤维素钠、羟乙基纤维素、海藻酸钠、黄原胶、卡拉胶中的一种或多种的组合；所述稳泡助剂为正癸醇、正十二醇、十二烷基乙醇胺、十二烷基甘油醚、正癸基甘油醚中的一种或多种的组合。

优选的是，所述有机酸为草酸、柠檬酸、氨基磺酸、酒石酸、乙醇酸中的一种或多种的组合；所述防冻剂为甲醇、乙醇、乙二醇、甘油中的一种或多种的组合。

优选的是，所述防冻剂为重量比为30～35:4～5:1～2:2～3的乙二醇、乙醇、甲醇和甘油。

优选的是，所述防冻剂为重量比为30:5:2:3的乙二醇、乙醇、甲醇和甘油。

本发明还提供一种制备如上所述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、将生物质稳泡剂和稳泡助剂先后分散于防冻剂中，搅拌10～30min，得到分散均匀的含生物质稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂；

步骤二、将生物质基发泡剂在40～60℃的超纯水中搅拌溶解20～40min，冷却至室温后，再加入有机酸，并搅拌5～20min，得到含生物质基发泡剂和有机酸的水溶液；

步骤三、将步骤一得到的防冻剂和步骤二得到的水溶液混合，冷却至-35℃～0℃，在2000～5000r/min下高速搅拌，得到用于放射性污染去污的防冻生物质基泡沫去污剂。

本发明还提供一种如上所述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的使用方法，其特征在于，将防冻生物质基泡沫去污剂喷施在放射性污染的板材表面，在低温-35℃～0℃下进行去污，待固体表面完全覆盖泡沫后，静置10～50min，用泡沫吸收装置吸走泡沫，完成去污。所述的板材为陶瓷、不锈钢、玻璃、大理石、醇酸漆板中的任意一种。

本发明至少包括以下有益效果：

(1)本发明中制得的泡沫去污剂，能够在温度低至-35℃的低温环境中不冻结、发泡性能、稳定性及去污性能优良；解决了现有放射性污染去污的泡沫去污剂无法在低温条件下进行去污的问题。

(2)本发明中制得的防冻泡沫去污剂，在低温下产生的泡沫稳定性好、半衰期长，去污时间较短，泡沫不易排液，去污后泡沫易于回收，避免了泡沫在回收前产生大量液体，造成液体扩散所带来的二次污染问题。

(3)本发明中制得的防冻泡沫去污剂，各种组分的复配性好，泡沫的负载能力强，能够负载有机酸对物体表面进行去污，对物体表面的腐蚀性较小。

(4)本发明中采用的原料多为生物质材料，生物质材料资源丰富、可再生、可降解、环境友好；去污剂为无毒或低毒，可降解、环境友好型去污剂。

本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。

附图说明：

图1为实施例1在-11.7℃的环境温度下对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率；

图2为实施例1在-11.7℃的环境温度下对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的β射线去污率；

图3为实施例2在-11.7℃的环境温度下对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率；

图4为实施例2在-11.7℃的环境温度下对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的β射线去污率；

图5为实施例3在-25℃的环境温度下对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率；

图6为实施例3在-25℃的环境温度下对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的β射线去污率。

具体实施方式：

下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。

应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不配出一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。

实施例1：

一种用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂，所述去污剂的成分包括：1.3g生物质基发泡剂、0.3g生物质稳泡剂、0.1g稳泡助剂、1g有机酸、40g防冻剂、57.3g水；所述生物质基发泡剂为0.75g烷基糖苷和0.55gα-烯基磺酸钠的混合；所述生物质稳泡剂为羧甲基纤维素钠；所述稳泡助剂为正十二醇；所述有机酸为柠檬酸；所述防冻剂为乙二醇。

一种制备如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的方法，包括：

步骤一、在40g的乙二醇中，依次加0.3g的羧甲基纤维素钠和0.1g的正十二醇，并搅拌20min，得到分散均匀的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂；

步骤二、将0.75g的烷基糖苷和0.55g的α-烯基磺酸钠，在50℃的57.3g的水中搅拌溶解30min，冷却至室温后，再加入1g的柠檬酸，搅拌10min，得到含发泡剂和有机酸的水溶液；

步骤三、将制得的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂与含发泡剂和有机酸的水溶液混合，冷却至-11.7℃，在3000r/min下高速搅拌，得到用于放射性污染去污的防冻生物质基泡沫去污剂。

一种如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的使用方法，在环境温度-11.7℃下，将制备的泡沫去污剂喷涂于被u(ⅳ)污染的水平和垂直放置的玻璃板、醇酸漆板、不锈钢板和陶瓷板表面，静置30min后，用泡沫吸收装置吸走去污后的泡沫；该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率，见表1；和β射线去污率见表2。该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率见图1，该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的β射线去污率见图2。

实施例2：

一种用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂，所述去污剂的成分包括：1.5g生物质基发泡剂、0.3g生物质稳泡剂、0.1g稳泡助剂、1.2g有机酸、40g防冻剂、56.9g水；所述生物质基发泡剂为0.75g烷基糖苷、0.55gα-烯基磺酸钠和0.2g的茶皂素的混合；所述生物质稳泡剂为羧甲基纤维素钠；所述稳泡助剂为正十二醇；所述有机酸为1g的草酸和0.2g的乙醇酸；所述防冻剂为乙二醇。

一种制备如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的方法，包括：

步骤一、在40g的乙二醇中，依次加0.3g的羧甲基纤维素钠和0.1g的正十二醇，并搅拌20min，得到分散均匀的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂；

步骤二、将0.75g的烷基糖苷、0.55g的α-烯基磺酸钠和0.2g的茶皂素，在50℃的56.9g的水中搅拌溶解30min，冷却至室温后，再加入1g的草酸和0.2g的乙醇酸，搅拌10min，得到含发泡剂和有机酸的水溶液；

步骤三、将制得的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂与含发泡剂和有机酸的水溶液混合，冷却至-11.7℃，在3000r/min下高速搅拌，得到用于放射性污染去污的防冻生物质基泡沫去污剂。

一种如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的使用方法，在环境温度-11.7℃下，将制备的泡沫去污剂喷涂于被u(ⅳ)污染的水平和垂直放置的玻璃板、醇酸漆板、不锈钢板和陶瓷板表面，静置30min后，用泡沫吸收装置吸走去污后的泡沫；该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率，见表1；和β射线去污率见表2。该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率见图3，该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的β射线去污率见图4。

实施例3：

一种用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂，所述去污剂的成分包括：1.2g生物质基发泡剂、0.3g生物质稳泡剂、0.1g稳泡助剂、1g有机酸、45g防冻剂、52.4g水；所述生物质基发泡剂为0.55g的烷基糖苷、0.45g的α-烯基磺酸钠和0.2g的茶皂素的混合；所述生物质稳泡剂为0.2g的羧甲基纤维素钠、0.1g的羟乙基纤维素；所述稳泡助剂为正十二醇；所述有机酸为柠檬酸；所述防冻剂为40g的乙二醇与5g的甲醇。

一种制备如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的方法，包括：

步骤一、在40g的乙二醇与5g的甲醇中，依次加0.2g的羧甲基纤维素钠、0.1g的羟乙基纤维素和0.1g的正十二醇，并搅拌20min，得到分散均匀的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂；

步骤二、将0.55g的烷基糖苷、0.45g的α-烯基磺酸钠和0.2g的茶皂素，在50℃的52.4g的水中搅拌溶解30min，冷却至室温后，再加入1g的柠檬酸，搅拌10min，得到含发泡剂和有机酸的水溶液；

步骤三、将制得的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂与含发泡剂和有机酸的水溶液混合，冷却至-25℃，在3000r/min下高速搅拌，得到用于放射性污染去污的防冻生物质基泡沫去污剂。

一种如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的使用方法，在环境温度-25℃下，将制备的泡沫去污剂喷涂于被u(ⅳ)污染的水平和垂直放置的玻璃板、醇酸漆板、不锈钢板和陶瓷板表面，静置30min后，用泡沫吸收装置吸走去污后的泡沫；该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率，见表1；和β射线去污率见表2。该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率见图5，该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的β射线去污率见图6。

实施例4：

一种用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂，所述去污剂的成分包括：1.3g生物质基发泡剂、0.3g生物质稳泡剂、0.1g稳泡助剂、1.2g有机酸、40g防冻剂、52.4g水；所述生物质基发泡剂为0.5g的烷基糖苷、0.5g的α-烯基磺酸钠和0.3g的茶皂素的混合；所述生物质稳泡剂为0.2g的羧甲基纤维素钠、0.1g的海藻酸钠；所述稳泡助剂为正十二醇；所述有机酸为1g的柠檬酸和0.2g的酒石酸；所述防冻剂为30g的乙二醇、8g的乙醇和2g的甲醇。

一种制备如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的方法，包括：

步骤一、在30g的乙二醇、8g的乙醇与2g的甲醇中，依次加0.2g的羧甲基纤维素钠、0.1g的海藻酸钠和0.1g的正十二醇，并搅拌25min，得到分散均匀的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂；

步骤二、将0.5g的烷基糖苷、0.5g的α-烯基磺酸钠和0.3g的茶皂素，在45℃的57.1g的水中搅拌溶解30min，冷却至室温后，再加入1g的柠檬酸和0.2g的酒石酸，搅拌10min，得到含发泡剂和有机酸的水溶液；

步骤三、将制得的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂与含发泡剂和有机酸的水溶液混合，冷却至-20℃，在3000r/min下高速搅拌，得到用于放射性污染去污的防冻生物质基泡沫去污剂。

一种如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的使用方法，在环境温度-20℃下，将制备的泡沫去污剂喷涂于被u(ⅳ)污染的水平和垂直放置的玻璃板、醇酸漆板、不锈钢板和陶瓷板表面，静置30min后，用泡沫吸收装置吸走去污后的泡沫；该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率见表1；β射线去污率见表2。

实施例5：

一种用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂，所述去污剂的成分包括：1.3g生物质基发泡剂、0.4g生物质稳泡剂、0.1g稳泡助剂、1g有机酸、40g防冻剂、57.3g水；所述生物质基发泡剂为0.5g的烷基糖苷、0.4g的α-烯基磺酸钠、0.2g的茶皂素和0.1g的鼠李糖脂的混合；所述生物质稳泡剂为0.3g的羧甲基纤维素钠、0.1g的黄原胶；所述稳泡助剂为正癸醇；所述有机酸为0.5g的草酸和0.5g的乙醇酸；所述防冻剂为30g的乙二醇、5g的乙醇、2g的甲醇与3g的甘油混合。

一种制备如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的方法，包括：

步骤一、将30g的乙二醇、5g的乙醇、2g的甲醇与3g的甘油混合后，依次加0.3g的羧甲基纤维素钠、0.1g的黄原胶和0.1g的正癸醇，并搅拌30min，得到分散均匀的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂；

步骤二、将，在45℃的57.3g的水中搅拌溶解30min，冷却至室温后，再加入0.5g的草酸和0.5g的乙醇酸，搅拌10min，得到含发泡剂和有机酸的水溶液；

步骤三、将制得的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂与含发泡剂和有机酸的水溶液混合，冷却至-20℃，在3000r/min下高速搅拌，得到用于放射性污染去污的防冻生物质基泡沫去污剂。

一种如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的使用方法，在环境温度-20℃下，将制备的泡沫去污剂喷涂于被u(ⅳ)污染的水平和垂直放置的玻璃板、醇酸漆板、不锈钢板和陶瓷板表面，静置30min后，用泡沫吸收装置吸走去污后的泡沫；该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率见表1；β射线去污率见表2。

实施例6：

一种用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂，所述去污剂的成分包括：1.4g生物质基发泡剂、0.3g生物质稳泡剂、0.1g稳泡助剂、1.2g有机酸、40g防冻剂、57g水；所述生物质基发泡剂为0.6g的烷基糖苷、0.4g的α-烯基磺酸钠、0.3g的茶皂素和0.1g的鼠李糖脂的混合；所述生物质稳泡剂为0.1g的羧甲基纤维素钠、0.1g的黄原胶、0.1g的海藻酸钠；所述稳泡助剂为正癸醇；所述有机酸为1.2g的氨基磺酸；所述防冻剂为35g的乙二醇与5g的甲醇。

一种制备如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的方法，包括：

步骤一、将35g的乙二醇与5g的甲醇混合后，依次加0.1g的羧甲基纤维素钠、0.1g的黄原胶、0.1g的海藻酸钠与0.1g的正癸醇，并搅拌30min，得到分散均匀的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂；

步骤二、将0.6g的烷基糖苷、0.4g的α-烯基磺酸钠、0.3g的茶皂素和0.1g的鼠李糖脂，在45℃的57g的水中搅拌溶解30min，冷却至室温后，再加入1.2g的氨基磺酸，搅拌10min，得到含发泡剂和有机酸的水溶液；

步骤三、将制得的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂与含发泡剂和有机酸的水溶液混合，冷却至-20℃，在3000r/min下高速搅拌，得到用于放射性污染去污的防冻生物质基泡沫去污剂。

一种如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的使用方法，在环境温度-20℃下，将制备的泡沫去污剂喷涂于被u(ⅳ)污染的水平和垂直放置的玻璃板、醇酸漆板、不锈钢板和陶瓷板表面，静置30min后，用泡沫吸收装置吸走去污后的泡沫；该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率见表1；β射线去污率见表2。

实施例7：

一种用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂，所述去污剂的成分包括：1.4g生物质基发泡剂、0.3g生物质稳泡剂、0.1g稳泡助剂、1.3g有机酸、45g防冻剂、56.9g水；所述生物质基发泡剂为0.5g的烷基糖苷、0.5g的α-烯基磺酸钠、0.2g的茶皂素和0.2g的槐糖酯的混合；所述生物质稳泡剂为0.1g的羧甲基纤维素钠、0.1g的黄原胶、0.1g的卡拉胶；所述稳泡助剂为十二烷基乙醇胺；所述有机酸为1g的柠檬酸和0.3g的乙醇酸；所述防冻剂为35g的乙二醇、5g的甲醇与5g的乙醇。

一种制备如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的方法，包括：

步骤一、将35g的乙二醇、5g的甲醇与5g的乙醇混合后，依次加0.1g的羧甲基纤维素钠、0.1g的黄原胶、0.1g的卡拉胶与0.1g的十二烷基乙醇胺，并搅拌30min，得到分散均匀的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂；

步骤二、将0.5g的烷基糖苷、0.5g的α-烯基磺酸钠、0.2g的茶皂素和0.2g的槐糖酯，在45℃的56.9g的水中搅拌溶解30min，冷却至室温后，再加入1g的柠檬酸和0.3g的乙醇酸，搅拌10min，得到含发泡剂和有机酸的水溶液；

步骤三、将制得的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂与含发泡剂和有机酸的水溶液混合，冷却至-25℃，在3000r/min下高速搅拌，得到用于放射性污染去污的防冻生物质基泡沫去污剂。

一种如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的使用方法，在环境温度-25℃下，将制备的泡沫去污剂喷涂于被u(ⅳ)污染的水平和垂直放置的玻璃板、醇酸漆板、不锈钢板和陶瓷板表面，静置30min后，用泡沫吸收装置吸走去污后的泡沫；该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率见表1；β射线去污率见表2。

实施例8：

一种用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂，所述去污剂的成分包括：1.4g生物质基发泡剂、0.4g生物质稳泡剂、0.1g稳泡助剂、1.3g有机酸、50g防冻剂、46.8g水；所述生物质基发泡剂为0.5g的烷基糖苷、0.5g的α-烯基磺酸钠、0.2g的茶皂素和0.2g的鼠李糖脂的混合；所述生物质稳泡剂为0.2g的羧甲基纤维素钠、0.1g的海藻酸钠、0.1g的卡拉胶；所述稳泡助剂为十二烷基甘油醚；所述有机酸为1g的柠檬酸和0.3g的草酸；所述防冻剂为50g的乙二醇。

一种制备如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的方法，包括：

步骤一、在50g的乙二醇中，依次加0.2g的羧甲基纤维素钠、0.1g的海藻酸钠、0.1g的卡拉胶与0.1g的十二烷基甘油醚，并搅拌30min，得到分散均匀的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂；

步骤二、将0.5g的烷基糖苷、0.5g的α-烯基磺酸钠、0.2g的茶皂素和0.2g的鼠李糖脂，在45℃的46.8g的水中搅拌溶解30min，冷却至室温后，再加入1g的柠檬酸和0.3g的草酸，搅拌10min，得到含发泡剂和有机酸的水溶液；

步骤三、将制得的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂与含发泡剂和有机酸的水溶液混合，冷却至-30℃，在3000r/min下高速搅拌，得到用于放射性污染去污的防冻生物质基泡沫去污剂。

一种如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的使用方法，在环境温度-30℃下，将制备的泡沫去污剂喷涂于被u(ⅳ)污染的水平和垂直放置的玻璃板、醇酸漆板、不锈钢板和陶瓷板表面，静置30min后，用泡沫吸收装置吸走去污后的泡沫；该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率见表1；β射线去污率见表2。

实施例9：

一种用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂，所述去污剂的成分包括：1.3g生物质基发泡剂、0.4g生物质稳泡剂、0.1g稳泡助剂、1.5g有机酸、50g防冻剂、46.7g水；所述生物质基发泡剂为0.5g的烷基糖苷、0.5g的α-烯基磺酸钠和0.3g的茶皂素的混合；所述生物质稳泡剂为0.1g的羟乙基纤维素、0.2g的羧甲基纤维素钠、0.1g的海藻酸钠；所述稳泡助剂为正癸基甘油醚；所述有机酸为1g的柠檬酸和0.5g的酒石酸；所述防冻剂为45g的乙二醇与5g的甲醇。

一种制备如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的方法，包括：

步骤一、将45g的乙二醇与5g的甲醇混合后，依次加0.1g的羟乙基纤维素、0.2g的羧甲基纤维素钠、0.1g的海藻酸钠与0.1g的正癸基甘油醚，并搅拌30min，得到分散均匀的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂；

步骤二、将0.5g的烷基糖苷、0.5g的α-烯基磺酸钠和0.3g的茶皂素，在45℃的46.7g的水中搅拌溶解30min，冷却至室温后，再加入1g的柠檬酸和0.5g的酒石酸，搅拌10min，得到含发泡剂和有机酸的水溶液；

步骤三、将制得的含稳泡剂和稳泡助剂的防冻剂与含发泡剂和有机酸的水溶液混合，冷却至-30℃，在3000r/min下高速搅拌，得到用于放射性污染去污的防冻生物质基泡沫去污剂。

一种如上述的用于放射性污染去污的防冻泡沫去污剂的使用方法，在环境温度-30℃下，将制备的泡沫去污剂喷涂于被u(ⅳ)污染的水平和垂直放置的玻璃板、醇酸漆板、不锈钢板和陶瓷板表面，静置30min后，用泡沫吸收装置吸走去污后的泡沫；该配方对垂直和水平放置的不同材质表面u(ⅳ)污染的α射线去污率见表1；β射线去污率见表2。

验证实施例1～9制备的去污剂在低温条件下的去污效率，其方法为：

u(vi)污染的板材的去污：

取5g/l的硝酸铀酰溶液1ml，均匀涂抹在10cm*10cm的板材(玻璃板、醇酸漆板、不锈钢板和陶瓷板)上，24-48小时内自然风干得到污染的样板；

去污：分别在实施例所述的低温条件下，在该污染的样板上喷涂按实施例1～9制备的去污剂，静置后，用泡沫吸收装置(吸尘器)吸走去污后的泡沫；

用fj2207α、β表面污染测量仪对污染的样板进行测试；

首先用表面污染测试仪(fj-2207α,β)测试四种待污染样板(玻璃板、醇酸漆板、不锈钢板和陶瓷板)的本底值，测试10次取平均值，记为a0，将1ml浓度为5g/l硝酸双氧铀溶液均匀滴加在四种材质的待污染板上，待其自然干燥后，得到铀污染样板，再用污染测试仪测量污染样板的污染放射性污染值，测试10次取平均值，记为a1。将污染后的板材水平或垂直放置，喷施泡沫去污剂，完成泡沫去污过程，测定去污后的板材剩下污染值，测试10次取平均值，记为a2。计算去污率。去污率计算公式如下：

(其中a0是本底值，a1是去污前的放射性污染值，a2是去污后的放射性污染值)。

其中，α射线去污率结果如表1所示；

表1

其中，β射线去污率结果如表2所示；

表2

尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。