一种含1,3-二酮配体的化合物及其应用、一种有机致电发光器件的制作方法

1.本发明涉及有机电致发光器件领域，具体涉及一种含1,3-二酮配体的化合物及其应用、一种有机电致发光器件。


背景技术：

2.有机电致发光技术相比于传统的液晶技术来说，其无需背光源照射和滤色器，像素可自身发光呈现在彩色显示板上，并且，拥有超高对比度、超广可视角度、曲面、薄型等特点。
3.1987年柯达公司的邓青云博士等人报道了基于荧光效率高、电子传输性好的8-羟基喹啉铝和空穴传输性良好的芳香二胺两种有机半导体材料，推动了有机电致发光材料的研究。
4.1997年，美国普林顿大学的forrest教授等发现了磷光电致发光现象，将有机电致发光器件的内量子效率从荧光材料25％的极限提高到100％，使有机电致发光材料的研究进入一个新的时期。磷光材料是由小分子掺杂过渡金属配合物，利用重金属原子造成的旋轨耦合效应使得三线态激子获得很高的发射能量，从而提高有机电致发光器件的量子效率，金属配合物是具有相对较短的激发态寿命，高的发光量子效率和优异的发光颜色可调性，并且稳定性好的磷光材料。
5.荧光材料激发能量较低，在激发的过程中能量容易以非辐射的方式损失，因此高荧光效率且具有良好色度的荧光材料比较少见，较好的发光材料还是以磷光材料为主，目前应用于有机电致发光器件中的磷光材料在高浓度下容易发生聚集淬灭现象，而且在高亮度器件中存在着显著地三线态-三线态堙灭从而导致器件效率降低的现象。为了应对器件性能的不断提升的需求，开发具有较弱聚集淬灭效应的磷光材料具有非常重大的意义。


技术实现要素：

6.本发明的目的是为了克服现有的有机电致发光器件存在的效率滚降大、发光效率低的问题。
7.为了实现上述目的，本发明的第一方面提供一种含1,3-二酮配体的化合物，该化合物具有ir(la)(lb)2所示的结构，其中，la具有式(ia)所示的结构，lb为式(ib)所示的结构、l
b310
所示的结构、l
b311
所示的结构、l
b312
所示的结构、l
b313
所示的结构或l
b314
所示的结构；
[0008][0009]
在式(ia)中，r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、c
1-c
20
的烷基、c
6-c
20
的芳基；或者r1与r2的组合以及r3与r4的组合中的至少一个组合环合形成4-6元饱和环；
[0010]
在式(ib)中，x为c或n，
[0011]
q环选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的喹啉环、取代或未取代的异喹啉环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的菲环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吲哚环、取代或未取代的苯并噻唑环、取代或未取代的苯并噁唑环、取代或未取代的苯并咪唑环、取代或未取代的二苯并噻吩环、取代或未取代的二苯并呋喃环、取代或未取代的苯并呋喃并吡啶环、取代或未取代的苯并噻吩并吡啶环、取代或未取代的苯并吲哚并吡啶环、取代或未取代的吡啶并吲哚并吡啶环、取代或未取代的咪唑环、取代或未取代的吡咯烷环；
[0012]
r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、c
1-c
20
的烷基、c
6-c
20
的芳基；或者r1、r2、r3、r4中的任意相邻两者一起环合形成选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吡啶并呋喃环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的吡啶并噻吩环中的至少一种环结构；
[0013]
且所述q环上任选存在的取代基，以及r1、r2、r3、r4上任选存在的取代基，各自独立地选自c
1-c
10
的烷基、苯基中的至少一种。
[0014]
本发明的第二方面提供前述第一方面所述的含1,3-二酮配体的化合物作为有机电致磷光材料的应用。
[0015]
本发明的第三方面提供一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件中含有前述第一方面所述的含1,3-二酮配体的化合物中的至少一种。
[0016]
本发明具有如下具体的优点：
[0017]
(1)本发明提供的含1,3-二酮配体的化合物具有合成难度小、易提纯的优点，且其作为有机电致磷光材料时能够提升磷光材料的磷光量子效率，进而具有优异的发光性能；
[0018]
(2)本发明提供的含1,3-二酮配体的化合物作为有机电致磷光材料时能够降低磷光材料特有的浓度猝灭现象，并且能够提高磷光材料的热稳定性，进而能够提升器件的寿命；
[0019]
(3)本发明提供的含1,3-二酮配体的化合物作为有机电致磷光材料时能够降低三线态-三线态淬灭的几率，进而提高器件的发光效率。
具体实施方式
[0020]
在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
[0021]
在本发明中，在未作相反说明的情况下，本发明的术语解释如下：
[0022]c1-c
20
的烷基，表示碳原子总数为1-20的烷基，包括直链烷基、支链烷基和环烷基，例如可以为碳原子总数为1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19和20的直链烷基、支链烷基和环烷基，例如可以为甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、环丁基、正丁基、ch3ch(ch3)-ch
2-、ch3ch2ch(ch3)-、叔丁基、正戊基、ch3ch(ch3)-ch2ch
2-、环戊基、正己基、环己基、正庚基等。针对“c
1-c
15
的烷基”、“c
1-c
10
的烷基”、“c
1-c8的烷基”、“c
1-c7的烷基”、“c
1-c6的烷基”等具有与此相似的解释，所不同的是，碳原子总数不同。
[0023]c6-c
20
的芳基，表示碳原子总数为6-20的芳基，且该芳基与本发明提供的母核结构的c直接相连，包括但不限于苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基等。针对“c
6-c
15
的芳基”、“c
6-c
12
的芳基”、“c
6-c
10
的芳基”等具有与此相似的解释，所不同的是，碳原子总数不同。
[0024]
r1与r2的组合以及r3与r4的组合中的至少一个组合环合形成4-6元饱和环，表示r1与r2的组合以及r3与r4的组合中的至少一个组合形成含4、5或6个原子的饱和环，例如为
[0025]
取代或未取代的苯环，表示该苯环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述苯环上的任意能被取代的位置均可被取代。例如，中的x1、x2、x3、x4均可被取代，波浪线表示连接位置，也即该基团通过该波浪线所在位点与母核结构通过化学键连接，
┄
为式(ib)的q环上的虚线。后文中对于喹啉环、萘环等均具有与此相似的定义，本发明不再赘述。
[0026]
取代或未取代的喹啉环，表示该喹啉环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述喹啉环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0027]
取代或未取代的异喹啉环，表示该异喹啉环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述异喹啉环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0028]
取代或未取代的萘环，表示该萘环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述萘环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0029]
取代或未取代的菲环，表示该菲环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述菲环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0030]
取代或未取代的苯并噻吩环，表示该苯并噻吩环与本发明提供的母核结构上的c
原子直接相连，并且所述苯并噻吩环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0031]
取代或未取代的苯并呋喃环，表示该苯并呋喃环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述苯并呋喃环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0032]
取代或未取代的吲哚环，表示该吲哚环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述吲哚环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0033]
取代或未取代的苯并噻唑环，表示该苯并噻唑环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述苯并噻唑环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0034]
取代或未取代的苯并噁唑环，表示该苯并噁唑环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述苯并噁唑环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0035]
取代或未取代的苯并咪唑环，表示该苯并咪唑环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述苯并咪唑环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0036]
取代或未取代的二苯并噻吩环，表示该二苯并噻吩环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述二苯并噻吩环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0037]
取代或未取代的二苯并呋喃环，表示该二苯并呋喃环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述二苯并呋喃环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0038]
取代或未取代的苯并呋喃并吡啶环，表示该苯并呋喃并吡啶环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述苯并呋喃并吡啶环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0039]
取代或未取代的苯并噻吩并吡啶环，表示该苯并噻吩并吡啶环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述苯并噻吩并吡啶环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0040]
取代或未取代的苯并吲哚并吡啶环，表示该苯并吲哚并吡啶环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述苯并吲哚并吡啶环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0041]
取代或未取代的吡啶并吲哚并吡啶环，表示该吡啶并吲哚并吡啶与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述吡啶并吲哚并吡啶上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0042]
取代或未取代的咪唑环，表示该咪唑环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述咪唑环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0043]
取代或未取代的吡咯烷环，表示该吡咯烷环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述吡咯烷环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0044]
取代或未取代的吡啶并呋喃环，表示该吡啶并呋喃环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述吡啶并呋喃环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0045]
取代或未取代的吡啶并噻吩环，表示该吡啶并噻吩环与本发明提供的母核结构上的c原子直接相连，并且所述吡啶并噻吩环上的任意能被取代的位置均可被取代。
[0046]
c3的直链烷基为ch3ch2ch
2-，c3的支链烷基为ch3ch(ch3)-，c3的环烷基为
[0047]
c4的直链烷基为ch3ch2ch2ch
2-，c4的支链烷基可以为ch3ch(ch3)-ch
2-、ch3ch
2-ch
(ch3)-或(ch3)3c-，c4的环烷基为
[0048]
c5的直链烷基为ch3ch2ch2ch2ch
2-，c5的支链烷基可以为ch3ch2ch(ch3)-ch
2-、(ch3)2ch-ch2ch
2-、(ch3)3c-ch
2-、ch3ch(ch3)ch(ch3)-、(ch3)3c-ch
2-，c5的环烷基为
[0049]
c6的直链烷基为ch3ch2ch2ch2ch2ch
2-，c6的支链烷基可以为ch3ch2ch2ch(ch3)ch
2-、(ch3)2c(ch2ch2ch3)-、(ch3)2chch(ch2ch3)-、(ch3)2chch2ch(ch3)-、(ch3)2chch2ch2ch
2-、ch3ch2ch(ch3)ch2ch
2-、ch3ch2ch(ch3)ch(ch3)-、(ch3ch2)2c(ch3)-、ch3ch(ch3)ch(ch3)ch
2-、(ch3ch2)2chch
2-、(ch3)2chc(ch3)
2-，c6的环烷基为
[0050]
c7的直链烷基为ch3ch2ch2ch2ch2ch2ch
2-，c7的支链烷基可以为ch3ch2ch2ch2ch(ch3)ch
2-、(ch3)2chch2ch2ch2ch
2-、(ch3)2c(ch2ch2ch2ch3)-、(ch3)2chch(ch2ch2ch3)-、(ch3)2chch2ch(ch2ch3)-、(ch3)2chch2ch2ch(ch3)-、ch3ch2ch2ch(ch3)ch2ch
2-、ch3ch2ch(ch3)ch2ch2ch
2-、ch3ch2ch2ch(ch3)ch(ch3)-、ch3ch2ch2c(ch3)(ch2ch3)-、ch3ch2ch(ch3)ch(ch2ch3)-、ch3ch2ch(ch3)ch2ch(ch3)-、ch3ch2ch2chch2(ch2ch3)-、ch3ch2ch2c(ch3)2ch
2-、(ch3)3cch2ch2ch
2-、(ch3)3cch(ch2ch3)-、(ch3)3cch2ch(ch3)-、ch3ch2ch(ch3)ch(ch3)ch
2-、(ch3)2chch(ch3)ch2ch
2-、ch3ch2ch(ch3)c(ch3)
2-、(ch3)2chc(ch3)(ch2ch3)-、(ch3)2chch(ch3)ch(ch3)-、(ch3)2chch(ch2ch3)ch
2-、(ch3)2chch2ch(ch3)ch
2-、(ch3)2chch2c(ch3)
2-、(ch3)2chch(ch(ch3)2)-、ch3ch2c(ch3)2ch2ch
2-、ch3ch2c(ch3)2ch(ch3)-、(ch3ch2)2c(ch3)ch
2-、(ch3)3c-ch(ch3)ch
2-、(ch3)2chc(ch3)2ch
2-，c7的环烷基为
[0051]“或者r1、r2、r3、r4中的任意相邻两者一起环合形成选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吡啶并呋喃环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的吡啶并噻吩环中的至少一种环结构”，表示r1、r2、r3、r4中的任意相邻两者一起环合形成取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吡啶并呋喃环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的吡啶并噻吩环中的至少一种环结构，并且通过r1、r2、r3、r4中的任意相邻两者与母核结构共有的化学键与母核结构形成稠环。例如为
[0052][0053]
为了实现上述目的，本发明的第一方面提供了一种含1,3-二酮配体的化合物，该化合物具有ir(la)(lb)2所示的结构，其中，la具有式(ia)所示的结构，lb为式(ib)所示的结构、l
b310
所示的结构、l
b311
所示的结构、l
b312
所示的结构、l
b313
所示的结构或l
b314
所示的结构；
[0054][0055][0056]
在式(ia)中，r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、c
1-c
20
的烷基、c
6-c
20
的芳基；或者r1与r2的组合以及r3与r4的组合中的至少一个组合环合形成4-6元饱和环；
[0057]
在式(ib)中，x为c或n，
[0058]
q环选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的喹啉环、取代或未取代的异喹啉环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的菲环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吲哚环、取代或未取代的苯并噻唑环、取代或未取代的苯并噁唑环、取代或未取代的苯并咪唑环、取代或未取代的二苯并噻吩环、取代或未取代的二苯并呋喃环、取代或未取代的苯并呋喃并吡啶环、取代或未取代的苯并噻吩并吡啶环、取代或未取代的苯并吲哚并吡啶环、取代或未取代的吡啶并吲哚并吡啶环、取代或未取代的咪唑环、取代或未取代的吡咯烷环；
[0059]
r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、c
1-c
20
的烷基、c
6-c
20
的芳基；或者r1、r2、r3、r4中的任意相邻两者一起环合形成选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吡啶并呋喃环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的吡啶并噻吩环中的至少一种环结构；
[0060]
且所述q环上任选存在的取代基，以及r1、r2、r3、r4上任选存在的取代基，各自独立地选自c
1-c
10
的烷基、苯基中的至少一种。
[0061]
根据优选的具体实施方式1-1，在ir(la)(lb)2所示的结构中，la具有式(ia)所示的结构，lb为式(ib)所示的结构、l
b310
所示的结构、l
b311
所示的结构、l
b312
所示的结构、l
b313
所示的结构或l
b314
所示的结构；
[0062]
在式(ia)中，r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、c
1-c
15
的烷基、c
6-c
15
的芳基；或者r1与r2的组合以及r3与r4的组合中的至少一个组合环合形成4-6元饱和环；
[0063]
在式(ib)中，x为c或n，
[0064]
q环选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的喹啉环、取代或未取代的异喹啉环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的菲环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吲哚环、取代或未取代的苯并噻唑环、取代或未取代的苯并噁唑环、取代或未取代的苯并咪唑环、取代或未取代的二苯并噻吩环、取代或未取代的二苯并呋喃环、取代或未取代的苯并呋喃并吡啶环、取代或未取代的苯并噻吩并吡啶环、取代
或未取代的苯并吲哚并吡啶环、取代或未取代的吡啶并吲哚并吡啶环、取代或未取代的咪唑环、取代或未取代的吡咯烷环；
[0065]
r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、c
1-c
15
的烷基、c
6-c
15
的芳基；或者r1、r2、r3、r4中的任意相邻两者一起环合形成选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吡啶并呋喃环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的吡啶并噻吩环中的至少一种环结构；
[0066]
且所述q环上任选存在的取代基，以及r1、r2、r3、r4上任选存在的取代基，各自独立地选自c
1-c8的烷基、苯基中的至少一种。
[0067]
根据优选的具体实施方式1-2，在ir(la)(lb)2所示的结构中，la具有式(ia)所示的结构，lb为式(ib)所示的结构、l
b310
所示的结构、l
b311
所示的结构、l
b312
所示的结构、l
b313
所示的结构或l
b314
所示的结构；
[0068]
在式(ia)中，r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、c
1-c
10
的烷基、c
6-c
12
的芳基；或者r1与r2的组合以及r3与r4的组合中的至少一个组合环合形成4-6元饱和环；
[0069]
在式(ib)中，x为c或n，
[0070]
q环选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的喹啉环、取代或未取代的异喹啉环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的菲环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吲哚环、取代或未取代的苯并噻唑环、取代或未取代的苯并噁唑环、取代或未取代的苯并咪唑环、取代或未取代的二苯并噻吩环、取代或未取代的二苯并呋喃环、取代或未取代的苯并呋喃并吡啶环、取代或未取代的苯并噻吩并吡啶环、取代或未取代的苯并吲哚并吡啶环、取代或未取代的吡啶并吲哚并吡啶环、取代或未取代的咪唑环、取代或未取代的吡咯烷环；
[0071]
r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、c
1-c
10
的烷基、c
6-c
12
的芳基；或者r1、r2、r3、r4中的任意相邻两者一起环合形成选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吡啶并呋喃环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的吡啶并噻吩环中的至少一种环结构；
[0072]
且所述q环上任选存在的取代基，以及r1、r2、r3、r4上任选存在的取代基，各自独立地选自c
1-c6的烷基、苯基中的至少一种。
[0073]
根据一种优选的具体实施方式，在本发明的ir(la)(lb)2所示的结构中，
[0074]
在式(ia)中，r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、c
1-c7的烷基、c
6-c
10
的芳基；或者r1与r2的组合以及r3与r4的组合中的至少一个组合环合形成4-6元饱和环。
[0075]
根据特别优选的具体实施方式1-3，在ir(la)(lb)2所示的结构中，
[0076]
在式(ia)中，r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、c
1-c7的烷基、c
6-c
10
的芳基；或者r1与r2的组合以及r3与r4的组合中的至少一个组合环合形成4-6元饱和环；
[0077]
在式(ib)中，x为c或n，
[0078]
q环选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的喹啉环、取代或未取代的异喹啉环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的菲环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吲哚环、取代或未取代的苯并噻唑环、取代或未取代的苯并噁唑环、取代或未取代的苯并咪唑环、取代或未取代的二苯并噻吩环、取代或未取代的二苯并呋喃环、取代或未取代的苯并呋喃并吡啶环、取代或未取代的苯并噻吩并吡啶环、取代
或未取代的苯并吲哚并吡啶环、取代或未取代的吡啶并吲哚并吡啶环、取代或未取代的咪唑环、取代或未取代的吡咯烷环；
[0079]
r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、c
1-c
10
的烷基、c
6-c
12
的芳基；或者r1、r2、r3、r4中的任意相邻两者一起环合形成选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吡啶并呋喃环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的吡啶并噻吩环中的至少一种环结构；
[0080]
且所述q环上任选存在的取代基，以及r1、r2、r3、r4上任选存在的取代基，各自独立地选自c
1-c6的烷基、苯基中的至少一种。
[0081]
根据另一种优选的具体实施方式，在本发明的ir(la)(lb)2所示的结构中，
[0082]
在式(ia)中，r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、甲基、乙基、c3的直链烷基、c3的支链烷基、c3的环烷基、c4的直链烷基、c4的支链烷基、c4的环烷基、c5的直链烷基、c5的支链烷基、c5的环烷基、c6的直链烷基、c6的支链烷基、c6的环烷基、c7的直链烷基、c7的支链烷基、c7的环烷基、苯基；或者r1与r2的组合以及r3与r4的组合中的至少一个组合环合形成4-6元饱和环。
[0083]
根据特别优选的具体实施方式1-4，在ir(la)(lb)2所示的结构中，
[0084]
在式(ia)中，r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、甲基、乙基、c3的直链烷基、c3的支链烷基、c3的环烷基、c4的直链烷基、c4的支链烷基、c4的环烷基、c5的直链烷基、c5的支链烷基、c5的环烷基、c6的直链烷基、c6的支链烷基、c6的环烷基、c7的直链烷基、c7的支链烷基、c7的环烷基、苯基；或者r1与r2的组合以及r3与r4的组合中的至少一个组合环合形成4-6元饱和环；
[0085]
在式(ib)中，x为c或n，
[0086]
q环选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的喹啉环、取代或未取代的异喹啉环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的菲环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吲哚环、取代或未取代的苯并噻唑环、取代或未取代的苯并噁唑环、取代或未取代的苯并咪唑环、取代或未取代的二苯并噻吩环、取代或未取代的二苯并呋喃环、取代或未取代的苯并呋喃并吡啶环、取代或未取代的苯并噻吩并吡啶环、取代或未取代的苯并吲哚并吡啶环、取代或未取代的吡啶并吲哚并吡啶环、取代或未取代的咪唑环、取代或未取代的吡咯烷环；
[0087]
r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、c
1-c
10
的烷基、c
6-c
12
的芳基；或者r1、r2、r3、r4中的任意相邻两者一起环合形成选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吡啶并呋喃环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的吡啶并噻吩环中的至少一种环结构；
[0088]
且所述q环上任选存在的取代基，以及r1、r2、r3、r4上任选存在的取代基，各自独立地选自c
1-c6的烷基、苯基中的至少一种。
[0089]
根据一种优选的具体实施方式，在本发明的ir(la)(lb)2所示的结构中la选自权利要求6中所示的结构。
[0090]
根据特别优选的具体实施方式1-5，在ir(la)(lb)2所示的结构中，la选自权利要求6中所示的结构；
[0091]
在式(ib)中，x为c或n，
[0092]
q环选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的喹啉环、取代或未取代的异喹啉环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的菲环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取
代的苯并呋喃环、取代或未取代的吲哚环、取代或未取代的苯并噻唑环、取代或未取代的苯并噁唑环、取代或未取代的苯并咪唑环、取代或未取代的二苯并噻吩环、取代或未取代的二苯并呋喃环、取代或未取代的苯并呋喃并吡啶环、取代或未取代的苯并噻吩并吡啶环、取代或未取代的苯并吲哚并吡啶环、取代或未取代的吡啶并吲哚并吡啶环、取代或未取代的咪唑环、取代或未取代的吡咯烷环；
[0093]
r1、r2、r3、r4各自独立地选自h、c
1-c
10
的烷基、c
6-c
12
的芳基；或者r1、r2、r3、r4中的任意相邻两者一起环合形成选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吡啶并呋喃环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的吡啶并噻吩环中的至少一种环结构；
[0094]
且所述q环上任选存在的取代基，以及r1、r2、r3、r4上任选存在的取代基，各自独立地选自c
1-c6的烷基、苯基中的至少一种。
[0095]
根据另一种优选的具体实施方式，在本发明的ir(la)(lb)2所示的结构中，lb选自权利要求7中所示的结构。
[0096]
根据一种优选的具体实施方式，所述含1,3-二酮配体的化合物选自权利要求7中所示的化合物中的任意一种。
[0097]
根据特别优选的具体实施方式1-6，在ir(la)(lb)2所示的结构中，la选自权利要求6中所示的结构；且
[0098]
lb选自权利要求7中所示的结构。
[0099]
根据优选的具体实施方式1-7，ir(la)(lb)2所示的结构选自权利要求8中所示的结构。
[0100]
本发明对前述第一方面所述的含1,3-二酮配体的化合物的制备方法没有特别的限制，本领域技术人员可以根据结构式结合有机合成领域内的已知方法确定合适的反应路线。本发明的后文中示例性地提供了几种制备前述第一方面所述的含1,3-二酮配体的化合物的方法，本领域技术人员不应理解为对本发明的限制。
[0101]
如前所述，本发明的第二方面提供了前述第一方面所述的含1,3-二酮配体的化合物作为有机电致磷光材料的应用。
[0102]
如前所述，本发明的第三方面提供了一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件中含有前述第一方面所述的含1,3-二酮配体的化合物中的至少一种。
[0103]
优选地，所述含1,3-二酮配体的化合物存在于所述有机电致发光器件的发光层中。
[0104]
进一步优选地，所述含1,3-二酮配体的化合物为所述有机电致发光器件的发光层中的客体材料。
[0105]
根据一种优选的具体实施方式，所述有机电致发光器件中含有阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0106]
本发明中对形成所述阳极的材料没有特别的要求，本领域技术人员可以结合本领域已知的技术进行选择。本发明中提供一种优选的具体实施方式，所述阳极材料为具有较大功函数的材料。
[0107]
优选情况下，所述阳极材料选自钒、铬、铜、金、铝、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡、氧化铟锌、二氧化锡中的至少一种。
[0108]
本发明中对形成所述空穴注入层的材料没有特别的要求，本领域技术人员可以结合本领域已知的技术进行选择。本发明中提供一种优选的具体实施方式，所述空穴注入层材料为功函数位于所述阳极材料功函数与周围有机材料功函数之间的材料。
[0109]
本发明中对形成所述空穴传输层的材料没有特别的要求，本领域技术人员可以结合本领域已知的技术进行选择。本发明中提供一种优选的具体实施方式，所述空穴传输层的材料为能够接收来自所述阳极或所述空穴注入层的空穴，使所述空穴移动至所述发光层并对所述空穴具有高迁移率的材料。
[0110]
示例性地，所述空穴注入材料和所述空穴传输材料包括但不限于芳香族胺衍生物(例如npb、sqma1)、六氮杂苯并菲衍生物(例如hactn)、吲哚并咔唑衍生物、导电聚合物(例如pedot/pss)，酞菁、卟啉衍生物、二苯并茚并芴胺、螺二芴胺等。
[0111]
根据本发明的一种特别优选的具体实施方式，所述空穴注入材料和所述空穴传输材料选自具有式-1所示结构、式-2所示结构、式-3所示结构和式-4所示结构中的至少一种；
[0112][0113]
其中，r1至r9的基团各自独立地选自单键、氢、氘、c
1-c
20
的烷基、苯基、二联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、芴基、二甲基芴基、螺二芴基、咔唑基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、吲哚基、吲哚咔唑基、茚并咔唑基、吡啶基、嘧啶基、咪唑基、噻唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、卟啉基、咔啉基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基。
[0114]
本发明中对形成所述电子阻挡层的材料没有特别的要求，本领域技术人员可以结合本领域已知的技术进行选择。本发明中提供一种优选的具体实施方式，所述电子阻挡层材料选自具有较浅的lumo能级和/或较大的三线态能量的材料。
[0115]
示例性地，所述电子阻挡层材料包括但不限于芳香族胺衍生物(例如npb)、螺二芴胺(例如spma2)等。
[0116]
任选地，所述发光层还含有主体材料。示例性地，所述主体材料包括但不限于蒽类衍生物、咔唑类衍生物、芴类衍生物、芳胺类衍生物、有机硅类衍生物、咔唑-三嗪类衍生物、磷氧基类衍生物、菲啰啉衍生物等。
[0117]
优选地，所述蒽类衍生物具有式-5所示结构，所述磷氧基类衍生物具有式-6所示结构；
[0118][0119]
其中，r
11
、r
12
、r
13
、r
14
、r
15
和r
16
各自独立地选自单键、氢、氘、取代或未取代的c
1-c
20
的烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二甲基芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的吲哚咔唑基、取代或未取代的茚并咔唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的噻唑基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的卟啉基、取代或未取代的咔啉基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基。
[0120]
优选地，所述客体材料为经由磷光、荧光、tadf(热激活延迟荧光)、mlct(金属到配体电荷转移)、hlct(具有杂化ct态)和三线态-三线态消灭方法中的至少一种方法产生发射的所述含1,3-二酮配体的化合物。
[0121]
本发明中对形成所述空穴阻挡层的材料没有特别的要求，本领域技术人员可以结合本领域已知的技术进行选择。本发明中提供一种优选的具体实施方式，所述空穴阻挡层材料为具有较浅的lumo能级和/或较大的三线态能量的材料。
[0122]
示例性地，所述空穴阻挡层材料包括但不限于菲啰啉衍生物(例如bphen，bcp)，苯并菲衍生物，苯并咪唑衍生物等。
[0123]
本发明中对形成所述电子注入层的材料没有特别的要求，本领域技术人员可以结合本领域已知的技术进行选择。示例性地，所述电子注入层材料包括但不限于lif、csf、cs2co3。
[0124]
本发明中对形成所述阴极的材料没有特别的要求，本领域技术人员可以结合本领域已知的技术进行选择。本发明提供一种优选的具体实施方式，所述阴极材料为具有较小功函数的材料。
[0125]
优选情况下，所述阴极材料选自al、mg和ag中的至少一种。
[0126]
以下将通过实例对本发明进行详细描述。
[0127]
本发明中，在没有特别说明的情况下，室温表示为25
±
2℃。
[0128]
其中，以下实例涉及到的部分化合物的结构式如下：
[0129][0130]
评价：有机发光器件的特性评价
[0131]
通过使用德国爱丁堡fls980荧光光谱仪测试材料的色坐标。
[0132]
制备例1：制备式m1所示的化合物
[0133][0134]
中间体m1-1的合成：氮气保护下，将活化过的锌粉(0.4mol)溶于30ml无水thf中，然后加入三甲基氯硅烷(25ml)，搅拌15min，然后加入4-碘丁酸乙酯(0.4mol)，在30℃下搅拌12h，降温至-10℃，然后加入氰化铜(0.2mol)、氯化锂(0.4mol)的thf溶剂(200ml)中，升温至0℃，搅拌10min，降温至-78℃，得到1号溶液。
[0135]
将2-环己烯-1-酮(0.28mol)和三甲基氯硅烷(0.66mol)溶于乙醚(250ml)中，然后缓慢滴加到1号溶液中，在-78℃下搅拌3h，升温至室温，反应12h。加入饱和nh4cl(450ml)和饱和nh4oh(50ml)进行淬灭反应，采用乙酸乙酯萃取三次，合并有机相，有机相用旋转蒸发除去溶剂，将残余物用甲醇进行重结晶，得到白色固体的中间体m1-1(收率：75％)。
[0136]
式m1化合物的合成：将中间体m1-1(75mmol)，叔丁醇钾(0.19mol)溶于无水thf(160ml)中，氮气保护下加热搅拌，升温至回流反应，tlc监测反应基本完全，冷却到室温，将反应液减压旋干，将残余物重结晶，得到白色固体的式m1化合物(收率：72％)。
[0137]
质谱：c
10h14
o2，理论值：166.10，实测值：166.0。
[0138]
元素分析：理论值：c：72.26％，h：8.49％，实测值：c：72.29％，h：8.52％。
[0139]
制备例2：制备式m2所示的化合物
[0140]
[0141]
中间体m2-1的合成：在室温下将3-甲基-2-丁酮(100mmol)，叔丁醇钾(100mmol)溶于无水thf(100ml)中，降温至0℃，搅拌30min，加入丙烯酸乙酯(100mmol)，升温至室温，搅拌1.5h。加入饱和nh4cl溶液(50ml)进行淬灭反应，加入无水硫酸镁，过滤后减压旋干，将残余物进行柱层析，得到白色固体的中间体m2-1(收率：82％)。
[0142]
中间体m2-2的合成：将中间体m2-1(80mmol)和对甲苯磺酸(2mmol)溶于无水乙醇(240mmol)和苯(120ml)中，氮气保护下加热搅拌，升温至回流反应，tlc监测反应基本完全，冷却到室温，将反应液减压旋干，中间体m2-1进行柱层析，得到白色固体的中间体m2-2(收率：35％)。
[0143]
中间体m2-3的合成：将中间体m2-2(28mmol)和lialh(10mmol)溶于无水乙醚(100ml)中，在室温下搅拌8h，tlc监测反应基本完全，在反应液中依次此加入水(30ml)和10wt％的硫酸水溶液(30ml)，分离有机层，用饱和碳酸钠溶液洗涤有机层三次，加入无水硫酸镁干燥，过滤后减压旋干，将残余物进行柱层析，得到白色固体的中间体m2-3(收率：93％)。
[0144]
中间体m2-4的合成：将γ-丁内酯(0.1mol)溶于无水thf(100ml)中，溶解完全后，将混合物冷却到-30℃，然后缓慢加入1m的二异丙基胺基锂溶液(lda)(120ml)，在-20℃下继续反应4h，然后加入碘甲烷(0.15mol)缓慢升温到室温，继续反应4h，饱和亚硫酸氢钠水溶液进行淬灭反应，采用二氯甲烷萃取三次，合并有机相，干燥过滤后旋干，进行柱层析，得到白色固体的中间体m2-4(收率：66％)。
[0145]
中间体m2-5的合成：与中间体m2-4的合成方法相同，得到白色固体的中间体m2-5(收率：60％)。
[0146]
中间体m2-6的合成：将三溴化硼(60mmol)和碘化钠(90mmol)溶于乙腈(150ml)中，搅拌均匀，得到2号溶液。
[0147]
将中间体m2-2(66mmol)溶于乙腈(80ml)中，缓慢滴加到2号溶液中，在室温下搅拌24h，用冰/水和二氯甲烷(120ml)进行淬灭反应，加入饱和碳酸氢钠水溶液(150ml)、饱和硫代硫酸钠水溶液(150ml)和水(150ml)进行萃取，用无水硫酸镁干燥后减压旋干，进行柱层析，得到白色固体的中间体m2-6(收率：75％)。
[0148]
式m2化合物的合成：氮气保护下，将活化过的锌粉(50mmol)溶于30ml无水thf和二溴乙烷(2ml)中，升温至65℃，保持5min，降温至25℃，搅拌20min，然后加入三甲基氯硅烷(2ml)，搅拌30min，得到3号溶液。
[0149]
将中间体m2-6(45mmol)溶于无水thf(120ml)中，加热搅拌，升温至30℃，缓慢滴加3号溶液，搅拌反应20h，冷却至-10℃，加入氰化铜(45mmol)和氯化锂(90mmol)，升温至0℃，搅拌20min，降温至-78℃，得到4号溶液。
[0150]
将中间体m2-3(45mmol)和三甲基氯硅烷(90mmol)溶于乙醚(80ml)中，搅拌均匀，缓慢滴加到4号溶液中，在-78℃下搅拌5h，升温至室温，反应20h，加入饱和nh4cl(20ml)进行淬灭反应，采用乙醚萃取，合并有机相，加入去离子水(200ml)洗涤，用无水硫酸镁干燥后减压旋干，进行柱层析，得到白色固体i(收率：50％)。
[0151]
将白色固体i和叔丁醇钾(66mmol)溶于无水thf(80ml)中，氮气保护下加热搅拌，升温至回流反应，tlc监测反应基本完全，冷却到室温，将反应液减压旋干，将残余物重结晶，得到白色固体的式m2化合物(收率：75％)。
[0152]
质谱：c
14h22
o2，理论值：222.16，实测值：222.2。
[0153]
元素分析：理论值：c：75.63％，h：9.97％，实测值：c：75.60％，h：9.95％。
[0154]
制备例3：制备式m3所示的化合物
[0155][0156]
中间体m3-1到式m3化合物的合成方法同中间体m2-1到式m2化合物的合成方法相似，所不同的是原料不同。
[0157]
质谱：c
18h30
o2，理论值：278.22，实测值：278.2。
[0158]
元素分析：理论值：c：77.65％，h：10.86％，实测值：c：77.63％，h：10.88％。
[0159]
制备例4：制备式m4所示的化合物
[0160][0161]
中间体m4-1到中间体m4-4的合成方法与中间体m2-1到中间体m2-4的合成方法相似，所不同的是原料不同。
[0162]
中间体m4-5到式m4化合物的合成方法与中间体m2-6到式m2化合物的合成方法相似，所不同的是原料不同。
[0163]
质谱：c
20h30
o2，理论值：302.22，实测值：302.2。
[0164]
元素分析：理论值：c：79.42％，h：10.00％，实测值：c：79.45％，h：10.03％。
[0165]
制备例5：制备式m5所示的化合物
[0166][0167]
中间体m5-1到中间体m5-4的合成方法同中间体m2-1到中间体m2-4的合成方法相似，所不同的是原料不同。
[0168]
中间体m5-5到式m5化合物的合成方法同中间体m2-6到式m2化合物的合成方法相
似，所不同的是原料不同。
[0169]
质谱：c
20h34
o2，理论值：306.26，实测值：306.3。
[0170]
元素分析：理论值：c：78.38％，h：11.18％，实测值：c：78.42％，h：11.15％。
[0171]
制备例6：制备式m6所示的化合物
[0172][0173]
式m6化合物的合成与式m2化合物的合成方法相似，所不同的是原料不同。
[0174]
质谱：c
15h24
o2，理论值：236.18，实测值：236.2。
[0175]
元素分析：理论值：c：76.23％，h：10.24％，实测值：c：76.26％，h：10.27％。
[0176]
制备例7：制备化合物a-10
[0177][0178]
中间体a-10-1的合成：氮气保护下，将5-苯基-2甲基喹啉(40mmol)和三氯化铱(10mmol)溶于60ml的乙氧基乙醇和30ml的水的混合溶液中，加热搅拌，升温至100℃，反应28h，降温至室温抽滤，依次用去离子水、乙醇和石油醚洗涤，得到粗品。将粗品依次用100ml乙醇、石油醚回流打浆，过滤得到中间体a-10-1(收率：55％)。
[0179]
化合物a-10的合成：氮气保护下，将中间体a-10-1(12mmol)、式m1化合物(96mmol)和碳酸钠(96mmol)溶于2-乙氧基乙醇(170ml)中，加热搅拌，升温至回流反应，降温至室温过滤，进行柱层析，得到橙红色固体的化合物a-10(收率：42％)。
[0180]
元素分析：理论值：c：63.53％，h：4.70％，n：3.53％；实测值：c：63.55％，h：4.75％，n：3.46％。
[0181]
制备例8：制备化合物a-52
[0182][0183]
中间体a-52-1的合成：氮气保护下，将2-(2-吡啶基)苯并噻吩(20mmol)和三氯化铱(5mmol)溶于40ml的乙氧基乙醇和20ml的水的混合溶液中，加热搅拌，升温至100℃，反应20h，降温至室温抽滤，依次用去离子水、乙醇和石油醚洗涤，得到粗品。将粗品依次用50ml乙醇、石油醚回流打浆，过滤得到中间体a-52-1(收率：57％)。
[0184]
化合物a-52的合成：氮气保护下，将中间体a-52-1(2.8mmol)、式m1化合物(22.4mmol)和碳酸钠(22.4mol)溶于2-乙氧基乙醇(50ml)中，加热搅拌，升温至回流反应，
降温至室温过滤，进行柱层析，得到黄绿色固体的化合物a-52(收率：40％)。
[0185]
元素分析：理论值：c：55.58％，h：3.76％，n：3.60％；实测值：c：55.54％，h：3.78％，n：3.58％。
[0186]
制备例9：化合物a-114的合成
[0187][0188]
中间体a-114-1的合成：氮气保护下，将2-苯基苯并噁唑(25mmol)和三氯化铱(6.25mmol)溶于40ml的乙氧基乙醇和20ml的水的混合溶液中，加热搅拌，升温至100℃，反应18h，降温至室温抽滤，依次用去离子水、乙醇和石油醚洗涤，得到粗品。将粗品依次用50ml乙醇、石油醚回流打浆，过滤得到中间体a-114-1(收率：52％)。
[0189]
化合物a-114的合成：氮气保护下，将中间体a-114-1(3.25mmol)、式m2化合物(26mmol)和碳酸钠(26mmol)溶于2-乙氧基乙醇(60ml)中，加热搅拌，升温至回流反应，降温至室温过滤，进行柱层析，得到黄绿色固体的化合物a-114(收率：38％)。
[0190]
元素分析：理论值：c：59.91％，h：4.65％，n：3.49％；实测值：c：59.93％，h：4.62％，n：3.52％。
[0191]
制备例10：制备化合物a-141
[0192][0193]
中间体a-141-1的合成：氮气保护下，将1-(3,5-二甲基苯基)-6-异丙基异喹啉(20mmol)和三氯化铱(5mmol)溶于40ml的乙氧基乙醇和20ml的水的混合溶液中，加热搅拌，升温至100℃，反应18h，降温至室温抽滤，依次用去离子水、乙醇和石油醚洗涤，得到粗品。将粗品依次用50ml乙醇、石油醚回流打浆，过滤得到中间体a-141-1(收率：58％)。
[0194]
化合物a-141的合成：氮气保护下，将中间体a-141-1(2.9mmol)、式m3化合物(23.2mmol)和碳酸钠(23.2mmol)溶于2-乙氧基乙醇(60ml)中，加热搅拌，升温至回流反应，降温至室温过滤，进行柱层析，得到深红色固体的化合物a-141(收率：39％)。
[0195]
元素分析：理论值：c：68.16％，h：6.72％，n：2.79％；实测值：c：68.18％，h：6.70％，n：2.81％。
[0196]
制备例11：制备化合物a-185
[0197][0198]
中间体a-185-1的合成：氮气保护下，将2-苯基吡啶(10mmol)和三氯化铱(2.5mmol)溶于20ml的乙氧基乙醇和10ml的水的混合溶液中，加热搅拌，升温至100℃，反应10h，降温至室温抽滤，依次用去离子水、乙醇和石油醚洗涤，得到粗品。将粗品依次用50ml乙醇、石油醚回流打浆，过滤得到中间体a-185-1(收率：55％)。
[0199]
化合物a-185的合成：氮气保护下，将中间体a-185-1(1.37mmol)、式m5化合物(11mmol)和碳酸钠(11mmol)溶于2-乙氧基乙醇(30ml)中，加热搅拌，升温至回流反应，降温至室温过滤，进行柱层析，得到黄色固体的化合物a-185(收率：41％)。
[0200]
元素分析：理论值：c：62.58％，h：6.13％，n：3.48％；实测值：c：62.55％，h：6.17％，n：3.47％。
[0201]
制备例12：制备化合物a-187
[0202][0203]
中间体a-187-1的合成：氮气保护下，将2-苯基喹啉(15mmol)和三氯化铱(3.75mmol)溶于40ml的乙氧基乙醇和20ml的水的混合溶液中，加热搅拌，升温至100℃，反应12h，降温至室温抽滤，依次用去离子水、乙醇和石油醚洗涤，得到粗品。将粗品依次用60ml乙醇、石油醚回流打浆，过滤得到中间体a-185-1(收率：55％)。
[0204]
化合物a-187的合成：氮气保护下，将中间体a-187-1(2mmol)、式m4化合物(16mmol)和碳酸钠(16mmol)溶于2-乙氧基乙醇(30ml)中，加热搅拌，升温至回流反应，降温至室温过滤，进行柱层析，得到橙黄色固体的化合物a-187(收率：43％)。
[0205]
元素分析：理论值：c：66.57％，h：5.47％，n：3.11％；实测值：c：66.55％，h：5.48％，n：3.14％。
[0206]
制备例13：制备化合物a-210
[0207][0208]
化合物a-210的合成：氮气保护下，将中间体a-141-1(5mmol)、式m6化合物(40mmol)和碳酸钠(40mmol)溶于2-乙氧基乙醇(80ml)中，加热搅拌，升温至回流反应，降温至室温过滤，进行柱层析，得到深红色固体的化合物a-210(收率：44％)。
[0209]
元素分析：理论值：c：67.45％，h：6.79％，n：2.86％；实测值：c：67.49％，h：6.77％，n：2.88％。
[0210]
以下化合物制备方法均与化合物a-10的合成方法相似，所不同的是，将原料进行适应性地替换。
[0211]
化合物a-1：元素分析：理论值：c：57.73％，h：4.39％，n：4.21％；实测值：c：57.76％，h：4.40％，n：4.23％。
[0212]
化合物a-6：元素分析：理论值：c：64.99％，h：5.34％，n：3.30％；实测值：c：64.97％，h：5.38％，n：3.33％。
[0213]
化合物a-15：元素分析：理论值：c：64.29％，h：5.03％，n：3.41％；实测值：c：64.33％，h：5.05％，n：3.42％。
[0214]
化合物a-17：元素分析：理论值：c：64.99％，h：5.34％，n：3.30％；实测值：c：64.95％，h：5.32％，n：3.30％。
[0215]
化合物a-23：元素分析：理论值：c：63.53％，h：4.70％，n：3.53％；实测值：c：63.57％，h：4.74％，n：3.44％。
[0216]
化合物a-32：元素分析：理论值：c：66.27％，h：5.90％，n：3.09％；实测值：c：66.29％，h：5.93％，n：3.04％。
[0217]
化合物a-33：元素分析：理论值：c：62.73％，h：4.34％，n：3.66％；实测值：c：62.70％，h：4.36％，n：3.62％。
[0218]
化合物a-46：元素分析：理论值：c：64.29％，h：5.03％，n：3.41％；实测值：c：64.32％，h：5.06％，n：3.44％。
[0219]
化合物a-65：元素分析：理论值：c：60.05％，h：4.91％，n：7.00％；实测值：c：60.02％，h：4.93％，n：7.02％。
[0220]
化合物a-69：元素分析：理论值：c：59.89％，h：5.17％，n：3.88％；实测值：c：59.93％，h：5.15％，n：3.89％。
[0221]
化合物a-73：元素分析：理论值：c：66.27％，h：5.90％，n：3.09％；实测值：c：66.30％，h：5.90％，n：3.07％。
[0222]
化合物a-76：元素分析：理论值：c：66.27％，h：5.90％，n：3.09％；实测值：c：66.32％，h：5.88％，n：3.02％。
[0223]
化合物a-80：元素分析：理论值：c：65.65％，h：5.62％，n：3.19％；实测值：c：65.67％，h：5.60％，n：3.22％。
[0224]
化合物a-119：元素分析：理论值：c：62.49％，h：5.81％，n：6.34％；实测值：c：62.52％，h：5.83％，n：6.31％。
[0225]
化合物a-122：元素分析：理论值：c：67.14％，h：5.74％，n：3.01％；实测值：c：67.16％，h：5.75％，n：3.03％。
[0226]
化合物a-127：元素分析：理论值：c：67.40％，h：6.39％，n：2.91％；实测值：c：67.42％，h：6.37％，n：2.92％。
[0227]
化合物a-132：元素分析：理论值：c：66.85％，h：6.15％，n：3.00％；实测值：c：66.83％，h：6.18％，n：3.02％。
[0228]
化合物a-139：元素分析：理论值：c：68.68％，h：6.46％，n：2.76％；实测值：c：
68.67％，h：6.45％，n：2.73％。
[0229]
化合物a-160：元素分析：理论值：c：67.92％，h：6.62％，n：2.83％；实测值：c：67.90％，h：6.65％，n：2.84％。
[0230]
化合物a-165：元素分析：理论值：c：59.37％，h：5.10％，n：3.15％；实测值：c：59.39％，h：5.13％，n：3.16％。
[0231]
化合物a-173：元素分析：理论值：c：65.96％，h：5.19％，n：3.20％；实测值：c：65.98％，h：5.22％，n：3.18％。
[0232]
化合物a-177：元素分析：理论值：c：64.99％，h：5.34％，n：3.30％；实测值：c：64.97％，h：5.36％，n：3.33％。
[0233]
化合物a-182：元素分析：理论值：c：68.87％，h：7.03％，n：2.68％；实测值：c：68.85％，h：7.04％，n：2.66％。
[0234]
化合物a-82：元素分析：理论值：c：67.40％，h：6.39％，n：2.91％；实测值：c：67.36％，h：6.41％，n：2.93％。
[0235]
化合物a-89：元素分析：理论值：c：67.40％，h：6.39％，n：2.91％；实测值：c：67.38％，h：6.43％，n：2.90％。
[0236]
实施例1：制备有机致电发光器件
[0237]
依次用去离子水，以及丙酮：乙醇(v：v＝1：1)超声处理具有氧化铟锡(ito)电极(阳极)的玻璃衬底之后，将处理后的玻璃衬底在洁净环境下干燥，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击玻璃衬底表面；
[0238]
将上述带有阳极的玻璃衬底置于真空腔内，抽真空至1
×
10-4
pa，将化合物hat-cn蒸镀于阳极层膜上形成空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，厚度为5nm；
[0239]
将化合物npb蒸镀于空穴注入层膜上形成空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，厚度为60nm；
[0240]
将主体材料化合物rh和客体材料化合物a-10，采用多源共蒸的方法蒸镀于空穴传输层膜上形成发光层，调节主体材料的蒸镀速率为0.1nm/s，客体材料的蒸镀速率为主体材料蒸镀速率的10％，厚度为30nm；
[0241]
将化合物et-1和化合物et-2，采用多源共蒸的方法蒸镀于发光层膜上形成电子传输层，蒸镀速率均为0.1nm/s，厚度为30nm；
[0242]
将lif蒸镀于电子传输层膜上形成电子注入层；厚度为1nm；
[0243]
将al蒸镀于电子注入层膜上形成阴极，厚度为150nm。
[0244]
实施例2-16
[0245]
采用与实施例1相似的方法制备有机致电发光器件，所不同的是，将实施例1中的化合物a-10替换成表1中的相应化合物，其余均与实施例1中相同。
[0246]
实施例17
[0247]
依次用去离子水，以及丙酮：乙醇(v：v＝1：1)超声处理具有氧化铟锡(ito)电极(阳极)的玻璃衬底之后，将处理后的玻璃衬底在洁净环境下干燥，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击玻璃衬底表面；
[0248]
将上述带有阳极的玻璃衬底置于真空腔内，抽真空至1
×
10-4
pa，将化合物hat-cn蒸镀于阳极层膜上形成空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，厚度为5nm；
[0249]
将化合物npb蒸镀于空穴注入层膜上形成空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，厚度为60nm；
[0250]
将主体材料化合物gh和客体材料化合物a-1，采用多源共蒸的方法蒸镀于空穴传输层膜上形成发光层，调节主体材料的蒸镀速率为0.1nm/s，客体材料的蒸镀速率为主体材料蒸镀速率的10％，厚度为30nm；
[0251]
将化合物et-1和化合物et-2，采用多源共蒸的方法蒸镀于发光层膜上形成电子传输层，蒸镀速率均为0.1nm/s，厚度为30nm；
[0252]
将lif蒸镀于电子传输层膜上形成电子注入层，厚度为1nm；
[0253]
将al蒸镀于电子注入层膜上形成阴极，厚度为150nm。
[0254]
实施例18-28
[0255]
采用与实施例17相似的方法制备有机致电发光器件，所不同的是，将实施例1中的化合物a-1替换成表2中的相应化合物，其余均与实施例17中相同。
[0256]
对比例1
[0257]
采用与实施例1相似的方法制备有机电致发光器件，所不同的是，将实施例1中的化合物a-10替换成式ref-1所示的化合物，其余均与实施例1中相同。
[0258][0259]
对比例2
[0260]
采用与实施例1相似的方法制备有机电致发光器件，所不同的是，将实施例1中的化合物a-10替换成式ref-2所示的化合物，其余均与实施例1中相同。
[0261][0262]
对比例3
[0263]
采用与实施例1相似的方法制备有机电致发光器件，所不同的是，将实施例1中的化合物a-10替换成式ref-3所示的化合物，其余均与实施例1中相同。
[0264][0265]
对比例4
[0266]
采用与实施例17相似的方法制备有机致电发光器件，所不同的是，将实施例17中的化合物a-1替换成式ref-4所示的化合物，其余均与实施例17中相同。
[0267][0268]
测试例1
[0269]
在亮度为2000cd/m2下，测定实施例和对比例中制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率，结果见表1。
[0270]
测试例2
[0271]
在亮度为10000cd/m2下，测定实施例和对比例中制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率，结果见表2。
[0272]
表1
[0273][0274][0275]
表2
[0276] 客体材料驱动电压(v)电流效率(cd/a)cie颜色实施例17化合物a-14.2363.1(0.31，0.64)绿色实施例18化合物a-524.3563.5(0.32，0.65)绿色实施例19化合物a-694.2765.4(0.31，0.65)绿色实施例20化合物a-1144.4062.4(0.35，0.60)绿色实施例21化合物a-1224.4266.7(0.31，0.64)绿色实施例22化合物a-1734.4564.0(0.31，0.64)绿色实施例23化合物a-1854.4664.2(0.32，0.65)绿色实施例24化合物a-334.1423.7(0.49，0.51)黄色
实施例25化合物a-464.3223.9(0.49，0.53)黄色实施例26化合物a-1604.4424.5(0.47，0.54)黄色实施例27化合物a-1654.4323.4(0.47，0.52)黄色实施例28化合物a-1874.4524.2(0.48，0.51)黄色对比例4化合物式ref-44.6452.3(0.32，0.62)绿色
[0277]
通过表1的结果可以看出，采用本发明的化合物作为有机电致发光器件发光层中的客体材料时，与现有技术相比，应用于有机电致发光器件中时，具有较低的驱动电压及更高的发光效率。
[0278]
通过表2的结果可以看出，采用本发明的化合物作为有机电致发光器件发光层中的客体材料时，与现有技术相比，应用于有机电致发光器件中时，具有更高的发光效率。
[0279]
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，包括各个技术特征以任何其它的合适方式进行组合，这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容，均属于本发明的保护范围。