技术特征：
1.一种含二苯基甲烷的有机硅单体，其特征在于，其化学式结构为：其中：r1、r2、r3代表相同或者不同的原子或者基团。2.根据权利要求1所述的一种含二苯基甲烷的有机硅单体，其特征在于，所述的r1、r2、r3代表为可水解的卤素原子或者烷氧基基团的其中之一或者任意组合。3.根据权利要求2所述的一种含二苯基甲烷的有机硅单体，其特征在于，所述的卤素原子为氯、溴的其中之一或者任意组合；所述的烷氧基基团为甲氧基、乙氧基、丙氧基、甲基、二苯基的其中之一或者任意组合。4.一种由权利要求1所述的含二苯基甲烷的有机硅单体制备超高折射率的半导体led封装材料的方法，其特征在于，依次通过下述步骤制备的：1)称取10
‑
30重量份第一乙烯基二苯基甲烷基硅树脂、5
‑
35重量份的a乙烯基二苯基甲烷基硅树脂；2
‑
3重量份第一含氢交联剂、1
‑
2重量份第二含氢交联剂、总质量万分之一到千分之一乙炔环己醇、总质量3
‑
10ppm催化剂；2)将步骤1)称取的各个物质搅拌、混合均匀即得；所述的a乙烯基二苯基甲烷基硅树脂为第二乙烯基二苯基甲烷基硅树脂、第三乙烯基二苯基甲烷基硅树脂的其中之一或者混合。5.根据权利要求4所述的一种超高折射率的半导体led封装材料的制备方法，其特征在于，所述的第一乙烯基二苯基甲烷基硅树脂通过下述步骤制备的：1)按照质量比2
‑
3:1二苯基甲烷基三氯硅烷、乙烯基双封头加入甲苯中，搅拌混合均匀得预制混合物；2)在室温下，将步骤1)得到的预制混合物缓慢滴加至由水、三乙胺、甲苯按照质量比16
‑
17：19
‑
21：100混合而成混合溶液中，滴加时控制温度不超过60℃，滴加完毕后控温于50
‑
65℃反应2
‑
4h，冷却至室温后水洗至中性，脱低得第一乙烯基二苯基甲烷基硅树脂。6.根据权利要求4所述的一种超高折射率的半导体led封装材料的制备方法，其特征在于，所述的第二乙烯基二苯基甲烷基硅树脂通过下述步骤制备的：1)按照质量比2.2
‑
3:1二苯基甲烷基三甲氧基硅烷、乙烯基双封头搅拌混合均匀得预制混合物；2)在室温下，将步骤1)得到的预制混合物缓慢滴加至由水和三氟甲磺酸按照质量比90
‑
110:1混合而成的混合溶液中，滴加时控制温度不超过60℃，滴加完毕后控温于50
‑
60℃反应2
‑
4h，冷却至室温后水洗至中性，脱低得第二乙烯基二苯基甲烷基硅树脂。7.根据权利要求4所述的一种超高折射率的半导体led封装材料的制备方法，其特征在于，所述的第二乙烯基二苯基甲烷基硅树脂通过下述步骤制备的：1)向三口烧瓶中加入水90
‑
120重量份、三乙胺110
‑
130重量份、甲苯500
‑
550重量份，并冷却至
‑
5℃，逐渐滴加二苯基甲烷基三氯硅烷450
‑
480重量份、乙烯基双封头170
‑
200重量
份、甲苯400
‑
600重量份的混合液；1)滴加完毕后低于0℃搅拌08
‑
1.2h，然后逐渐升温至55
‑
65℃反应2.5
‑
3.5h，最后冷却至室温后水洗中中性，脱低获得第三乙烯基二苯基甲烷基硅树脂。8.根据权利要求4所述的一种超高折射率的半导体led封装材料的制备方法，其特征在于，所述的第一含氢交联剂通过下述步骤制备的：1)按照质量比2.5
‑
3.5:1:2.2
‑
3:2.5
‑
3.5称取二(二苯基甲烷)基二氯硅烷、含氢双封头、甲苯、冰醋酸中，搅拌混合均匀得预制混合物；2)将步骤1)得到的预制混合物在48
‑
52℃反应22
‑
25小时，蒸馏到大部分冰醋酸和甲醇，冷却至室温，加入去离子水，水洗至中性，脱低得到第一含氢交联剂。9.根据权利要求4所述的一种超高折射率的半导体led封装材料的制备方法，其特征在于，所述的第二含氢交联剂通过下述步骤制备的：1)按照质量比1.2
‑
1.8:1:0.004
‑
0.006:1.3
‑
1.6称取二苯基甲烷基三乙氧基硅烷、含氢双封头、浓硫酸、甲苯，搅拌混合均匀得预制混合物；2)在室温下，将步骤1)得到的预制混合物缓慢滴加至由水和甲苯按照质量比1：5
‑
8混合而成的混合溶液中，滴加时控制温度不超过60℃，滴加完毕后控温于50
‑
60℃反应2
‑
4h，冷却至室温后水洗至中性，脱低得乙第二含氢交联剂。10.一种超高折射率的半导体led封装材料，其特征在于，由权利要求4
‑9‑
8任一所述的的方法制备得到。
技术总结
本发明公开了一种含二苯基甲烷的有机硅单体及其制备的超高折射率半导体LED封装材料，所述的含二苯基甲烷的有机硅单体，其化学式结构为：其中：R1、R2、R3代表相同或者不同的原子或者基团；所述的LED封装材料由10
技术研发人员：聂晓李 胡文斌 龚红升 张蔚欣 梁伟杰
受保护的技术使用者：广州星光有机硅科技有限公司
技术研发日：2021.07.22
技术公布日：2021/10/8