一种荧光高相变配位化合物及其制备方法和应用

技术特征：
1.一种荧光高相变配位化合物，其特征在于，所述荧光高相变配位化合物的分子通式为(c6h
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no)2mncl4，所述荧光高相变配位化合物为零维结构的晶体，其结构单元属于三斜晶系，空间点群为p-1，所述结构单元中锰原子均处于四配位的正四面体构型中心。2.根据权利要求1所述的荧光高相变配位化合物，其特征在于，所述荧光高相变配位化合物的激发波长为545nm，发射波长为450nm。3.根据权利要求1所述的荧光高相变配位化合物，其特征在于，所述荧光高相变配位化合物在425k和367k处有一对吸热峰和放热峰，表现出一对可逆相变。4.权利要求1-3任一项所述的荧光高相变配位化合物的制备方法，其特征在于，所述制备方法为利用氯化锰和n-乙基吗啉为原料，采用直接水合成和慢速蒸发法制得。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将氯化锰溶于水中，得到氯化锰水溶液；(2)将n-乙基吗啉溶于水中，加入盐酸使其酸化，得到n-乙基吗啉水溶液；(3)将氯化锰水溶液与n-乙基吗啉水溶液混合，搅拌反应，自然挥发，得到配位化合物(c6h
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no)2mncl4。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述氯化锰水溶液的浓度为0.5-1.0mmol/ml。7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述n-乙基吗啉水溶液浓度为1.0-1.5mmol/ml。8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述氯化锰与n-乙基吗啉的摩尔质量之比0.5-2.0:1。9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述搅拌反应为室温下反应3-4h。10.权利要求1-3任一项所述的荧光高相变配位化合物在发光二极管中的应用。

技术总结
本发明公开了一种荧光高相变配位化合物及其制备方法和应用，该配位化合物分子通式为(C6H


技术研发人员：刘静苑 叶丝雨 佟亮 王艳宁 万敏 曹龙文 陈立庄
受保护的技术使用者：江苏科技大学
技术研发日：2021.11.24
技术公布日：2022/2/7