薄膜、发光器件与显示装置的制作方法

本技术涉及光电，具体涉及一种薄膜、发光器件与显示装置。

背景技术：

1、发光器件包括但不限于有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)和量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes,qled)，其广泛应用于显示、照明等技术领域。发光器件通常为“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。为了进一步地提高发光器件的综合性能，可以在阳极与发光层之间设置空穴功能层。

2、溶液法制备发光器件具有无需真空制程、易实现大面积化、成本低等优点。然而，当采用溶液法制备依次层叠设置的多个功能层(例如三个功能层以上)时，相邻功能层之间易发生互溶的问题，影响器件性能。

技术实现思路

1、本技术提供了一种薄膜、发光器件与显示装置，以改善薄膜的抗溶剂性能。

2、本技术的技术方案如下：

3、第一方面，本技术提供了一种薄膜，所述薄膜的材料包括导电聚合物，所述导电聚合物的重复单元包括芴结构单元、芳香胺基结构单元或杂芳基结构单元中的至少一种；

4、其中，所述导电聚合物的重均分子量为60000至150000。

5、进一步地，所述导电聚合物的玻璃化转变温度为80℃至250℃；

6、和/或，所述导电聚合物的重均分子量/数均分子量的比值不大于2。

7、进一步地，所述芳香胺基结构单元选自三苯胺基结构单元；

8、和/或，所述杂芳基结构单元选自咔唑基结构单元或包含噻吩基结构单元中的至少一者。

9、进一步地，所述导电聚合物的玻璃化转变温度为120℃至200℃。

10、进一步地，在所述导电聚合物中，超过10％重量的聚合物的分子量为所述导电聚合物的重均分子量的0.9倍至1.1倍；

11、并且，不超过5％重量的聚合物的分子量小于所述导电聚合物的重均分子量的0.3倍，或者不超过5％重量的聚合物的分子量大于所述导电聚合物的重均分子量的1.7倍。

12、进一步地，所述导电聚合物的重复单元选自：

13、

14、其中，r1至r20彼此独立地选自氢原子、碳原子数为1个至20个的烷基、芳基或杂芳基，n、m、p、y和z分别代表摩尔分数；

15、在结构式(ⅰ)中，m、n以及p三者之和为1，且0.5＜n＜0.9，且0.1＜m＜0.4，且0＜p＜0.1；

16、在结构式(ⅲ)中，y和z两者之和为1，且0＜y＜0.5，且0.5＜z＜1。

17、第二方面，本技术提供了一种发光器件，所述发光器件包括：

18、阳极；

19、阴极，与所述阳极相对设置；

20、发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及

21、空穴功能层，设置于所述阳极与所述发光层之间；

22、其中，所述空穴功能层的材料包括如第一方面中任意一种所述的薄膜。

23、进一步地，所述发光器件还包括：电子功能层，设置于所述发光层与所述阴极之间；

24、所述电子功能层包括电子注入层和/或电子传输层，当所述电子功能层包括电子传输层和电子注入层时，所述电子传输层靠近所述发光层，且所述电子注入层靠近所述阴极；

25、所述电子传输层的材料包括纳米金属氧化物，所述纳米金属氧化物选自zno、tio2、sno2、bao、ta2o3、zro2、tilio、zngao、znalo、znmgo、znsno、znlio、insno、alzno、znocl、znof或znmglio中的至少一种，所述纳米金属氧化物的粒径为2nm至15nm；

26、所述电子注入层的材料包括碱金属卤化物、碱金属有机络合物或有机膦化合物中的至少一种，碱金属卤化物包括但不限于是氟化锂，碱金属有机络合物包括但不限于是8-羟基喹啉锂，有机膦化合物包括但不限于是有机氧化磷、有机硫代膦化合物或有机硒代膦化合物中的至少一种。

27、进一步地，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点；

28、其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpa荧光材料、tbrb荧光材料或dbp荧光材料中的至少一种；

29、所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物或i-iii-vi族化合物中的至少一种，其中，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete或snpbste中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2或agins2中的至少一种。

30、第三方面，本技术还提供了一种发光器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

31、提供叠层结构，在所述叠层结构的一侧施加包含导电聚合物的溶液，干燥处理获得空穴功能层；

32、其中，所述导电聚合物包括芴结构单元、芳香胺基结构单元或杂芳基结构单元中的至少一种，所述导电聚合物的重均分子量为60000至150000；

33、当所述发光器件为正置型结构时，所述叠层结构为包含阳极的基板，所述空穴功能层形成于所述阳极的一侧；

34、当所述发光器件为倒置型结构时，所述叠层结构为包含阴极和发光层的基板，所述空穴功能层形成于所述发光层远离所述阴极的一侧。

35、进一步地，所述包含导电聚合物的溶液的溶剂选自氯苯、甲苯，二甲苯、环己基苯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、氯萘、邻苯二甲酸酐或溴苯中的至少一种。

36、进一步地，当所述发光器件为正置型结构时，所述制备方法还包括步骤：在所述空穴功能层远离阳极的一侧施加发光材料溶液，干燥处理获得发光层。

37、第四方面，本技术提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第二方面中任意一种所述的发光器件，或第三方面中任意一种所述的制备方法制得的发光器件。

38、本技术提供了一种薄膜、发光器件与显示装置，具有如下技术效果：

39、本技术中薄膜的材料包括导电聚合物，导电聚合物的重复单元包括芴结构单元、芳香胺基结构单元或杂芳基结构单元中的至少一种，且导电聚合物的玻璃化转变温度为80℃至250℃，且导电聚合物的重均分子量为60000至150000，且导电聚合物的重均分子量/数均分子量的比值不大于2，提高了薄膜的抗溶剂性能。

40、所述薄膜能够用于制备发光器件的空穴功能层，当采用溶液法制备发光器件的空穴功能层和空穴功能层的相邻层时，有效改善空穴功能层与相邻层之间的“互溶”现象。