有机化合物、发光元件、发光装置、电子设备、显示装置及照明装置的制作方法

有机化合物、发光元件、发光装置、电子设备、显示装置及照明装置
本技术是申请日为“2017年12月27日”、申请号为“201711439442.6”、发明名称为“有机化合物、发光元件、发光装置、电子设备、显示装置及照明装置”的专利申请的分案申请。
技术领域
1.本发明的一个方式涉及一种发光元件、显示模块、照明模块、显示装置、发光装置、电子设备及照明装置。注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。或者，本发明的一个方式涉及一种程序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此，具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子，可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、它们的驱动方法以及它们的制造方法。


背景技术：

2.有的使用有机el元件的显示装置、发光装置已实现实用化，其应用范围正在扩大。随着使用情境的扩大，设想恶劣环境下的这些装置的使用，由此被要求这些装置的可靠性的提高。
3.另一方面，更高的发光特性、更高的显示特性也被要求。在是载流子传输材料的情况下，除了可靠性之外，其传输性、能级也受到重视。
4.专利文献1公开了具有三芳基胺结构的其特性良好的空穴传输材料。
5.[专利文献1]日本专利申请公开第2010-202633号公报


技术实现要素：

[0006]
本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的有机化合物。本发明的另一个方式的目的之一是提供一种新颖的载流子传输材料。本发明的另一个方式的目的之一是提供一种新颖的空穴传输材料。本发明的另一个方式的目的之一是提供一种玻璃化转变温度(tg)高的空穴传输材料。本发明的另一个方式的目的之一是提供一种新颖的发光元件用材料。本发明的另一个方式的目的之一是提供一种通过用于发光元件而能够实现使用寿命长的发光元件的发光元件用材料。
[0007]
本发明的另一个方式的目的之一是提供一种新颖的发光元件。本发明的另一个方式的目的之一是提供一种使用寿命长的发光元件。
[0008]
本发明的另一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的发光装置、电子设备及显示装置。本发明的另一个方式的目的之一是提供一种显示品质良好的发光装置、电子设备及显示装置。
[0009]
本发明只要达到上述目的中的任一个即可。
[0010]
本发明的一个方式是一种以下述通式(g1)表示的有机化合物。
[0011][0012]
在通式(g1)中，r1至r
10
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基或者以下述通式(r-1)至(r-4)表示的基团中的一个，r
11
至r
14
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。另外，n表示0、1或2，在n为2的情况下，两个亚苯基也可以具有不同的取代基。另外，naph表示以下述通式(g1-1)或(g1-2)表示的基团。
[0013][0014]
在通式(r-1)至(r-4)中，r
60
至r
91
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0015][0016]
在通式(g1-1)中，r
22
至r
28
中的一个表示以下述通式(g2-1)或(g2-2)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。在通式(g1-2)中，r
31
至r
37
中的一个表示以下述通式(g2-1)或(g2-2)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0017][0018]
在通式(g2-1)中，r
42
至r
48
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。另外，在通式(g2-2)中，r
51
至r
57
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0019]
本发明的另一个方式是一种以下述通式(g1)表示的有机化合物。
[0020][0021]
在通式(g1)中，r1至r
10
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基或者以下述通式(r-1)至(r-4)表示的基团中的一个，r
11
至r
14
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。另外，n表示0、1或2，在n为2的情况下，两个亚苯基也可以具有不同的取代基。naph表示以下述通式(g1-2)表示的基团。
[0022][0023]
在通式(r-1)至(r-4)中，r
60
至r
91
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0024][0025]
在通式(g1-2)中，r
31
至r
37
中的一个表示以下述通式(g2-1)或(g2-2)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0026][0027]
在通式(g2-1)中，r
42
至r
48
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。在通式(g2-2)中，r
51
至r
57
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0028]
本发明的另一个方式是一种以下述通式(g2)表示的有机化合物。
[0029][0030]
在通式(g2)中，r1、r2、r4至r7、r9至r
14
以及r
100
至r
109
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。另外，n表示0、1或2，在n为2的情况下，两个亚苯基也可以具有不同的取代基。另外，naph表示以下述通式(g1-2)表示的基团。
[0031][0032]
在通式(g1-2)中，r
31
至r
37
中的一个表示以下述通式(g2-1)或(g2-2)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0033][0034]
在通式(g2-1)中，r
42
至r
48
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。在通式(g2-2)中，r
51
至r
57
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0035]
本发明的另一个方式是一种以下述通式(g3)表示的有机化合物。
[0036][0037]
在通式(g3)中，r1、r2、r4至r7、r9、r
10
、r
100
至r
109
以及r
111
至r
114
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。另外，naph表示以下述通式(g1-2)表示的基团。
[0038][0039]
在通式(g1-2)中，r
31
至r
37
中的一个表示以下述通式(g2-1)或(g2-2)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0040][0041]
在通式(g2-1)中，r
42
至r
48
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。在通式(g2-2)中，r
51
至r
57
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0042]
本发明的另一个方式是一种以下述通式(g4)表示的有机化合物。
[0043][0044]
在通式(g4)中，r1、r2、r4至r7、r9、r
10
以及r
100
至r
109
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。另外，naph表示以下述通式(g1-2)表示的基团。
[0045][0046]
在通式(g1-2)中，r
31
至r
37
中的一个表示以下述通式(g2-1)或(g2-2)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0047][0048]
在通式(g2-1)中，r
42
至r
48
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。另外，在通式(g2-2)中，r
51
至r
57
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0049]
本发明的另一个方式是一种以下述通式(g1)表示的有机化合物。
[0050][0051]
在通式(g1)中，r1至r
10
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基或者以下述通式(r-1)至(r-4)表示的基团中的一个，r
11
至r
14
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。另外，n表示0、1或2，在n为2的情况下，两个亚苯基也可以具有不同的取代基。另外，naph表示以下述通式(g1-1)或(g1-2)表示的基团。
[0052][0053]
在通式(r-1)至(r-4)中，r
60
至r
91
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0054][0055]
在通式(g1-1)中，r
22
至r
28
中的一个表示以下述通式(g2-2)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。在通式(g1-2)中，r
31
至r
37
中的一个表示以下述通式(g2-2)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0056][0057]
在通式(g2-2)中，r
51
至r
57
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0058]
本发明的另一个方式是一种以下述通式(g1)表示的有机化合物。
[0059][0060]
在通式(g1)中，r1至r
10
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基或者以下述通式(r-1)至(r-4)表示的基团中的一个，r
11
至r
14
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。另外，n表示0、1或2，在n为2的情况下，两个亚苯基也可以具有不同的取代基。另外，naph表示以下述通式(g1-1)或(g1-2)表示的基团。
[0061][0062]
在通式(r-1)至(r-4)中，r
60
至r
91
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0063][0064]
在通式(g1-1)中，r
22
至r
28
中的一个表示以下述通式(g2-1)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。在通式(g1-2)中，r
31
至r
37
中的一个表示以下述通式(g2-1)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0065][0066]
在通式(g2-1)中，r
42
至r
48
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0067]
本发明的另一个方式是一种具有上述结构的有机化合物。在该有机化合物中，r
31
至r
37
中的一个表示以下述通式(g2-2)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0068][0069]
在通式(g2-2)中，r
51
至r
57
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0070]
本发明的另一个方式是一种具有上述结构的有机化合物。在该有机化合物中，r
36
表示以通式(g2-2)表示的基团，r
31
至r
35
以及r
37
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0071]
本发明的另一个方式是一种具有上述结构的有机化合物。在该有机化合物中，r
31
至r
37
中的一个表示以下述通式(g2-1)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0072][0073]
在通式(g2-1)中，r
42
至r
48
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0074]
本发明的一个方式是一种包括具有上述结构的有机化合物的发光元件。
[0075]
本发明的一个方式是一种发光装置，包括：具有上述结构的发光元件；以及晶体管或衬底。
[0076]
本发明的另一个方式是一种电子设备，包括：具有上述结构的发光装置；以及传感器、操作按钮、扬声器或麦克风。
[0077]
本发明的另一个方式是一种照明装置，包括：具有上述结构的发光装置；以及框体。
[0078]
另外，本说明书中的发光装置包括使用发光元件的图像显示器件。另外，发光装置有时还包括如下模块：发光元件安装有连接器诸如各向异性导电膜或tcp(tape carrier package：带载封装)的模块；在tcp的端部设置有印刷线路板的模块；通过cog(chip on glass：玻璃覆晶封装)方式在发光元件上直接安装有ic(集成电路)的模块。再者，照明器具等有时包括发光装置。
[0079]
根据本发明的一个方式，可以提供一种新颖的发光元件。根据本发明的另一个方式，可以提供一种使用寿命长的发光元件。根据本发明的另一个方式，可以提供一种发光效率良好的发光元件。根据本发明的另一个方式，可以提供一种耐热性高的发光元件。
[0080]
根据本发明的另一个方式，可以提供一种可靠性高的发光装置、电子设备及显示装置。根据本发明的另一个方式，可以提供一种功耗小的发光装置、电子设备及显示装置。
[0081]
注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。另外，本发明的一个方式并不一定需要有所有上述效果。另外，上述以外的效果是可以从说明书、附图、权利要求书等的记载自然得知且衍生出的。
附图说明
[0082]
图1a至图1c是发光元件的示意图；图2a至图2d是示出发光元件的制造方法的一个例子的图；图3是示出发光元件的制造装置的一个例子的图；图4a和图4b是有源矩阵型发光装置的示意图；图5a和图5b是有源矩阵型发光装置的示意图；图6是有源矩阵型发光装置的示意图；图7a和图7b是无源矩阵型发光装置的示意图；图8a和图8b是示出照明装置的图；图9a、图9b1、图9b2、图9c和图9d是示出电子设备的图；图10是示出光源装置的图；图11是示出照明装置的图；图12是示出照明装置的图；图13是示出车载显示装置及照明装置的图；图14a至图14c是示出电子设备的图；图15a至图15c是示出电子设备的图；图16a和图16b示出bba(βn2)b的1h-nmr谱；图17示出bba(βn2)b的溶液的吸收光谱及发射光谱；图18示出bba(βn2)b的薄膜的吸收光谱及发射光谱；
图19a和图19b示出bba(βn2)的1h-nmr谱；图20示出bba(βn2)的溶液的吸收光谱及发射光谱；图21示出bba(βn2)的薄膜的吸收光谱及发射光谱；图22a和图22b示出bba(βn2)b-02的1h-nmr谱；图23示出bba(βn2)b-02的薄膜的吸收光谱及发射光谱；图24a和图24b示出bba(βn2)b-03的1h-nmr谱；图25a和图25b示出bbaαnβnb的1h-nmr谱；图26a和图26b示出bbaαnβnb-02的1h-nmr谱；图27a和图27b示出bbaαnβnb-03的1h-nmr谱；图28示出发光元件1及发光元件2的亮度-电流密度特性；图29示出发光元件1及发光元件2的电流效率-亮度特性；图30示出发光元件1及发光元件2的亮度-电压特性；图31示出发光元件1及发光元件2的电流-电压特性；图32示出发光元件1及发光元件2的外量子效率-亮度特性；图33示出发光元件1及发光元件2的发射光谱；图34示出发光元件1及发光元件2的归一化亮度-时间变化特性；图35示出发光元件3及发光元件4的亮度-电流密度特性；图36示出发光元件3及发光元件4的电流效率-亮度特性；图37示出发光元件3及发光元件4的亮度-电压特性；图38示出发光元件3及发光元件4的电流-电压特性；图39示出发光元件3及发光元件4的外量子效率-亮度特性；图40示出发光元件3及发光元件4的发射光谱；图41示出发光元件3及发光元件4的归一化亮度-时间变化特性；图42示出发光元件5及发光元件6的亮度-电流密度特性；图43示出发光元件5及发光元件6的电流效率-亮度特性；图44示出发光元件5及发光元件6的亮度-电压特性；图45示出发光元件5及发光元件6的电流-电压特性；图46示出发光元件5及发光元件6的外量子效率-亮度特性；图47示出发光元件5及发光元件6的发射光谱；图48示出发光元件5及发光元件6的归一化亮度-时间变化特性；图49示出发光元件7及发光元件8的亮度-电流密度特性；图50示出发光元件7及发光元件8的电流效率-亮度特性；图51示出发光元件7及发光元件8的亮度-电压特性；图52示出发光元件7及发光元件8的电流-电压特性；图53示出发光元件7及发光元件8的外量子效率-亮度特性；图54示出发光元件7及发光元件8的发射光谱；图55示出发光元件9及发光元件10的亮度-电流密度特性；图56示出发光元件9及发光元件10的电流效率-亮度特性；图57示出发光元件9及发光元件10的亮度-电压特性；
图58示出发光元件9及发光元件10的电流-电压特性；图59示出发光元件9及发光元件10的外量子效率-亮度特性；图60示出发光元件9及发光元件10的发射光谱；图61示出发光元件11及发光元件12的亮度-电流密度特性；图62示出发光元件11及发光元件12的电流效率-亮度特性；图63示出发光元件11及发光元件12的亮度-电压特性；图64示出发光元件11及发光元件12的电流-电压特性；图65示出发光元件11及发光元件12的外量子效率-亮度特性；图66示出发光元件11及发光元件12的发射光谱；图67示出发光元件13及发光元件14的亮度-电流密度特性；图68示出发光元件13及发光元件14的电流效率-亮度特性；图69示出发光元件13及发光元件14的亮度-电压特性；图70示出发光元件13及发光元件14的电流-电压特性；图71示出发光元件13及发光元件14的外量子效率-亮度特性；图72示出发光元件13及发光元件14的发射光谱；图73a和图73b示出3-溴-2，2
’‑
联萘基的1h-nmr谱；图74a和图74b示出3-溴-2，1
’‑
联萘基的1h-nmr谱；图75a和图75b示出bbaβnαnb的1h-nmr谱；图76a和图76b示出bbaβnαnb-02的1h-nmr谱。
具体实施方式
[0083]
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。但是，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
[0084]
实施方式1本发明的一个方式的有机化合物是三芳基胺衍生物，该有机化合物中的一个芳基具有联萘基骨架。也就是说，该有机化合物的芳基具有包括萘基的亚萘基的骨架。此外，该三芳基胺衍生物中的其余的两个芳基分别独立地是苯基、联苯基或者三联苯基。另外，这些基也可以具有取代基，作为该取代基可以选择碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0085]
上述具有包括萘基的亚萘基的骨架的芳基可以在亚萘基与胺的氮之间还包括亚芳基。作为该亚芳基，可以选择亚苯基或亚联苯基。该亚芳基也可以具有取代基，作为该取代基可以选择碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基。
[0086]
在考虑萘骨架的反应性的情况下，优选的是，上述亚萘基在2位、3位、6位和7位中的任何两个具有键，该键中的一个键合于上述胺的氮或上述亚芳基，另一个键合于上述萘基，由此容易进行原料合成，而可以减少目的物的制造成本。此外，在考虑萘骨架的反应性的情况下，优选的是，当上述亚萘基的2位键合于上述胺的氮或上述亚芳基时，3位、6位和7位中的任一个键合于上述萘基，由此容易进行原料合成，可以减少目的物的制造成本，并且
可以提供耐热性、可靠性或载流子传输性高的材料。再者，优选的是，上述亚萘基在2位和6位具有键，该键中的一个键合于上述胺的氮或上述亚芳基，另一个键合于上述萘基，由此可以得到耐热性、可靠性或载流子传输性高的发光元件。
[0087]
此外，为了提供可靠性高的发光元件，上述萘基优选为2-萘基。
[0088]
上述本发明的一个方式的有机化合物也可以以下述通式(g1)表示。
[0089][0090]
在通式(g1)中，r1至r
10
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基或者以下述通式(r-1)至(r-4)表示的基团中的一个。优选的是，r1至r5中的一个和r6至r
10
中的一个表示下述通式(r-1)至(r-4)中的一个，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。在r1至r5中的一个和r6至r
10
中的一个表示下述通式(r-1)至(r-4)中的一个的情况下，优选其余的全部表示氢，因为容易进行合成且制造成本低。
[0091][0092]
在以通式(r-1)至(r-4)表示的基团中，r
60
至r
91
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。在考虑制造成本时，优选r
60
至r
91
的全部表示氢。
[0093]
在通式(g1)中，r
11
至r
14
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。另外，n表示0、1或2，在n为2的情况下，两个亚苯基彼此键合，各亚苯基所具有的取代基及其位置也可以彼此不同。此外，n优选为1，此时物质具有高升华性和高耐热性。
[0094]
在通式(g1)中，naph表示以下述通式(g1-1)或(g2-1)表示的基团。
[0095]
[0096]
在上述通式(g1)中的naph表示通式(g1-1)的情况下，在通式(g1-1)中，r
22
至r
28
中的一个表示以下述通式(g2-1)或(g2-2)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0097]
在以通式(g1)表示的有机化合物中，naph优选表示以上述通式(g1-2)表示的基团，因为可以容易提供可靠性高的发光元件。
[0098]
在上述通式(g1)中的naph表示通式(g1-2)的情况下，在通式(g1-2)中，r
31
至r
37
中的一个表示以下述通式(g2-1)或(g2-2)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0099][0100]
在上述通式(g1-1)或(g1-2)的取代基以上述通式(g2-1)表示的情况下，在通式(g2-1)中，r
42
至r
48
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0101]
在上述通式(g1-1)或(g1-2)的取代基以上述通式(g2-2)表示的情况下，在通式(g2-2)中，r
51
至r
57
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0102]
作为以上述通式(g2-1)及(g2-2)表示的基团，为了提供可靠性高的发光元件，优选选择以通式(g2-2)表示的基团，为了提供耐热性或载流子传输性高的发光元件，优选选择以通式(g2-1)表示的基团。
[0103]
在以上述通式(g1)表示的有机化合物中，优选的是，r1至r5中的一个和r6至r
10
中的一个表示以上述通式(r-1)表示的基团，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。此时，更优选的是，以上述通式(r-1)表示的取代基取代为r3及r8的位置。也就是说，本发明的优选的一个方式是以下述通式(g2)表示的有机化合物。
[0104][0105]
在以上述通式(g2)表示的有机化合物中，r1、r2、r4至r7、r9至r
10
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。另外，r
11
至r
14
以及r
100
至r
109
分
别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。另外，n表示0、1或2，在n为2的情况下，两个亚苯基彼此键合，各亚苯基所具有的取代基及其位置也可以彼此不同。
[0106]
此外，优选r1、r2、r4至r7、r9至r
14
以及r
100
至r
109
的全部表示氢，因为可以容易进行合成，容易准备材料而制造成本低。
[0107]
注意，以通式(g2)表示的有机化合物中的naph与以上述通式(g1)表示的有机化合物中的naph同样，因此省略其记载。
[0108]
在以上述通式(g2)表示的有机化合物中，如上所述，n优选为1，此时可以提供具有高升华性和高耐热性的物质。也就是说，优选使用以下述通式(g3)表示的有机化合物。
[0109][0110]
在以上述通式(g3)表示的有机化合物中，naph、r1、r2、r4至r7、r9、r
10
以及r
100
至r
109
与以上述通式(g1)表示的有机化合物或者以上述通式(g2)表示的有机化合物同样，因此省略其记载。在上述通式(g3)中，r
111
至r
114
分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者碳原子数为3至6的环烷基。
[0111]
在以上述通式(g2)表示的有机化合物中，n为0时的homo比n为1或2时的homo浅。也就是说，以下述通式(g4)表示的有机化合物是在需要homo能级更浅的物质时优选的结构的一个方式。
[0112][0113]
在以上述通式(g4)表示的有机化合物中，naph、r1、r2、r4至r7、r9、r
10
以及r
100
至r
109
与以上述通式(g1)表示的有机化合物或者以上述通式(g2)表示的有机化合物同样，因此省略其记载。
[0114]
优选的是，在以上述通式(g1)至通式(g4)表示的有机化合物中，为了提供可靠性高的元件，以naph表示的基团为以上述通式(g2-2)表示的基团键合于以上述通式(g1-2)表示的基团的基团。更优选的是，以上述通式(g1-2)表示的基的r
36
为以上述通式(g2-2)表示的基团。
[0115]
下面示出上述本发明的有机化合物的具体结构实例。
[0116]
[0117]
[0118]
[0119]
[0120][0121]
[0122][0123]
[0124]
[0125][0126]
[0127][0128]
[0129][0130][0131]
[0132][0133]
接着，作为上述本发明的有机化合物的合成方法的例子，对以上述通式(g1)表示的有机化合物的例子进行说明。
[0134]
以通式(g1)表示的本发明的一个方式的有机化合物可以如下述合成方案(a-1)那样合成。也就是说，通过使二芳基胺化合物(化合物1)与联萘基化合物(化合物2)偶联，可以得到目的物(g1)。下面示出合成方案(a-1)。
[0135][0136]
在合成方案(a-1)中，x1表示氯、溴、碘、三氟甲磺酸酯基。
[0137]
在合成方案(a-1)中，可以进行使用钯催化剂的布赫瓦尔德-铪特维希反应。当进行该反应时，作为钯催化剂可以使用双(二亚苄基丙酮)钯(0)、醋酸钯(ii)、[1,1-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(ii)、四(三苯基膦)钯(0)、氯化烯丙基钯(ii)二聚物等钯化合物。另外，作为配体，可以使用三(叔丁基)膦、三(正己基)膦、三环己基膦、二(1-金刚烷基)-正丁基膦、2-二环己基膦基-2’,6
’‑
二甲氧基联苯、三(邻-甲苯基)膦、二叔丁基(1-甲基-2，2-二苯基环丙基)膦(简称：cbridp(注册商标))等。在该反应中，可以使用有机碱诸如叔丁醇钠等、无机碱诸如碳酸钾、碳酸铯、碳酸钠等。在该反应中，作为溶剂，可以使用甲苯、二甲苯、苯、四氢呋喃、二氧六环等。可以应用于该反应的试剂类不局限于上述试剂类。
[0138]
另外，当通过乌尔曼反应进行合成方案(a-1)时，作为可以使用的试剂，可以举出铜或铜化合物，作为碱可以举出碳酸钾等无机碱。另外，作为在该反应中可以使用的溶剂，可以举出1，3-二甲基-3，4，5，6-四氢化-2(1h)嘧啶酮(dmpu)、甲苯、二甲苯、苯等。在乌尔曼反应中，当反应温度为100℃以上时，可以以更短的时间且以更高的收获率得到目的物，所以优选使用沸点高的dmpu、二甲苯。另外，反应温度更优选为150℃以上的高温度，所以更优
选使用dmpu。在该反应中可以使用的试剂类不局限于上述试剂类。
[0139]
本发明的以通式(g1)表示的有机化合物也可以经过下述合成方案(a-2)合成。也就是说，通过使三芳基胺化合物(化合物3)和联萘基化合物(化合物4)偶联，可以得到目的物(g1)。下面示出合成方案(a-2)。
[0140][0141]
在合成方案(a-2)中，x2和x3分别独立地表示卤素、硼酸基、有机硼基、三氟甲基磺酰基、有机锡基、有机锌基或者卤化镁基。卤素优选为氯、溴、碘，在考虑反应性时溴或碘是优选的，在考虑成本时氯或溴是优选的。
[0142]
在合成方案(a-2)中，在进行使用钯催化剂的铃木-宫浦偶联反应的情况下，x2及x3表示卤基、硼酸基、有机硼基或者三氟甲基磺酰基，卤素优选为碘、溴或者氯。在该反应中，可以使用双(二亚苄基丙酮)钯(0)、醋酸钯(ii)、[1,1-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(ii)、四(三苯基膦)钯(0)等钯化合物、三(叔丁基)膦、三(正己基)膦、三环己基膦、二(1-金刚烷基)-正丁基膦、2-二环己基膦基-2’，6
’‑
二甲氧基联苯、三(邻-甲苯基)膦等配体。在该反应中，可以使用有机碱诸如叔丁醇钠等、无机碱诸如碳酸钾、碳酸铯、碳酸钠等。
[0143]
在该反应中，作为溶剂，可以使用甲苯、二甲苯、苯、四氢呋喃、二氧六环、乙醇、甲醇、水、二乙二醇二甲醚、乙二醇单甲醚等。在该反应中可以使用试剂类不局限于上述试剂类。
[0144]
通过利用使用有机锡化合物的右田-小杉-stille偶联反应、使用格氏试剂的熊田-玉尾-corriu偶联反应、使用有机锌化合物的根岸偶联反应、使用铜或铜化合物的反应等，可以进行以合成方案(a-2)表示的反应。
[0145]
当作为反应采用右田-小杉-stille偶联时，x2和x3中的一个表示有机锡基，另一个表示卤素。也就是说，化合物3和化合物4中的一个为有机锡化合物，另一个为卤化物。当作为反应采用熊田-玉尾-corriu偶联时，x2和x3中的一个表示卤化镁基，另一个表示卤素。也就是说，化合物3和化合物4中的一个为格氏试剂，另一个为卤化物。当作为反应采用根岸偶联时，x2和x3中的一个表示有机锌基，另一个表示卤素。也就是说，化合物3和化合物4中的一个为有机锌化合物，另一个为卤化物。
[0146]
注意，本发明的有机化合物(g1)的合成方法不局限于合成方案(a-1)或(a-2)。
[0147]
另外，关于上述反应方案中的r1至r
14
、n、naph的说明与以通式(g1)表示的有机化合物同样，由此省略其反复记载。
[0148]
实施方式2以下参照图1a对本发明的一个方式的发光元件的详细结构实例进行说明。
萘基)蒽(简称：t-budna)、2-叔丁基-9,10-二(1-萘基)蒽、9,10-双(3,5-二苯基苯基)蒽(简称：dppa)、2-叔丁基-9,10-双(4-苯基苯基)蒽(简称：t-budba)、9,10-二(2-萘基)蒽(简称：dna)、9,10-二苯基蒽(简称：dpanth)、2-叔丁基蒽(简称：t-buanth)、9,10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(简称：dmna)、2-叔丁基-9,10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、9,10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(1-萘基)蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(2-萘基)蒽、9,9
’‑
联蒽、10,10
’‑
二苯基-9,9
’‑
联蒽、10,10
’‑
双(2-苯基苯基)-9,9
’‑
联蒽、10,10
’‑
双[(2,3,4,5,6-五苯基)苯基]-9,9
’‑
联蒽、蒽、并四苯、并五苯、晕苯、红荧烯、二萘嵌苯、2,5,8,11-四(叔丁基)二萘嵌苯等。芳烃也可以具有乙烯基骨架。作为具有乙烯基骨架的芳烃，例如可以举出4,4
’‑
双(2,2-二苯基乙烯基)联苯(简称：dpvbi)、9,10-双[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(简称：dpvpa)等。另外，可以使用：4，4
’‑
双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(简称：npb)、n，n
’‑
双(3-甲基苯基)-n，n
’‑
二苯基-[1，1
’‑
联苯]-4，4
’‑
二胺(简称：tpd)、4，4
’‑
双[n-(螺-9，9
’‑
二芴-2-基)-n-苯基氨基]联苯(简称：bspb)、4-苯基-4
’‑
(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：bpaflp)、4-苯基-3
’‑
(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：mbpaflp)、4-苯基-4
’‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcba1bp)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcbbi1bp)、4-(1-萘基)-4
’‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcbanb)、4，4
’‑
二(1-萘基)-4
”‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcbnbb)、9，9-二甲基-n-苯基-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：pcbaf)、n-苯基-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]-螺-9，9
’‑
二芴-2-胺(简称：pcbasf)等具有芳香胺骨架的化合物；1，3-双(n-咔唑基)苯(简称：mcp)、4，4
’‑
二(n-咔唑基)联苯(简称：cbp)、3，6-双(3，5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：cztp)、3，3
’‑
双(9-苯基-9h-咔唑)(简称：pccp)等具有咔唑骨架的化合物；4，4’，4
”‑
(苯-1，3，5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：dbt3p-ii)、2，8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称：dbtflp-iii)、4-[4-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称：dbtflp-iv)等具有噻吩骨架的化合物；4，4’，4
”‑
(苯-1，3，5-三基)三(二苯并呋喃)(简称：dbf3p-ii)、4-{3-[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称：mmdbfflbi-ii)等具有呋喃骨架的化合物。其中，具有芳族胺骨架的化合物以及具有咔唑骨架的化合物具有高可靠性和高空穴传输性，也有助于降低驱动电压，所以是优选的。
[0156]
此外，空穴注入层111可以使用湿式法形成。在此情况下，可以使用聚(乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)水溶液(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸水溶液(pani/csa)、ptpdes、et-ptpdek、ppba、聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(pani/pss)等添加有酸的导电高分子化合物等。
[0157]
作为构成空穴传输层112的材料，可以适当使用实施方式1所说明的有机化合物，因为其具有良好的空穴传输性。另外，空穴传输层112优选由多个层形成，此时，为了容易注入空穴，空穴传输层112优选具有其homo能级从空穴注入层111一侧的层向发光层113一侧的层逐步变深的结构。上述结构非常优选用于发光层113中的主体材料的homo能级较深的蓝色荧光发光元件。实施方式1所说明的有机化合物尤其优选用于不与空穴注入层直接接触的从空穴注入层111一侧数第二个之后的层，更优选的是，在该层与发光层113之间还有一个以上的层。也就是说，当由两个层形成空穴传输层112时，包含实施方式1所说明的有机化合物的层优选位于发光层113一侧，当由三个层形成空穴传输层112时，包含实施方式1所说明的有机化合物的层优选为中间层。
[0158]
在上述由多个层形成的空穴传输层112所具有的其homo能级向发光层113一侧逐步变深的结构中，当将空穴注入层111用于由有机受体(上述具有吸电子基团(卤基或氰基)的有机化合物)形成的元件时，可以得到载流子注入性良好且驱动电压低的具有非常良好的特性的元件。
[0159]
另外，空穴传输层112也可以使用湿式法形成。在使用湿式法形成空穴传输层112时，可以使用聚(n-乙烯基咔唑)(简称：pvk)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：pvtpa)、聚[n-(4-{n
’‑
[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-n
’‑
苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：ptpdma)、聚[n，n
’‑
双(4-丁基苯基)-n，n
’‑
双(苯基)联苯胺](简称：poly-tpd)等高分子化合物。
[0160]
发光层113可以为包含如下任何发光物质的层：包含荧光发光物质的层、包含磷光发光物质的层、包含发射热活化延迟荧光(tadf)的物质的层、包含量子点材料的层以及包含金属卤化物钙钛矿材料的层等。另外，既可以为单层，又可以为多个层。在形成由多个层构成的发光层的情况下，可以层叠包含磷光发光物质的层和包含荧光发光物质的层。此时，在包含磷光发光物质的层中，优选使用后面说明的激基复合物。
[0161]
作为荧光发光物质，例如可以使用如下物质。注意，除此之外，还可以使用其他荧光发光物质。可以举出5，6-双[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-2，2'-联吡啶(简称：pap2bpy)、5，6-双[4'-(10-苯基-9-蒽基)联苯基-4-基]-2，2'-联吡啶(简称：papp2bpy)、n，n'-二苯基-n，n'-双[4-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺、n，n
’‑
双(3-甲基苯基)-n，n
’‑
双[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mmemflpaprn)、n，n'-双[4-(9h-咔唑-9-基)苯基]-n，n'-二苯基二苯乙烯-4，4'-二胺(简称：yga2s)、4-(9h-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：ygapa)、4-(9h-咔唑-9-基)-4'-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(简称：2ygappa)、n，9-二苯基-n-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑-3-胺(简称：pcapa)、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯(简称：tbp)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcbapa)、n，n
”‑
(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亚苯)双[n，n'，n'-三苯基-1，4-苯二胺](简称：dpabpa)、n，9-二苯基-n-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9h-咔唑-3-胺(简称：2pcappa)、n-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-n，n'，n'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2dpappa)、n，n，n'，n'，n”，n”，n”'，n”'-八苯基二苯并[g，p](chrysene)-2，7，10，15-四胺(简称：dbc1)、香豆素30、n-(9，10-二苯基-2-蒽基)-n，9-二苯基-9h-咔唑-3-胺(简称：2pcapa)、n-[9，10-双(1，1'-联苯基-2-基)-2-蒽基]-n，9-二苯基-9h-咔唑-3-胺(简称：2pcabpha)、n-(9，10-二苯基-2-蒽基)-n，n'，n'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2dpapa)、n-[9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-2-蒽基]-n，n'，n'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2dpabpha)、9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-n-[4-(9h-咔唑-9-基)苯基]-n-苯基蒽-2-胺(简称：2ygabpha)、n，n，9-三苯基蒽-9-胺(简称：dphapha)、香豆素545t、n，n'-二苯基喹吖酮(简称：dpqd)、红荧烯、5，12-双(1，1'-联苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(简称：bpt)、2-(2-{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4h-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称：dcm1)、2-{2-甲基-6-[2-(2，3，6，7-四氢-1h，5h-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4h-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：dcm2)、n，n，n'，n'-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(简称：p-mphtd)、7，14-二苯基-n，n，n'，n'-四(4-甲基苯基)苊并[1，2-a]荧蒽-3，10-二胺(简称：p-mphafd)、2-{2-异丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1h，5h-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4h-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：dcjti)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1h，
5h-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4h-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：dcjtb)、2-(2，6-双{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-4h-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称：bisdcm)、2-{2，6-双[2-(8-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1h，5h-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4h-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：bisdcjtm)等。尤其是，以1，6flpaprn或1，6mmemflpaprn等芘二胺衍化合物为代表的稠合芳族二胺化合物具有高空穴俘获性且高的发光效率及可靠性，所以是优选的。
[0162]
在发光层113中，作为可以用作磷光发光物质的材料，例如可以举出如下物质。可以举出：三{2-[5-(2-甲基苯基)-4-(2，6-二甲基苯基)-4h-1，2，4-三唑-3-基-κn2]苯基-κc}铱(iii)(简称：[ir(mpptz-dmp)3])、三(5-甲基-3,4-二苯基-4h-1,2,4-三唑)铱(iii)(简称：[ir(mptz)3])、三[4-(3-联苯)-5-异丙基-3-苯基-4h-1,2,4-三唑]铱(iii)(简称：[ir(iprptz-3b)3])等具有4h-三唑骨架的有机金属铱配合物；三[3-甲基-1-(2-甲基苯基)-5-苯基-1h-1,2,4-三唑]铱(iii)(简称：[ir(mptz1-mp)3])、三(1-甲基-5-苯基-3-丙基-1h-1,2,4-三唑)铱(iii)(简称：[ir(prptz1-me)3])等具有1h-三唑骨架的有机金属铱配合物；fac-三[1-(2,6-二异丙基苯基)-2-苯基-1h-咪唑]铱(iii)(简称：[ir(iprpmi)3])、三[3-(2,6-二甲基苯基)-7-甲基咪唑并[1,2-f]菲啶根(phenanthridinato)]铱(iii)(简称：[ir(dmpimpt-me)3])等具有咪唑骨架的有机金属铱配合物；以及双[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-n,c2’
]铱(iii)四(1-吡唑基)硼酸盐(简称：fir6)、双[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-n,c2’
]吡啶甲酰合铱(iii)(简称：firpic)、双{2-[3',5'-双(三氟甲基)苯基]吡啶根-n,c2’
}吡啶甲酰合铱(iii)(简称：[ir(cf3ppy)2(pic)])、双[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-n,c2’
]乙酰丙酮合铱(iii)(简称：firacac)等以具有拉电子基的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属铱配合物。上述物质是发射蓝色磷光的化合物，并且在440nm至520nm具有发光的峰值。
[0163]
另外，可以举出：三(4-甲基-6-苯基嘧啶根)铱(iii)(简称：[ir(mppm)3])、三(4-叔丁基-6-苯基嘧啶根)铱(iii)(简称：[ir(tbuppm)3])、(乙酰丙酮根)双(6-甲基-4-苯基嘧啶根)铱(iii)(简称：[ir(mppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(6-叔丁基-4-苯基嘧啶根)铱(iii)(简称：[ir(tbuppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双[6-(2-降冰片基)-4-苯基嘧啶根]铱(iii)(简称：[ir(nbppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶根]铱(iii)(简称：[ir(mpmppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(4,6-二苯基嘧啶根)铱(iii)(简称：[ir(dppm)2(acac)])等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(3,5-二甲基-2-苯基吡嗪根)铱(iii)(简称：[ir(mppr-me)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(5-异丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪根)铱(iii)(简称：[ir(mppr-ipr)2(acac)])等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(2-苯基吡啶根-n,c2')铱(iii)(简称：[ir(ppy)3])、双(2-苯基吡啶根-n,c2')乙酰丙酮合铱(iii)(简称：[ir(ppy)2(acac)])、双(苯并[h]喹啉)乙酰丙酮合铱(iii)(简称：[ir(bzq)2(acac)])、三(苯并[h]喹啉)铱(iii)(简称：[ir(bzq)3])、三(2-苯基喹啉-n,c2')铱(iii)(简称：[ir(pq)3])、双(2-苯基喹啉-n,c2')乙酰丙酮合铱(iii)(简称：[ir(pq)2(acac)])等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物；以及三(乙酰丙酮根)(单菲咯啉)铽(iii)(简称：[tb(acac)3(phen)])等稀土金属配合物。上述物质主要是发射绿色磷光的化合物，并且在500nm至600nm具有发光的峰值。另外，由于具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物具有特别优异的可靠性及发光效率，所以是特别优选的。
[0164]
另外，可以举出：(二异丁酰基甲烷根)双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶根]铱(iii)(简称：[ir(5mdppm)2(dibm)])、双[4,6-双(3-甲基苯基)嘧啶根](二新戊酰基甲烷根)铱(iii)(简称：[ir(5mdppm)2(dpm)])、双[4,6-二(萘-1-基)嘧啶根](二新戊酰基甲烷根)铱(iii)(简称：[ir(d1npm)2(dpm)])等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(2,3,5-三苯基吡嗪根)铱(iii)(简称：[ir(tppr)2(acac)])、双(2,3,5-三苯基吡嗪根)(二新戊酰基甲烷根)铱(iii)(简称：[ir(tppr)2(dpm)])、(乙酰丙酮根)双[2,3-双(4-氟苯基)喹喔啉合]铱(iii)(简称：[ir(fdpq)2(acac)])等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(1-苯基异喹啉-n,c2’
)铱(iii)(简称：[ir(piq)3])、双(1-苯基异喹啉-n,c2’
)乙酰丙酮合铱(iii)(简称：[ir(piq)2(acac)])等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物；2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21h,23h-卟啉铂(ii)(简称：ptoep)等的铂配合物；以及三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮(propanedionato))(单菲咯啉)铕(iii)(简称：[eu(dbm)3(phen)])、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3,3,3-三氟丙酮](单菲咯啉)铕(iii)(简称：[eu(tta)3(phen)])等稀土金属配合物。上述物质是发射红色磷光的化合物，并且在600nm至700nm具有发光的峰值。另外，具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物可以获得色度良好的红色发光。
[0165]
另外，除了上述磷光化合物以外，还可以选择各种磷光发光材料而使用。
[0166]
作为tadf材料可以使用富勒烯及其衍生物、吖啶及其衍生物以及伊红衍生物等。另外，还可以使用包含镁(mg)、锌(zn)、镉(cd)、锡(sn)、铂(pt)、铟(in)或钯(pd)等含金属卟啉等。作为该含金属卟啉，例如，也可以举出由下述结构式表示的原卟啉-氟化锡配合物(snf2(proto ix))、中卟啉-氟化锡配合物(snf2(meso ix))、血卟啉-氟化锡配合物(snf2(hemato ix))、粪卟啉四甲酯-氟化锡配合物(snf2(copro iii-4me))、八乙基卟啉-氟化锡配合物(snf2(oep))、初卟啉-氟化锡配合物(snf2(etio i))以及八乙基卟啉-氯化铂配合物(ptcl2oep)等。
[0167][0168]
另外，还可以使用由下面结构式表示的2-(联苯-4-基)-4，6-双(12-苯基吲哚并[2，3-a]咔唑-11-基)-1，3，5-三嗪(简称：pic-trz)、9-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)-9
’‑
苯基-9h，9’h-3，3
’‑
联咔唑(简称：pccztzn)、2-{4-[3-(n-苯基-9h-咔唑-3-基)-9h-咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：pcczptzn)、2-[4-(10h-吩恶嗪-10-基)苯基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：pxz-trz)、3-[4-(5-苯基-5，10-二氢吩嗪-10-基)苯基]-4，5-二苯基-1，2，4-三唑(简称：ppz-3tpt)、3-(9，9-二甲基-9h-吖啶-10-基)-9h-氧杂蒽-9-酮(简称：acrxtn)、双[4-(9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶)苯基]硫砜(简称：dmac-dps)、10-苯基-10h，10’h-螺[吖啶-9，9
’‑
蒽]-10
’‑
酮(简称：acrsa)等具有富π电子型芳杂环和缺π电子型芳杂环双方的杂环化合物。另外，该杂环化合物具有富π电子型芳杂环和缺π电子型芳杂环，电子传输性和空穴传输性都高，所以是优选的。在富π电子型芳杂环和缺π电子型芳杂环直接键合的物质中，富π电子芳杂环的施主性和缺π电子型芳杂环的受主性都强而s1能级与t1能级之间的能量差变小,高效地得到热活化延迟荧光，所以是特别优选的。另外，也可以使用键合有如氰基等吸电子基团的芳香环代替缺π电子型芳杂环。
[0169][0170]
此外，作为量子点，可以举出第十四族元素、第十五族元素、第十六族元素、包含多个第十四族元素的化合物、第四族至第十四族的元素和第十六族元素的化合物、第二族元素和第十六族元素的化合物、第十三族元素和第十五族元素的化合物、第十三族元素和第十七族元素的化合物、第十四族元素和第十五族元素的化合物、第十一族元素和第十七族元素的化合物、氧化铁类、氧化钛类、硫系尖晶石(spinel chalcogenide)类、各种半导体簇、金属卤化物钙钛矿材料等纳米尺寸粒子。
[0171]
具体而言，可以举出硒化镉(cdse)、硫化镉(cds)、碲化镉(cdte)、硒化锌(znse)、氧化锌(zno)、硫化锌(zns)、碲化锌(znte)、硫化汞(hgs)、硒化汞(hgse)、碲化汞(hgte)、砷化铟(inas)、磷化铟(inp)、砷化镓(gaas)、磷化镓(gap)、氮化铟(inn)、氮化镓(gan)、锑化
铟(insb)、锑化镓(gasb)、磷化铝(alp)、砷化铝(alas)、锑化铝(alsb)、硒化铅(ii)(pbse)、碲化铅(ii)(pbte)、硫化铅(ii)(pbs)、硒化铟(in2se3)、碲化铟(in2te3)、硫化铟(in2s3)、硒化镓(ga2se3)、硫化砷(iii)(as2s3)、硒化砷(iii)(as2se3)、碲化砷(iii)(as2te3)、硫化锑(iii)(sb2s3)、硒化锑(iii)(sb2se3)、碲化锑(iii)(sb2te3)、硫化铋(iii)(bi2s3)、硒化铋(iii)(bi2se3)、碲化铋(iii)(bi2te3)、硅(si)、碳化硅(sic)、锗(ge)、锡(sn)、硒(se)、碲(te)、硼(b)、碳(c)、磷(p)、氮化硼(bn)、磷化硼(bp)、砷化硼(bas)、氮化铝(aln)、硫化铝(al2s3)、硫化钡(bas)、硒化钡(base)、碲化钡(bate)、硫化钙(cas)、硒化钙(case)、碲化钙(cate)、硫化铍(bes)、硒化铍(bese)、碲化铍(bete)、硫化镁(mgs)、硒化镁(mgse)、硫化锗(ges)、硒化锗(gese)、碲化锗(gete)、硫化锡(iv)(sns2)、硫化锡(ii)(sns)、硒化锡(ii)(snse)、碲化锡(ii)(snte)、氧化铅(ii)(pbo)、氟化铜(i)(cuf)、氯化铜(i)(cucl)、溴化铜(i)(cubr)、碘化铜(i)(cui)、氧化铜(i)(cu2o)、硒化铜(i)(cu2se)、氧化镍(ii)(nio)、氧化钴(ii)(coo)、硫化钴(ii)(cos)、四氧化三铁(fe3o4)、硫化铁(ii)(fes)、氧化锰(ii)(mno)、硫化钼(iv)(mos2)、氧化钒(ii)(vo)、氧化钒(iv)(vo2)、氧化钨(iv)(wo2)、氧化钽(v)(ta2o5)、氧化钛(tio2、ti2o5、ti2o3、ti5o9等)、氧化锆(zro2)、氮化硅(si3n4)、氮化锗(ge3n4)、氧化铝(al2o3)、钛酸钡(batio3)、硒锌镉的化合物(cdznse)、铟砷磷的化合物(inasp)、镉硒硫的化合物(cdses)、镉硒碲的化合物(cdsete)、铟镓砷的化合物(ingaas)、铟镓硒的化合物(ingase)、铟硒硫化合物(inses)、铜铟硫的化合物(例如，cuins2)以及它们的组合等，但是不局限于此。此外，也可以使用以任意比率表示组成的所谓的合金型量子点。例如，因为由cds
x
se
1-x
(x为0至1的任意数)表示的合金型量子点可以通过改变x的比率来改变发光波长，所以合金型量子点是有效于得到蓝色发光的手段之一。
[0172]
作为量子点的结构，有核型、核壳(core shell)型、核多壳(core multishell)型等。可以使用上述任一个，但是通过使用覆盖核且具有更宽的带隙的其他无机材料来形成壳，可以减少存在于纳米晶表面上的缺陷或悬空键的影响，从而可以大幅度地提高发光的量子效率。由此，优选使用核壳型或核多壳型的量子点。作为壳的材料的例子，可以举出硫化锌(zns)或氧化锌(zno)。
[0173]
此外，在量子点中，由于表面原子的比例高，因此反应性高而容易发生聚集。因此，量子点的表面优选附着有保护剂或设置有保护基。通过附着有保护剂或设置有保护基，可以防止聚集并提高对溶剂的溶解性。此外，还可以通过降低反应性来提高电稳定性。作为保护剂(或保护基)，例如可以举出：月桂醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚等聚氧乙烯烷基醚类；三丙基膦、三丁基膦、三已基膦、三辛基膦等三烷基膦类；聚氧乙烯n-辛基苯基醚、聚氧乙烯n-壬基苯基醚等聚氧乙烯烷基苯基醚类；三(n-己基)胺、三(n-辛基)胺、三(n-癸基)胺等叔胺类；三丙基氧化膦、三丁基氧化膦、三己基氧化膦、三辛基氧化膦、三癸基氧化膦等有机磷化合物；聚乙二醇二月桂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯等聚乙二醇二酯类；吡啶、卢惕啶、可力丁、喹啉类等含氮芳香化合物等有机氮化合物；己基胺、辛基胺、癸基胺、十二烷基胺、十四烷基胺、十六烷基胺、十八烷基胺等氨基链烷类；二丁基硫醚等二烷基硫醚类；二甲亚砜、二丁亚砜等二烷亚砜类；噻吩等含硫芳香化合物等有机硫化合物；棕榈酸、硬脂酸、油酸等高级脂肪酸；乙醇类；失水山梨醇脂肪酸酯类；脂肪酸改性聚酯类；叔胺类改性聚氨酯类；聚乙烯亚胺类等。
[0174]
另外，量子点也可以是棒状的量子杆。因为量子杆呈现向c轴方向偏振的具有指向
性的光，所以通过将量子杆用作发光材料，可以得到外量子效率优良的发光元件。
[0175]
另外，在形成将该量子点用作发光材料并将其分散在主体材料中的发光层时，可以将量子点分散在主体材料中或将主体材料和量子点溶解或分散在适当的液体介质中，并使用湿式法(旋涂法、浇铸法、染料涂布法、刮涂法、辊涂法、喷墨法、印刷法、喷涂法、帘式涂布法、朗缪尔-布罗基特法等)形成层，然后去除或烧成溶剂。
[0176]
作为用于湿式法的液体介质，例如可以使用：甲乙酮、环己酮等的酮类；乙酸乙酯等的甘油脂肪酸酯类；二氯苯等的卤化芳烃类；甲苯、二甲苯、均三甲苯、环己基苯等的芳烃类；环己烷、十氢化萘、十二烷等的脂肪烃类；二甲基甲酰胺(dmf)、二甲亚砜(dmso)等的有机溶剂。
[0177]
在使用荧光发光物质作为发光层的主体材料的情况下，9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(简称：pczpa)、3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9h-咔唑(简称:pcpn)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(简称：czpa)、7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7h-二苯并[c，g]咔唑(简称：cgdbczpa)、6-[3-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃(简称：2mbnfppa)、9-苯基-10-{4-(9-苯基-9h-芴-9-基)-联苯-4
’‑
基}蒽(简称：flppa)等具有蒽骨架的材料是优选的。在将具有蒽骨架的物质用作荧光发光物质的主体材料时，可以实现发光效率及耐久性良好的发光层。尤其是，czpa、cgdbczpa、2mbnfppa、pczpa呈现非常良好的特性，所以是优选的。
[0178]
在作为主体材料使用上述材料之外的材料的情况下，可以使用如具有电子传输性的材料或具有空穴传输性的材料等各种载流子传输材料。
[0179]
例如，作为具有电子传输性的材料，例如可以举出：双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(ii)(简称：bebq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(iii)(简称：balq)、双(8-羟基喹啉)锌(ii)(简称：znq)、双[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]锌(ii)(简称：znpbo)、双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(ii)(简称：znbtz)等金属配合物；2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(简称：pbd)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(简称：taz)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(简称：oxd-7)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9h-咔唑(简称：co11)、2,2',2
”‑
(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1h-苯并咪唑)(简称：tpbi)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1h-苯并咪唑(简称：mdbtbim-ii)等具有多唑骨架的杂环化合物；2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mdbtpdbq-ii)、2-[3
’‑
(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mdbtbpdbq-ii)、2-[3
’‑
(9h-咔唑-9-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mczbpdbq)、4,6-双[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(简称：4,6mpnp2pm)、4,6-双[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(简称：4,6mdbtp2pm-ii)等具有二嗪骨架的杂环化合物；以及3,5-双[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简称：35dczppy)、1,3,5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(简称：tmpypb)等具有吡啶骨架的杂环化合物。其中，具有二嗪骨架的杂环化合物或具有吡啶骨架的杂环化合物具有高可靠性，所以是优选的。尤其是，具有二嗪(嘧啶或吡嗪)骨架的杂环化合物具有高电子传输性，也有助于降低驱动电压。
[0180]
另外，作为具有空穴传输性的材料，可以举出：4,4'-双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(简称：npb)、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(简称：tpd)、4，4'-双[n-(螺-9，9
’‑
联芴-2-基)-n-苯基氨基]联苯(简称：bspb)、4-苯基-4'-(9-苯
基芴-9-基)三苯胺(简称：bpaflp)、4-苯基-3'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：mbpaflp)、4-苯基-4'-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcba1bp)、4,4'-二苯基-4
”‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcbbi1bp)、4-(1-萘基)-4'-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcbanb)、4,4'-二(1-萘基)-4
”‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcbnbb)、9,9-二甲基-n-苯基-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：pcbaf)、n-苯基-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]螺-9,9'-联芴-2-胺(简称：pcbasf)等具有芳香胺骨架的化合物；1,3-双(n-咔唑基)苯(简称：mcp)、4，4'-二(n-咔唑基)联苯(简称：cbp)、3,6-双(3,5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：cztp)、3,3'-双(9-苯基-9h-咔唑)(简称：pccp)等具有咔唑骨架的化合物；4,4',4
”‑
(苯-1,3,5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：dbt3p-ii)、2,8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称：dbtflp-iii)、4-[4-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称：dbtflp-iv)等具有噻吩骨架的化合物；以及4,4’,4
”‑
(苯-1,3,5-三基)三(二苯并呋喃)(简称：dbf3p-ii)、4-{3-[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称：mmdbfflbi-ii)等具有呋喃骨架的化合物。其中，具有芳香胺骨架的化合物、具有咔唑骨架的化合物具有高可靠性和高空穴传输性并有助于降低驱动电压，所以是优选的。另外，除了上述空穴传输材料以外，也可以从各种物质中选择空穴传输材料来使用。
[0181]
在使用荧光发光物质作为发光物质的情况下，9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(简称：pczpa)、3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9h-咔唑(简称:pcpn)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(简称：czpa)、7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7h-二苯并[c，g]咔唑(简称：cgdbczpa)、6-[3-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃(简称：2mbnfppa)、9-苯基-10-{4-(9-苯基-9h-芴-9-基)-联苯-4
’‑
基}-蒽(简称：flppa)等具有蒽骨架的材料是优选的。在将具有蒽骨架的物质用作荧光发光物质的主体材料时，可以实现发光效率及耐久性良好的发光层。尤其是，czpa、cgdbczpa、2mbnfppa、pczpa呈现非常良好的特性，所以是优选的。
[0182]
另外，主体材料也可以是混合有多种物质的材料，当使用混合的主体材料时，优选混合具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料。通过混合具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料，可以使发光层113的传输性的调整变得更加容易，也可以更简便地进行复合区域的控制。具有空穴传输性的材料和具有电子传输性的材料的含量比例可以为具有空穴传输性的材料：具有电子传输性的材料＝1:9至9:1。
[0183]
另外，混合了的主体材料也可以形成激基复合物。通过选择混合材料的组合以形成发射与荧光发光物质、磷光发光物质以及tadf材料的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的光的激基复合物，可以使能量转移变得顺利，从而高效地得到发光。另外，上述结构可以使驱动电压也得到降低，所以是优选的。
[0184]
具有如上所述的结构的发光层113可以通过利用真空蒸镀法的共蒸镀、使用混合溶液的凹版印刷法、胶板印刷法、喷墨法、旋涂法、浸渍涂布法等来形成。
[0185]
电子传输层114是包含具有电子传输性的物质的层。作为具有电子传输性的物质，可以使用以上所述的能够用于主体材料的具有电子传输性的材料或具有蒽骨架的材料。
[0186]
另外，也可以在电子传输层与发光层之间设置控制电子载流子的移动的层。这是对如上所述的具有高电子传输性的材料添加了少量的具有高电子俘获性的物质的层，通过
控制电子载流子的移动，可以调节载流子平衡。这样的结构对抑制因电子穿过发光层而引起的问题(例如元件使用寿命的下降)有很大的效果。
[0187]
另外，也可以在电子传输层114和阴极102之间以接触于阴极102的方式设置电子注入层115。作为电子注入层115，可以使用氟化锂(lif)、氟化铯(csf)、氟化钙(caf2)等碱金属、碱土金属或它们的化合物。例如，可以使用将碱金属、碱土金属或它们的化合物包含在由具有电子传输性的物质构成的层中的层。另外，也可以将电子盐(electride)用于电子注入层115。作为该电子盐，可以举出对钙和铝的混合氧化物以高浓度添加电子的物质等。另外，通过作为电子注入层115使用在由具有电子传输性的物质构成的层中包含碱金属或碱土金属的层，可以从阴极102高效率地注入电子，因此是更优选的。
[0188]
另外，可以设置电荷产生层116代替电子注入层115(参照图1b)。电荷产生层116是通过施加电位可以对与该层的阴极一侧接触的层注入空穴并且对与该层的阳极一侧接触的层注入电子的层。电荷产生层116至少包括p型层117。p型层117优选使用上述构成空穴注入层111的复合材料来形成。另外，p型层117也可以将作为构成复合材料的材料分别包含上述受主材料和空穴传输材料的膜层叠来形成。通过对p型层117施加电位，电子和空穴分别注入到电子传输层114和阴极102，使得发光元件工作。在此情况下，在电子传输层114中的与电荷产生层116接触的位置存在有包含本发明的一个方式的有机化合物的层，从而可以抑制由于发光元件的驱动时间的积累而发生的亮度下降，因此可以得到使用寿命长的发光元件。
[0189]
另外，电荷产生层116除了包括p型层117之外，优选还包括电子中继层118及电子注入缓冲层119中的任一个或两个。
[0190]
电子中继层118至少包含具有电子传输性的物质，并且能够防止电子注入缓冲层119和p型层117的相互作用，并顺利地传递电子。优选将电子中继层118所包含的具有电子传输性的物质的lumo能级设定在p型层117中的受主物质的lumo能级和电子传输层114中的与电荷产生层116接触的层所包含的物质的lumo能级之间。电子中继层118中的具有电子传输性的物质的lumo能级为-5.0ev以上，优选为-5.0ev以上且-3.0ev以下。另外，作为电子中继层118中的具有电子传输性的物质，优选使用酞菁类材料或具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物。
[0191]
电子注入缓冲层119可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属以及这些物质的化合物(碱金属化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)、碱土金属化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐)或稀土金属的化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐))等电子注入性高的物质。
[0192]
另外，在电子注入缓冲层119包含具有电子传输性的物质及施主物质的情况下，作为施主物质，除了碱金属、碱土金属、稀土金属和这些物质的化合物(碱金属化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)、碱土金属化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐)或稀土金属的化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐))以外，还可以使用四硫并四苯(tetrathianaphthacene)(简称：ttn)、二茂镍、十甲基二茂镍等有机化合物。另外，作为具有电子传输性的物质，可以使用与上面所说明的用于电子传输层114的材料同样的材料。
[0193]
作为形成阴极102的物质，可以使用功函数小(具体为3.8ev以下)的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等。作为这种阴极材料的具体例子，可以举出锂(li)或铯(cs)
等碱金属、镁(mg)、钙(ca)或者锶(sr)等的属于元素周期表中的第1族或第2族的元素、包含它们的合金(mgag、alli)、铕(eu)、镱(yb)等稀土金属以及包含它们的合金等。然而，通过在阴极102和电子传输层之间设置电子注入层，可以不顾及功函率的大小而将各种导电材料诸如al、ag、ito、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡等用作阴极102。这些导电材料可以通过真空蒸镀法、溅射法等干式法、喷墨法、旋涂法等形成。另外，阴极102可以通过利用溶胶-凝胶法等湿式法或利用金属材料的膏剂的湿式法形成。
[0194]
作为el层103的形成方法，不论干式法或湿式法，都可以使用各种方法。例如，也可以使用真空蒸镀法、湿式法(旋涂法、浇铸法、染料涂布法、刮涂法、辊涂法、喷墨法、印刷法(凹版印刷法、胶板印刷法、丝网印刷法等)、喷涂法、帘式涂布法、朗缪尔-布罗基特法等)等。
[0195]
另外，也可以通过使用不同成膜方法形成上面所述的各电极或各层。
[0196]
这里，参照图2a至图2d对利用液滴喷射法形成包含发光物质的层786的方法进行说明。图2a至图2d是说明包含发光物质的层786的制造方法的截面图。
[0197]
首先，在平坦化绝缘膜770上形成导电膜772，以覆盖导电膜772的一部分的方式形成绝缘膜730(参照图2a)。
[0198]
接着，在作为绝缘膜730的开口的导电膜772的露出部利用液滴喷射装置783喷射液滴784，来形成包含组成物的层785。液滴784是包含溶剂的组成物，附着于导电膜772上(参照图2b)。
[0199]
此外，也可以在减压下进行喷射液滴784的工序。
[0200]
接着，通过去除包含组成物的层785中的溶剂而使其固化，形成包含发光物质的层786(参照图2c)。
[0201]
作为去除溶剂的方法，可以进行干燥工序或加热工序。
[0202]
接着，在包含发光物质的层786上形成导电膜788，形成发光元件782(参照图2d)。
[0203]
如上所述，通过利用液滴喷射法形成包含发光物质的层786，可以选择性地喷射组成物，因此可以减少材料的损失。另外，由于不需要经过用来进行形状的加工的光刻工序等，所以可以使工序简化，从而可以以低成本形成包含发光物质的层。
[0204]
另外，上述的液滴喷射法为包括如下单元的总称，该单元为具有组成物的喷射口的喷嘴或者具有一个或多个喷嘴的头部等液滴喷射单元。
[0205]
接着，参照图3说明在液滴喷射法中利用的液滴喷射装置。图3是说明液滴喷射装置1400的示意图。
[0206]
液滴喷射装置1400包括液滴喷射单元1403。液滴喷射单元1403包括头部1405、头部1412及头部1416。
[0207]
通过由计算机1410控制与头部1405及头部1412连接的控制单元1407，可以描画预先编程了的图案。
[0208]
另外，作为描画的时机，例如可以以形成在衬底1402上的标记1411为基准而进行描画。或者，也可以以衬底1402的边缘为基准而确定基准点。在此，利用成像单元1404检测出标记1411，将通过图像处理单元1409转换为数字信号的标记1411利用计算机1410识别而产生控制信号，以将该控制信号传送至控制单元1407。
[0209]
作为成像单元1404，可以利用使用电荷耦合器(ccd)、互补型金属-氧化物-半导体
(cmos)的图像传感器等。另外，在衬底1402上需要形成的图案的数据存储于存储媒体1408，可以基于该数据将控制信号传送至控制单元1407，来分别控制液滴喷射单元1403的头部1405、头部1412及头部1416等各头部。喷射的材料分别从材料供应源1413、材料供应源1414及材料供应源1415通过管道供应到头部1405、头部1412及头部1416。
[0210]
头部1405、头部1412及头部1416的内部包括以虚线1406所示的填充液状材料的空间及喷射口的喷嘴。在此未图示，但是头部1412具有与头部1405相同的内部结构。通过将头部1405的喷嘴的尺寸与头部1412的喷嘴的尺寸不同，可以使用不同的材料同时描画具有不同的宽度的图案。使用一个头部可以喷射多种发光材料且描画图案，于是在对广区域描画图案的情况下，为了提高处理量，同时使用多个喷嘴喷射同一发光材料而可以描画图案。在使用大型衬底的情况下，头部1405、头部1412及头部1416在图3所示的箭头的x、y或z的方向上自由地对衬底进行扫描，可以自由地设定描画的区域，由此可以在一个衬底上描画多个相同的图案。
[0211]
另外，可以在减压下进行喷射组成物的工序。可以在加热衬底的状态下喷射组成物。在喷射组成物之后，进行干燥工序和烧成工序中的一个或两个。干燥工序及烧成工序都是一种加热处理的工序，各工序的目的、温度及时间不同。干燥工序及烧成工序在常压或减压下通过激光的照射、快速热退火或加热炉的使用等进行。注意，对进行该加热处理的时机、加热处理的次数没有特别的限制。为了进行良好的干燥工序及烧成工序，其温度依赖于衬底的材料及组成物的性质。
[0212]
如上所述，可以利用液滴喷射装置形成包含发光物质的层786。
[0213]
在利用液滴喷射装置制造包含发光物质的层786的情况下，可以利用使用将各种有机材料或有机无机卤化物钙钛矿材料溶解或分散在溶剂中的组成物的湿式法形成层786。在该情况下，可以使用各种有机溶剂作为涂敷用组成物。作为能够用于所述组成物的有机溶剂，可以使用苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氢呋喃、二氧六环、乙醇、甲醇、n-丙醇、异丙醇、n-丁醇、t-丁醇、乙腈、二甲亚砜、二甲基甲酰胺、氯仿、二氯甲烷、四氯化碳、乙酸乙酯、己烷、环己烷等各种有机溶剂。尤其优选使用苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯等低极性的苯衍生物，由此可以形成适中浓度的溶液并可以防止包含于墨中的材料因氧化而发生劣化。另外，考虑到形成后的膜的均匀性及膜厚度的均匀性等，优选使用沸点为100℃以上的物质，尤其优选使用甲苯、二甲苯、均三甲苯。
[0214]
另外，上述结构可以与其他实施方式或本实施方式中的其他结构适当地组合。
[0215]
接着，参照图1c说明具有层叠有多个发光单元的结构的发光元件(以下也称为叠层型元件)的方式。该发光元件是在阳极和阴极之间具有多个发光单元的发光元件。作为一个发光单元，具有与图1a所示的el层103同样的结构。就是说，可以说，图1a或图1b所示的发光元件是具有一个发光单元的发光元件，图1c所示的发光元件是具有多个发光单元的发光元件。
[0216]
在图1c中，在第一电极501和第二电极502之间层叠有第一发光单元511和第二发光单元512，并且在第一发光单元511和第二发光单元512之间设置有电荷产生层513。第一电极501和第二电极502分别相当于图1a中的阳极101和阴极102，并且可以应用与图1a所说明的同样的材料。另外，第一发光单元511和第二发光单元512可以具有相同结构或不同结构。
[0217]
电荷产生层513具有在对第一电极501及第二电极502施加电压时，对一个发光单元注入电子并对另一个发光单元注入空穴的功能。就是说，在图1c中，在以第一电极的电位比第二电极的电位高的方式施加电压的情况下，电荷产生层513只要是对第一发光单元511注入电子并对第二发光单元512注入空穴即可。
[0218]
电荷产生层513优选具有与图1b所示的电荷产生层116同样的结构。因为有机化合物与金属氧化物的复合材料具有良好的载流子注入性及载流子传输性，从而能够实现低电压驱动及低电流驱动。注意，在发光单元的阳极一侧的面接触于电荷产生层513的情况下，电荷产生层513可以具有发光单元的空穴注入层的功能，所以发光单元也可以不设置有空穴注入层。
[0219]
另外，当在电荷产生层513中设置电子注入缓冲层119的情况下，因为该层具有阳极一侧的发光单元中的电子注入层的功能，所以在该发光单元中不必需另外设置电子注入层。
[0220]
虽然在图1c中说明了具有两个发光单元的发光元件，但是可以同样地应用层叠三个以上的发光单元的发光元件。如根据本实施方式的发光元件，通过在一对电极之间将多个发光单元使用电荷产生层513隔开并配置，该元件可以在保持低电流密度的同时在高亮度区域中发光，并且能够实现使用寿命长的元件。另外，可以实现能够进行低电压驱动且功耗低的发光装置。
[0221]
另外，通过使各发光单元的发光颜色不同，可以以整个发光元件得到所希望的颜色的发光。
[0222]
实施方式3在本实施方式中，说明使用实施方式1所记载的发光元件的发光装置。
[0223]
参照图4a及图4b对本发明的一个方式的发光装置进行说明。图4a是发光装置的俯视图，图4b是沿图4a中的a-b及c-d切断的截面图。该发光装置作为用来控制发光元件的发光的单元包括由虚线表示的驱动电路部(源极线驱动电路)601、像素部602、驱动电路部(栅极线驱动电路)603。另外，附图标记604是密封衬底，附图标记605是密封材料，由密封材料605围绕的内侧是空间607。
[0224]
引导布线608是用来传送输入到源极线驱动电路601及栅极线驱动电路603的信号的布线，并且从用作外部输入端子的fpc(柔性印刷电路)609接收视频信号、时钟信号、起始信号、复位信号等。注意，虽然在此只图示出fpc，但是该fpc还可以安装有印刷线路板(pwb)。本说明书中的发光装置不仅包括发光装置主体，而且还包括安装有fpc或pwb的发光装置。
[0225]
下面，参照图4b说明截面结构。虽然在元件衬底610上形成有驱动电路部及像素部，但是在此示出作为驱动电路部的源极线驱动电路601和像素部602中的一个像素。
[0226]
作为源极线驱动电路601，形成组合n沟道型fet623和p沟道型fet624的cmos电路。另外，驱动电路也可以利用各种cmos电路、pmos电路或nmos电路形成。另外，虽然在本实施方式中示出在衬底上形成有驱动电路的驱动器一体型，但是不一定必须要采用该结构，驱动电路也可以形成在外部，而不形成在衬底上。
[0227]
另外，像素部602由多个像素形成，该多个像素各包括开关用fet611、电流控制用fet612以及与该电流控制用fet612的漏极电连接的第一电极613，但是并不局限于此，也可
以采用组合三个以上的fet和电容元件的像素部。
[0228]
对用于fet的半导体的种类及结晶性没有特别的限制，而可以使用非晶半导体或结晶半导体。作为用于fet的半导体的例子，可以使用第13族半导体、第14族半导体、化合物半导体、氧化物半导体、有机半导体材料，尤其优选使用氧化物半导体。作为该氧化物半导体，例如可以举出in-ga氧化物、in-m-zn氧化物(m为al、ga、y、zr、la、ce或nd)等。另外，通过使用能隙为2ev以上，优选为2.5ev以上，更优选为3ev以上的氧化物半导体材料，可以降低晶体管的关态电流，所以是优选的。
[0229]
另外，以覆盖第一电极613的端部的方式形成有绝缘物614。在此，可以使用正型感光丙烯酸树脂膜形成绝缘物614。
[0230]
另外，将绝缘物614的上端部或下端部形成为具有曲率的曲面，以获得良好的覆盖性。例如，在使用正型感光丙烯酸树脂作为绝缘物614的材料的情况下，优选只使绝缘物614的上端部包括具有曲率半径(0.2μm至3μm)的曲面。作为绝缘物614，可以使用负型感光树脂或者正型感光树脂。
[0231]
在第一电极613上形成有el层616及第二电极617。它们分别相当于图1a或图1b所说明的阳极101、el层103及阴极102或者图1c所说明的第一电极501、el层503及第二电极502。
[0232]
el层616优选包含有机金属配合物。该有机金属配合物优选被用作发光层中的发光中心物质。
[0233]
再者，通过使用密封材料605将密封衬底604贴合到元件衬底610，形成如下结构，即发光元件618安装在由元件衬底610、密封衬底604以及密封材料605围绕的空间607中。注意，在空间607中填充有填料，作为该填料，除了惰性气体(氮或氩等)以外，还可以使用密封材料605。通过在密封衬底中形成凹部且在其中设置干燥剂，可以抑制水分所导致的劣化，所以是优选的。
[0234]
优选使用环氧类树脂或玻璃粉作为密封材料605。另外，这些材料优选是尽可能地不使水或氧透过的材料。另外，作为用于元件衬底610及密封衬底604的材料，除了玻璃衬底或石英衬底以外，还可以使用由frp(fiber reinforced plastics；玻璃纤维增强塑料)、pvf(聚氟乙烯)、聚酯、丙烯酸树脂等构成的塑料衬底。
[0235]
例如，在本说明书等中，可以使用各种衬底来形成晶体管或发光元件。对衬底的种类没有特别的限制。作为该衬底的例子，例如可以使用半导体衬底(例如，单晶衬底或硅衬底)、soi衬底、玻璃衬底、石英衬底、塑料衬底、金属衬底、不锈钢衬底、具有不锈钢箔的衬底、钨衬底、具有钨箔的衬底、柔性衬底、贴合薄膜、包含纤维状的材料的纸或者基材薄膜等。作为玻璃衬底的例子，有钡硼硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃等。作为柔性衬底、贴合薄膜、基材薄膜等的例子，可以举出以聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚醚砜(pes)为代表的塑料衬底。另外，可以举出丙烯酸等合成树脂。另外，可以举出聚四氟乙烯(ptfe)、聚丙烯、聚酯、聚氟化乙烯或聚氯乙烯等。另外，例如可以举出聚酰胺、聚酰亚胺、芳族聚酰胺、环氧、无机蒸镀薄膜、纸类等。尤其是，通过使用半导体衬底、单晶衬底或soi衬底等制造晶体管，能够制造特性、尺寸或形状等的偏差小、电流能力高且尺寸小的晶体管。当利用上述晶体管构成电路时，可以实现电路的低功耗化或电路的高集成化。
[0236]
另外，也可以作为衬底使用柔性衬底，并在柔性衬底上直接形成晶体管或发光元件。或者，也可以在衬底与晶体管之间或在衬底与发光元件之间设置剥离层。当剥离层上制造半导体装置的一部分或全部，然后将其从衬底分离并转置到其他衬底上时可以使用剥离层。此时，也可以将晶体管转置到耐热性低的衬底或柔性衬底上。另外，作为上述剥离层，例如可以使用钨膜与氧化硅膜的无机膜的叠层结构或衬底上形成有聚酰亚胺等有机树脂膜的结构等。
[0237]
也就是说，也可以使用一个衬底形成晶体管或发光元件，然后将晶体管或发光元件转置到另一个衬底上。作为晶体管或发光元件被转置的衬底，不仅可以使用上述可以形成晶体管的衬底，还可以使用纸衬底、玻璃纸衬底、芳族聚酰胺薄膜衬底、聚酰亚胺薄膜衬底、石材衬底、木材衬底、布衬底(包括天然纤维(丝、棉、麻)、合成纤维(尼龙、聚氨酯、聚酯)或再生纤维(醋酯纤维、铜氨纤维、人造纤维、再生聚酯)等)、皮革衬底、橡皮衬底等。通过使用上述衬底，可以实现特性良好的晶体管、功耗小的晶体管、不易损坏的装置、耐热性的提高、轻量化或薄型化。
[0238]
图5a及图5b示出通过形成呈现白色发光的发光元件，并设置着色层(滤色片)等来实现了全彩色显示的发光装置的例子。图5a示出衬底1001、基底绝缘膜1002、栅极绝缘膜1003、栅电极1006、栅电极1007、栅电极1008、第一层间绝缘膜1020、第二层间绝缘膜1021、周边部1042、像素部1040、驱动电路部1041、发光元件的第一电极1024w、1024r、1024g、1024b、分隔壁1025、el层1028、发光元件的阴极1029、密封衬底1031、密封材料1032等。
[0239]
另外，在图5a中，着色层(红色着色层1034r、绿色着色层1034g、蓝色着色层1034b)设置在透明基材1033上。还可以另外设置黑色层(黑矩阵)1035。对准设置有着色层及黑色层的透明基材1033的位置，并将其固定在衬底1001上。另外，着色层及黑色层被保护层1036覆盖。另外，图5a示出光不透过着色层而透射到外部的发光层及光透过各颜色的着色层而透射到外部的发光层，不透过着色层的光成为白色光且透过着色层的光成为红色光、蓝色光、绿色光，因此能够以四个颜色的像素显示图像。
[0240]
图5b示出将着色层(红色着色层1034r、绿色着色层1034g、蓝色着色层1034b)形成在栅极绝缘膜1003与第一层间绝缘膜1020之间的例子。如上所述，也可以将着色层设置在衬底1001与密封衬底1031之间。
[0241]
另外，虽然以上说明了具有在形成有fet的衬底1001一侧提取光的结构(底部发射型)的发光装置，但是也可以采用具有在密封衬底1031一侧提取光的结构(顶部发射型)的发光装置。图6示出顶部发射型发光装置的截面图。在此情况下，衬底1001可以使用不使光透过的衬底。直到制造连接fet与发光元件的阳极的连接电极为止的工序与底部发射型发光装置同样地进行。然后，以覆盖电极1022的方式形成第三层间绝缘膜1037。该第三层间绝缘膜也可以具有平坦化的功能。第三层间绝缘膜1037可以使用与第二层间绝缘膜相同的材料或其他各种材料形成。
[0242]
虽然在此将发光元件的第一电极1024w、1024r、1024g、1024b都用作阳极，但也可以将其用作阴极。另外，在采用如图6所示的顶部发射型发光装置的情况下，第一电极优选为反射电极。el层1028采用如图1a或图1b所示的el层103或者图1c所示的el层503的结构，并且采用能够实现白色发光的元件结构。
[0243]
在采用如图6所示的顶部发射结构的情况下，可以使用设置有着色层(红色着色层
1034r、绿色着色层1034g、蓝色着色层1034b)的密封衬底1031进行密封。可以在密封衬底1031上设置有位于像素与像素之间的黑色层(黑矩阵)1035。着色层(红色着色层1034r、绿色着色层1034g、蓝色着色层1034b)或黑色层也可以由保护层覆盖。另外，作为密封衬底1031使用具有透光性的衬底。
[0244]
另外，虽然在此示出了以红色、绿色、蓝色、白色这四个颜色进行全彩色显示的例子，但是并不局限于此，也可以以红色、绿色、蓝色这三个颜色或红色、绿色、蓝色、黄色这四个颜色进行全彩色显示。
[0245]
图7a和图7b示出本发明的一个方式的无源矩阵型发光装置。图7a示出发光装置的透视图，图7b是沿图7a的x-y切断的截面图。在图7a和图7b中，在衬底951上的电极952与电极956之间设置有el层955。电极952的端部被绝缘层953覆盖。在绝缘层953上设置有分隔壁层954。分隔壁层954的侧壁具有如下倾斜，即越接近衬底表面，两个侧壁之间的间隔越窄。换句话说，分隔壁层954的短边方向的截面是梯形，底边(朝向与绝缘层953的面方向相同的方向并与绝缘层953接触的边)比上边(朝向与绝缘层953的面方向相同的方向并与绝缘层953不接触的边)短。如此，通过设置分隔壁层954，可以防止因静电等引起的发光元件的不良。
[0246]
以上说明的发光装置能够利用形成在像素部中的fet控制配置为矩阵状的微小的多个发光元件中的每一个，所以上述发光装置适合用作进行图像显示的显示装置。
[0247]
《照明装置》参照图8a及图8b对本发明的一个方式的照明装置进行说明。图8b是照明装置的俯视图，图8a是沿图8b中的e-f切割的截面图。
[0248]
在该照明装置中，在用作支撑体的具有透光性的衬底400上形成有第一电极401。第一电极401相当于图1a及图1b中的阳极101。当从第一电极401一侧提取光时，第一电极401使用具有透光性的材料形成。
[0249]
在衬底400上形成用来对第二电极404供应电压的焊盘412。
[0250]
在第一电极401上形成有el层403。el层403相当于图1a及图1b中的el层103等。另外，关于各结构，可以参照上述说明。
[0251]
以覆盖el层403的方式形成第二电极404。第二电极404相当于图1a中的阴极102。当从第一电极401一侧提取光时，第二电极404包含反射率高的材料形成。通过使第二电极404与焊盘412连接，对第二电极404供应电压。
[0252]
由第一电极401、el层403以及第二电极404形成发光元件。通过使用密封材料405、406将该发光元件固定在密封衬底407，并进行密封来制造照明装置。另外，也可以只使用密封材料405、406中的一个。另外，也可以在内侧的密封材料406中混合干燥剂，由此能够吸收水分而提高可靠性。
[0253]
另外，通过以延伸到密封材料405、406的外部的方式设置焊盘412以及第一电极401的一部分，可以将其用作外部输入端子。另外，也可以在其上设置安装有转换器等的ic芯片420等。
[0254]
《电子设备》以下说明作为本发明的一个方式的电子设备的例子。作为电子设备，可以例如举出电视装置(也称为电视机或电视接收机)、用于计算机等的显示器、数码相机、数码摄像
机、数码相框、移动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置、弹珠机等大型游戏机等。以下，示出这些电子设备的具体例子。
[0255]
图9a示出电视装置的一个例子。在电视装置中，框体7101中组装有显示部7103。另外，在此示出利用支架7105支撑框体7101的结构。可以利用显示部7103显示图像，显示部7103通过将发光元件排列为矩阵状而构成。
[0256]
可以通过利用框体7101所具备的操作开关或另行提供的遥控操作机7110进行电视装置的操作。通过利用遥控操作机7110所具备的操作键7109，可以控制频道及音量，由此可以控制显示在显示部7103中的图像。另外，也可以在遥控操作机7110中设置用来显示从该遥控操作机7110输出的信息的显示部7107。
[0257]
另外，电视装置采用具备接收机、调制解调器等的结构。可以通过接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络，能够进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。
[0258]
图9b1示出计算机，该计算机包括主体7201、框体7202、显示部7203、键盘7204、外部连接端口7205、指向装置7206等。另外，该计算机通过将发光元件排列为矩阵状并用于显示部7203而制造。图9b1中的计算机也可以为如图9b2所示的方式。图9b2所示的计算机设置有第二显示部7210代替键盘7204及指向装置7206。第二显示部7210是触摸面板，通过利用手指或专用笔操作显示在第二显示部7210上的输入用显示，能够进行输入。另外，第二显示部7210不仅能够显示输入用显示，而且可以显示其他图像。另外，显示部7203也可以是触摸面板。因为两个屏面通过铰链部连接，所以可以防止在收纳或搬运时发生如屏面受伤、损坏等问题。
[0259]
图9c和图9d示出便携式信息终端的一个例子。便携式信息终端具备组装在框体7401中的显示部7402、操作按钮7403、外部连接端口7404、扬声器7405、麦克风7406等。另外，便携式信息终端包括其中发光元件被排列为矩阵状而制造的显示部7402。
[0260]
图9c和图9d所示的便携式信息终端也可以具有通过用手指等触摸显示部7402来输入信息的结构。在此情况下，能够通过用手指等触摸显示部7402来进行打电话或编写电子邮件等的操作。
[0261]
显示部7402主要有三种屏面模式。第一是以图像的显示为主的显示模式，第二是以文字等的信息的输入为主的输入模式，第三是混合显示模式和输入模式的两个模式的显示输入模式。
[0262]
例如，在打电话或编写电子邮件的情况下，可以采用将显示部7402主要用于输入文字的文字输入模式而进行在屏面上显示的文字的输入操作。在此情况下，优选在显示部7402的屏面的大部分中显示键盘或号码按钮。
[0263]
另外，通过在便携式信息终端内部设置具有陀螺仪和加速度传感器等检测倾斜度的传感器的检测装置，可以判断便携式信息终端的方向(纵或横)而自动进行显示部7402的屏面显示的切换。
[0264]
另外，通过触摸显示部7402或对框体7401的操作按钮7403进行操作，来进行屏面模式的切换。或者，也可以根据显示在显示部7402上的图像的种类切换屏面模式。例如，当显示在显示部上的图像信号为动态图像的数据时，将屏面模式切换成显示模式，而当该图像信号为文字数据时，将屏面模式切换成输入模式。
[0265]
另外，当在输入模式中通过检测显示部7402的光传感器所检测的信号而得知在一定期间内没有显示部7402的触摸操作输入时，也可以将屏面模式控制为从输入模式切换成显示模式。
[0266]
另外，也可以将显示部7402用作图像传感器。例如，通过用手掌或手指触摸显示部7402，来拍摄掌纹、指纹等，能够进行个人识别。另外，通过在显示部中使用发射近红外光的背光源或发射近红外光的感测用光源，也能够拍摄手指静脉、手掌静脉等。
[0267]
注意，上述电子设备可以适当地组合本说明书中所示的结构而使用。
[0268]
另外，优选将本发明的一个方式的发光元件用于显示部。该发光元件可以成为发光效率高的发光元件。还可以成为驱动电压低的发光元件。因此，包括本发明的一个方式的发光元件的电子设备可以成为功耗小的电子设备。
[0269]
图10示出将发光元件用于背光源的液晶显示装置的一个例子。图10所示的液晶显示装置包括框体901、液晶层902、背光单元903以及框体904，液晶层902与驱动器ic905连接。在背光单元903中使用发光元件，并且通过端子906将电流供应到背光单元903。
[0270]
作为发光元件优选使用本发明的一个方式的发光元件，通过将该发光元件用于液晶显示装置的背光源，能够得到低功耗的背光源。
[0271]
图11示出本发明的一个方式的台灯的例子。图11所示的台灯包括框体2001和光源2002，并且作为光源2002采用使用发光元件的照明装置。
[0272]
图12示出室内的照明装置3001的例子。优选将本发明的一个方式的发光元件用于该照明装置3001。
[0273]
图13示出本发明的一个方式的汽车。在该汽车的挡风玻璃或仪表盘中安装有发光元件。显示区域5000至显示区域5005是使用发光元件设置的显示区域。优选使用本发明的一个方式的发光元件，由此可以降低显示区域5000至显示区域5005的功耗，所以适于车载。
[0274]
显示区域5000和显示区域5001是设置在汽车的挡风玻璃上的使用发光元件的显示装置。通过使用具有透光性的电极形成第一电极和第二电极，可以将该发光元件形成为能看到对面一侧的所谓的透视式显示装置。当采用透视式显示时，即使将该透视式显示装置设置在汽车的挡风玻璃上，也不妨碍视野。另外，在设置用于驱动的晶体管等的情况下，可以使用具有透光性的晶体管，诸如使用有机半导体材料的有机晶体管或使用氧化物半导体的晶体管等。
[0275]
显示区域5002是设置在立柱部分的使用发光元件的显示装置。通过在显示区域5002上显示来自设置在车体上的成像单元的图像，可以补充被立柱遮挡的视野。另外，同样地，设置在仪表盘部分上的显示区域5003通过显示来自设置在汽车外侧的成像单元的图像，能够弥补被车体遮挡的视野的死角，从而提高安全性。通过显示图像以弥补看不见的部分，能够更自然且简单地确认安全。
[0276]
显示区域5004和显示区域5005可以提供导航信息、速度表、转速表、行驶距离、加油量、排档状态、空调的设定以及其他各种信息。使用者可以根据喜好适当地改变显示内容及布置。另外，这些信息也可以显示在显示区域5000至显示区域5003上。另外，也可以将显示区域5000至显示区域5005用作照明装置。
[0277]
图14a和图14b是能够折叠的平板终端的一个例子。图14a是打开状态的平板终端，该平板终端包括框体9630、显示部9631a、显示部9631b、显示模式切换开关9034、电源开关
9035、省电模式切换开关9036以及夹子9033。另外，通过将包括本发明的一个方式的发光元件的发光装置用于显示部9631a和显示部9631b中的一个或两个来制造该平板终端。
[0278]
在显示部9631a中，可以将其一部分用作触摸面板区域9632a，并且可以通过触摸所显示的操作键9637来输入数据。另外，例示出显示部9631a的一半只具有显示的功能，并且另一半具有触摸面板的功能的结构，但是不局限于该结构。另外，也可以采用使显示部9631a的所有的区域具有触摸面板的功能的结构。例如，可以使显示部9631a的整个面显示键盘按钮来将其用作触摸面板，并且将显示部9631b用作显示屏面。
[0279]
另外，显示部9631b与显示部9631a同样，也可以将其一部分用作触摸面板区域9632b。另外，通过使用手指或触屏笔等触摸触摸面板上的键盘显示切换按钮9639，可以在显示部9631b上显示键盘按钮。
[0280]
另外，也可以对触摸面板区域9632a和触摸面板区域9632b同时进行触摸输入。
[0281]
另外，显示模式切换开关9034能够切换竖屏显示和横屏显示等显示的方向以及黑白显示和彩色显示等。省电模式切换开关9036可以根据平板终端所内置的光传感器所检测的使用时的外光的光量，将显示的亮度设定为最合适的亮度。平板终端除了光传感器以外还可以内置陀螺仪和加速度传感器等检测倾斜度的传感器等的其他检测装置。
[0282]
另外，图14a示出显示部9631b的显示面积与显示部9631a的显示面积相同的例子，但是不局限于此，可以使其中一个的尺寸和另一个的尺寸不同，也可以使它们的显示品质有差异。例如可以采用显示部9631a和9631b中的一个与另一个相比可以进行高精细的显示的结构。
[0283]
图14b是合上状态的平板终端，并示出本实施方式的平板终端具备框体9630、太阳能电池9633、充放电控制电路9634、电池9635以及dcdc转换器9636的例子。另外，在图14b中，作为充放电控制电路9634的一个例子示出具有电池9635和dcdc转换器9636的结构。
[0284]
另外，平板终端能够折叠，因此不使用时可以合上框体9630。因此，可以保护显示部9631a和显示部9631b，而可以提供一种耐久性高且从长期使用的观点来看可靠性高的平板终端。
[0285]
另外，图14a和图14b所示的平板终端还可以具有如下功能：显示各种各样的信息(静态图像、动态图像、文字图像等)的功能；将日历、日期或时刻等显示在显示部上的功能；对显示在显示部上的信息进行触摸输入操作或编辑的触摸输入的功能；通过各种各样的软件(程序)控制处理的功能等。
[0286]
通过利用安装在平板终端的表面上的太阳能电池9633，可以将电力供应到触摸面板、显示部或图像信号处理部等。另外，通过将太阳能电池9633设置在框体9630的一个面或两个面，可以高效地对电池9635进行充电，所以是优选的。
[0287]
另外，参照图14c所示的方框图对图14b所示的充放电控制电路9634的结构和工作进行说明。图14c示出太阳能电池9633、电池9635、dcdc转换器9636、转换器9638、开关sw1至sw3以及显示部9631，其中，电池9635、dcdc转换器9636、转换器9638、开关sw1至sw3对应于图14b所示的充放电控制电路9634。
[0288]
首先，说明在利用外光使太阳能电池9633发电时的工作的例子。使用dcdc转换器9636将太阳能电池9633所产生的电力的电压升压或降压到用来对电池9635进行充电的电压。并且，当利用来自太阳能电池9633的电力使显示部9631工作时使开关sw1导通，并且，利
用转换器9638将该电力的电压升压或降压到显示部9631所需要的电压。另外，当不进行显示部9631中的显示时，使开关sw1关闭且使开关sw2导通来对电池9635进行充电。
[0289]
注意，作为发电单元的一个例子示出太阳能电池9633，但发电单元不局限于此，也可以使用压电元件(piezoelectric element)或热电转换元件(珀耳帖元件(peltier element))等其他发电单元进行电池9635的充电。另外，也可以使用以无线(不接触)的方式能够收发电力来进行充电的无线电力传输模块或组合其他充电单元进行充电，并且也可以不包括发电单元。
[0290]
另外，只要具备上述显示部9631，就不局限于图14a至图14c所示的平板终端。
[0291]
另外，图15a至图15c示出能够折叠的便携式信息终端9310。图15a示出展开状态的便携式信息终端9310。图15b示出从展开状态和折叠状态中的一个状态变为另一个状态时的中途状态的便携式信息终端9310。图15c示出折叠状态的便携式信息终端9310。便携式信息终端9310在折叠状态下可携带性好，在展开状态下因为具有无缝拼接的较大的显示区域所以显示一览性强。
[0292]
显示面板9311由铰链部9313所连接的三个框体9315来支撑。另外，显示面板9311也可以为安装有触摸传感器(输入装置)的触摸面板(输入/输出装置)。另外，显示面板9311通过铰链部9313使两个框体9315之间弯折，可以使便携式信息终端9310从展开状态可逆性地变为折叠状态。可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示面板9311。显示面板9311中的显示区域9312是位于折叠状态的便携式信息终端9310的侧面的显示区域9312。在显示区域9312中可以显示信息图标以及使用次数多的软件或程序的快捷方式等，能够顺畅地进行确认信息或开启软件。实施例1
[0293]
(合成例1)在本合成例中，公开有在实施方式1中以结构式(101)表示的作为本发明的一个方式的有机化合物的4-(6；2
’‑
联萘基-2-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bba(βn2)b)的合成方法。以下示出bba(βn2)b的结构式。
[0294][0295]
〈步骤1；6-溴-2，2
’‑
联萘基的合成〉在200ml的三口烧瓶中，混合5.7g(20mmol)的2，6-二溴萘、3.4g(20mmol)的2-萘基硼酸、0.30g(1.0mmol)的三(邻-甲苯基)膦、80ml的甲苯、20ml的乙醇及40ml的碳酸钾水溶液(2.0mol/l)，对该混合物进行减压脱气，将烧瓶内气氛置换为氮气。在将该混合物加热到60℃之后加入0.12g(0.5mmol)的酢酸钯(ii)，以80℃搅拌2小时。搅拌后，将其冷却至室温，通过抽滤回收所析出的固体，并利用水、乙醇、甲苯进行洗涤，由此得到2.1g的目的物的淡
褐色固体。另外，使用水、饱和食盐水洗涤通过抽滤得到的滤液，使用硫酸镁对有机层进行干燥。对上述混合物进行重力过滤，对滤液进行浓缩得到固体，利用高速液体层析法(hplc)(移动相(mobile phase)：氯仿)对该固体进行纯化，而得到2.8g的目的物的白色固体。将利用hplc纯化得到的白色固体与反应后回收的淡褐色固体合在一起，以74％的收率得到4.9g的目的物。步骤1的合成方案如下所示。
[0296][0297]
〈步骤2；4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成〉对200ml的三口烧瓶内加入2.3g(5.0mmol)的4-溴-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺、1.3g(5.0mmol)的双(戊酰)二硼、0.11g(0.40mmol)的2-二叔丁基膦-2’，4’，6
’‑
三异丙基联苯(简称：tbuxphos)、0.97g的酢酸钾以及25ml的二甲苯，进行混合，对该混合物进行减压脱气，将系统内气氛置换为氮气。在将该混合物加热到60℃之后加入92mg(0.10mmol)的[1，1-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(ii)(简称：pd(dppf)cl2)，以120℃搅拌5小时。搅拌后，利用薄层层析(tlc)确认原料消失，然后进入下一个反应。步骤2的合成方案如下所示。
[0298][0299]
〈步骤3；4-(6；2
’‑
联萘基-2-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bba(βn2)b)的合成〉对通过步骤2得到的混合物加入1.7g(5.0mmol)的6-溴-2，2
’‑
联萘基、0.88g(0.20mmol)的2-二叔丁基膦-2’，4’，6
’‑
三异丙基联苯(简称：tbuxphos)以及3.2g(10mmol)的碳酸铯，对该混合物进行减压脱气，将系统内气氛置换为氮气。在将该混合物加热到60℃之后加入87mg(0.12mmol)的[1，1-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(ii)(简称：pd(dppf)cl2)，然后以120℃搅拌8.5小时。搅拌后，通过抽滤回收所析出的固体，并利用甲苯、水、乙醇进行洗涤，由此以99％以上的收率得到3.3g的目的物的褐色固体。步骤3的合成方案如下所示。
[0300][0301]
图16a和图16b示出所得到的物质的1h nmr数据，下面示出数值数据。由此可知，在本合成例中得到本发明的一个方式的有机化合物的bba(βn2)b。1h nmr(氯仿-d,500mhz):δ＝7.26-7.35(m、8h)、7.45(t、j＝7.5hz、4h)、7.49-7.57(m、6h)、7.61(d、j＝7.5hz、4h)、7.70(d、j＝8.5hz、2h)、7.81(dd、j1＝8.5hz、j2＝1.5hz、1h)、7.89-7.93(m、3h)、7.95(d、j＝7.5hz、1h)、7.98(d、j＝8.5hz、1h)、8.0(dd、j1＝8.5hz、j2＝3.5hz、2h)、8.09(s、1h)、8.20(s、2h)
[0302]
利用梯度升华方法对所得到的3.3g的固体进行升华纯化。升华纯化在压力为2.5pa且以15ml/min的流量流过氩的条件下，以320℃加热固体15小时。升华纯化后以64％的回收率得到2.1g的目的物的淡黄色固体。
[0303]
接着，图17示出甲苯溶液中的bba(βn2)b的吸收光谱及发射光谱的测量结果。另外，图18示出薄膜的吸收光谱及发射光谱。利用真空蒸镀法在石英衬底上形成固体薄膜。甲苯溶液的吸收光谱的测量使用紫外可见分光光度计(由日本分光株式会社制造，v550型)，减去仅将甲苯放入石英皿中测得的甲苯的光谱。在薄膜的吸收光谱的测量中，使用分光光度计(日立高新技术(hitachi high-technologies corporation)制造的分光光度计u4100)。使用荧光分光光度计(由日本滨松光子学株式会社制造，fs920)测量发射光谱。
[0304]
由图17可知，甲苯溶液中的bba(βn2)b在358nm、305nm附近观察到吸收峰值，发光波长的峰值在425nm(激发波长360nm)。另外，由图18可知，bba(βn2)b的薄膜在365nm、309nm、258nm、210nm附近观察到吸收峰值，发光波长的峰值在452nm附近(激发波长380nm)。由上述结果确认到bba(βn2)b发射蓝色光，并且可知bba(βn2)b可以被用作发光物质的主体材料或者可见区域的荧光发光物质的主体材料。
[0305]
另外，可知bba(βn2)b的薄膜在大气下不容易凝集，形态变化小，具有良好的膜质。
[0306]
接着，示出利用循环伏安法(cv)测量计算出bba(βn2)b的homo能级及lumo能级的结果。计算方法如下所示。
[0307]
作为测量装置，使用电化学分析仪(bas株式会社(bas inc.)制造的als型号600a或600c)。以如下方法调制用于cv测定的溶液：作为溶剂，使用脱水二甲基甲酰胺(dmf)(株式会社aldrich制造，99.8％，目录号码；22705-6)，使作为支持电解质的高氯酸四正丁铵
(n-bu4nclo4)(东京化成工业株式会社(tokyo chemical industry co.,ltd.)制造，目录号码；t0836)以100mmol/l的浓度溶解，且使测定对象以2mmol/l的浓度溶解而调制。另外，作为工作电极使用铂电极(bas株式会社(bas inc.)制造，pte铂电极)，作为辅助电极使用铂电极(bas株式会社(bas inc.)制造，vc-3用pt对电极(5cm))，作为参考电极使用ag/ag
+
电极(bas株式会社(bas inc.)制造，re7非水溶剂型参考电极)。另外，测量在室温(20℃至25℃)下进行。将cv测定时的扫描速度统一为0.1v/sec，测量出相对于参考电极的氧化电位ea[v]及还原电位ec[v]。ea为氧化-还原波之间的中间电位，ec为还原-氧化波之间的中间电位。在此，已知在本实施例中使用的参考电极的相对于真空能级的势能为-4.94[ev]，因此利用homo能级[ev]＝-4.94-ea、lumo能级[ev]＝-4.94-ec这两个算式分别求得homo能级及lumo能级。
[0308]
反复进行cv测量100次，比较第100次测量中的氧化-还原波与第1次测量中的氧化-还原波，来调查化合物的电性稳定性。
[0309]
其结果表明：在bba(βn2)b的homo能级为-5.47ev且lumo能级为-2.48ev。另外，根据氧化-还原波的反复测量中的第1次测量与第100次后测量的波形比较，可知在氧化电位ea[v]测量中保持了85％的峰强度，由此确认到bba(βn2)b的耐氧化性非常高。
[0310]
另外，使用由perkinelmer，inc.制造的pyris1dsc进行bba(βn2)b的差示扫描量热测量(differential scanning calorimetry：dsc)。在差示扫描量热测量中，连续地进行如下操作两次：以40℃/min的升温速度从-10℃升温到280℃，然后以相同温度保持1分钟后以100℃/min的降温速度冷却到-10℃，冷却后以-10℃保持3分钟。由第二次循环的dsc测量结果可知bba(βn2)b的玻璃化转变温度为110℃、晶化温度为161℃、熔点为266℃，即，其具有非常高的耐热性。
[0311]
另外，进行bba(βn2)b的热重-差热分析(thermogravimetry-differential thermal analysis：tg-dta)。当测量时，使用高真空差动型热重分析仪(brukeraxs k.k.制造的tg-dta2410sa)。在大气压和氮气流(流速为200ml/min)下，以10℃/min的升温速度进行测量。根据热重-差热分析可知，从热重测量求得的bba(βn2)b的重量成为测量开始时的-5％的温度(分解温度)为500℃以上，这表示bba(βn2)b的耐热性高。实施例2
[0312]
(合成例2)在本合成例中，说明在实施方式1中以结构式(122)表示的作为本发明的一个方式的有机化合物的n，n-双(4-联苯基)-2，2
’‑
联萘基-6-胺(简称：bba(βn2))的合成方法。以下示出bba(βn2)的结构式。
7.89(m、4h)、7.94(d、j＝7.5hz、1h)、7.96(d、j＝9.0hz、1h)、8.12(s、1h)、8.16(s、1h)
[0318]
利用梯度升华方法对所得到的2.5g的固体进行升华纯化。升华纯化在压力为3.5pa且以15ml/min的流量流过氩的条件下，以310℃加热固体15小时。升华纯化后以80％的回收率得到2.0g的目的物的淡黄色固体。
[0319]
接着，图20示出甲苯溶液中的bba(βn2)的吸收光谱及发射光谱的测量结果。另外，图21示出薄膜的吸收光谱及发射光谱。利用真空蒸镀法在石英衬底上形成固体薄膜。甲苯溶液的吸收光谱的测量使用紫外可见分光光度计(由日本分光株式会社制造，v550型)，减去仅将甲苯放入石英皿中测得的甲苯的光谱。在薄膜的吸收光谱的测量中，使用分光光度计(日立高新技术(hitachi high-technologies corporation)制造的分光光度计u4100)。使用荧光分光光度计(由日本滨松光子学株式会社制造，fs920)测量发射光谱。
[0320]
由图20可知，甲苯溶液中的bba(βn2)在350nm、290nm附近观察到吸收峰值，发光波长的峰值在426nm(激发波长360nm)。另外，由图21可知，bba(βn2)的薄膜在400nm、354nm、295nm、258nm、208nm附近观察到吸收峰值，发光波长的峰值在444nm附近(激发波长370nm)。由上述结果确认到bba(βn2)发射蓝色光。并且，可知本发明的一个方式的化合物可以被用作发光物质的主体材料或者可见区域的荧光发光物质的主体材料。
[0321]
另外，可知bba(βn2)的薄膜在大气下不容易凝集，形态变化小，具有良好的膜质。
[0322]
利用循环伏安法(cv)测量计算出bba(βn2)的homo能级及lumo能级。计算方法与实施例1所记载的方法同样，因此省略说明。
[0323]
其结果表明：在bba(βn2)的homo能级为-5.45ev且lumo能级为-2.40ev。另外，根据氧化-还原波的反复测量中的第1次测量与第100次后测量的波形比较，可知氧化电位ea保持了87％的峰强度，还原电位ec保持了86％的峰强度，由此确认到bba(βn2)的耐氧化性及耐还原性非常高。
[0324]
另外，使用由perkinelmer，inc.制造的pyris1dsc进行bba(βn2)的差示扫描量热测量(differential scanning calorimetry：dsc)。在差示扫描量热测量中，连续地进行如下操作两次：以40℃/min的升温速度从-10℃升温到250℃，然后以相同温度保持1分钟后以50℃/min的降温速度冷却到-10℃，冷却后以-10℃保持3分钟。由第二次循环的dsc测量结果可知bba(βn2)的玻璃化转变温度为95℃、熔点为210℃。
[0325]
另外，进行bba(βn2)的热重-差热分析(thermogravimetry-differential thermal analysis：tg-dta)。当测量时，使用高真空差动型热重分析仪(brukeraxs k.k.制造的tg-dta2410sa)。在大气压和氮气流(流速为200ml/min)下，以10℃/min的升温速度进行测量。根据热重-差热分析可知，从热重测量求得的bba(βn2)的重量成为测量开始时的-5％的温度(分解温度)为453℃以上，这表示bba(βn2)的耐热性高。实施例3
[0326]
(合成例3)在本合成例中，说明在实施方式1中以结构式(116)表示的作为本发明的一个方式的有机化合物的4-(3；2
’‑
联萘基-2-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bba(βn2)b-02)的合成方法。以下示出bba(βn2)b-02的结构式。
[0327][0328]
〈步骤1；3-溴-2，2
’‑
联萘基的合成〉在安装有回流管的200ml三口烧瓶中，放入3.0g(11mmol)的2，3-二溴萘、1.8g(11mmol)的2-萘基硼酸、96mg(0.031mmol)的三(邻-甲苯基)膦、50ml的甲苯、15ml的乙醇及碳酸钾水溶液(碳酸钾2.9g/水11ml)，对混合物进行减压脱气，将烧瓶内气氛置换为氮气。然后，对混合物加入24mg(0.011mmol)的酢酸钯(ii)，以室温搅拌4小时。对得到的混合物添加水，使用甲苯对水层进行萃取。将得到的萃取液与有机层合在一起，使用水及饱和食盐水洗涤，使用硫酸镁进行干燥。对上述混合物进行重力过滤，对得到的滤液进行浓缩得到固体。利用高速液体层析法(hplc)(移动相：氯仿)对得到的固体进行纯化，而得到目的化合物的3-溴-2，2
’‑
联萘基的白色固体(收量为1.8g，收率为52％)。步骤1的合成方案如下所示。
[0329][0330]
图73a和图73b示出所得到的固体的1h nmr数据，下面示出数值数据。由此可知，在本合成例中得到3-溴-2，2
’‑
联萘基。
[0331]1h nmr(氯仿-d,500mhz):δ＝8.22(s、1h)、7.93-7.88(m、5h)、7.85-7.80(m、2h)、7.63(dd、j＝9.0、2.0hz、1h)、7.54-7.46(m、4h)
[0332]
〈步骤2；4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成〉4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成与实施例1的步骤2同样。
[0333]
〈步骤3；4-(3；2
’‑
联萘基-2-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bba(βn2)b-02)的合成〉在安装有回流管的1l三口烧瓶中，放入3.0g(5.5mmol)的4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺、1.8g(5.5mmol)的3-溴-2，2
’‑
联萘基、50mg(0.17mmol)的三(邻-甲苯基)膦、1.5g/6ml(11mmol)的碳酸钾水溶液、50ml的甲苯以及15ml的乙醇，对混合物进行减压脱气，然后将烧瓶内气氛置换为氮气。对混合物以80℃进行加热，对该混合物加入12mg(0.055mmol)的酢酸钯(ii)。以100℃对上述混合物搅拌10小时。对得到的混合物添加水，使用甲苯对水层进行萃取。将得到的萃取液与有机层合在一起，使用水及饱和食盐水洗涤，使用硫酸镁进行干燥。对上述混合物进行重力过滤，对得到的滤液进行浓缩得到固体。利用hplc(移动相：氯仿)对该固体进行纯化，以31％的收率得到1.1g的
目的物的淡黄色固体。利用梯度升华方法对所得到的1.1g的固体进行升华纯化。升华纯化在压力为4.2pa且以15ml/min的流量流过氩的条件下，以310℃加热固体16小时。升华纯化后以60％的回收率得到660mg的淡黄色固体。步骤3的合成方案如下所示。
[0334][0335]
图22a和图22b示出所得到的物质的1h nmr数据，下面示出数值数据。由此可知，在本合成例中得到bba(βn2)b-02。
[0336]1h nmr(二氯甲烷-d2,500mhz):δ＝8.03(s、1h)、7.99(s、1h)、7.94(dd、j＝5.5、4.0hz、2h)、7.87-7.82(m、3h)、7.77(d、j＝8.0hz、1h)、7.57(d、4h)、7.55-7.47(m、8h)、7.43(t、j＝7.5hz、4h)、7.38(dd、j＝8.5、1.5hz、1h)、7.31(t、j＝7.5hz、2h)、7.18(d、j＝8.5hz、2h)、7.12(d、j＝8.5hz、4h)、7.00(d、j＝8.5hz、2h)
[0337]
接着，图23示出bba(βn2)b-02的薄膜的吸收光谱及发射光谱的测量结果。利用真空蒸镀法在石英衬底上形成固体薄膜。在薄膜的吸收光谱的测量中，使用分光光度计(日立高新技术(hitachi high-technologies corporation)制造的分光光度计u4100)。使用荧光分光光度计(由日本滨松光子学株式会社制造，fs920)测量发射光谱。
[0338]
由图23可知，bba(βn2)b-02的薄膜在351nm、310nm、255nm、210nm附近观察到吸收峰值，发光波长的峰值在422nm附近(激发波长360nm)。由上述结果确认到bba(βn2)b-02发射蓝色光，并且可知本发明的一个方式的化合物可以被用作发光物质的主体材料或者可见区域的荧光发光物质的主体材料。
[0339]
另外，可知bba(βn2)b-02的薄膜在大气下不容易凝集，形态变化小，具有良好的膜质。
[0340]
利用循环伏安法(cv)测量计算出bba(βn2)b-02的homo能级及lumo能级。计算方法与实施例1所记载的方法同样，因此省略说明。
[0341]
其结果表明：在bba(βn2)b-02的homo能级为-5.48ev且lumo能级为-2.30ev。另外，根据氧化-还原波的反复测量中的第1次测量与第100次后测量的波形比较，可知氧化电位ea保持了92％的峰强度，由此确认到bba(βn2)b-02的耐氧化性非常高。
[0342]
另外，使用由perkinelmer，inc.制造的pyris1dsc进行bba(βn2)b-02的差示扫描
量热测量(dsc)。在差示扫描量热测量中，连续地进行如下操作两次：以40℃/min的升温速度从-10℃升温到335℃，然后以相同温度保持1分钟后以100℃/min的降温速度冷却到-10℃，冷却后以-10℃保持3分钟。在此，采用第二次的测量结果。由dsc测量可知bba(βn2)b-02的玻璃化转变温度为116℃，即，其具有高耐热性。
[0343]
另外，进行bba(βn2)b-02的热重-差热分析(thermogravimetry-differential thermal analysis：tg-dta)。当测量时，使用高真空差动型热重分析仪(brukeraxs k.k.制造的tg-dta2410sa)。在大气压和氮气流(流速为200ml/min)下，以10℃/min的升温速度进行测量。根据热重-差热分析可知，从热重测量求得的bba(βn2)b-02的重量成为测量开始时的-5％的温度(分解温度)为430℃附近，这表示bba(βn2)b-02的耐热性高。实施例4
[0344]
(合成例4)在本合成例中，说明在实施方式1中以结构式(110)表示的作为本发明的一个方式的有机化合物的4-(2；2
’‑
联萘基-7-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bba(βn2)b-03)的合成方法。以下示出bba(βn2)b-03的结构式。
[0345][0346]
〈步骤1；4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成〉4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成与合成例1的步骤2同样。
[0347]
〈步骤2；4-(2；2
’‑
联萘基-7-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bba(βn2)b-03)的合成〉在安装有回流管的200ml三口烧瓶中，放入3.7g(6.8mmol)的4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺、2.3g(6.8mmol)的7-溴-2，2
’‑
联萘基、42mg(0.13mmol)的三(邻-甲苯基)膦、1.9g/15ml(14mmol)的碳酸钾水溶液、70ml的甲苯以及25ml的乙醇，对混合物进行减压脱气，然后将烧瓶内气氛置换为氮气。对混合物以70℃进行加热，对该混合物加入15mg(0.068mmol)的酢酸钯(ii)。以100℃对上述混合物搅拌7小时。对得到的混合物添加水，使用甲苯对水层进行萃取。将得到的萃取液与有机层合在一起，使用水及饱和食盐水洗涤，使用硫酸镁进行干燥。对上述混合物进行重力过滤，对得到的滤液进行浓缩得到白色固体。利用hplc(移动相：氯仿)对该固体进行纯化，以79％的收率得到3.5g的目的物的淡黄色固体。利用梯度升华方法对所得到的3.5g的固体进行升华纯化。升华纯化在压力为4.1pa且以15ml/min的流量流过氩的条件下，以320℃加热固体16小
时。升华纯化后以85％的回收率得到3.0g的淡黄色固体。步骤2的合成方案如下所示。
[0348][0349]
图24a和图24b示出所得到的物质的1h nmr数据，下面示出数值数据。由此可知，在本合成例中得到bba(βn2)b-03。
[0350]1h-nmr(二氯甲烷-d2,500mhz):δ＝8.26(s、1h)、8.24(s、1h)、8.17(s、1h)、8.01-7.90(m、7h)、7.81(dd、j＝8.5、1.5hz、1h)、7.73(d、j＝9.5hz、2h)、7.62(d、j＝8.5hz、4h)、7.59-7.50(m、6h)、7.44(t、j＝7.5hz、4h)、7.34-7.26(m、8h)
[0351]
接着，示出甲苯溶液中的bba(βn2)b-03的吸收光谱及发射光谱的测量结果以及薄膜的吸收光谱及发射光谱的测量结果。样品的制造方法、测量方法及测量装置与实施例所记载的方法及装置同样，因此省略说明。
[0352]
由测量结果可知，甲苯溶液中的bba(βn2)b-03在351nm附近观察到吸收峰值，发光波长的峰值在411nm(激发波长351nm)。此外，bba(βn2)b-03的薄膜在356nm、266nm及210nm附近观察到吸收峰值，发光波长的峰值在435nm附近(激发波长360nm)。由上述结果确认到bba(βn2)b-03发射蓝色光。并且可知，本发明的一个方式的化合物可以被用作发光物质的主体材料或者可见区域的荧光发光物质的主体材料。
[0353]
另外，可知bba(βn2)b-03的薄膜在大气下不容易凝集，形态变化小，具有良好的膜质。
[0354]
利用循环伏安法(cv)测量计算出bba(βn2)b-03的homo能级及lumo能级。计算方法与实施例1所记载的方法同样，因此省略说明。
[0355]
其结果表明：在bba(βn2)b-03的homo能级为-5.47ev且lumo能级为-2.41ev。另外，根据氧化-还原波的反复测量中的第1次测量与第100次后测量的波形比较，可知氧化电位ea保持了89％的峰强度，由此确认到bba(βn2)b-03的耐氧化性非常高。
[0356]
另外，进行bba(βn2)b-03的热重-差热分析(thermogravimetry-differential thermal analysis：tg-dta)。当测量时，使用高真空差动型热重分析仪(brukeraxs k.k.制造的tg-dta2410sa)。在大气压和氮气流(流速为200ml/min)下，以10℃/min的升温速度进行测量。根据热重-差热分析可知，从热重测量求得的bba(βn2)b-03的重量成为测量开始时的-5％的温度(分解温度)为474℃附近，这表示bba(βn2)b-03的耐热性高。
[0357]
另外，使用由perkinelmer，inc.制造的pyris1dsc进行bba(βn2)b-03的差示扫描
量热测量(dsc)。在差示扫描量热测量中，连续地进行如下操作三次：以40℃/min的升温速度从-10℃升温到355℃，然后以相同温度保持1分钟后以100℃/min的降温速度冷却到-10℃，冷却后以-10℃保持3分钟。在此，采用第二次的测量结果。由dsc测量可知bba(βn2)b-03的玻璃化转变温度为116℃，即，其具有高耐热性。实施例5
[0358]
(合成例5)在本合成例中，说明在实施方式1中以结构式(114)表示的作为本发明的一个方式的有机化合物的4-(2；1
’‑
联萘基-6-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaαnβnb)的合成方法。以下示出bbaαnβnb的结构式。
[0359][0360]
〈步骤1；4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成〉4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成与合成例1的步骤2同样。
[0361]
〈步骤2；4-(2；1
’‑
联萘基-6-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaαnβnb)的合成〉在安装有回流管的200ml三口烧瓶中，放入3.5g(6.7mmol)的4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺、2.2g(6.7mmol)的6-溴-2，1
’‑
联萘基、40mg(0.13mmol)的三(邻-甲苯基)膦、1.85g/6.5ml(13mmol)的碳酸钾水溶液、50ml的甲苯以及15ml的乙醇，对混合物进行减压脱气，然后将烧瓶内气氛置换为氮气。对混合物以70℃进行加热，对该混合物加入15.0mg(0.067mmol)的酢酸钯(ii)。以100℃对上述混合物搅拌3小时。对得到的混合物添加水，使用甲苯对水层进行萃取。将得到的萃取液与有机层合在一起，使用水及饱和食盐水洗涤，使用硫酸镁进行干燥。对反应溶液进行浓缩，以82％的收率得到3.5g的目的物的黄色固体。利用梯度升华方法对所得到的3.55g的固体进行升华纯化。升华纯化在压力为4.1pa且以15ml/min的流量流过氩的条件下，以310℃加热固体15小时。升华纯化后以72％的回收率得到2.5g的目的物的淡黄色固体。步骤2的合成方案如下所示。
10℃升温到290℃，然后以相同温度保持1分钟后以100℃/min的降温速度冷却到-10℃，冷却后以-10℃保持3分钟。在此，采用第二次的测量结果。由dsc测量可知bbaαnβnb的玻璃化转变温度为113℃，即，其具有高耐热性。实施例6
[0372]
(合成例6)在本合成例中，说明在实施方式1中以结构式(117)表示的4-(2；1
’‑
联萘基-3-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaαnβnb-02)的合成方法。以下示出bbaαnβnb-02的结构式。
[0373][0374]
〈步骤1；3-溴-2，1
’‑
联萘基的合成〉在安装有回流管的200ml三口烧瓶中，放入3.0g(11mmol)的2，3-二溴萘、1.8g(11mmol)的1-萘基硼酸、96mg(0.031mmol)的三(邻-甲苯基)膦、50ml的甲苯、15ml的乙醇及2m的碳酸钾水溶液(碳酸钾2.9g/水11ml)，对混合物进行减压脱气，将烧瓶内气氛置换为氮气。然后，加入24mg(0.011mmol)的酢酸钯，以室温进行搅拌7小时。对得到的混合物添加水，使用甲苯对水层进行萃取。将得到的萃取液与有机层合在一起，使用水及饱和食盐水洗涤，使用硫酸镁进行干燥。对上述混合物进行重力过滤，对得到的滤液进行浓缩得到淡黄色固体。利用hplc(移动相(mobile phase)：氯仿)对该固体进行纯化，以53％的收率得到1.8g的目的物的白色固体。步骤1的合成方案如下所示。
[0375][0376]
图74a和图74b示出所得到的固体的1h nmr数据，下面示出数值数据。由此可知，在本合成例中得到3-溴-2，1
’‑
联萘基。
[0377]1h-nmr(氯仿-d,500mhz):δ＝8.26(s、1h)、7.94(t、j＝7.0hz、2h)、7.87-7.80(m、3h)、7.59-7.38(m、7h)
[0378]
〈步骤2；4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成〉4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成与合成例1的步骤2同样。
[0379]
〈步骤3；4-(2；1
’‑
联萘基-3-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaαnβnb-02)的合成〉
在安装有回流管的1l三口烧瓶中，放入3.0g(5.5mmol)的4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺、1.8g(5.5mmol)的3-溴-2，1
’‑
联萘基、50mg(0.17mmol)的三(邻-甲苯基)膦、1.5g/6ml(11mmol)的碳酸钾水溶液、50ml的甲苯以及15ml的乙醇，对混合物进行减压脱气，然后将烧瓶内气氛置换为氮气。对该混合物以80℃进行加热，对上述混合物加入12mg(0.055mmol)的酢酸钯(ii)。以100℃对上述混合物搅拌4小时。对得到的混合物添加水，使用甲苯对水层进行萃取。将得到的萃取液与有机层合在一起，使用水及饱和食盐水洗涤，使用硫酸镁进行干燥。对上述混合物进行重力过滤，对得到的滤液进行浓缩得到淡茶色固体。利用hplc(移动相(mobile phase)：氯仿)对该固体进行纯化，以25％的收率得到910mg的目的物的淡黄色固体。利用梯度升华方法对所得到的910mg的固体进行升华纯化。升华纯化在压力为4.1pa且以15ml/min的流量流过氩的条件下，以290℃加热固体15小时。升华纯化后以70％的回收率得到640mg的淡黄色固体。步骤3的合成方案如下所示。
[0380][0381]
图26a和图26b示出所得到的物质的1h nmr数据，下面示出数值数据。由此可知，在本合成例中得到bbaαnβnb-02。
[0382]1h-nmr(二氯甲烷-d2,500mhz):δ＝8.05(s、1h)、7.99(d、j＝7.5hz、1h)、7.97(s、1h)、7.92(d、j＝7.0hz、1h)、7.87(d、j＝8.0hz、1h)、7.39(d、j＝8.0hz、1h)、7.58-7.41(m、18h)、7.33-7.26(m、3h)、7.50(d、j＝8.5hz、2h)、6.92(d、j＝8.5hz、4h)、6.78(d、j＝8.5hz、2h)
[0383]
接着，示出甲苯溶液中的bbaαnβnb-02的吸收光谱及发射光谱的测量结果以及薄膜的吸收光谱及发射光谱的测量结果。样品的制造方法、测量方法及测量装置与实施例所记载的方法及装置同样，因此省略说明。
[0384]
由测量结果可知，甲苯溶液中的bbaαnβnb-02在349nm附近观察到吸收峰值，发光波长的峰值在405nm(激发波长350nm)。此外，bbaαnβnb-02的薄膜在352nm、294nm、253nm、224nm及213nm附近观察到吸收峰值，发光波长的峰值在423nm附近(激发波长364nm)。由上述结果确认到bbaαnβnb-02发射蓝色光。并且可知，本发明的一个方式的化合物可以被用作发光物质的主体材料或者可见区域的荧光发光物质的主体材料。
[0385]
另外，可知bbaαnβnb-02的薄膜在大气下不容易凝集，形态变化小，具有良好的膜
质。
[0386]
利用循环伏安法(cv)测量计算出bbaαnβnb-02的homo能级及lumo能级。计算方法与实施例1所记载的方法同样，因此省略说明。
[0387]
其结果表明：在bbaαnβnb-02的homo能级为-5.48ev且lumo能级为-2.25ev。另外，根据氧化-还原波的反复测量中的第1次测量与第100次后测量的波形比较，可知氧化电位ea保持了90％的峰强度，由此确认到bbaαnβnb-02的耐氧化性非常高。
[0388]
另外，使用由perkinelmer，inc.制造的pyris1dsc进行bbaαnβnb-02的差示扫描量热测量(dsc)。在差示扫描量热测量中，连续地进行如下操作两次：以40℃/min的升温速度从-10℃升温到290℃，然后以相同温度保持1分钟后以100℃/min的降温速度冷却到-10℃，冷却后以-10℃保持3分钟。在此，采用第二次的测量结果。由dsc测量结果可知bbaαnβnb-02的玻璃化转变温度为125℃、晶化温度为226℃，即，其具有非常高的耐热性。
[0389]
另外，进行bbaαnβnb-02的热重-差热分析(thermogravimetry-differential thermal analysis：tg-dta)。当测量时，使用高真空差动型热重分析仪(brukeraxs k.k.制造的tg-dta2410sa)。在大气压和氮气流(流速为200ml/min)下，以10℃/min的升温速度进行测量。根据热重-差热分析可知，从热重测量求得的bbaαnβnb-02的重量成为测量开始时的-5％的温度(分解温度)为430℃，这表示bbaαnβnb-02的耐热性高。实施例7
[0390]
(合成例7)在本合成例中，说明在实施方式1中以结构式(115)表示的4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(7；1
’‑
联萘基-2-基)三苯基胺(简称：bbaαnβnb-03)的合成方法。以下示出bbaαnβnb-03的结构式。
[0391][0392]
〈步骤1；4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成〉4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成与合成例1的步骤2同样。
[0393]
〈步骤2；4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(7；1
’‑
联萘基-2-基)三苯基胺(简称：bbaαnβnb-03)的合成〉在安装有回流管的200ml三口烧瓶中，放入3.6g(6.7mmol)的4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺、2.2g(6.7mmol)的7-溴-2，1
’‑
联萘基、41mg(0.13mmol)的三(邻-甲苯基)膦、1.8g/6ml(13mmol)的碳酸钾水溶液、50ml的甲苯以及
15ml的乙醇，对混合物进行减压脱气，然后将烧瓶内气氛置换为氮气。对混合物以70℃进行加热，对混合物加入15mg(0.067mmol)的酢酸钯(ii)。以100℃对混合物搅拌7小时。对得到的混合物添加水，使用甲苯对水层进行萃取。将得到的萃取液与有机层合在一起，使用水及饱和食盐水洗涤，使用硫酸镁进行干燥。对上述混合物进行重力过滤，对得到的滤液进行浓缩，以78％的收率得到3.4g的黄色固体。利用梯度升华方法对所得到的3.4g的固体进行升华纯化。升华纯化在压力为3.4pa且以15ml/min的流量流过氩的条件下，以295℃加热固体15小时。升华纯化后以42％的回收率得到1.4g的淡黄色固体。步骤2的合成方案如下所示。
[0394][0395]
图27a和图27b示出所得到的物质的1h nmr数据，下面示出数值数据。由此可知，在本合成例中得到bbaαnβnb-03。
[0396]1h-nmr(二氯甲烷-d2,500mhz):δ＝8.12(s、1h)、8.03-8.01(m、2h)、7.94(d、j＝8.5hz、1h)、7.97-7.94(m、2h)、7.92(d、j＝8.0hz、1h)、7.84(dd、j＝8.5、1.5hz、1h)、7.72(d、j＝8.5hz、2h)、7.64-7.55(m、11h)、7.52(t、j＝7.0hz、1h)、7.47-7.42(m、5h)、7.34-7.25(m、8h)
[0397]
接着，示出甲苯溶液中的bbaαnβnb-03的吸收光谱及发射光谱的测量结果以及薄膜的吸收光谱及发射光谱的测量结果。样品的制造方法、测量方法及测量装置与实施例所记载的方法及装置同样，因此省略说明。
[0398]
由测量结果可知，甲苯溶液中的bbaαnβnb-03在352nm附近观察到吸收峰值，发光波长的峰值在427nm(激发波长360nm)。此外，bbaαnβnb-03的薄膜在355nm、295nm、254nm及210nm附近观察到吸收峰值，发光波长的峰值在427nm附近(激发波长360nm)。由上述结果确认到bbaαnβnb-03发射蓝色光。并且可知，本发明的一个方式的化合物可以被用作发光物质的主体材料或者可见区域的荧光发光物质的主体材料。
[0399]
另外，可知bbaαnβnb-03的薄膜在大气下不容易凝集，形态变化小，具有良好的膜质。
[0400]
利用循环伏安法(cv)测量计算出bbaαnβnb-03的homo能级及lumo能级。计算方法与实施例1所记载的方法同样，因此省略说明。
[0401]
其结果表明：在bbaαnβnb-03的homo能级为-5.47ev且lumo能级为-2.35ev。另外，根据氧化-还原波的反复测量中的第1次测量与第100次后测量的波形比较，可知氧化电位
ea保持了89％的峰强度，由此确认到bbaαnβnb-03的耐氧化性非常高。
[0402]
另外，进行bbaαnβnb-03的热重-差热分析(thermogravimetry-differential thermal analysis：tg-dta)。当测量时，使用高真空差动型热重分析仪(brukeraxs k.k.制造的tg-dta2410sa)。在大气压和氮气流(流速为200ml/min)下，以10℃/min的升温速度进行测量。根据热重-差热分析可知，从热重测量求得的bbaαnβnb-03的重量成为测量开始时的-5％的温度(分解温度)为490℃，这表示bbaαnβnb-03的耐热性高。
[0403]
另外，使用由perkinelmer，inc.制造的pyris1dsc进行bbaαnβnb-03的差示扫描量热测量(dsc)。在差示扫描量热测量中，连续地进行如下操作两次：以40℃/min的升温速度从-10℃升温到290℃，然后以相同温度保持1分钟后以100℃/min的降温速度冷却到-10℃，冷却后以-10℃保持3分钟。在此，采用第二次的测量结果。由dsc测量可知bbaαnβnb-03的玻璃化转变温度为122℃，即，其具有高耐热性。实施例8
[0404]
在本实施例中，对实施方式所说明的本发明的一个方式的发光元件1及发光元件2进行说明。以下示出用于发光元件1及发光元件2的有机化合物的结构式。
[0405]
[0406]
(发光元件1的制造方法)首先，在玻璃衬底上通过溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物(itso)，来形成阳极101。其厚度为70nm，电极面积为4mm2(2mm
×
2mm)。
[0407]
接着，作为为了在衬底上形成发光元件的预处理，用水洗涤衬底表面，以200℃进行1小时的烘焙，然后，进行370秒的uv臭氧处理。
[0408]
然后，将衬底引入到其内部压力被降低到10-4
pa左右的真空蒸镀装置中，并且在真空蒸镀装置内的加热室中以170℃进行30分钟的真空烘焙，然后，将衬底冷却30分钟左右。
[0409]
接着，以使形成有阳极101的面朝下的方式将形成有阳极101的衬底固定在设置于真空蒸镀装置内的衬底支架上，并且，通过利用电阻加热的蒸镀法在阳极101上以5nm的厚度蒸镀以上述结构式(i)表示的2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲(简称：hat-cn)，来形成空穴注入层111。
[0410]
接着，在空穴注入层111上以20nm的厚度蒸镀以上述结构式(ii)表示的4，4
’‑
双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(简称：npb)，然后以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(101)表示的4-(6；2
’‑
联萘基-2-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bba(βn2)b)，来形成空穴传输层112。
[0411]
接着，以1：0.03(＝cgdbczpa：1，6mmemflpaprn)的重量比共蒸镀以上述结构式(iii)表示的7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7h-二苯并[c，g]咔唑(简称：cgdbczpa)和以上述结构式(iv)表示的n，n
’‑
双(3-甲基苯基)-n，n
’‑
双[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mmemflpaprn)，来形成厚度为25nm的发光层113。
[0412]
然后，在发光层113上以10nm的厚度蒸镀cgdbczpa，之后以15nm的厚度蒸镀以上述结构式(v)表示的红菲绕啉(简称：bphen)，来形成电子传输层114。
[0413]
在形成电子传输层114之后，以1nm的厚度蒸镀氟化锂(lif)来形成电子注入层115，接着，以200nm的厚度蒸镀铝来形成阴极102，由此制造本实施例的发光元件1。
[0414]
(发光元件2的制造方法)在发光元件2中，使用以上述结构式(vi)表示的2-[3
’‑
(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mdbtbpdbq-ii)代替发光元件1的电子传输层114中的cgdbczpa，使用以上述结构式(vii)表示的2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：nbphen)代替bphen。除此之外，发光元件2和发光元件1同样地制造。
[0415]
发光元件1及发光元件2的元件结构如下表所示。
[0416]
[表1]
[0417]
在氮气氛的手套箱中，以不使发光元件1及发光元件2暴露于大气的方式使用玻璃衬底对发光元件1及发光元件2进行密封处理(将密封材料涂敷在元件的周围，在密封时进行uv处理并在80℃的温度下进行1小时的热处理)，然后对这些发光元件的初期特性进行测量。测量在室温(保持为25℃的气氛)下进行。
[0418]
图28至图33分别示出发光元件1及发光元件2的亮度-电流密度特性、电流效率-亮度特性、亮度-电压特性、电流-电压特性、外量子效率-亮度特性以及发射光谱。
[0419]
[表2]
[0420]
根据图28至图33及表2可知，发光元件1及发光元件2的1000cd/m2的外量子效率高，即分别为10％及11％。
[0421]
另外，图34示出电流值为2ma且电流密度为恒定的条件下的相对于驱动时间的亮度变化的图表。由图34可知，发光元件1及发光元件2在驱动100小时后保持初始亮度的90％以上的亮度，其驱动时间的积累所导致的亮度下降非常小且使用寿命长。实施例9
[0422]
在本实施例中，对实施方式所说明的本发明的一个方式的发光元件3及发光元件4进行说明。以下示出用于发光元件3及发光元件4的有机化合物的结构式。
[0423][0424]
(发光元件3的制造方法)首先，在玻璃衬底上通过溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物(itso)，来形成阳极101。其厚度为70nm，电极面积为4mm2(2mm
×
2mm)。
[0425]
接着，作为为了在衬底上形成发光元件的预处理，用水洗涤衬底表面，以200℃进行1小时的烘焙，然后，进行370秒的uv臭氧处理。
[0426]
然后，将衬底引入到其内部压力被降低到10-4
pa左右的真空蒸镀装置中，并且在真空蒸镀装置内的加热室中以170℃进行30分钟的真空烘焙，然后，将衬底冷却30分钟左右。
[0427]
接着，以使形成有阳极101的面朝下的方式将形成有阳极101的衬底固定在设置于真空蒸镀装置内的衬底支架上，并且，通过利用电阻加热的蒸镀法在阳极101上以5nm的厚度蒸镀以上述结构式(i)表示的2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲(简称：hat-cn)，来形成空穴注入层111。
[0428]
接着，在空穴注入层111上以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(ii)表示的4，4
’‑
双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(简称：npb)，以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(101)表示的4-(6；2
’‑
联萘基-2-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bba(βn2)b)，然后以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(viii)表示的3，6-双[4-(2-萘基)苯基]-9-苯基-9h-咔唑(简称：βnp2pc)，来形成空穴传输层112。
[0429]
接着，以1：0.03(＝cgdbczpa：1，6mmemflpaprn)的重量比共蒸镀以上述结构式(iii)表示的7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7h-二苯并[c，g]咔唑(简称：cgdbczpa)和以上述结构式(iv)表示的n，n
’‑
双(3-甲基苯基)-n，n
’‑
双[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mmemflpaprn)，来形成厚度为25nm的发光层113。
[0430]
然后，在发光层113上以10nm的厚度蒸镀cgdbczpa，之后以15nm的厚度蒸镀以上述结构式(v)表示的红菲绕啉(简称：bphen)，来形成电子传输层114。
[0431]
在形成电子传输层114之后，以1nm的厚度蒸镀氟化锂(lif)来形成电子注入层115，接着，以200nm的厚度蒸镀铝来形成阴极102，由此制造本实施例的发光元件3。
[0432]
(发光元件4的制造方法)在发光元件4中，使用以上述结构式(vi)表示的2-[3
’‑
(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mdbtbpdbq-ii)代替发光元件3的电子传输层114中的cgdbczpa，使用以上述结构式(vii)表示的2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：nbphen)代替bphen。除此之外，发光元件4和发光元件3同样地制造。
[0433]
发光元件3及发光元件4的元件结构如下表所示。
[0434]
[表3]
[0435]
在氮气氛的手套箱中，以不使发光元件3及发光元件4暴露于大气的方式使用玻璃衬底对发光元件3及发光元件4进行密封处理(将密封材料涂敷在元件的周围，在密封时进行uv处理并在80℃的温度下进行1小时的热处理)，然后对这些发光元件的初期特性进行测量。测量在室温(保持为25℃的气氛)下进行。
[0436]
图35至图40分别示出发光元件3及发光元件4的亮度-电流密度特性、电流效率-亮度特性、亮度-电压特性、电流-电压特性、外量子效率-亮度特性以及发射光谱。
[0437]
[表4]
[0438]
根据图35至图40及表4可知，发光元件3及发光元件4的1000cd/m2的外量子效率高，即分别为12％及11％。
[0439]
另外，图41示出电流值为2ma且电流密度为恒定的条件下的相对于驱动时间的亮度变化的图表。由图41可知，发光元件3及发光元件4在驱动100小时后保持初始亮度的90％以上的亮度，其驱动时间的积累所导致的亮度下降非常小且使用寿命长。实施例10
[0440]
在本实施例中，对实施方式所说明的本发明的一个方式的发光元件5及发光元件6进行说明。以下示出用于发光元件5及发光元件6的有机化合物的结构式。
[0441][0442]
(发光元件5的制造方法)首先，在玻璃衬底上通过溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物(itso)，来形成阳极101。其厚度为70nm，电极面积为4mm2(2mm
×
2mm)。
[0443]
接着，作为为了在衬底上形成发光元件的预处理，用水洗涤衬底表面，以200℃进行1小时的烘焙，然后，进行370秒的uv臭氧处理。
[0444]
然后，将衬底引入到其内部压力被降低到10-4
pa左右的真空蒸镀装置中，并且在真空蒸镀装置内的加热室中以170℃进行30分钟的真空烘焙，然后，将衬底冷却30分钟左右。
[0445]
接着，以使形成有阳极101的面朝下的方式将形成有阳极101的衬底固定在设置于真空蒸镀装置内的衬底支架上，并且，通过利用电阻加热的蒸镀法在阳极101上以5nm的厚度蒸镀以上述结构式(i)表示的2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲(简称：hat-cn)，来形成空穴注入层111。
[0446]
接着，在空穴注入层111上以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(ii)表示的4，4
’‑
双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(简称：npb)，以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(122)表示的n，n-双(4-联苯基)-2，2
’‑
联萘基-6-胺(简称：bba(βn2))，然后以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(viii)表示的3，6-双[4-(2-萘基)苯基]-9-苯基-9h-咔唑(简称：βnp2pc)，来形成空穴传输层112。
[0447]
接着，以1：0.03(＝cgdbczpa：1，6mmemflpaprn)的重量比共蒸镀以上述结构式(iii)表示的7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7h-二苯并[c，g]咔唑(简称：cgdbczpa)和以上述结构式(iv)表示的n，n
’‑
双(3-甲基苯基)-n，n
’‑
双[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mmemflpaprn)，来形成厚度为25nm的发光层113。
[0448]
然后，在发光层113上以10nm的厚度蒸镀cgdbczpa，之后以15nm的厚度蒸镀以上述结构式(v)表示的红菲绕啉(简称：bphen)，来形成电子传输层114。
[0449]
在形成电子传输层114之后，以1nm的厚度蒸镀氟化锂(lif)来形成电子注入层115，接着，以200nm的厚度蒸镀铝来形成阴极102，由此制造本实施例的发光元件5。
[0450]
(发光元件6的制造方法)在发光元件6中，使用以上述结构式(vi)表示的2-[3
’‑
(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mdbtbpdbq-ii)代替发光元件5的电子传输层114中的cgdbczpa，使用以上述结构式(vii)表示的2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：nbphen)代替bphen。除此之外，发光元件6和发光元件5同样地制造。
[0451]
发光元件5及发光元件6的元件结构如下表所示。
[0452]
[表5]
[0453]
在氮气氛的手套箱中，以不使发光元件5及发光元件6暴露于大气的方式使用玻璃衬底对发光元件5及发光元件6进行密封处理(将密封材料涂敷在元件的周围，在密封时进行uv处理并在80℃的温度下进行1小时的热处理)，然后对这些发光元件的初期特性进行测量。测量在室温(保持为25℃的气氛)下进行。
[0454]
图42至图47分别示出发光元件5及发光元件6的亮度-电流密度特性、电流效率-亮度特性、亮度-电压特性、电流-电压特性、外量子效率-亮度特性以及发射光谱。
[0455]
[表6]
[0456]
根据图42至图47及表6可知，发光元件5及发光元件6的1000cd/m2的外量子效率非常高，即分别为11％及12％。
[0457]
另外，图48示出电流值为2ma且电流密度为恒定的条件下的相对于驱动时间的亮度变化的图表。由图48可知，发光元件5及发光元件6在驱动100小时后保持初始亮度的90％以上的亮度，其驱动时间的积累所导致的亮度下降非常小且使用寿命长。实施例11
[0458]
在本实施例中，对实施方式所说明的本发明的一个方式的发光元件7及发光元件8进行说明。以下示出用于发光元件7及发光元件8的有机化合物的结构式。
[0459][0460]
(发光元件7的制造方法)首先，在玻璃衬底上通过溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物(itso)，来形成阳极101。其厚度为70nm，电极面积为4mm2(2mm
×
2mm)。
[0461]
接着，作为为了在衬底上形成发光元件的预处理，用水洗涤衬底表面，以200℃进行1小时的烘焙，然后，进行370秒的uv臭氧处理。
[0462]
然后，将衬底引入到其内部压力被降低到10-4
pa左右的真空蒸镀装置中，并且在真空蒸镀装置内的加热室中以170℃进行30分钟的真空烘焙，然后，将衬底冷却30分钟左右。
[0463]
接着，以使形成有阳极101的面朝下的方式将形成有阳极101的衬底固定在设置于真空蒸镀装置内的衬底支架上，并且，通过利用电阻加热的蒸镀法在阳极101上以5nm的厚度蒸镀以上述结构式(i)表示的2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲(简称：hat-cn)，来形成空穴注入层111。
[0464]
接着，在空穴注入层111上以20nm的厚度蒸镀以上述结构式(ii)表示的4，4
’‑
双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(简称：npb)，然后以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(116)表示的4-(3；2
’‑
联萘基-2-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bba(βn2)b-02)，来形成空穴传输层112。
[0465]
接着，以1：0.03(＝cgdbczpa：1，6mmemflpaprn)的重量比共蒸镀以上述结构式(iii)表示的7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7h-二苯并[c，g]咔唑(简称：cgdbczpa)和以上述结构式(iv)表示的n，n
’‑
双(3-甲基苯基)-n，n
’‑
双[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mmemflpaprn)，来形成厚度为25nm的发光层113。
[0466]
然后，在发光层113上以15nm的厚度蒸镀cgdbczpa，之后以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(v)表示的红菲绕啉(简称：bphen)，来形成电子传输层114。
[0467]
在形成电子传输层114之后，以1nm的厚度蒸镀氟化锂(lif)来形成电子注入层115，接着，以200nm的厚度蒸镀铝来形成阴极102，由此制造本实施例的发光元件7。
[0468]
(发光元件8的制造方法)在发光元件8中，使用以上述结构式(vi)表示的2-[3
’‑
(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mdbtbpdbq-ii)代替发光元件7的电子传输层114中的cgdbczpa，其厚度为10nm。此外，使用以上述结构式(vii)表示的2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：nbphen)代替bphen，其厚度为15nm。除此之外，发光元件8和发光元件7同样地制造。
[0469]
发光元件7及发光元件8的元件结构如下表所示。
[0470]
[表7]
[0471]
在氮气氛的手套箱中，以不使发光元件7及发光元件8暴露于大气的方式使用玻璃衬底对发光元件7及发光元件8进行密封处理(将密封材料涂敷在元件的周围，在密封时进行uv处理并在80℃的温度下进行1小时的热处理)，然后对这些发光元件的初期特性进行测量。测量在室温(保持为25℃的气氛)下进行。
[0472]
图49至图54分别示出发光元件7及发光元件8的亮度-电流密度特性、电流效率-亮度特性、亮度-电压特性、电流-电压特性、外量子效率-亮度特性以及发射光谱。
[0473]
[表8]
[0474]
根据图49至图54及表8可知，发光元件7及发光元件8的1000cd/m2的外量子效率非常高，即分别为12％及13％。实施例12
[0475]
在本实施例中，对实施方式所说明的本发明的一个方式的发光元件9及发光元件10进行说明。以下示出用于发光元件9及发光元件10的有机化合物的结构式。
[0476][0477]
(发光元件9的制造方法)首先，在玻璃衬底上通过溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物(itso)，来形成阳极101。其厚度为70nm，电极面积为4mm2(2mm
×
2mm)。
[0478]
接着，作为为了在衬底上形成发光元件的预处理，用水洗涤衬底表面，以200℃进行1小时的烘焙，然后，进行370秒的uv臭氧处理。
[0479]
然后，将衬底引入到其内部压力被降低到10-4
pa左右的真空蒸镀装置中，并且在真空蒸镀装置内的加热室中以170℃进行30分钟的真空烘焙，然后，将衬底冷却30分钟左右。
[0480]
接着，以使形成有阳极101的面朝下的方式将形成有阳极101的衬底固定在设置于真空蒸镀装置内的衬底支架上，并且，通过利用电阻加热的蒸镀法在阳极101上以5nm的厚度蒸镀以上述结构式(i)表示的2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲(简称：hat-cn)，来形成空穴注入层111。
[0481]
接着，在空穴注入层111上以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(ii)表示的4，4
’‑
双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(简称：npb)，以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(116)表示的4-(3；2
’‑
联萘基-2-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bba(βn2)b-02)，然后以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(viii)表示的3，6-双[4-(2-萘基)苯基]-9-苯基-9h-咔唑(简称：βnp2pc)，来形成空穴传输层112。
[0482]
接着，以1：0.03(＝cgdbczpa：1，6mmemflpaprn)的重量比共蒸镀以上述结构式(iii)表示的7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7h-二苯并[c，g]咔唑(简称：cgdbczpa)和以上述结构式(iv)表示的n，n
’‑
双(3-甲基苯基)-n，n
’‑
双[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mmemflpaprn)，来形成厚度为25nm的发光层113。
[0483]
然后，在发光层113上以15nm的厚度蒸镀cgdbczpa，之后以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(v)表示的红菲绕啉(简称：bphen)，来形成电子传输层114。
[0484]
在形成电子传输层114之后，以1nm的厚度蒸镀氟化锂(lif)来形成电子注入层115，接着，以200nm的厚度蒸镀铝来形成阴极102，由此制造本实施例的发光元件9。
[0485]
(发光元件10的制造方法)在发光元件10中，使用以上述结构式(vi)表示的2-[3
’‑
(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mdbtbpdbq-ii)代替发光元件9的电子传输层114中的cgdbczpa，其厚度为10nm。此外，使用以上述结构式(vii)表示的2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：nbphen)代替bphen，其厚度为15nm。除此之外，发光元件10和发光元件9同样地制造。
[0486]
发光元件9及发光元件10的元件结构如下表所示。
[0487]
[表9]*1元件9:cgdbczpa(15nm),元件10:2mdbtbpdbq-ii(10nm)*2元件9:bphen(10nm),元件10:nbphen(15nm)
[0488]
在氮气氛的手套箱中，以不使发光元件9及发光元件10暴露于大气的方式使用玻璃衬底对发光元件9及发光元件10进行密封处理(将密封材料涂敷在元件的周围，在密封时进行uv处理并在80℃的温度下进行1小时的热处理)，然后对这些发光元件的初期特性进行测量。测量在室温(保持为25℃的气氛)下进行。
[0489]
图55至图60分别示出发光元件9及发光元件10的亮度-电流密度特性、电流效率-亮度特性、亮度-电压特性、电流-电压特性、外量子效率-亮度特性以及发射光谱。
[0490]
[表10]
[0491]
根据图55至图60及表10可知，发光元件9及发光元件10的1000cd/m2的外量子效率非常高，即分别为12％及13％。实施例13
[0492]
在本实施例中，对实施方式所说明的本发明的一个方式的发光元件11及发光元件12进行说明。以下示出用于发光元件11及发光元件12的有机化合物的结构式。
[0493][0494]
(发光元件11的制造方法)首先，在玻璃衬底上通过溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物(itso)，来形成阳极101。其厚度为70nm，电极面积为4mm2(2mm
×
2mm)。
[0495]
接着，作为为了在衬底上形成发光元件的预处理，用水洗涤衬底表面，以200℃进行1小时的烘焙，然后，进行370秒的uv臭氧处理。
[0496]
然后，将衬底引入到其内部压力被降低到10-4
pa左右的真空蒸镀装置中，并且在真空蒸镀装置内的加热室中以170℃进行30分钟的真空烘焙，然后，将衬底冷却30分钟左右。
[0497]
接着，以使形成有阳极101的面朝下的方式将形成有阳极101的衬底固定在设置于真空蒸镀装置内的衬底支架上，并且，通过利用电阻加热的蒸镀法在阳极101上以5nm的厚度蒸镀以上述结构式(i)表示的2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲(简称：hat-cn)，来形成空穴注入层111。
[0498]
接着，在空穴注入层111上以20nm的厚度蒸镀以上述结构式(ii)表示的4，4
’‑
双
[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(简称：npb)，然后以10nm的厚度蒸镀以结构式(117)表示的4-(2；1
’‑
联萘基-3-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaαnβnb-02)，来形成空穴传输层112。
[0499]
接着，以1：0.03(＝cgdbczpa：1，6mmemflpaprn)的重量比共蒸镀以上述结构式(iii)表示的7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7h-二苯并[c，g]咔唑(简称：cgdbczpa)和以上述结构式(iv)表示的n，n
’‑
双(3-甲基苯基)-n，n
’‑
双[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mmemflpaprn)，来形成厚度为25nm的发光层113。
[0500]
然后，在发光层113上以15nm的厚度蒸镀cgdbczpa，之后以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(v)表示的红菲绕啉(简称：bphen)，来形成电子传输层114。
[0501]
在形成电子传输层114之后，以1nm的厚度蒸镀氟化锂(lif)来形成电子注入层115，接着，以200nm的厚度蒸镀铝来形成阴极102，由此制造本实施例的发光元件11。
[0502]
(发光元件12的制造方法)在发光元件12中，使用以上述结构式(vi)表示的2-[3
’‑
(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mdbtbpdbq-ii)代替发光元件11的电子传输层114中的cgdbczpa，其厚度为10nm。此外，使用以上述结构式(vii)表示的2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：nbphen)代替bphen，其厚度为15nm。除此之外，发光元件12和发光元件11同样地制造。
[0503]
发光元件11及发光元件12的元件结构如下表所示。
[0504]
[表11]
[0505]
在氮气氛的手套箱中，以不使发光元件11及发光元件12暴露于大气的方式使用玻璃衬底对发光元件11及发光元件12进行密封处理(将密封材料涂敷在元件的周围，在密封时进行uv处理并在80℃的温度下进行1小时的热处理)，然后对这些发光元件的初期特性进行测量。测量在室温(保持为25℃的气氛)下进行。
[0506]
图61至图66分别示出发光元件11及发光元件12的亮度-电流密度特性、电流效率-亮度特性、亮度-电压特性、电流-电压特性、外量子效率-亮度特性以及发射光谱。
[0507]
[表12]
[0508]
根据图61至图66及表12可知，发光元件11及发光元件12的1000cd/m2的外量子效率分别为12％及13％。实施例14
[0509]
在本实施例中，对实施方式所说明的本发明的一个方式的发光元件13及发光元件14进行说明。以下示出用于发光元件13及发光元件14的有机化合物的结构式。
[0510][0511]
(发光元件13的制造方法)首先，在玻璃衬底上通过溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物(itso)，来形成阳极101。其厚度为70nm，电极面积为4mm2(2mm
×
2mm)。
[0512]
接着，作为为了在衬底上形成发光元件的预处理，用水洗涤衬底表面，以200℃进行1小时的烘焙，然后，进行370秒的uv臭氧处理。
[0513]
然后，将衬底引入到其内部压力被降低到10-4
pa左右的真空蒸镀装置中，并且在真空蒸镀装置内的加热室中以170℃进行30分钟的真空烘焙，然后，将衬底冷却30分钟左右。
[0514]
接着，以使形成有阳极101的面朝下的方式将形成有阳极101的衬底固定在设置于真空蒸镀装置内的衬底支架上，并且，通过利用电阻加热的蒸镀法在阳极101上以5nm的厚
亮度特性、亮度-电压特性、电流-电压特性、外量子效率-亮度特性以及发射光谱。
[0524]
[表14]
[0525]
根据图67至图72及表14可知，发光元件13及发光元件14的1000cd/m2的外量子效率非常高，即分别为12％及13％。实施例15
[0526]
(合成例8)在本合成例中，说明在实施方式1中以结构式(118)表示的作为本发明的有机化合物的4-(1；2
’‑
联萘基-4-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaβnαnb)的合成方法。以下示出bbaβnαnb的结构式。
[0527][0528]
〈步骤1；4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成〉4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成与合成例1的步骤2同样。
[0529]
〈步骤2；4-(1；2
’‑
联萘基-4-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaβnαnb)的合成〉在安装有回流管的200ml三口烧瓶中，放入2.5g(4.6mmol)的4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺、1.5g(4.6mmol)的1-溴-4，2
’‑
联萘基、28mg(92μmol)的三(邻-甲苯基)膦、20ml(2.0mol/l)的碳酸钾水溶液、50ml的甲苯以及10ml的乙醇，进行减压脱气，然后将烧瓶内气氛置换为氮气。对该混合物以60℃进行加热，加入
thermal analysis：tg-dta)。当测量时，使用高真空差动型热重分析仪(brukeraxs k.k.制造的tg-dta2410sa)。在大气压和氮气流(流速为200ml/min)下，以10℃/min的升温速度进行测量。根据热重-差热分析可知，从热重测量求得的bbaβnαnb的重量成为测量开始时的-5％的温度(分解温度)为462℃，这表示bbaβnαnb的耐热性高。
[0539]
另外，使用由perkinelmer，inc.制造的pyris1dsc进行bbaβnαnb的差示扫描量热测量(dsc)。在差示扫描量热测量中，连续地进行如下操作两次：以40℃/min的升温速度从-10℃升温到320℃，然后以相同温度保持1分钟后以100℃/min的降温速度冷却到-10℃，冷却后以-10℃保持3分钟。在此，采用第二次的测量结果。由dsc测量可知bbaβnαnb的玻璃化转变温度为123℃，即，其具有高耐热性。实施例16
[0540]
(合成例9)在本合成例中，说明在实施方式1中以结构式(120)表示的4-(1；2
’‑
联萘基-5-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaβnαnb-02)的合成方法。以下示出bbaβnαnb-02的结构式。
[0541][0542]
〈步骤1；4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成〉4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺的合成与合成例1的步骤2同样。
[0543]
〈步骤2；4-(1；2
’‑
联萘基-5-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaβnαnb-02)的合成〉在安装有回流管的200ml三口烧瓶中，放入2.5g(4.6mmol)的4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)三苯基胺、1.5g(4.6mmol)的5-溴-1，2
’‑
联萘基、28mg(92μmol)的三(邻-甲苯基)膦、20ml(2.0mol/l)的碳酸钾水溶液、50ml的甲苯以及10ml的乙醇，进行减压脱气，然后将烧瓶内气氛置换为氮气。对该混合物以60℃进行加热，加入10mg(46μmol)的酢酸钯(ii)，然后以100℃搅拌9小时。搅拌后，通过抽滤来收集所析出的固体。对得到的滤液添加水，分离有机层和水层，然后使用甲苯对水层进行萃取。将得到的萃取液与有机层合在一起，使用水及饱和食盐水洗涤，使用硫酸镁进行干燥。对上述混合物进行重力过滤。对得到的滤液进行浓缩，以53％的收率得到1.6g的白色固体。步骤2的合成方案如下所示。
[0544][0545]
图76a和图76b示出所得到的固体的1h nmr数据，下面示出数值数据。1h nmr(氯仿-d,500mhz):δ＝8.10(dd、j1＝7.0hz、j2＝2.5hz、1h)、8.00-7.92(m、5h)、7.67(dd、j1＝8.0hz、j2＝1.5hz、1h)、7.64-7.62(m、4h)、7.59(d、j＝8.5hz、4h)、7.57-7.55(m、4h)、7.51-7.43(m、8h)、7.35-7.31(m、8h)
[0546]
利用梯度升华方法对所得到的1.6g的固体进行升华纯化。升华纯化在压力为3.6pa且以15ml/min的流量流过氩的条件下，以310℃加热固体15小时。升华纯化后以81％的回收率得到1.3g的目的物的淡黄色固体。
[0547]
接着，示出甲苯溶液中的bbaβnαnb-02的吸收光谱及发射光谱的测量结果以及薄膜的吸收光谱及发射光谱的测量结果。样品的制造方法、测量方法及测量装置与实施例所记载的方法及装置同样，因此省略说明。
[0548]
由测量结果可知，甲苯溶液中的bbaβnαnb-02在346nm附近观察到吸收峰值，发光波长的峰值在419nm(激发波长348nm)。此外，bbaβnαnb-02的薄膜在350nm、300nm、243nm及215nm附近观察到吸收峰值，发光波长的峰值在427nm(激发波长350nm)。由上述结果确认到bbaβnαnb-02发射蓝色光。如此，本发明的一个方式的化合物可以被用作发光物质的主体材料或者可见区域的荧光发光物质的主体材料。
[0549]
另外，可知bbaβnαnb-02的薄膜在大气下不容易凝集，形态变化小，具有良好的膜质。
[0550]
利用循环伏安法(cv)测量计算出bbaβnαnb-02的homo能级及lumo能级。反复进行cv测量100次，比较第100次测量中的氧化-还原波与第1次测量中的氧化-还原波，来调查化合物的电性稳定性。这些方法与实施例1同样，因此省略记载。
[0551]
其结果表明：在bbaβnαnb-02的氧化电位ea[v]的测量中，homo能级为-5.49ev。另外，lumo能级为-2.35ev。另外，根据氧化-还原波的反复测量中的第1次测量与第100次后测量的波形比较，可知在ea测量中保持了91％的峰强度，由此确认到bbaβnαnb-02的耐氧化性非常高。
[0552]
另外，进行bbaβnαnb-02的热重-差热分析(thermogravimetry-differential thermal analysis：tg-dta)。当测量时，使用高真空差动型热重分析仪(brukeraxs k.k.制造的tg-dta2410sa)。在大气压和氮气流(流速为200ml/min)下，以10℃/min的升温速度进行测量。根据热重-差热分析可知，从热重测量求得的bbaβnαnb-02的重量成为测量开始时的-5％的温度(分解温度)为477℃，这表示bbaβnαnb-02的耐热性高。
[0553]
另外，使用由perkinelmer，inc.制造的pyris1dsc进行bbaβnαnb-02的差示扫描量热测量(dsc)。在差示扫描量热测量中，连续地进行如下操作两次：以40℃/min的升温速度从-10℃升温到330℃，然后以相同温度保持1分钟后以100℃/min的降温速度冷却到-10℃，冷却后以-10℃保持3分钟。在此，采用第二次的测量结果。由dsc测量可知bbaβnαnb-02的玻璃化转变温度为111℃，即，其具有高耐热性。实施例17
[0554]
在本实施例中，对实施方式所说明的本发明的一个方式的发光元件15至发光元件24进行说明。以下示出用于发光元件15至发光元件24的有机化合物的结构式。
[0555]
[0556][0557]
(发光元件15的制造方法)首先，在玻璃衬底上通过溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物(itso)，来形成阳极101。其厚度为70nm，电极面积为4mm2(2mm
×
2mm)。
[0558]
接着，作为为了在衬底上形成发光元件的预处理，用水洗涤衬底表面，以200℃进行1小时的烘焙，然后，进行370秒的uv臭氧处理。
[0559]
然后，将衬底引入到其内部压力被降低到10-4
pa左右的真空蒸镀装置中，并且在真空蒸镀装置内的加热室中以170℃进行30分钟的真空烘焙，然后，将衬底冷却30分钟左右。
[0560]
接着，以使形成有阳极101的面朝下的方式将形成有阳极101的衬底固定在设置于真空蒸镀装置内的衬底支架上，并且，通过利用电阻加热的蒸镀法在阳极101上以5nm的厚度蒸镀以上述结构式(i)表示的2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲(简称：hat-cn)，来形成空穴注入层111。
[0561]
接着，在空穴注入层111上以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(ii)表示的4，4
’‑
双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(简称：npb)，以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(110)表示的4-(2；2
’‑
联萘基-7-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bba(βn2)b-03)，然后以10nm的厚度蒸镀，然后以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(viii)表示的3，6-双[4-(2-萘基)苯基]-9-苯基-9h-咔唑(简称：βnp2pc)，来形成空穴传输层112。
[0562]
接着，以1：0.03(＝cgdbczpa：1，6mmemflpaprn)的重量比共蒸镀以上述结构式(iii)表示的7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7h-二苯并[c，g]咔唑(简称：cgdbczpa)和以上述结构式(iv)表示的n，n
’‑
双(3-甲基苯基)-n，n
’‑
双[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mmemflpaprn)，来形成厚度为25nm的发光层113。
[0563]
然后，在发光层113上以15nm的厚度蒸镀cgdbczpa，之后以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(v)表示的红菲绕啉(简称：bphen)，来形成电子传输层114。
[0564]
在形成电子传输层114之后，以1nm的厚度蒸镀氟化锂(lif)来形成电子注入层115，接着，以200nm的厚度蒸镀铝来形成阴极102，由此制造本实施例的发光元件15。
[0565]
(发光元件16的制造方法)在发光元件16中，为了形成电子传输层114，以10nm的厚度形成以上述结构式(vi)表示的2-[3
’‑
(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mdbtbpdbq-ii)，然后以15nm的厚度蒸镀2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：nbphen)。除此之外，发光元件16和发光元件15同样地制造。
[0566]
(发光元件17的制造方法)在发光元件17中，使用以上述结构式(115)表示的4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(7；1
’‑
联萘基-2-基)三苯基胺(简称：bbaαnβnb-03)代替发光元件15的空穴传输层112中的bba(βn2)b-03，使用以上述结构式(ix)表示的3，3
’‑
(萘-1，4-二基)双(9-苯基-9h-咔唑)(简称：pczn2)代替βnp2pc。此外，使用nbphen代替电子传输层114中的bphen。除此之外，发光元件17和发光元件15同样地制造。
[0567]
(发光元件18的制造方法)在发光元件18中，使用2mdbtbpdbq-ii代替发光元件17的电子传输层中的cgdbczpa。除此之外，发光元件18和发光元件17同样地制造。
[0568]
(发光元件19的制造方法)在发光元件19中，使用以上述结构式(114)表示的4-(2；1
’‑
联萘基-6-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaαnβnb)代替发光元件17的空穴传输层中的bbaαnβnb-03。除此之外，发光元件19和发光元件17同样地制造。
[0569]
(发光元件20的制造方法)在发光元件20中，使用2mdbtbpdbq-ii代替发光元件19的电子传输层114中的cgdbczpa。除此之外，发光元件20和发光元件19同样地制造。
[0570]
(发光元件21的制造方法)在发光元件21中，使用以上述结构式(118)表示的4-(1；2
’‑
联萘基-4-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaβnαnb)代替发光元件17的空穴传输层112中的bbaαnβnb-03。除此之外，发光元件21和发光元件17同样地制造。
[0571]
(发光元件22的制造方法)
在发光元件22中，使用2mdbtbpdbq-ii代替发光元件21的电子传输层中的cgdbczpa。除此之外，发光元件22和发光元件21同样地制造。
[0572]
(发光元件23的制造方法)在发光元件23中，使用以上述结构式(120)表示的4-(1；2
’‑
联萘基-5-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaβnαnb-02)代替发光元件17的空穴传输层112中的bbaαnβnb-03。除此之外，发光元件23和发光元件17同样地制造。
[0573]
(发光元件24的制造方法)在发光元件24中，使用2mdbtbpdbq-ii代替发光元件23的电子传输层114中的cgdbczpa。除此之外，发光元件24和发光元件23同样地制造。
[0574]
发光元件15至发光元件24的元件结构如下表所示。
[0575]
[表15]
[0576]
[表16]
[0577]
在氮气氛的手套箱中，以不使发光元件15至发光元件24暴露于大气的方式使用玻璃衬底对发光元件15至发光元件24进行密封处理(将密封材料涂敷在元件的周围，在密封时进行uv处理并在80℃的温度下进行1小时的热处理)，然后对这些发光元件的初期特性进行测量。测量在室温(保持为25℃的气氛)下进行。
[0578]
下表示出发光元件15至发光元件24的1000cd/m2附近的主要特性。
[0579]
[表17]
[0580]
根据表17可知，发光元件15至发光元件24的1000cd/m2附近的外量子效率非常高，即分别为12％至14％。另外，发光元件15至发光元件24的驱动电压低，由此可知发光效率良好。
[0581]
另外，在电流值为2ma且电流密度为恒定的条件下测量相对于驱动时间的亮度变化。下表示出各元件的相对于初始亮度的100小时之后的亮度的比率(％)。
[0582]
[表18]
[0583]
由此可知，发光元件17至发光元件24在驱动100小时后保持初始亮度的90％以上的亮度，发光元件15及发光元件16保持初始亮度的85％以上的亮度，其驱动时间的积累所导致的亮度下降非常小且使用寿命长。实施例18
[0584]
在本实施例中，对实施方式所说明的本发明的一个方式的发光元件25至发光元件34进行说明。以下示出用于发光元件25至发光元件34的有机化合物的结构式。
[0585]
[0586][0587]
(发光元件25的制造方法)首先，在玻璃衬底上通过溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物(itso)，来形成阳极101。其厚度为70nm，电极面积为4mm2(2mm
×
2mm)。
[0588]
接着，作为为了在衬底上形成发光元件的预处理，用水洗涤衬底表面，以200℃进行1小时的烘焙，然后，进行370秒的uv臭氧处理。
[0589]
然后，将衬底引入到其内部压力被降低到10-4
pa左右的真空蒸镀装置中，并且在真空蒸镀装置内的加热室中以170℃进行30分钟的真空烘焙，然后，将衬底冷却30分钟左右。
[0590]
接着，以使形成有阳极101的面朝下的方式将形成有阳极101的衬底固定在设置于真空蒸镀装置内的衬底支架上，并且，通过利用电阻加热的蒸镀法在阳极101上以5nm的厚度蒸镀以上述结构式(i)表示的2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲(简称：hat-cn)，来形成空穴注入层111。
[0591]
接着，在空穴注入层111上以20nm的厚度蒸镀以上述结构式(ii)表示的4，4
’‑
双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(简称：npb)，然后以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(110)表示的4-(2；2
’‑
联萘基-7-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bba(βn2)b-03)，来形成空穴传输层112。
[0592]
接着，以1：0.03(＝cgdbczpa：1，6mmemflpaprn)的重量比共蒸镀以上述结构式(iii)表示的7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7h-二苯并[c，g]咔唑(简称：cgdbczpa)和以上述结构式(iv)表示的n，n
’‑
双(3-甲基苯基)-n，n
’‑
双[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mmemflpaprn)，来形成厚度为25nm的发光层113。
[0593]
然后，在发光层113上以15nm的厚度蒸镀cgdbczpa，之后以10nm的厚度蒸镀以上述结构式(v)表示的红菲绕啉(简称：bphen)，来形成电子传输层114。
[0594]
在形成电子传输层114之后，以1nm的厚度蒸镀氟化锂(lif)来形成电子注入层115，接着，以200nm的厚度蒸镀铝来形成阴极102，由此制造本实施例的发光元件25。
[0595]
(发光元件26的制造方法)在发光元件26中，为了形成电子传输层114，以10nm的厚度形成以上述结构式(vi)表示的2-[3
’‑
(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mdbtbpdbq-ii)，然后以15nm的厚度蒸镀2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：nbphen)。除此之外，发光元件26和发光元件25同样地制造。
[0596]
(发光元件27的制造方法)在发光元件27中，使用以上述结构式(115)表示的4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(7；1
’‑
联萘基-2-基)三苯基胺(简称：bbaαnβnb-03)代替发光元件25的空穴传输层112中的bba(βn2)b-03，使用nbphen代替电子传输层114中的bphen。除此之外，发光元件27和发光元件25同样地制造。
[0597]
(发光元件28的制造方法)在发光元件28中，使用2mdbtbpdbq-ii代替发光元件27的电子传输层中的cgdbczpa。除此之外，发光元件28和发光元件27同样地制造。
[0598]
(发光元件29的制造方法)在发光元件29中，使用以上述结构式(114)表示的4-(2；1
’‑
联萘基-6-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaαnβnb)代替发光元件27中的bbaαnβnb-03。除此之外，发光元件29和发光元件27同样地制造。
[0599]
(发光元件30的制造方法)在发光元件30中，使用以上述结构式(114)表示的4-(2；1
’‑
联萘基-6-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaαnβnb)代替发光元件28中的bbaαnβnb-03。除此之外，发光元件30和发光元件28同样地制造。
[0600]
(发光元件31的制造方法)在发光元件31中，使用以上述结构式(118)表示的4-(1；2
’‑
联萘基-4-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaβnαnb)代替发光元件27中的bbaαnβnb-03。除此之外，发光元件31和发光元件27同样地制造。
[0601]
(发光元件32的制造方法)在发光元件32中，使用以上述结构式(118)表示的4-(1；2
’‑
联萘基-4-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaβnαnb)代替发光元件28中的bbaαnβnb-03。除此之外，发光元件32和发光元件28同样地制造。
[0602]
(发光元件33的制造方法)在发光元件33中，使用以上述结构式(120)表示的4-(1；2
’‑
联萘基-5-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaβnαnb-02)代替发光元件27中的bbaαnβnb-03。除此之外，发光元件33和发光元件27同样地制造。
[0603]
(发光元件34的制造方法)在发光元件34中，使用以上述结构式(120)表示的4-(1；2
’‑
联萘基-5-基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaβnαnb-02)代替发光元件28中的bbaαnβnb-03。除此之外，发光元件34和发光元件28同样地制造。
[0604]
发光元件25至发光元件34的元件结构如下表所示。
[0605]
[表19]*7元件26：10nm,*8元件26：15nm
[0606]
在氮气氛的手套箱中，以不使发光元件25至发光元件34暴露于大气的方式使用玻璃衬底对发光元件25至发光元件34进行密封处理(将密封材料涂敷在元件的周围，在密封时进行uv处理并在80℃的温度下进行1小时的热处理)，然后对这些发光元件的初期特性进行测量。测量在室温(保持为25℃的气氛)下进行。
[0607]
下表示出发光元件25至发光元件34的1000cd/m2附近的主要特性。
[0608]
[表20]
[0609]
根据表20可知，发光元件25至发光元件34的1000cd/m2附近的外量子效率非常高，即分别为11％至13％。另外，发光元件25至发光元件34的驱动电压低，由此可知发光效率良好。
[0610]
另外，在电流值为2ma且电流密度为恒定的条件下测量相对于驱动时间的亮度变化。下表示出各元件的相对于初始亮度的100小时之后的亮度的比率(％)。
[0611]
[表21]
[0612]
由此可知，发光元件25至发光元件34在驱动100小时后保持初始亮度的85％以上的亮度，其驱动时间的积累所导致的亮度下降非常小且使用寿命长。符号说明
[0613]
101
ꢀꢀꢀ
阳极102
ꢀꢀꢀ
阴极103
ꢀꢀꢀ
el层111
ꢀꢀꢀ
空穴注入层112
ꢀꢀꢀ
空穴传输层113
ꢀꢀꢀ
发光层114
ꢀꢀꢀ
电子传输层115
ꢀꢀꢀ
电子注入层116
ꢀꢀꢀ
电荷产生层117
ꢀꢀꢀ
p型层118
ꢀꢀꢀ
电子中继层119
ꢀꢀꢀ
电子注入缓冲层400
ꢀꢀꢀ
衬底401
ꢀꢀꢀ
第一电极403
ꢀꢀꢀ
el层
404
ꢀꢀ
第二电极405
ꢀꢀꢀ
密封材料406
ꢀꢀꢀ
密封材料407
ꢀꢀꢀ
密封衬底412
ꢀꢀꢀ
焊盘420
ꢀꢀꢀ
ic芯片501
ꢀꢀꢀ
第一电极502
ꢀꢀꢀ
第二电极503
ꢀꢀꢀ
el层511
ꢀꢀꢀ
第一发光单元512
ꢀꢀꢀ
第二发光单元513
ꢀꢀꢀ
电荷产生层601
ꢀꢀꢀ
驱动电路部(源极线驱动电路)602
ꢀꢀꢀ
像素部603
ꢀꢀꢀ
驱动电路部(栅极线驱动电路)604
ꢀꢀꢀ
密封衬底605
ꢀꢀꢀ
密封材料607
ꢀꢀꢀ
空间608
ꢀꢀꢀ
布线609
ꢀꢀꢀ
fpc(柔性印刷电路)610
ꢀꢀꢀ
元件衬底611
ꢀꢀꢀ
开关用fet612
ꢀꢀꢀ
电流控制用fet613
ꢀꢀꢀ
第一电极614
ꢀꢀꢀ
绝缘膜616
ꢀꢀꢀ
el层617
ꢀꢀꢀ
第二电极618
ꢀꢀꢀ
发光元件623
ꢀꢀꢀ
n沟道型fet624
ꢀꢀꢀ
p沟道型fet730
ꢀꢀꢀ
绝缘膜770
ꢀꢀꢀ
平坦化绝缘膜772
ꢀꢀꢀ
导电膜782
ꢀꢀꢀ
发光元件783
ꢀꢀꢀ
液滴喷射装置784
ꢀꢀꢀ
液滴785
ꢀꢀꢀ
层786
ꢀꢀꢀ
包含发光物质的层788
ꢀꢀꢀ
导电膜
901
ꢀꢀ
框体902
ꢀꢀ
液晶层903
ꢀꢀ
背光单元904
ꢀꢀ
框体905
ꢀꢀ
驱动器ic906
ꢀꢀ
端子951
ꢀꢀ
衬底952
ꢀꢀ
电极953
ꢀꢀ
绝缘层954
ꢀꢀ
隔离层955
ꢀꢀ
el层956
ꢀꢀ
电极1001
ꢀꢀ
衬底1002
ꢀꢀ
基底绝缘膜1003
ꢀꢀ
栅极绝缘膜1006
ꢀꢀ
栅电极1007
ꢀꢀ
栅电极1008
ꢀꢀ
栅电极1020
ꢀꢀ
第一层间绝缘膜1021
ꢀꢀ
第二层间绝缘膜1022
ꢀꢀ
电极1024w
ꢀꢀ
发光元件的第一电极1024r
ꢀꢀ
发光元件的第一电极1024g
ꢀꢀ
发光元件的第一电极1024b
ꢀꢀ
发光元件的第一电极1025
ꢀꢀ
分隔壁1028
ꢀꢀ
el层1029
ꢀꢀ
阴极1031
ꢀꢀ
密封衬底1032
ꢀꢀ
密封材料1033
ꢀꢀ
透明基材1034r
ꢀꢀ
红色着色层1034g
ꢀꢀ
绿色着色层1034b
ꢀꢀ
蓝色着色层1035
ꢀꢀ
黑矩阵1037
ꢀꢀ
第三层间绝缘膜1040
ꢀꢀ
像素部1041
ꢀꢀ
驱动电路部1042
ꢀꢀ
周边部
1400
ꢀꢀ
液滴喷射装置1402
ꢀꢀ
衬底1403
ꢀꢀ
液滴喷射单元1404
ꢀꢀ
成像单元1405 头部1406 虚线1407 控制单元1408
ꢀꢀ
存储媒体1409
ꢀꢀ
图像处理单元1410
ꢀꢀ
计算机1411
ꢀꢀ
标记1412
ꢀꢀ
头部1413
ꢀꢀ
材料供应源1414
ꢀꢀ
材料供应源1415
ꢀꢀ
材料供应源1416
ꢀꢀ
头部2001
ꢀꢀ
框体2002 光源3001
ꢀꢀ
照明装置5000
ꢀꢀ
显示区域5001
ꢀꢀ
显示区域5002
ꢀꢀ
显示区域5003
ꢀꢀ
显示区域5004
ꢀꢀ
显示区域5005
ꢀꢀ
显示区域7101
ꢀꢀ
框体7103
ꢀꢀ
显示部7105
ꢀꢀ
支架7107
ꢀꢀ
显示部7109
ꢀꢀ
操作键7110
ꢀꢀ
遥控操作机7201
ꢀꢀ
主体7202
ꢀꢀ
框体7203
ꢀꢀ
显示部7204
ꢀꢀ
键盘7205
ꢀꢀ
外部连接端口7206
ꢀꢀ
指向装置7210
ꢀꢀ
第二显示部7401
ꢀꢀ
框体
7402
ꢀꢀ
显示部7403
ꢀꢀ
操作按钮7404
ꢀꢀ
外部连接端口7405
ꢀꢀ
扬声器7406
ꢀꢀ
麦克风9033
ꢀꢀ
夹子9034
ꢀꢀ
开关9035
ꢀꢀ
电源开关9036
ꢀꢀ
开关9310
ꢀꢀ
便携式信息终端9311
ꢀꢀ
显示面板9312
ꢀꢀ
显示区域9313
ꢀꢀ
铰链部9315
ꢀꢀ
框体9630
ꢀꢀ
框体9631
ꢀꢀ
显示部9631a
ꢀꢀ
显示部9631b
ꢀꢀ
显示部9632a
ꢀꢀ
触摸面板区域9632b
ꢀꢀ
触摸面板区域9633
ꢀꢀ
太阳能电池9634
ꢀꢀ
充放电控制电路9635
ꢀꢀ
电池9636
ꢀꢀ
dcdc转换器9637
ꢀꢀ
操作键9638
ꢀꢀ
转换器9639
ꢀꢀ
按钮