技术特征：
1.一种含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，其特征在于，其结构通式如式(ⅰ)所示：其中，x1、x2、x3、x4各自独立地为苯基、噻吩基、呋喃基或萘基；r1、r2、r3、r4各自独立地为氢、甲基、甲氧基、乙氧基、三氟甲基、叔丁基、硫甲基、氟中的一种或多种；e为c1-c8烷基、苯基、取代苯基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、噻唑基或萘基。2.根据权利要求1所述的含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，其特征在于，所述x1、x2、x3、x4各自独立地为苯基或萘基；所述r1、r2、r3、r4各自独立地为氢、甲基、甲氧基、乙氧基、三氟甲基、叔丁基、硫甲基、氟中的一种或多种；所述e为c1-c4烷基、苯基、取代苯基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、噻唑基或萘基，所述取代苯基的取代基为卤素、硝基、氰基、羧酸基、磺酸基、c1-c8烷基、c1-c2烷氧基、酯基、氨基、磷酸基或磷酸酯基。3.根据权利要求1或2所述的含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，其特征在于，所述x1和x4相同，所述x2和x3相同，所述r1、r2、r3、r4相同。4.根据权利要求1或2所述的含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，其特征在于，所述x1、x2、x3、x4相同，所述r1、r2、r3、r4相同。5.根据权利要求1所述的含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，其特征在于，所述含三芳香胺取代基的吡咯衍生物选自如下式t1-t19所示化合物中的一种：
6.一种如权利要求1至5任意一项所述的含三芳香胺取代基的吡咯衍生物的制备方法，其特征在于，包括步骤1:溶于第一有机溶剂的溴苯乙炔在第一催化剂的催化作用下发生偶联反应，之后过滤、水洗、干燥后获得第一产物；步骤2：将所述第一产物、第一胺类化合物、pd2(dba)3、2-双环己基膦-2',4',6'-三异丙基联苯、叔丁醇钠溶于第二有机溶剂，并在第一惰性气氛下加热反应，之后经第一分离提纯，获得第二产物；步骤3：将所述第二产物与第二胺类化合物在第二催化剂的催化作用下于第二惰性气氛中加热反应，之后经第二分离提纯，获得所述含三芳香胺取代基的吡咯衍生物。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，反应温度为常温，反应时间为0.1-24h；步骤2中，反应温度为80-120℃，反应时间为0.1-24h；步骤3中，反应温度为100-220℃，反应时间为0.1-24h。8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一产物、第一胺类化合物、pd2(dba)3、2-双环己基膦-2',4',6'-三异丙基联苯、叔丁醇钠五者的摩尔比为1:(1-1.2):(0.05-0.20):(0.10-0.40):(1.1-2.0)。9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第二产物与第二胺类化合物的摩尔比为1：(1-20)。10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一胺类化合物为含有第一基团和第二基团的胺类化合物，所述第一基团为氢、甲基、甲氧基、乙氧基、三氟甲基、叔丁基、硫甲基、氟中的一种或多种，所述第二基团为苯基、噻吩基、呋喃基或萘基。
11.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第二胺类化合物为含c1-c8烷基、苯基、取代苯基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、噻唑基或萘基的伯胺类化合物；所述取代苯基的取代基为卤素、硝基、氰基、羧酸基、磺酸基、c1-c8烷基、c1-c2烷氧基、酯基、氨基、磷酸基或磷酸酯基。12.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一催化剂为氯化铜和四甲基乙二胺以摩尔比1:2-1:10混合的混合物，所述第一催化剂的用量为0.1-20mol％；所述第二催化剂的为氯化铜，所述第二催化剂的用量为0.1-20mol％。13.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一有机溶剂和所述第二有机溶剂均为甲苯、四氢呋喃、n,n-二甲基甲酰胺中的一种或两种以上；所述第一惰性气氛和所述第二惰性气氛均为氮气、氦气或氩气；所述第一分离提纯和所述第二分离提纯均为柱层析分离。14.权利要求1至5任意一项所述的含三芳香胺取代基的吡咯衍生物在光电器件中的应用。15.一种空穴传输材料，其特征在于，包括如权利要求1至5任意一项所述的含三芳香胺取代基的吡咯衍生物。16.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括依次设置的透明导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和背电极，或者在其他不变的条件下将上述电子传输层与空穴传输层位置对调；所述空穴传输层的材质为如权利要求15所述的空穴传输材料。
技术总结
本发明公开了一种含三芳香胺取代基的吡咯衍生物及其制备方法和应用，其中含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，结构通式如式(Ⅰ)所示：其中，X1、X2、X3、X4各自独立地为苯基、噻吩基、呋喃基或萘基；R1、R2、R3、R4各自独立地为氢、甲基、甲氧基、乙氧基、三氟甲基、叔丁基、硫甲基、氟中的一种或多种；E为C1-C8烷基、苯基、取代苯基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、噻唑基或萘基。本发明所述含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，可作为空穴传输材料用于钙钛矿太阳能电池等钙钛矿光电器件，使钙钛矿光电器件更为稳定，且具有良好的光电转化效率。率。率。
技术研发人员：易陈谊 周俊杰 谭理国 刘越 张宇 李明昊 李航 蒋超凡 叶一然
受保护的技术使用者：清华大学
技术研发日：2022.08.23
技术公布日：2022/11/25