1.一种半导体光刻胶专用高分子聚氨酯的生产工艺，其特征在于：按如下方法制备：
2.根据权利要求1所述的一种半导体光刻胶专用高分子聚氨酯的生产工艺，其特征在于：步骤s1中，所述含有三苯胺基团的光敏剂光敏剂按如下方法制备：
3.根据权利要求2所述的一种半导体光刻胶专用高分子聚氨酯的生产工艺，其特征在于：溴素：顺丁烯二酸酐：2,6-二溴苯胺的质量比为(4.7-6.2)：1.5：(32-35)。
4.根据权利要求2所述的一种半导体光刻胶专用高分子聚氨酯的生产工艺，其特征在于：n-(2,6-二溴苯基)-2,3-二溴马来酸酐：碘化钠的质量比为(0.004)：(11.8-15.7)；三苯胺硼酸：n-(2,6-二碘苯基)-2,3-二碘马来酸酐：钯碳：三乙胺的质量比为(2-2.5)：0.4：
5.根据权利要求1所述的一种半导体光刻胶专用高分子聚氨酯的生产工艺，其特征在于：步骤s1中，光敏剂：三氯氧磷的质量比为1：(2.5-3)。
6.根据权利要求1所述的一种半导体光刻胶专用高分子聚氨酯的生产工艺，其特征在于：步骤s2中，单甲醛基光敏剂：2-氨基硫代苯酚的质量比为(1.5-1.8)：(4-6)；所述对甲基苯磺酸钠水溶液浓度为40-50mg/ml；所述加热反应温度为80-85℃，时间为12-16h。
7.根据权利要求1所述的一种半导体光刻胶专用高分子聚氨酯的生产工艺，其特征在于：步骤s3中，羟基苯并噻唑光敏剂：mof的质量比为(2-4)：(5-7)；所述催化剂为二环己基碳二亚胺或1-(3-二甲基氨基丙基)-3-乙基碳二亚胺中任意一种；所述加热反应温度为25-30℃，时间为24-48h；所述mof为uio-66。
8.根据权利要求1所述的一种半导体光刻胶专用高分子聚氨酯的生产工艺，其特征在于：步骤s4中，所述半导体光刻胶专用高分子聚氨酯中各组分占比，按质量份数计，异氰酸酯40-60份，聚醇20-40份，催化剂1-5份，扩链剂5-15份，复合mof5-10份；所述加热反应温度为80-90℃。
9.根据权利要求8所述的一种半导体光刻胶专用高分子聚氨酯的生产工艺，其特征在于：所述异氰酸酯二苯基甲烷二异氰酸酯；所述聚醇为聚丙烯醇；所述催化剂为辛酸亚锡；所述扩链剂为1,4-丁二醇；。
10.根据权利要求1-9任一项所述的一种半导体光刻胶专用高分子聚氨酯的生产工艺制备得到的高分子聚氨酯。