电子传输化合物及使用该化合物的有机电致发光元件的制作方法_3

文档序号:9518230阅读:来源:国知局
化合物A2未表现出可观察的熔点。化合物A2的可见光-紫外光吸收峰波长位于 395纳米及417纳米,在四氢呋喃中其所表现的光致发光光谱的发光波长位于440纳米。
[0091] 化合物A2的核磁共振氢谱显示于图5。
[0092] NMR(CDC13, δ ):8. 45-8. 39 (m, 1H);8. 25 (dd, 1H);7. 83-7. 56 (m, 17H); 7. 51-7. 36 (m, 8H) ;7. 27-7. 24 (m, 1H) ;6. 73 (d, 1H) ;6. 63 (d, 1H)。
[0093] 合成例3 (化合物A5的合成)
[0094] 取14克2, 8-二溴-二苯并[b,d]噻吩、11.0克苯基硼酸、3.8克四(三苯磷)钯 及20克碳酸钾放入110毫升甲苯、20毫升乙醇(20mL)及90毫升水(90毫升)的混合物 中回流反应隔夜。以水淬灭反应,并通过硅藻土管柱去除甲苯层,以旋转蒸发仪蒸发甲苯层 制得6克2,8_二苯基二苯并[13,(1]喔吩(2,8-(11卩]161171-(1让61120[13,(1]1:]1;[0卩]16116)。在氣 气环境下,将6克2, 8-二苯基二苯并[b,d]噻吩溶解于80毫升无水四氢呋喃中,将溶液冷 却至-78°C。将20.0毫升正丁基锂(n-butyllithiuml.6M溶液)滴加入到反应混合物中, 并继续搅拌至温度与室温平衡。将反应混合物再冷却至_60°C,并加入5. 67毫升硼酸三甲 酯,持续搅拌至隔夜使反应进行。以20%盐酸水溶液淬灭反应,并以乙酸乙酯萃取有机层, 萃得的乙酸乙酯层充分水洗后再以无水硫酸钠干燥,蒸干后制得4. 5克2, 8-二苯基二苯并 [b,d]噻吩 _4_ 硼酸(2, 8_diphenyldibenzo[b,d]thiophene-4-boronicacid) 〇
[0095] 将公知方法制备的3. 8克3-溴-7, 12-二苯基苯并[k]荧蒽与3. 5克2, 8-二苯 基二苯并[b,d]噻吩-4-硼酸放入50毫升甲苯中搅伴混合。加入0.5克四(三苯磷)把、 3. 8克碳酸钾及50毫升乙醇水溶液,通氮气回流。以薄层色谱法监控反应进程达6小时。 以水淬灭反应,进一步用水萃取并通过硅胶柱层析后获甲苯层。有机层结合后以旋转蒸发 器真空蒸干制得3. 0g黄色固体产物化合物A5。
[0096] 化合物A5的玻璃转化温度为194°C。化合物A5的可见光-紫外光吸收峰波长位 于397纳米及419纳米,在四氢呋喃中其光致发光光谱的发光波长位于446纳米。
[0097] 化合物A5的核磁共振氢谱显示于图6。
[0098] 4匪R(CDC13,δ ) :8. 46-8. 42(m,2H) ;7· 807. 56(m,20H) ;7· 51-7. 36(m,9H); 7· 29-7. 24(m,1H) ;6. 74(d,1H) ;6. 63(d,1H)。
[0099] 元件实施例1(有机电致发光元件的制备)
[0100] 基底载入蒸镀系统使用前,先以溶剂及紫外线臭氧清洗基底进行脱脂。之后,将基 底传送至真空沉积室,于基底的顶部沉积形成元件的所有层。基底放置于加热的蒸镀舟以 约10 6托的真空度,依序沉积如图2所示的各层:
[0101]a)空穴注入层,厚度30纳米,HAT-CN;
[0102] b)空穴传输层,厚度110纳米,Ν,Ν'-二-1-萘基-N,Ν'-二苯基-4, 4'-二胺基联 苯(Ν,Ν'-di-l-naphthyl-N,Ν'-diphenyl-4, 4'-diaminobiphenyl,ΝΡΒ);
[0103] c)发光层,厚度30纳米,包含掺杂有3体积%BD的BH,(BH和BD为台湾昱镭光 电科技股份有限公司的商品名);
[0104]d)电子传输层,厚度15纳米,包含化合物A1;
[0105]e)电子注入层,厚度1纳米,氟化锂(LiF);以及
[0106] f)阴极,厚度约150纳米,包含化合物A1。
[0107] 元件实施例1的结构可表示为:IT0/HAT-CN(30纳米)/NPB(110纳米)/BH-3% BD (30纳米)/化合物A1 (15纳米)/LiF (1纳米)/化合物A1 (150纳米)。
[0108]
[0109] 于沉积形成上述各层后,该装置自沉积室传送至干燥箱中,随即以UV固化的环氧 树脂及含有吸湿剂的玻璃盖板进行封装。该有机电致发光元件具有3平方毫米的发光区 域。于连接外部电源后,该有机电致发光元件以在直流电压下运作,其所发光的性质如后列 表2所示。
[0110] 所有已制成的有机电致发光元件的发光性质均使用定电流(KEITHLEY2400SourCe Meter,madebyKeithleyInstruments,Inc.,Cleveland,Ohio)及光度计(PHOTORESEARCH SpectraScanPR650,madebyPhotoResearch,Inc.,Chatsworth,Calif.)于室温下进行测 量。
[0111] 元件的使用寿命(或称稳定性)依据发光层光色于室温及不同初始发光度使用定 电流来进行测试。光色使用国际照明委员会所定CIE坐标来表示。
[0112] 元件实施例2 (有机电致发光元件的制备)
[0113] 除将元件实施例1中电子传输层的化合物A1以1:1的比例掺杂η型掺杂剂的喹 啉锂(Lithiumquinloate)外,元件实施例2的制造方法近似于元件实施例1。元件实施例 2的结构可表示为:IT0/HAT-CN(30纳米)/NPB(110纳米)/BH-3 %BD(30纳米)/掺杂Liq 的化合物A1 (15纳米)/LiF(1纳米)/化合物A1 (150纳米)。
[0114] 比较例1 (有机电致发光元件的制备)
[0115] 除将元件实施例1中电子传输层的化合物A1置换为六43外,比较例1的制造方法 近似于元件实施例1。比较例1的结构可表示为:IT0/HAT-CN(30纳米)/NPB(110纳米)/ BH-3 %BD(30 纳米)/Alq3 (15 纳米)/LiF(1 纳米)/ 化合物A1 (150 纳米)。
[0116] 元件实施例制成的有机电致发光元件的发光光谱、最大发光效率、驱动电压及功 率效率系纪录于表1。元件实施例1-2的发光光谱如图7所示,该等有机电致发光元件的亮 度及电压对照图如图8所示。
[0117]表 1
[0118]
[0119] (产业利用性)
[0120] 如上所述,包含有本发明的化合物的有机电致发光元件完全可实现高发光效率、 热稳定性、极低驱动电压及长使用寿命的特性。是以,本发明的有机电致发光元件适用于平 面显示器、行动通信装置的显示器、利用其为面发光体的特性作为光源、记号板,并具有极 高的技术价值。
[0121] 虽然本发明已透过特定具体实施例揭露和说明,但本发明适用于各种其它具体实 施例对本领域技术人员为显而易见。因此,本发明的保护范围当视本案的权利要求书所界 定者为准。
【主权项】
1. 一种由式I表示的化合物:其中,X及Y独立地表示具有5至10个碳原子的芳香烃或杂芳香烃;以及 ΑΓι至Ar7各自独立地表示具有4至12个碳原子的未取代或经取代芳香烃、或具有4至 12个碳原子的未取代或经取代的缩合多环芳香烃,或ΑΓι至Ar7视需要与相邻的芳香烃形 成环化或稠合芳香环系统。2. 如权利要求1所述的化合物,是选自式II至XIII所组成组的化合物:其特征在于,X及Y独立地表示具有5至10个碳原子的芳香烃或杂芳香烃,以及Ri至 R/独立地选自氧、氣、烷基、烷氧基、氨<基、甲??圭烷基、氛基、芳基及杂芳基所组成的组。3. 如权利要求1或2所述的化合物,其特征在于,X及Υ选自苯基、2-甲苯基、3-甲苯 基、4-甲苯基、4-吡啶基、1-萘基及2-萘基所组成的组。4. 一种有机电致发光元件的制造方法,包括在具有阳极的基底上形成至少一层有机 层,其中,该有机层包含如权利要求1所述的由式I表示的化合物;以及在该至少一层有机 层上形成阴极。5. 如权利要求4所述的方法,其特征在于,该由式I表示的化合物是以真空沉积法或旋 转涂布法制成的非晶性薄膜。6. -种有机电致发光元件,是利用如权利要求2所述的选自式II至XIII所组成组的 结构所示化合物。7. 如权利要求6所述的有机电致发光元件,其特征在于,该化合物用于以单一材料或 组合η型掺杂材料来作为电子传输层或电子注入层。8. 如权利要求6所述的有机电致发光元件,其特征在于,该化合物用作发光层、空穴阻 挡层或电子阻挡层其中一层的材料。9. 如权利要求6所述的有机电致发光元件,其特征在于,该化合物用作发光层中的材 料,且与荧光或磷光发光体并用。10. 如权利要求6所述的有机电致发光兀件,是突光有机电致发光兀件或磷光有机电 致发光元件。
【专利摘要】本发明公开一种新型式I化合物及使用式I化合物的有机电致发光元件。式I中,X及Y独立地表示具有5至10个碳原子的芳香烃或杂芳香烃;以及Ar1至Ar7各自独立地表示具有4至12个碳原子的未取代或经取代的芳香烃、或具有4至12个碳原子的未取代或经取代的缩合多环芳香烃,或Ar1至Ar7视需要与相邻的芳香烃形成环化或稠合芳香环系统。当使用式I化合物于该元件,可实现高发光效率、长使用寿命及低驱动电压。
【IPC分类】C09K11/06, H01L51/56, H01L51/50, H01L51/54, C07D333/76, C07D333/74, C07D333/50
【公开号】CN105272961
【申请号】CN201410249618
【发明人】班如曼, 黄贺隆, 徐伯伟, 江昆峯
【申请人】昱镭光电科技股份有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2014年6月6日
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