具有低结晶度的可熔融加工的乙烯基氟化物共聚体的制作方法
【专利说明】具有低结晶度的可膝融加工的乙烯基氣化物共聚体 【背景技术】 技术领域
[0001] 本公开为氣化聚合物及其制备的领域，所述氣化聚合物包含具有低结晶度的可烙 融加工的乙締基氣化物共聚体。
[0002] 巧关领域的描沐
[0003] 聚乙締基氣化物（PVF)已被制备多年，并且已发现许多用途，如多种基底上的膜 或涂层。例如，已将PVF渗入光伏组件的背板中，其中它提供优异的耐候性、机械性、电特性 和阻隔性。PVF中的氣原子是获得运些特性的主要原因，并且可通过渗入具有较高氣含量 的单体，实现运些特性的进一步增强。提高聚合物氣含量的一种途径是制备其中四氣乙締 灯阳）替代部分乙締基氣化物（V巧的共聚物。此类二聚物已在Coffman和化rd的美国专利 2,419,009(1947);Sianesi和Caporiccio的J.化lymerSci.部分A-l，6,（1968)335,和美 国专利3, 513, 116 (1970)中描述。另一种途径报导于Stilmar的美国专利3, 531，441 (1970) 中，其描述了由VF、TFE和亚乙締基单体构成的Ξ元共聚物和四元共聚物在非水介质中的 制备，所述亚乙締基单体不具有与亚乙締基基团连接的芳族基团，也不具有与之连接的面 素基团。近来，具有低结晶度的乙締基氣化物共聚物和乙締基氣化物共聚体已被描述于 Uschold的美国专利 6, 242, 547 (2001)、6, 271，303 (2001)、和 6, 403, 740 (2002)中。Uschold 在US6, 242, 547中提出由VF和至少两种高度氣化单体构成的共聚体，其中高度氣化的单 体中的至少一种将具有至少一个碳原子的侧链引入所述聚合物中。此类共聚体由于结晶度 降低而易于溶解在一些有机溶剂中。由该共聚体获得的膜具有低表面张力。
[0004] 然而，在先前制得的VF共聚物中，由于VF共聚物中氣含量增加，所得树脂往往具 有较低的分子间力（分子间内聚能）和较低的临界表面张力，导致对基底的粘附力下降。此 夕F，为了改善可加工性，需要降低VF共聚物的结晶度或分子量。此外，具有高VF含量的聚 合物由于PVF的热分解在其约200°C烙点下发生，因此W前不由烙体加工（例如模制）。
【发明内容】
阳〇化]在第一方面，可烙融加工的共聚体基本上由衍生自乙締基氣化物和至少两种高度 氣化的单体的单元组成，高度氣化的单体中的至少一种将具有至少一个碳原子的侧链引入 所述聚合物中。所述共聚体在280°c的溫度下具有约2至约250克每10分钟范围内的烙体 流动速率。
[0006] 在第二方面，用于制备可烙融加工的共聚体的乳液聚合方法包括在约60至约 100°C范围内的溫度和约1至约12MPa范围内的压力下，使乙締基氣化物和至少两种高度氣 化的单体在具有水溶性自由基引发剂的水中聚合。W制备在28(TC的溫度下具有约2至约 250克每10分钟范围内的烙体流动速率的共聚体的量，使用乙締基氣化物和至少两种高度 氣化的单体。聚合在高压蓋中实施。
[0007] W上综述和下列【具体实施方式】仅是示例性和说明性的而不是对本发明进行限制， 本发明如所附权利要求中所限定。 【具体实施方式】
[0008] 定女
[0009] 在本文中使用下列定义来进一步定义和描述本公开。
[0010] 如本文所用，术语"包含"、"包括"、"含有"、"涵盖"、"具有"、"带有"或它们的任何 其它变型均旨在涵盖非排它性的包括。例如，包括要素列表的工艺、方法、制品或设备不必 仅限于那些要素，而是可W包括未明确列出的或该工艺、方法、制品或设备所固有的其它要 素。此外，除非明确指明相反，"或"是指包含性的"或"而非排他性的"或"。例如，条件A或 B满足下列中的任一项：A为真实的（或存在的）且B为虚假的（或不存在的），A为虚假的 (或不存在的）且B为真实的（或存在的），W及A和B均为真实的（或存在的）。 W11] 如本文所用，术语"一个（种）"包括"至少一个（种）"和"一个或多于一个（一 种或多于一种）"的概念。
[0012] 除非另外指明，否则所有百分数、份数、比率等均按重量计。
[0013] 当使用术语"约"描述数值或范围的端点时，本公开应被理解为包括所指具体值或 端点。
[0014] 在本专利申请中，术语"片材"、"层"和"膜"在它们的广义上可互换使用。"背板" 是光伏组件背离光源的一侧上的片材、层或膜，并且一般来讲是不透明的。"前板"是光伏组 件面向光源的一侧上的片材、层或膜，并且一般来讲是透明的。
[0015] 在第一方面，可烙融加工的共聚体基本上由衍生自乙締基氣化物和至少两种高度 氣化的单体的单元组成，所述高度氣化的单体中的至少一种将具有至少一个碳原子的侧链 引入所述聚合物中。所述共聚体在280°c的溫度下具有约2至约250克每10分钟范围内的 烙体流动速率。
[0016] 在第一方面的一个实施例中，共聚体基本上由衍生自约20至约60摩尔％的乙締 基氣化物和约10至约60摩尔％的至少一种C2締控W及约1至约20摩尔％的高度氣化的 单体的单元组成，所述C2締控选自偏二氣乙締、四氣乙締、Ξ氣乙締、和氯Ξ氣乙締，所述高 度氣化的单体将具有至少一个碳原子的侧链引入聚合物中。在更具体的实施例中，将具有 至少一个碳原子的侧链引入聚合物中的高度氣化的单体选自高度氣化的乙締基酸、具有3 至10个碳原子的全氣締控、全氣Ci-Cs烷基乙締、和氣化的二氧杂环戊締。
[0017] 在第一方面的另一个实施例中，可烙融加工的共聚体基本上由乙締基氣化物、四 氣乙締、和具有3至10个碳原子的全氣締控组成。在更具体的实施例中，所述全氣締控为 六氣丙締。
[0018] 在第一方面的另一个实施例中，可烙融加工的共聚体基本上由乙締基氣化物、四 氣乙締和全氣Ci-Cs烷基乙締组成。在更具体的实施例中，所述全氣Ci-Cs烷基乙締为全氣 下基乙締。
[0019] 在第一方面的另一个实施例中，可烙融加工的共聚体基本上由乙締基氣化物、四 氣乙締、和全氣（烷基乙締基酸）组成。全氣（烷基乙締基酸）具有含有1至8个碳原子 的烷基基团。在更具体的实施例中，所述全氣（烷基乙締基酸）为全氣（乙基乙締基酸）。
[0020] 在第一方面的另一个实施例中，可烙融加工的共聚体包括共聚体与约60至约99 重量％的聚乙締基氣化物的共混物。
[0021] 在第一方面的另一个实施例中，可烙融加工的共聚体是基本上无规共聚体。
[0022] 在第一方面的另一个实施例中，可烙融加工的共聚体还包含离子末端基团。
[0023] 在第二方面，用于制备可烙融加工的共聚体的乳液聚合方法包括在约60至约 100°C范围内的溫度和约1至约12MPa范围内的压力下，使乙締基氣化物和至少两种高度氣 化的单体在具有水溶性自由基引发剂的水中聚合。W制备在28(TC的溫度下具有约2至约 250克每10分钟范围内的烙体流动速率的共聚体的量，使用乙締基氣化物和至少两种高度 氣化的单体。所述聚合在高压蓋中实施。
[0024] 在第二方面的一个实施例中，所述高压蓋为邸式高压蓋。
[0025] 在第二方面的另一个实施例中，所述聚合还包括链转移剂。在更具体的实施例中， 所述链转移剂为低分子量的脂族控或低级醇。在另一个更具体的实施例中，所述低分子量 脂族控选自乙烧、丙烷、下烧和异下烧。在另一个更具体的实施例中，所述低级醇选自甲醇、 乙醇、丙醇和异丙醇。 阳0%] 在第二方面的另一个实施例中，乳液聚合的溫度在约80至约100°C范围内。
[0027] 在第二方面的另一个实施例中，所述压力在约2. 1至约8. 3MPa，或约2. 8至约 4.IMPa范围内。
[0028] 在第Ξ方面，耐腐蚀性涂层包含可烙融加工的共聚体。可烙融加工的共聚体基本 上由衍生自乙締基氣化物和至少两种高度氣化的单体的单元组成，高度氣化的单体中的至 少一种将具有至少一个碳原子的侧链引入所述聚合物中。所述共聚体在280°C的溫度下具 有约2至约250克每10分钟范围内的烙体流动速率。
[0029] 在第四方面，可干燥喷雾的粉末包含可烙融加工的共聚体。可烙融加工的共聚体 基本上由衍生自乙締基氣化物和至少两种高种氣化的单体的单元组成，高度氣化的单体中 的至少一种将具有至少一个碳原子的侧链引入所述聚合物中。所述共聚体在280°C的溫度 下具有约2至约250克每10分钟范围内的烙体流动速率。
[0030] 许多方面和实施例已描述于上文中，并