族胺衍生物的有机EL元件不仅能够 进行低电压驱动，发光效率也高、寿命长。
[0070] 有机薄膜层、优选空穴注入层或空穴传输层中含有的本发明的芳香族胺衍生物的 量相对于该有机薄膜层的全部成分，优选为30~100摩尔％，更优选为50~100摩尔％，进一步 优选为80~100摩尔％，特别优选实质上为100摩尔％。
[0071] 以下，作为优选的方式，针对空穴传输层中含有本发明的前述芳香族胺衍生物的 构成的有机EL元件的各层进行说明。
[0072] 基板 有机EL元件通常在透光性基板上制作。该透光性基板是用于支撑有机EL元件的基板， 波长400~700nm的可见区域的光的透射率优选为50%以上，进一步优选使用平滑的基板。
[0073] 作为这样的透光性基板，可列举出例如玻璃板、合成树脂板等。作为玻璃板，可列 举出钠钙玻璃、含钡?锶的玻璃、铅玻璃、硅酸铝玻璃、硼硅酸玻璃、硼硅钡玻璃、石英等所成 形的板。另外，作为合成树脂板，可列举出聚碳酸酯树脂、丙烯酸类树脂、聚对苯二甲酸乙二 醇酯树脂、聚醚硫化物树脂、聚砜树脂等的板。
[0074] 阳极 阳极起到将空穴注入至空穴传输层或发光层的作用，具有4eV以上(优选为4. 5eV以 上）的功函数是有效的。作为阳极材料的具体例，可列举出碳、铝、钒、铁、钴、镍、钨、银、金、 铂、钯等以及它们的合金、ΙΤ0基板、NESA基板中使用的氧化锡、氧化铟等金属氧化物、聚噻 吩或聚吡咯等有机导电性树脂。
[0075] 阳极通过将这些阳极材料用蒸镀法、溅射法等方法形成薄膜来获得。
[0076] 将发光层发出的光从阳极取出时，相对于阳极发光的透射率优选大于10%。另外， 阳极的片状电阻优选为数百Ω/□以下。阳极的膜厚还因材料而异，通常为l〇nm~lym、优 选为 10nm~200nm。
[0077] 阴极 作为阴极，可以使用将功函数小的（不足4eV)金属、合金、导电性化合物以及它们的混 合物作为电极物质的阴极。作为这样的电极物质的具体例，可以使用镁、钙、锡、铅、钛、钇、 锂、舒、猛、错、氟化锂等以及它们的合金，对它们没有特别限定。作为该合金，作为代表例可 列举出镁/银、镁/铟、锂/铝等，对它们没有特别限定。合金的比率通过蒸镀源的温度、气 氛、真空度等来控制，选择适当的比率。阳极和阴极根据需要也可以通过两层以上的层构成 来形成。
[0078] 该阴极可以通过将这些电极物质用蒸镀、溅射等方法形成薄膜来获得。
[0079] 此处，将发光层发出的光从阴极取出时，相对于阴极发光的透射率优选大于10%。 另外，作为阴极的片状电阻优选为数百Ω/□以下，进而，阴极的膜厚通常为l〇nm~lμm、优 选为 50nm~200nm。
[0080] 绝缘层 有机EL元件由于对超薄膜施加电场，因此容易因泄露、短路而产生像素缺损。为了防 止该情况，也可以在一对电极之间插入包含绝缘性薄膜层的绝缘层。
[0081] 作为绝缘层中使用的材料，可列举出例如氧化铝、氟化锂、氧化锂、氟化铯、氧化 铯、氧化镁、氟化镁、氧化妈、氟化妈、氮化铝、氧化钛、氧化娃、氧化锗、氮化娃、氮化硼、氧化 钼、氧化钌、氧化钒等。需要说明的是，可以使用它们的混合物、层叠物。
[0082] 发光层 有机EL元件的发光层兼具下述（1)~ (3)的功能。
[0083] (1)注入功能：在施加电场时能够由阳极或空穴注入层注入空穴、能够由阴极或电 子注入层注入电子的功能。
[0084] (2)传输功能：利用电场的力使所注入的电荷（电子和空穴）移动的功能。
[0085] (3)发光功能：提供电子与空穴再键合的场所，使其从而发光的功能。
[0086] 空穴向发光层中的注入容易度与电子的注入容易度可以不同，另外，用空穴迀移 率和电子迀移率表不的发光层的空穴传输能力和电子传输能力可以不同，优选使其中一者 的电荷进行迀移。
[0087] 发光层中能够使用的主体材料或掺杂物材料没有特别限定。选自例如萘、菲、红 荧烯、蒽、并四苯、芘、茈、窟、十环烯、晕苯、四苯基环戊二烯、五苯基环戊二烯、芴、螺芴、 9, 10-二苯基蒽、9, 10-双(苯基乙炔基）蒽、1，4-双（9'_乙炔基蒽基）苯等缩合缩聚芳 香族化合物以及它们的衍生物、三（8-喹啉基）铝、双-(2-甲基-8-喹啉基）-4-(苯基 phenolinato)错（bis(2-methyl_8-quinolinolato)-4-(phenylphenolinato)aluminum) 等有机金属络合物、芳基胺衍生物、苯乙烯胺衍生物、芪衍生物、香豆素衍生物、吡喃衍生 物、噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、吡嗪衍生物、肉桂酸 酯衍生物、二酮吡咯并吡咯衍生物、叮啶酮衍生物、喹吖啶酮衍生物等。这些之中，优选为芳 基胺衍生物、苯乙烯胺衍生，更优选为苯乙烯胺衍生。
[0088] 空穴注入层/空穴传输层 空穴注入层/空穴传输层是有助于向发光层中注入空穴、将空穴传输至发光区域的 层，空穴迀移率大、电离能通常小至5. 7eV以下。作为这种空穴注入层/空穴传输层，优选 为以更低的电场强度将空穴传输至发光层的材料，进一步优选的是，空穴迀移率例如在施 加10 4~106V/cm的电场时为10 4cm2/V·秒以上。
[0089] 如上所述，本发明的芳香族胺衍生物优选用作空穴注入层材料、尤其是空穴传输 层材料。空穴传输层可以用本发明的芳香族胺衍生物单独形成，也可以用其与其它材料的 混合物形成。作为与本发明的芳香族胺衍生物混合来形成空穴传输层的其它材料，只要是 具有前述优选性质的材料就没有特别限定，可以从一直以来在光传导材料中作为空穴传输 材料而惯用的材料、有机EL元件的空穴传输层所使用的公知材料之中选择任意材料并使 用。本发明中，将具有空穴传输能力、能够用于空穴传输频带的材料称为空穴传输材料。
[0090] 作为除了本发明的芳香族胺衍生物之外的空穴传输层用的其它材料的具体例，可 列举出酞菁衍生物、萘菁衍生物、扑啉衍生物、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、咪唑酮、咪唑硫酮、 吡唑啉、吡唑啉酮、四氢咪唑、噁唑、噁二唑、腙、酰腙、聚芳基烷烃、芪、丁二烯、联苯胺型三 苯胺、苯乙烯胺型三苯胺、二胺型三苯胺等、前述化合物的衍生物、以及聚乙烯基咔唑、聚硅 烷、导电性高分子等高分子材料，对它们没有特别限定。
[0091] 作为空穴注入层用的材料，只要具有前述优选的性质就没有特别限定，可以从一 直以来在光传导材料中作为空穴注入材料而惯用的材料、有机EL元件的空穴传输层所使 用的公知材料之中选择任意材料并使用。本发明中，将具有空穴注入能力、能够用于空穴注 入频带的材料称为空穴注入材料。通过向空穴注入材料中添加受电子物质，也能够使其增 敏。
[0092] 本发明的有机EL元件中，作为空穴注入材料，优选使用下述式(A)所示的六氮杂 三苯化合物。
[0093] [化学式 36]
上述式（A)中，Rm~R116分别独立地表示氰基、-C0NH2、羧基或-C00R117 (Rm为碳原子数 1~20的烷基。），或者，R111与R112、R113与R114、或R115与R116成为一体地表示-C0-0-C0-所示 的基团。
[0094] 需要说明的是，Rm~R116优选相同并表示氰基、_C0NH2、羧基或-C00R117。另外，R111 和R112、R113和R114、和R115和R116优选全部成为一体地表示-C0-0-C0-所示的基团。
[0095] 作为本发明的有机EL元件中能够使用的其它空穴注入材料，可列举出例如芳香 族叔胺衍生物和酞菁衍生物。
[0096] 作为芳香族叔胺衍生物，例如为三苯胺、三甲苯胺、甲苯基二苯基胺、Ν，Ν' -二苯 基-Ν，Ν'- (3-甲基苯基)-1，Γ-联苯基-4, 4'-二胺、Ν，Ν，Ν'，Ν'- (4-甲基苯基)-1，Γ-苯 基-4, 4'-二胺、Ν，Ν，Ν'，Ν' - (4-甲基苯基）-1，Γ-联苯基-4, 4'-二胺、Ν，Ν'-二苯 基-Ν，Ν'-二萘基-1，Γ-联苯基-4, 4'-二胺、Ν，Ν'-(甲基苯基）-Ν，Ν'-(4-正丁基苯 基）-菲-9, 10-二胺、Ν，Ν-双（4-二-4-甲苯基氨基苯基）-4-苯基-环己烷等、或者具有 源自这些芳香族叔胺的结构单元的低聚物或聚合物，对它们没有特别限定。
[0097] 作为酞菁（Pc)衍生物，例如为H2Pc、CuPc、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、 ClAlPc、CIGaPc、CllnPc、CISnPc、Cl2SiPc、（HO)AlPc、（HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、 GaPc-〇-GaPc等酞菁衍生物和萘菁衍生物，对它们没有限定。另外，本发明的有机EL元件优 选在发光层与阳极之间具备含有这些芳香族叔胺衍生物和/或酞菁衍生物的层、例如前述 空穴传输层或空穴注入层。
[0098] 通过向空穴注入材料中添加受电子物质，也能够增敏。
[0099] 电子注入层/电子传输层 电子注入层/电子传输层是有助于向发光层中注入电子、将电子传输至发光区域的 层，电子迀移率大。附着改善层是包含与阴极的附着特别良好的材料的电子注入层。
[0100] 已知的是，所发出的光会因电极(此时为阴极）而反射，因此直接从阳极取出的发 光会与利用电极经由反射而从阳极取出的发光进行干涉。为了有效地利用该干渉效果，因 此电子传输层适当选择数nm~数μm的膜厚，但膜厚特别厚时，为了避免电压上升，优选的 是，在施加l〇4~l〇6V/cm的电场时，电子迀移率至少为10 5cm2/Vs以上。
[0101] 作为电子注入层中使用的材料，具体而言，可列举出芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻 喃二氧化物、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、茈四甲酸、亚芴基甲烷、蒽醌二甲烷、蒽酮等以及它 们的衍生物，对它们没有特别限定。另外，通过向电子注入材料添加供电子性物质，也可以 增敏。
[0102] 其它效果的电子注入材料为金属络合物化合物和含氮五元环衍生物。
[0103] 作为前述金属络合物化合物，可列举出例如8-羟基喹啉锂、三（8-羟基喹啉）铝、 双（2-甲基-8-喹啉基）（1-萘酚）铝等，对它们没有特别限定。
[0104] 作为前述含氮五元衍生物，例如优选为噁唑、噻唑、噁二唑、噻二唑、三唑衍生物。
[0105] 尤其是，本发明中，作为前述含氮五元衍生物，优选为下述式（1)~ (3)中任一项所 示的苯并咪唑衍生物。
[0106] [化学式 37]
上述式（1) ~ (3 )中，Z1、Z2和Z3分别独立地为氮原子或碳原子。
[0107] R11和R12分别独立地为取代或未取代的环碳原子数6~60的芳基、取代或未取代的 环碳原子数3~60的杂芳基、碳原子数1~20的烷基、碳原子数1~20的卤代烷基或碳原子数 1~20的烷氧基。
[0108] m为0~5的整数，m为2以上的整数时，多个R11可以彼此相同也可