CMP用研磨液和研磨方法与流程

技术特征：

1.一种CMP用研磨液，用于对绝缘材料进行研磨，所述CMP用研磨液含有满足下述条件(A)和(B)的氧化铈粒子、下述通式(1)所表示的4-吡喃酮系化合物、以及水，

条件(A)：所述氧化铈粒子的平均粒径R为大于或等于50nm且小于或等于300nm，

条件(B)：由使所述氧化铈粒子为具有所述平均粒径R的圆球状粒子时该圆球状粒子的比表面积S1和通过BET法测定的所述氧化铈粒子的比表面积S2给出的圆球度S2/S1为小于或等于3.15，

[化1]

式中，X¹¹、X¹²和X¹³各自独立地为氢原子或1价的取代基。

2.一种CMP用研磨液，用于对绝缘材料进行研磨，所述CMP用研磨液含有满足下述条件(A)和(B)的氧化铈粒子、下述通式(1)所表示的4-吡喃酮系化合物、具有芳香环和聚氧化烯链的高分子化合物、阳离子性聚合物、以及水，

条件(A)：所述氧化铈粒子的平均粒径R为大于或等于50nm且小于或等于300nm，

条件(B)：由使所述氧化铈粒子为具有所述平均粒径R的圆球状粒子时该圆球状粒子的比表面积S1和通过BET法测定的所述氧化铈粒子的比表面积S2给出的圆球度S2/S1为小于或等于3.15，

[化2]

式中，X¹¹、X¹²和X¹³各自独立地为氢原子或1价的取代基。

3.根据权利要求1或2所述的CMP用研磨液，pH小于8.0。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的CMP用研磨液，CMP用研磨液中的所述氧化铈粒子的界达电位为正。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的CMP用研磨液，所述4-吡喃酮系化合物为选自由3-羟基-2-甲基-4-吡喃酮、5-羟基-2-(羟甲基)-4-吡喃酮和2-乙基-3-羟基-4-吡喃酮组成的组中的至少一种。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的CMP用研磨液，其进一步含有碳原子数2～6的饱和单羧酸。

7.根据权利要求6所述的CMP用研磨液，所述饱和单羧酸为选自由乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸、戊酸、异戊酸、新戊酸、2-甲基丁酸、己酸、2-甲基戊酸、4-甲基戊酸、2,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、2,2-二甲基丁酸和3,3-二甲基丁酸组成的组中的至少一种。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的CMP用研磨液，其进一步含有pH调节剂。

9.一种研磨方法，其为对表面具有绝缘材料的基板进行研磨的研磨方法，所述研磨方法具备使用权利要求1～8中任一项所述的CMP用研磨液对所述绝缘材料进行研磨的工序。

10.根据权利要求9所述的研磨方法，所述基板的所述表面具有T字形状或格子形状的凹部或凸部。

11.根据权利要求9或10所述的研磨方法，所述基板为具有存储单元的半导体基板。