本发明涉及荧光发光领域，特别是涉及一种发光陶瓷。
背景技术：
目前荧光粉的封装方式主要为有机硅胶封装和无机玻璃封装两种，这两种封装方式的热导率均较低，且抗热破坏温度不高。硅胶的耐受温度一般在200℃以下，玻璃的耐受温度一般在600℃以下，不能满足一些极端激光照射下的应用。
纯相的荧光陶瓷虽然导热性好、耐高温，然而现存的荧光陶瓷普遍关注陶瓷的通透性，其光透过率高、发光效率低，在大功率激光的照射下，更多的光未被激发的透过了荧光陶瓷，而非激发产生受激荧光。
因此，一种导热性能优良、能够发射大功率受激荧光的波长转换结构亟待开发。
技术实现要素：
针对上述现有技术的导热性能差、发光效率低的缺陷，本发明提供一种导热性能优异、发光效率高的发光陶瓷，包括基质、发光中心和气孔，基质为石榴石结构的立方晶系的透明陶瓷，发光中心分布于基质内，发光中心为石榴石结构的荧光粉，气孔分布于基质内，气孔的尺寸为0.8～2μm，气孔占发光陶瓷的体积分数为1～10％。
优选地，基质包括硅酸盐、铝酸盐或硅铝酸盐的石榴石结构材料。
优选地，基质为ca3(alnsc1-n)2si3o12、y3mg2alsi2o12或(gdxtbyyzlu1-x-y-z)3(almga1-m)5o12，其中0≤n≤0.1，0≤x≤0.1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤m≤0.2。
优选地，基质不掺杂任何镧系元素和过渡金属元素。
优选地，荧光粉包括以镧系元素为发光中心的氧化物石榴石。
优选地，荧光粉包括ca3(alnsc1-n)2si3o12:ce3+、y3mg2alsi2o12:ce3+或(gdxtbyyzlu1-x-y-z)3(almga1-m)5o12:ce3+，其中0≤n≤0.1，0≤x≤0.1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤m≤0.2。
优选地，荧光粉的晶粒尺寸为5～30μm，透明陶瓷的晶粒尺寸为1～3μm。
优选地，荧光粉占发光陶瓷的体积分数为5～70％。
优选地，透明陶瓷与荧光粉为相同材料。
优选地，透明陶瓷为y3al5o12，荧光粉为y3al5o12:ce3+。
优选地，透明陶瓷为y3al5o12，荧光粉为lu3al5o12:ce3+。
与现有技术相比，本发明包括如下有益效果：
1、本发明的发光陶瓷包括同为石榴石结构的透明陶瓷和荧光粉，两者的硬度相同，易于进行抛光镀膜等工序，使得发光陶瓷具有良好的可加工性；
2、本发明的发光陶瓷中，透明陶瓷为光学上各向同性的立方晶系，使得光在透明陶瓷中具有很高的直线透过率，同时透明陶瓷和荧光粉同属于石榴石结构，两者的界面易发生散射，使得光能够顺利的透过透明陶瓷照射荧光粉，减少了光在透明陶瓷内部传播过程中及光由透明陶瓷进入荧光粉过程中的光损失；
3、本发明的发光陶瓷中包含尺寸为0.8～2μm的气孔，且气孔占发光陶瓷的体积分数为1～10％，保证了上述发光陶瓷内部的光损失较小、透过性好的情况下，能够加强光的散射，减少入射光直接透射的比例，使得光能够充分激发荧光粉发光，从而提高了发光陶瓷的发光效率。
附图说明
图1为本发明实施例的发光陶瓷的结构示意图。
具体实施方式
本发明发光陶瓷的发明构思主要从材料角度出发，充分考虑作为发光陶瓷两个主要组成部分的基质和发光中心的材料、结构的协同作用，并对两者结合而产生的新问题给出解决方案。
首先要说明的是，本发明的发光陶瓷有别于荧光陶瓷，荧光陶瓷是以单晶或多晶的陶瓷晶体作为主体，通过掺杂镧系元素，使得镧系元素替换陶瓷晶体的元素形成发光中心，从而实现吸收激发光发出受激光的波长转换的发光功能；而本发明的发光陶瓷以陶瓷晶体作为主体，以荧光粉颗粒作为发光中心(当然，荧光粉发光也是以荧光粉内部的镧系元素作为荧光粉的发光中心)，与荧光陶瓷相比，发光陶瓷的发光中心不同，发光陶瓷至少包括陶瓷和荧光粉两个部分，其结构更为复杂。
其次，本发明的发光陶瓷不同于荧光玻璃，在荧光玻璃中，基质为玻璃，属于非晶体，其与作为晶体的陶瓷的形成过程不同，是直接以玻璃粉原料软化再固化形成的。而陶瓷是以各种氧化物原料经过反应结晶形成的新的晶体物质，该反应需要更为苛刻的温度、压力等条件，因此从荧光玻璃到荧光陶瓷不是简单的材料替换，两者的形成过程有本质的区别。该过程的区别使得陶瓷与荧光粉的结合相较于玻璃与荧光粉的结合更为紧密，而荧光玻璃的孔隙更多的出现在荧光粉与玻璃之间的界面。
本发明的发明点，特意指出了在本发明的发光陶瓷中，气孔存在的必要性及气孔在尺寸和体积分数上的特殊性。这是基于本发明的发光陶瓷的“透明陶瓷”和“荧光粉”在结构上存在相似关系，这种性质导致如果没有气孔将产生问题——过多的光经发光陶瓷直接透射，荧光粉不能够被充分利用。如果没有透明陶瓷与荧光粉的结构相似作为先决条件，将不能产生该问题，也不能产生为解决该问题而设计的技术方案。
下面结合附图和实施方式对本发明实施例进行详细说明。
请参见图1，图1是本发明实施例的发光陶瓷的结构示意图，发光陶瓷100包括发光中心101、基质102和气孔103。
其中，基质102为石榴石结构的立方晶系的透明陶瓷，发光中心101为石榴石结构的荧光粉，气孔103的尺寸为0.8～2μm，气孔占发光陶瓷的体积分数为1～10％。气孔尺寸在该范围内时，对可见光的散射效果较佳。气孔的体积比既考虑了气孔过多时的发光陶瓷透光性问题，又考虑到了气孔过少时的发光陶瓷透光率过大的问题。
本发明所述的气孔尺寸，在气孔为球形时，指气孔的直径；当气孔为非球形时，气孔尺寸为该气孔的最小外接球的直径。
本实施例中，发光中心101和基质102同为石榴石结构(本发明所述的石榴石指代氧化物石榴石，化学式为a3b2(xo4)3，其中a、b、x指代阳离子，o指代氧阴离子)，优化了发光陶瓷的发光性能和机械性能。首先，两者结构相同，使得发光中心101与基质102直接接触的界面洁净，避免了孔隙的产生，从而避免了光在由基质102进入发光中心101的过程中被反射，这里孔隙的存在使得基质102与孔隙的折射率差较大，光由基质102进入孔隙时容易全反射，而且基质102与发光中心101的结构相同将导致两者的折射率相近，使得光进入发光中心时不易被反射回基质102。其次，发光中心101和基质102同属于石榴石结构，两者的硬度相同或相仿，当发光陶瓷制备完毕，对发光陶瓷表面进行抛光时更为容易；相反，假若两者硬度差别较大，那么在抛光时，将可能发生荧光粉颗粒被整个从发光陶瓷表面磨出的情况，导致发光陶瓷表面坑坑洼洼。
本实施例中的透明陶瓷属于立方晶系，光学上为各向同性，有利于光在其内部直线传播，减少了光在传播过程中的不必要的损耗。该结构的透明陶瓷的可见光波段直线透过率可以达到80％以上。
在本实施例中，基质102的石榴石结构的透明陶瓷包括硅酸盐、铝酸盐或硅铝酸盐的石榴石结构材料。
在本实施例中，具体的，基质102可以选自ca3(alnsc1-n)2si3o12，(gdxtbyyzlu1-x-y-z)3(almga1-m)5o12或y3mg2alsi2o12，其中0≤n≤0.1，0≤x≤0.1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤m≤0.2。
在本实施例中，基质102不掺杂任何镧系元素和过渡金属元素作为发光中心，也即，基质102本身不具备波长转换功能，在光的照射下，基质102不会产生不同波长的受激光。基质102只承担传递光和热的作用。
在本实施例中，荧光粉包括以镧系元素为发光中心的氧化物石榴石，用于将入射的光至少部分的转换为不同波长的受激光。具体的，荧光粉可以选自ca3(alnsc1-n)2si3o12:ce3+、(gdxtbyyzlu1-x-y-z)3(almga1-m)5o12:ce3+或y3mg2alsi2o12:ce3+，其中0≤n≤0.1，0≤x≤0.1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤m≤0.2。在该类荧光粉中，ce元素作为发光中心。
在本实施例中更优的实施方案中，透明陶瓷与荧光粉为相同的材料，也即，若透明陶瓷为ca3(alnsc1-n)2si3o12，则荧光粉为ca3(alnsc1-n)2si3o12:ce3+，其中0≤n≤0.1。这样可以最大可能的使得基质与荧光粉的折射率、硬度相近，从而提高发光陶瓷的透光性能和可加工性。当然，两个化学式中的n可以为相同的数值，也可以为不同的数值，为避免混淆，荧光粉的化学式也可以写作ca3(aln’sc1-n’)2si3o12:ce3+，其中0≤n’≤0.1。
同理，上述荧光粉也可以写作(gdx’tby’yz’lu1-x’-y’-z’)3(alm’ga1-m’)5o12:ce3+，其中0≤x’≤0.1，0≤y’≤1，0≤z’≤1，0≤m’≤0.2。
在本实施例中，荧光粉晶粒尺寸为5～30μm，透明陶瓷的晶粒尺寸为1～3μm，这里的晶粒尺寸指晶粒的d50。荧光粉晶粒尺寸小于5μm时，发光效率低，不利于整个发光陶瓷发光性能的提高；而当荧光粉晶粒尺寸超过30μm时，激发光的激发深度不会进一步增加，荧光粉的单位体积发光效率会下降。透明陶瓷的晶粒尺寸远小于荧光粉的晶粒尺寸，使得发光陶瓷在制备过程中能够尽量不破坏荧光粉的结构，避免荧光粉的发光效率的下降。
下面对本发明的发光陶瓷的制备过程进行描述。
本发明发光陶瓷的制备包括如下步骤：
步骤s1：获取制备石榴石结构的立方晶系的透明陶瓷的基质原料，将其混合均匀；
步骤s2：将石榴石结构的荧光粉与基质原料混合均匀；
步骤s3：将荧光粉与基质原料烧结，控制烧结的气氛和压力，得到包括基质、发光中心和气孔的发光陶瓷，其中发光中心为石榴石接哦股的荧光粉，基质为石榴石结构的立方晶系的透明陶瓷。
实施例一
称取5.7059gy2o3(纯度99.99％)、4.2941gal2o3(纯度99.99％)，在乙醇中混合球磨，同时加入陶瓷粘结剂，使用氧化铝磨球球磨4-12h后，再加入5gy3al5o12:ce3+荧光粉进行进一步球磨混合，球磨时间0.5h-2h，两次球磨结束后将球磨浆料进行干燥，干燥结束后将得到的粉末进行研磨过筛，先使用钢模进行单轴压制，压力为5mpa-50mpa，保压时间30s至5min，再将预成型件进行冷等静压，压力为100mpa-300mpa。
将得到的预成型件进行高温烧结排胶，以去除生坯中的有机物(主要为粘结剂等)。
将排胶后的生坯在管式炉中进行高温烧结，以得到所需结构的发光陶瓷。烧结时通有高纯氮气气氛(5n)，烧结温度为1550℃-1800℃，时间为2-12h。
最后得到半透明的亮黄色的发光陶瓷，该发光陶瓷的基质透明陶瓷为y3al5o12，发光中心荧光粉为y3al5o12:ce3+。
实施例二
称取5.7059gy2o3(纯度99.99％)、4.2941gal2o3(纯度99.99％)、0.01gmgo(纯度99.9％)、硅酸四乙酯(teos，纯度99.99％)在乙醇中混合球磨，同时加入陶瓷粘结剂，使用氧化铝磨球球磨4-12h后，再加入5glu3al5o12:ce3+荧光粉进行进一步球磨混合，球磨时间0.5h-2h，两次球磨结束后将球磨浆料于70℃进行干燥，干燥结束后将得到的粉末进行研磨过筛，先使用钢模进行单轴压制，压力为5mpa-50mpa，保压时间30s至5min，再将预成型件进行冷等静压，压力为100mpa-300mpa。
将得到的预成型件进行高温烧结排胶，以去除生坯中的有机物(主要为粘结剂等)。
将排胶后的生坯在管式炉中进行高温烧结，以得到所需结构的发光陶瓷。烧结时通有高纯氮氢气气氛(95％n25％h2)，烧结温度为1550℃-1800℃，时间为2-12h。
最后得到半透明的深绿色的发光陶瓷，该发光陶瓷的基质透明陶瓷为y3al5o12，发光中心荧光粉为lu3al5o12:ce3+。
本发明的发光陶瓷，可以应用到照明和显示领域，例如可以作为汽车大灯的发光组件，也可以用于投影机的发光组件(特别是激光激发荧光光源的色轮部分)。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。