技术特征：
技术总结
本发明属于液晶材料制备技术领域。提出了一种用于液晶光学器件的快速响应液晶材料配方及其制备方法，涉及液晶材料成分的分子设计与混配。其特征是具有高Δn值的双侧氟取代苯基二苯乙炔基异硫氰酸酯液晶化合物与其它异硫氰酸酯液晶化合物按照一定的重量百分比进行混配，获得Δn值为0.38～0.42、向列相温度大约30℃～100℃的液晶混合物(工作波段λ＝785纳米，温度40℃)；将该液晶材料制成反射式液晶光学器件，其液晶层厚度控制在1.4～1.7微米，可保证位相调制量大于1波长(λ＝785nm)；在40℃、5V电压的驱动下，1λ位相调制量的响应时间为1.0～1.2毫秒。
技术研发人员：宣丽;彭增辉;姚丽双;李大禹;杨程亮;张智勇;徐焕宇;刘永刚;王启东;张佩光;曹召良;穆全全;王玉坤;王少鑫;张杏云
受保护的技术使用者：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
技术研发日：2017.09.21
技术公布日：2017.12.15