半导体加工用片的制作方法
本发明涉及半导体加工用片。
本申请基于2016年3月30日在日本申请的日本特愿2016-069603号主张优先权，将其内容援引至其中。
背景技术
切割片是在通过切割将半导体晶片单片化为半导体芯片时使用的。切割片例如在基材上具备粘合剂层而构成，并利用上述粘合剂层贴附于半导体晶片而使用。切割后，例如，通过基于紫外线等能量线的照射进行固化而降低上述粘合剂层的粘合力，由此将半导体芯片从固化后的粘合剂层剥离，容易拾取。
另一方面，拾取后的半导体芯片例如通过膜状粘接剂芯片接合于基板的电路面，根据需要在该半导体芯片上进一步层叠1个以上其它半导体芯片，引线接合后，利用将整体密封。
使用这样得到的半导体封装体，最终制造目标半导体装置。因此，有时使半导体芯片在成为其芯片接合对象的面具备膜状粘接剂的状态下拾取的方式来构成。
这样使用膜状粘接剂的情况下，有时使用在上述切割片的粘合剂层上设置有未切断的膜状粘接剂的切割芯片接合片。另一方面，有时在膜状粘接剂上预先设置预先进行了单片化的多个半导体芯片，该情况下，也使用具有与切割芯片接合片同样的构成的加工用片。使用这样的加工用片的情况下，例如，在其膜状粘接剂上预先设置预先进行了单片化的多个半导体芯片，在低温下将加工用片扩片，由此使膜状粘接剂与半导体芯片的外形相适应而切断，制造在目标面具备切断后的膜状粘接剂的半导体芯片。
作为适于这样通过扩片将膜状粘接剂切断的加工用片(晶片加工用带)，例如公开了粘合剂层与膜状粘接剂(粘接剂层)在25℃下的剪切力为0.2n/mm2以上、在200mj/cm2的能量线照射后的依据jis-z0237的标准状态下的剥离速度300mm/分钟、剥离角度180°下的上述粘合剂层与上述膜状粘接剂的剥离力为0.3n/25mm以下的加工用片(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2013/103116号
技术实现要素：
发明所要解决的问题
但是，专利文献1中公开的加工用片存在使用时需要能量线照射的问题。对于该加工用片而言，在通过扩片而切断膜状粘接剂时，为了抑制具备膜状粘接剂的半导体芯片自粘合剂层鼓起、飞散，设计为能量线照射前的粘合剂层的粘合力较高，另一方面，为了使具备膜状粘接剂的半导体芯片的拾取容易，设计为能量线照射后的粘合剂层的粘合力较低。
因此，本发明的目标在于提供一种半导体加工用片，其为在基材上具备粘合剂层的构成，且为在切断贴附于半导体芯片的膜状粘接剂时使用的半导体加工用片，使用时不需要能量线照射，在通过扩片而切断膜状粘接剂时，能够抑制具备膜状粘接剂的半导体芯片自粘合剂层鼓起、飞散，能够容易地拾取具备膜状粘接剂的半导体芯片。
解决问题的方法
为了解决上述问题，本发明提供一种半导体加工用片，其在基材上具备粘合剂层，厚度为200μm的上述粘合剂层在0℃的储能模量为1000mpa以下，上述粘合剂层对半导体晶片的镜面的粘合力为200mn/25mm以下。
本发明的半导体加工用片中，优选上述粘合剂层为非能量线固化性。
本发明的半导体加工用片可以在上述粘合剂层上进一步具备膜状粘接剂而成。
[1]一种半导体加工用片，其在基材上具备粘合剂层，且具有以下特性：
将上述粘合剂层的厚度设为200μm时，上述厚度200μm的粘合剂层在0℃的储能模量为1000mpa以下，并且
将上述半导体加工用片贴附于半导体晶片的镜面时，上述粘合剂层对上述镜面的粘合力为200mn/25mm以下。
[2]根据[1]所述的半导体加工用片，其中，上述粘合剂层为非能量线固化性。
[3]根据[1]或[2]所述的半导体加工用片，其在上述粘合剂层上进一步具备膜状粘接剂而成。
发明的效果
根据本发明，可提供如下半导体加工用片：其为在基材上具备有粘合剂层的构成，且为在切断贴附于半导体芯片的膜状粘接剂时使用的半导体加工用片，使用时不需要能量线照射，在通过扩片而切断膜状粘接剂时，能够抑制具备膜状粘接剂的半导体芯片自粘合剂层鼓起、飞散，能够容易地拾取具备膜状粘接剂的半导体芯片。
附图说明
图1为示意性地示出本发明的半导体加工用片的一实施方式的剖面图。
图2为用于示意性地说明使用了本发明的半导体加工用片的情况下的半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图。
图3为用于示意性地说明在半导体晶片形成槽而得到半导体芯片的方法的一实施方式的剖面图。
图4为用于示意性地说明在半导体晶片形成改性层而得到半导体芯片的方法的一实施方式的剖面图。
图5为示意性地示出在使用现有半导体加工用片的情况下将膜状粘接剂扩片时的半导体芯片的状态的剖面图。
图6为示意性地示出在使用现有半导体加工用片的情况下尝试拾取带膜状粘接剂的半导体芯片的状态的剖面图。
符号说明
1···半导体加工用片、11···基材、11a···基材的表面、12···粘合剂层、12a···粘合剂层的表面、8···半导体芯片、8b···半导体芯片的背面
具体实施方式
<<半导体加工用片>>
本发明的半导体加工用片在基材上具备粘合剂层，厚度为200μm的上述粘合剂层在0℃的储能模量为1000mpa以下，上述粘合剂层对半导体晶片的镜面的粘合力为200mn/25mm以下。
作为另一方面，本发明的半导体加工用片为在基材上具备粘合剂层、且具有以下特性的半导体加工用片：
将上述粘合剂层的厚度设为200μm时，上述厚度200μm的粘合剂层在0℃的储能模量为1000mpa以下，并且
将上述半导体加工用片贴附于半导体晶片的镜面时，上述粘合剂层对上述镜面的粘合力为200mn/25mm以下。
本发明的半导体加工用片制成在其粘合剂层上设置膜状粘接剂、在上述膜状粘接剂上设置有预先分割完的多个半导体芯片的构成后，在低温下进行使上述膜状粘接剂与上述半导体加工用片一起在其表面方向(沿表面的方向、即相对于膜状粘接剂的表面为水平的方向)扩张的所谓的扩片，由此适于在使上述膜状粘接剂与上述半导体芯片的外形相适应而切断的工序中使用。在与形成有电路的面(以下，有时简记为“电路形成面”)处于相反侧的面(背面)具备切断后的上述膜状粘接剂的半导体芯片(本说明书中有时称为“带膜状粘接剂的半导体芯片”)在拾取后用于半导体装置的制造。
本发明的半导体加工用片适合作为如上所述将膜状粘接剂扩片、切断的所谓扩展片。
另外，本发明的半导体加工用片也适合将其单独作为切割片使用。
根据本发明的半导体加工用片，在通过扩片而将设置于上述半导体加工用片上的膜状粘接剂切断时，能够抑制带膜状粘接剂的半导体芯片自粘合剂层(换言之半导体加工用片)鼓起、飞散，进而能够在不伴有工序异常下容易地拾取带膜状粘接剂的半导体芯片。
如上所述的通过扩片而切断膜状粘接剂适合例如在制造具备厚度薄的半导体芯片的带膜状粘接剂的半导体芯片时应用。
分割完的多个半导体芯片例如可以通过下述方法制作：从半导体晶片的与上述膜状粘接剂的贴附面(背面)处于相反侧的电路形成面(表面)形成槽，对上述背面进行研磨直到到达该槽为止。这样，以不分割半导体晶片、而保留槽的底部的方式切入半导体晶片的操作可以称为半切割。然而，本发明中“半切割”并不仅指以槽的深度成为例如半导体晶片的厚度的一半等特定的值的方式切入半导体晶片的操作，而是指如上述那样以保留槽的底部的方式切入半导体晶片的操作整体。
作为形成上述槽的方法，例如可列举出通过使用刀切入半导体晶片来形成槽的方法(即，刀切割)、通过利用激光照射切入半导体晶片来形成槽的方法(即，激光切割)、通过利用包含研磨剂的水的吹送切入半导体晶片来形成槽的方法(即，水切割)等。但是，如上述那样通过削掉半导体晶片的一部分来制造半导体芯片的情况下，若半导体晶片的厚度薄，则容易得到破碎的半导体芯片，成品率容易降低。另外，须状的切削残余物会残留在半导体芯片上，半导体晶片的切屑会附着于半导体芯片上，从而发生带膜状粘接剂的半导体芯片的拾取异常，得到的半导体装置的性能会降低。
另一方面，分割完的多个半导体芯片也可以如下来制作：以聚集于设定于半导体晶片的内部的焦点的方式照射红外区域的激光，在半导体晶片的内部形成改性层后，对半导体晶片的上述背面进行研磨，并且进一步在上述背面对研磨中的半导体晶片施加研磨时的力，由此在上述改性层的形成部位将半导体晶片分割。该方法中，不存在将半导体晶片的一部分削掉的工序，因此即使半导体晶片的厚度薄，也会抑制如上所述的半导体芯片的破碎、切削残余物在半导体芯片的残留、切屑对半导体晶片的附着等。
这样，在改性层的形成部位分割半导体晶片的方法适于半导体晶片的厚度薄的情况，将由这样的半导体晶片得到的厚度薄的半导体芯片与膜状粘接剂一起拾取时，本发明的半导体加工用片是适合的。
<基材>
上述基材的构成材料优选为各种树脂，具体而言，例如可举出：聚乙烯(低密度聚乙烯(有时简称为ldpe)、直链低密度聚乙烯(有时简称为lldpe)、高密度聚乙烯(有时简称为hdpe)等)、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨基甲酸酯、聚丙烯酸氨基甲酸酯、聚酰亚胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离子聚合物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟树脂、它们中的任一种树脂的加氢物、改性物、交联物或共聚物等。
上述之中，优选低密度聚乙烯(ldpe)。
需要说明的是，本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是指包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者的概念。关于与(甲基)丙烯酸类似的用语也同样，例如，“(甲基)丙烯酸酯”是指包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者的概念，“(甲基)丙烯酰基”是指包含“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”这两者的概念。
构成基材的树脂可以仅为1种，也可以为2种以上，为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
基材可以由1层(单层)构成，也可以由2层以上的多层构成。基材由多层构成的情况下，所述多层可以彼此相同也可以不同，对于所述多层的组合而言，只要不损害本发明的效果，就没有特别限定。
需要说明的是，本说明书中，对基材的情况没有限定，“多层可以彼此相同也可以不同”是指“可以所有层相同、可以所有层不同、也可以仅一部分层相同”，此外“多层彼此不同”是指“各层的构成材料及厚度中的至少一者彼此不同”。
基材的厚度可以根据目的来适宜选择，优选为50～300μm、更优选为70～150μm。
此处，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如，由多层构成的基材的厚度是指构成基材的所有层的总厚度。
需要说明的是，本说明书中“厚度”是指在任意5个部位用接触式厚度计进行了厚度测定而得到平均表示的值。
对于基材，为了提高与设置于其上的粘合剂层等其它层的密合性，可以对表面实施基于喷砂处理、溶剂处理等的凹凸化处理、电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧-紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等。
另外，基材的表面可以实施了底漆处理。
另外，基材在使抗静电涂层、半导体加工用片重合而保存时，可以具有用于防止基材与其它片粘接、基材与吸附台粘接的层等。
<粘合剂层>
上述粘合剂层优选满足以下所示的储能模量的条件、为非能量线固化性。
本发明中，“非能量线固化性”是指即使照射能量线也不固化的性质。与此相反，将通过照射能量线固化的性质称为“能量线固化性”。
本发明中，“能量线”是指在电磁波或带电粒子束中具有能量量子的射线，作为其例子，可列举出紫外线、电子束等。
对于紫外线而言，例如可以通过使用高压汞灯、熔融h灯、氙气灯或发光二极管等作为紫外线源来照射。对于电子束，例如可以照射由电子束加速器等产生的电子束。
粘合剂层可以仅为1层(单层)，也可以为2层以上的多层，为多层的情况下，所述多层可以彼此相同或不同，对所述多层的组合没有特别限定。
粘合剂层的厚度可以根据目的来适宜选择，优选为1～100μm、更优选为1～60μm、特别优选为1～30μm。
此处，“粘合剂层的厚度”是指粘合剂层整体的厚度，例如，由多层构成的粘合剂层的厚度是指构成粘合剂层的所有层的总厚度。
作为求出上述储能模量的对象的粘合剂层可以是厚度为200μm的单层的粘合剂层，也可以是将厚度不足200μm的粘合剂层以总厚度成为200μm的方式层叠2层以上而得到的层叠体。
需要说明的是，本说明书中，作为求出储能模量的对象的粘合剂层可以为单层的粘合剂层、及上述层叠体中任意一种，有时简记为“粘合剂层”。
另外，本说明书中，对于上述的“粘合剂层的储能模量”、“层叠体的储能模量”而言，只要没有特别说明，在粘合剂层为固化性的情况下，分别是指“固化前的粘合剂层的储能模量”、“粘合剂层固化前的层叠体的储能模量”。
上述粘合剂层或层叠体在0℃的储能模量为1000mpa以下，优选为996mpa以下。通过使上述储能模量为上述上限值以下，从而如后述那样，在通过扩片而切断膜状粘接剂时，抑制带膜状粘接剂的半导体芯片自粘合剂层鼓起、飞散。
上述粘合剂层或层叠体在0℃的储能模量的下限值没有特别限定，例如可以设为100mpa、300mpa、500mpa中任意一种，这些为一个例子。
即，作为1个方面，上述粘合剂层或层叠体在0℃的储能模量为100mpa～1000mpa，优选300mpa～1000mpa、更优选500mpa～996mpa、特别优选533mpa～994mpa。
本发明中，上述储能模量(mpa)通过测定使作为测定对象的上述粘合剂层或层叠体在升温速度10℃/分、频率11hz的条件下、在例如-50℃～50℃等特定的温度范围中升温时的储能模量(mpa)来求出。
更具体而言，将粘合剂层的厚度设为200μm时，通过动态粘弾性测定装置，测定在升温速度10℃/分、频率11hz、温度-50～50℃的条件下升温时的、在0℃的储能模量(mpa)，由此来求出。
上述储能模量例如可以通过调节粘合剂层的含有成分的种类及量等来适宜调节。
例如，通过调节构成后述的粘合性树脂的单体的比率、交联剂的配合量、填充剂的含量等，能够容易地调节上述粘合剂层的储能模量及上述层叠体的储能模量。
但是，这些调节方法不过是一个例子。
本发明的半导体加工用片中的上述粘合剂层对半导体晶片的粘合力(对半导体晶片的镜面的粘合力)为200mn/25mm以下，优选为196mn/25mm以下。通过使上述粘合力为上述上限值以下，从而如后述那样，即使不进行基于能量线照射等的粘合剂层的固化，也能够容易地拾取带膜状粘接剂的半导体芯片。
上述粘合剂层对半导体晶片的粘合力的下限值没有特别限定，例如可以设为10mn/25mm、30mn/25mm、50mn/25mm中任意一种，这些为一个例子。
即，作为1个方面，本发明的半导体加工用片中的上述粘合剂层对半导体晶片的粘合力为10～200mn/25mm、优选30～200mn/25mm、更优选50～196mn/25mm、特别优选55～194mn/25mm。
需要说明的是，本说明书中，对于“粘合剂层对半导体晶片的粘合力”而言，只要没有特别说明，在粘合剂层为固化性的情况下，是指“固化前的粘合剂层对半导体晶片的粘合力”。另外，只要没有特别说明，上述粘合力的测定为在jisz02372008中规定的标准状态下的粘合力的测定。
本发明中，上述粘合力(mn/25mm)可以通过以下的方法进行测定。即，制作宽度为25mm、长度任意的上述半导体加工用片。接着，在常温下(例如，23℃)通过粘合剂层将该半导体加工用片贴附于半导体晶片(即，半导体晶片的镜面)。然后，在该温度状态下，进行将半导体加工用片以粘合剂层及半导体晶片彼此接触的面彼此成为180°的角度的方式、以剥离速度300mm/分从半导体晶片剥离的、所谓180°剥离。测定此时的剥离力，将其测定值作为上述粘合力(mn/25mm)。供于测定的上述半导体加工用片的长度只要为能够稳定测定剥离力的范围，就没有特别限定。例如，供于测定的上述半导体加工用片的长度可以为150mm。
作为半导体晶片，例如可列举出硅晶片等。
上述粘合剂层对半导体晶片的粘合力例如可以通过调节粘合剂层的含有成分的种类及量等来适宜调节。
例如，通过调节构成后述的粘合性树脂的单体的组合、上述单体的比率、交联剂的配合量、填充剂的含量等，能够容易地调节粘合剂层的上述粘接力。
但是，这些调节方法不过是一个例子。
对于硅晶片等半导体晶片而言，即使其种类不同、或为相同种类但制造批次不同，只要是在其相同的部位贴附相同的粘合剂层的情况，与粘合剂层的粘合力的偏差也小。因此，粘合剂层的粘合力可以通过选择半导体晶片作为其测定对象物来高精度地限定。本发明中，通过选择该半导体晶片对镜面的粘合力为200mn/25mm以下的粘合剂层作为粘合剂层，使得在将带膜状粘接剂的半导体芯片从粘合剂层剥离拾取时，能够抑制工序异常的发生，容易地拾取，能够调节粘合剂层对膜状粘接剂的粘合力。这样的本发明的效果会对于该领域中使用的全部膜状粘接剂展现出来。
上述粘合剂层可以由含有粘合剂的粘合剂组合物形成。例如，可以通过在粘合剂层的形成对象面涂布粘合剂组合物，根据需要使其干燥来在目标部位形成粘合剂层。对于粘合剂层的更具体的形成方法，与其它层的形成方法一起随后详细地说明。粘合剂组合物中的在常温下不气化的成分彼此的含量的比率通常与粘合剂层的上述成分彼此的含量的比率相同。
粘合剂组合物的涂布只要用公知的方法即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮刀涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刮涂布机、淋幕式涂布机、模具涂布机、刀片涂布机、网版涂布机、迈耶棒式涂布机、吻合式涂布机等各种涂布机的方法。
粘合剂组合物的干燥条件没有特别限定，粘合剂组合物含有后述的溶剂的情况下，优选将其加热干燥，该情况下，例如，优选在70～130℃下在10秒钟～5分钟的条件下干燥。
[粘合剂组合物]
上述粘合剂组合物优选为非能量线固化性。
作为非能量线固化性的粘合剂组合物，例如可列举出含有丙烯酸系树脂、氨基甲酸酯系树脂、橡胶系树脂、有机硅系树脂、环氧系树脂、聚乙烯基醚、或聚碳酸酯等粘合性树脂(以下，称为“粘合性树脂(i)”)的组合物。
(粘合性树脂(i))
上述粘合性树脂(i)优选为上述丙烯酸系树脂。
作为粘合性树脂(i)中的上述丙烯酸系树脂，例如可列举出至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸系聚合物。
上述丙烯酸系树脂所具有的结构单元可以仅为1种，也可以为2种以上，为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
此处，“源自”是指由于进行聚合，化学结构发生变化。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可举出构成烷基酯的烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯，上述烷基优选为直链状或支链状。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯，更具体而言，可举出：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
上述之中，优选(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
在粘合剂层的粘合力提高的方面，上述丙烯酸系聚合物优选具有源自上述烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。而且，从粘合剂层的粘合力进一步提高的方面出发，上述烷基的碳原子数优选为4～12、更优选为4～8。另外，上述烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯优选为丙烯酸烷基酯。
优选上述丙烯酸系聚合物除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，还具有源自含官能团单体的结构单元。
作为上述含官能团单体，例如可列举出，上述官能团与后述的交联剂反应从而成为交联的起点、上述官能团与含不饱和基团化合物中的不饱和基团反应从而能向丙烯酸系聚合物的侧链中导入不饱和基团的单体。
作为含官能团单体中的上述官能团，例如可列举出羟基、羧基、氨基、环氧基等。
即，作为含官能团单体，例如可列举出含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含环氧基单体等。
作为上述含羟基单体，例如可举出：(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸系不饱和醇(不具有(甲基)丙烯酰基骨架的不饱和醇)等。
上述之中，优选(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等。
作为上述含羧基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和单羧酸(具有烯属不饱和键的单羧酸)；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二羧酸(具有烯属不饱和键的二羧酸)；上述烯属不饱和二羧酸的酸酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
含官能团单体优选含羟基单体、含羧基单体，更优选含羟基单体。
构成上述丙烯酸系聚合物的含官能团单体可以仅为1种，也可以为2种以上，为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
上述丙烯酸系聚合物中，源自含官能团单体的结构单元的含量相对于构成上述丙烯酸系聚合物的结构单元的总量(总质量)优选为1～35质量％、更优选为3～32质量％、特别优选为5～30质量％。
上述丙烯酸系聚合物除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元及源自含官能团单体的结构单元以外，可以还具有源自其它单体的结构单元。
上述其它单体只要为能与(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚的单体，就没有特别限定。
作为上述其它单体，例如可列举出苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯酰胺等。
构成上述丙烯酸系聚合物的上述其它单体可以仅为1种，也可以为2种以上，为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
除上述丙烯酸系聚合物以外的粘合性树脂(i)也与上述丙烯酸系聚合物同样地，优选具有源自含官能团单体的结构单元。
粘合剂组合物所含有的粘合性树脂(i)可以仅为1种，也可以为2种以上，为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
粘合性树脂(i)的含量相对于除构成粘合剂组合物的溶剂以外的成分的总质量(即，相对于粘合剂层的总质量)优选为45～90质量％、更优选为55～87质量％、更进一步优选为65～84质量％、特别优选为72～81质量％。通过使粘合性树脂(i)的含量的上述比例为这样的范围，粘合剂层的粘合性变得更良好。
(交联剂(ii))
粘合剂组合物优选含有交联剂(ii)。
交联剂(ii)例如为与上述官能团反应而使粘合性树脂(i)彼此交联的交联剂。
作为交联剂(ii)，例如可列举出甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯、这些二异氰酸酯的加合物等异氰酸酯系交联剂(即，具有异氰酸酯基的交联剂)；乙二醇缩水甘油醚等环氧系交联剂(即，具有缩水甘油基的交联剂)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷杂三嗪等氮丙啶系交联剂(即，具有氮丙啶基的交联剂)；铝螯合物等金属螯合物系交联剂(即，具有金属螯合物结构的交联剂)；异氰脲酸酯系交联剂(即，具有异氰脲酸骨架的交联剂)等。
从提高粘合剂的凝聚力从而提高粘合剂层的粘合力的方面、及获得容易等方面出发，交联剂(ii)优选为异氰酸酯系交联剂，例如可列举出三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯三聚体加成物等。
粘合剂组合物所含有的交联剂(ii)可以仅为1种，也可以为2种以上，为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
粘合剂组合物含有交联剂(ii)的情况下，粘合剂组合物中，相对于粘合性树脂(i)的含量100质量份，交联剂(ii)的含量优选为5～50质量份、更优选为10～45质量份、特别优选为15～40质量份。另外，作为另一方面，相对于粘合性树脂(i)的含量100质量份，交联剂(ii)的含量可以为22～38质量份、也以为22.62～37.70质量份。通过使交联剂(ii)的上述含量为上述下限值以上，从而可更显著地得到使用交联剂(ii)所带来的效果。另外，通过使交联剂(ii)的上述含量为上述上限值以下，从而使粘合剂层对膜状粘接剂的粘合力的调节变得更容易。
(其它添加剂)
粘合剂组合物在不损害本发明的效果的范围内可以含有不属于上述任一成分的其它添加剂。
作为上述其它添加剂，可列举出例如：抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充材料(填料)、防锈剂、着色剂(颜料、染料)、敏化剂、增粘剂、反应延迟剂、交联促进剂(催化剂)等公知的添加剂。
需要说明的是，“反应延迟剂”是指例如通过混入至粘合剂组合物中的催化剂的作用，抑制在保存中的粘合剂组合物中的非目标交联反应进行的物质。作为反应延迟剂，例如可列举出通过对催化剂的螯合形成螯合物络合物的化合物，更具体而言，可列举出1分子中具有2个以上羰基(-c(＝o)-)的化合物。
粘合剂组合物所含有的其它添加剂可以仅为1种，也可以为2种以上，为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
粘合剂组合物中，其它添加剂的含量没有特别限定，根据其种类进行适宜选择即可。
(溶剂)
粘合剂组合物可以含有溶剂。粘合剂组合物通过含有溶剂，从而向涂布对象面的涂布适合性提高。
上述溶剂优选为有机溶剂。作为上述有机溶剂，例如可列举出甲乙酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等酯(例如，羧酸酯)；四氢呋喃、二
作为上述溶剂，例如，可以不将制造粘合性树脂(i)时使用的溶剂从粘合性树脂(i)中去除，而直接在粘合剂组合物中使用，也可以在制造粘合剂组合物时另外添加与制造粘合性树脂(i)时使用的溶剂相同或不同种类的溶剂。
粘合剂组合物所含有的溶剂可以仅为1种，也可以为2种以上，为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
粘合剂组合物中，溶剂的含量没有特别限定，进行适宜调节即可。
[粘合剂组合物的制造方法]
粘合剂组合物通过将用于构成其的各成分配合来获得。
对配合各成分时的添加顺序没有特别限定，可以同时添加2种以上的成分。
使用溶剂的情况下，可以将溶剂与除溶剂以外的任一配合成分混合并对该配合成分进行预先稀释，也可以不对除溶剂以外的任一配合成分进行预先稀释、而将溶剂与这些配合成分混合。
对在配合时混合各成分的方法没有特别限定，可以从使搅拌器或搅拌翼等旋转而进行混合的方法；使用混合器进行混合的方法；施加超声波进行混合的方法等公知的方法中适宜选择。
对于各成分的添加及混合时的温度以及时间，只要各配合成分不会劣化，就没有特别限定，进行适宜调节即可，温度优选为15～30℃。
图1为示意性地示出本发明的半导体加工用片的一实施方式的剖面图。需要说明的是，对于以下的说明中使用的图，为了容易理解本发明的特征，方便起见，有时将作为主要部分的部分放大示出，各构成要素的尺寸比率等未必与实际相同。
图1所示的半导体加工用片1为在基材11上设置粘合剂层12而成的片。半导体加工用片1中，粘合剂层12层叠于基材11的一个表面11a。
需要说明的是，本发明的半导体加工用片不限定于图1所示的半导体加工用片，可以在不损害本发明的效果的范围内在图1所示的半导体加工用片中变更、削除或追加一部分的构成。
<<半导体加工用片的制造方法>>
本发明的半导体加工用片可以通过在基材上层叠粘合剂层来制造。粘合剂层的形成方法如前面所说明那样。
例如，在剥离膜上涂布粘合剂组合物，根据需要使其干燥，从而在剥离膜上预先形成粘合剂层，使该形成的粘合剂层的与接触上述剥离膜的一侧处于相反侧的露出面与基材的一个表面贴合，由此得到上述半导体加工用片。剥离膜可以在得到半导体加工用片后任意时刻去除。粘合剂组合物优选涂布于剥离膜的剥离处理面。
需要说明的是，半导体加工用片通常在剥离膜被贴合于与其基材处于相反侧的最表层(即粘合剂层)的表面的状态下保管。因此，通过上述的方法在剥离膜上形成粘合剂层后，使该粘合剂层与基材贴合后，也可以形成不去除剥离膜而贴合的状态。
<<半导体装置的制造方法>>
作为使用了本发明的半导体加工用片的情况下的半导体装置的制造方法，例如可列举出包括如下工序的制造方法：形成在上述半导体加工用片中的粘合剂层的表面设置膜状粘接剂，在上述膜状粘接剂的与设置有上述粘合剂层的一侧处于相反侧的表面设置有分割完的多个半导体芯片的层叠结构体的工序(以下，有时简记为“层叠结构体形成工序”)；边将上述层叠结构体中的上述膜状粘接剂冷却，边沿上述膜状粘接剂的表面方向进行扩片，由此将上述膜状粘接剂切断的工序(以下，有时简记为“切断工序”)；以及、从上述粘合剂层拾取(剥离)具备切断后的上述膜状粘接剂的上述半导体芯片(即带膜状粘接剂的半导体芯片)的工序(以下，有时简记为“剥离工序”)。
通过使用本发明的半导体加工用片，在上述切断工序中，在半导体加工用片的扩片、换言之为通过上述膜状粘接剂的扩片而切断上述膜状粘接剂时，可抑制上述带膜状粘接剂的半导体芯片自粘合剂层鼓起、飞散。另外，上述剥离工序中，即使不进行基于能量线照射等的上述粘合剂层的固化，也能够将上述带膜状粘接剂的半导体芯片容易地从粘合剂层剥离拾取。这样，使用了本发明的半导体加工用片的情况下，即使不进行上述粘合剂层的固化，也能够拾取上述带膜状粘接剂的半导体芯片，因此能够简化半导体装置的制造工序。
以下，参照图2对上述制造方法进行说明。图2为用于示意性地说明使用了本发明的半导体加工用片的情况下的半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图。此处对使用了图1所示的半导体加工用片的情况下的制造方法进行说明。需要说明的是，在图2中，对与图1所示的构成要素相同的构成要素标注与图1的情况相同的附图标记，并省略其详细的说明。另外，图2中，仅对关于半导体加工用片、膜状粘接剂及半导体芯片的构成剖面表示。这些在图3以后的图中也同样。
<层叠结构体形成工序>
图2的(a)所示的层叠结构体101为在半导体加工用片1的粘合剂层12的表面12a(与粘合剂层12的具备基材的一侧处于相反侧的面)设置有膜状粘接剂9、在膜状粘接剂9的与具备粘合剂层12的一侧处于相反侧的表面9a设置有分割完的多个半导体芯片8的层叠结构体。需要说明的是，半导体加工用片1为在基材11的表面11a上层叠粘合剂层12而成的本发明的半导体加工用片。
图2中强调表示了多个半导体芯片8彼此间的空隙部(源自上述槽)。
上述层叠结构体形成工序中，例如，在分割完的多个半导体芯片8的背面8b(半导体芯片8中的与电路形成面处于相反侧的面)贴附1张膜状粘接剂9后，在该膜状粘接剂9的与具备有半导体芯片8的一侧处于相反侧的表面9b贴附本发明的半导体加工用片1中的粘合剂层12，由此可以形成层叠结构体101。另外，通过在本发明的半导体加工用片1中的粘合剂层12的表面12a贴附1张膜状粘接剂9后，将该膜状粘接剂9的与具备粘合剂层12的一侧处于相反侧的表面9a贴附于分割完的多个半导体芯片8的背面8b，也能够形成上述层叠结构体。
分割完的多个半导体芯片8可以如上述那样从半导体晶片的与膜状粘接剂9的贴附面(背面)处于相反侧的电路形成面(表面)起形成槽，对上述背面进行研磨直到到达该槽为止来制作。而且，上述槽可以通过刀切割、激光切割、水切割等方法形成。
图3为用于示意性地说明这样的在半导体晶片形成槽而得到半导体芯片的方法的一实施方式的剖面图。
该方法中，如图3的(a)所示，在半导体晶片8’自作为其电路形成面的一个表面8a’起通过刀切割、激光切割、水切割等方法形成槽80’。
接着，如图3的(b)所示，对半导体晶片8’的与上述表面(电路形成面)8a’处于相反侧的面(背面)8b’进行研磨。上述背面8b’的研磨可以通过公知的方法使用例如研磨机62来进行。上述背面8b’的研磨优选如此处所示在半导体晶片8’的上述表面8a’贴附背面研磨带63而进行。
然后，通过对上述背面8b’进行研磨至到达槽80’为止，如图3的(c)所示，可由半导体晶片8’得到多个半导体芯片8。半导体晶片8’的上述背面8b’成为半导体芯片8的背面8b、即用于设置膜状粘接剂9的面。
但是，半导体装置的上述制造方法中，优选采用的不是将这些半导体晶片的一部分削掉的方法，而是如前面所说明那样，在半导体晶片的内部形成改性层、在该改性层的形成部位将半导体晶片分割的方法。
即，在半导体装置的上述制造方法中，优选在上述层叠结构体形成工序之前还具有：以聚集于设定于半导体晶片的内部的焦点的方式照射红外区域的激光，在上述半导体晶片的内部形成改性层的工序(以下，有时简记为“改性层形成工序”)；和在形成有上述改性层的上述半导体晶片中，对用于设置上述膜状粘接剂的面进行研磨，并且将研磨时的力施加于上述半导体晶片，由此在上述改性层的部位将上述半导体晶片分割，得到多个半导体芯片的工序(以下，有时简记为“分割工序”)，并在上述层叠结构体形成工序中使用通过上述分割工序得到的多个半导体芯片。
图4为用于示意性地说明在这样的在半导体晶片形成改性层而得到半导体芯片的方法的一实施方式的剖面图。
<改性层形成工序>
该方法中，在上述改性层形成工序中，如图4的(a)所示，以聚集于设置于半导体晶片8’的内部的焦点的方式，照射红外区域的激光，在半导体晶片8’的内部形成改性层81’。
改性层形成工序中，例如，为了使因激光的照射而半导体晶片8’的表面、表面附近的区域受到的损伤为最小限，并且形成改性层81’，优选照射开口度(na)大的激光。
<分割工序>
接着，上述分割工序中，如图4的(b)所示，对半导体晶片8’的与上述表面(电路形成面)8a’处于相反侧的面(背面)8b’进行研磨。此时的研磨可以通过与引用前面的图3而说明的、形成槽的半导体晶片的背面的研磨相同的方法进行。例如，此时的上述背面8b’的研磨优选在半导体晶片8’的上述表面8a’贴附背面研磨带63来进行。
然后，对半导体晶片8’的上述背面8b’进行研磨，并且进而对该研磨中的半导体晶片8’施加研磨时的力，由此在改性层81’的形成部位将半导体晶片8’分割，从而如图4的(c)所示，由半导体晶片8’得到多个半导体芯片8。该情况下也与引用图3而说明的情况同样，半导体晶片8’的上述背面8b’成为半导体芯片8的背面8b、即用于设置膜状粘接剂9的面。
在上述任一方法中均是使用背面研磨带63时，得到的多个半导体芯片8保持为在背面研磨带63上排列的状态。
半导体芯片8的厚度没有特别限定，优选为5～60μm、更优选为10～55μm。使用这样的薄型的半导体芯片的情况下，可更显著地获得使用了本发明的半导体加工用片的情况下的效果。
上述的半导体装置的制造方法中，膜状粘接剂9可以为公知的粘接剂，例如，可列举出具有固化性的粘接剂，优选具有热固化性的粘接剂、优选具有压敏粘接性的粘接剂。同时具有热固化性及压敏粘接性的膜状粘接剂9可以通过在未固化状态下轻轻按压来贴附于各种被粘附物。另外，膜状粘接剂9可以是通过加热使其软化而能够贴附于各种被粘附物的粘接剂。膜状粘接剂9通过固化最终成为耐冲击性高的固化物，该固化物在严酷的高温/高湿度条件下也可保持充分的粘接特性。
膜状粘接剂9的厚度没有特别限定，优选为1～50μm、更优选为3～40μm。通过使膜状粘接剂9的厚度为上述下限值以上，可得到对被粘附物(半导体芯片)高的粘接力。另外，通过使膜状粘接剂9的厚度为上述上限值以下，通过后述的扩片，能够更容易地切断膜状粘接剂9。
<切断工序>
上述切断工序中，在上述层叠结构体形成工序后，如图2的(b)所示，边对层叠结构体101的膜状粘接剂9进行冷却，边沿膜状粘接剂9的表面9a方向(图2的(b)中的箭头i所示的方向、即相对于膜状粘接剂9的表面为水平方向)将膜状粘接剂9扩片，将膜状粘接剂9切断。将膜状粘接剂9与基材11及粘合剂层12(即半导体加工用片1)一起扩片即可。此处，对切断后的膜状粘接剂标注附图标记9’来表示，有时也将这样的切断后的膜状粘接剂9’简称为“膜状粘接剂9’”。另外，用箭头i表示膜状粘接剂9的扩片的方向。
上述切断工序中的膜状粘接剂9的冷却温度没有特别限定，从能够更容易切断膜状粘接剂9的方面出发，优选为-15～3℃。
对于上述切断工序中的膜状粘接剂9的扩片速度(扩张速度)而言，只要在不损害本发明效果的范围内就没有特别限定，优选为0.5～100mm/sec、更优选为0.5～60mm/sec，例如可以为1～50mm/sec等。通过使扩片速度为这样的范围内，可更显著地获得本发明的效果。另外，通过使扩片速度为上述上限值以下，从而在将膜状粘接剂9扩片时，半导体芯片8更不易受到损伤。
上述切断工序中，通过使用半导体加工用片1，从而可抑制在背面8b具备有切断后的膜状粘接剂9’的状态下的半导体芯片8自粘合剂层12的鼓起、飞散。
另一方面，图5为示意性地示出在使用现有半导体加工用片的情况下将膜状粘接剂扩片时的半导体芯片的状态的剖面图。
此处所示的粘合剂层72为以往使用的粘合剂层、并使用在基材11上设置粘合剂层72而成的半导体加工用片7时，有时具备切断后的膜状粘接剂9’的半导体芯片8会发生自粘合剂层72鼓起，或从粘合剂层72剥离飞散。这样的带膜状粘接剂的半导体芯片的鼓起及飞散例如在前面说明的厚度为200μm的粘合剂层在0℃的储能模量不足1000mpa的情况下典型地可看到。
另外，这样的带膜状粘接剂的半导体芯片的鼓起及飞散在半导体芯片8的厚度薄的情况下容易发生。
<剥离工序>
上述剥离工序中，在上述切断工序后，如图2的(c)所示，将半导体芯片8和贴附于其上的切断后的膜状粘接剂9’从半导体加工用片1(粘合剂层12)剥离，进行拾取。
上述剥离工序中，利用半导体装置的制造装置的提拉部61，提拉半导体芯片8，由此使贴附于该半导体芯片8的背面8b的切断后的膜状粘接剂9’从粘合剂层12剥离。作为提拉半导体芯片8的方法，可以为公知的方法，例如可列举出利用真空筒夹吸附半导体芯片8的表面来提拉的方法等。此处，用箭头ii表示半导体芯片8的提拉方向。
上述剥离工序中，通过使用半导体加工用片1，从而即使不进行基于能量线照射等的粘合剂层12的固化，也能够容易地将半导体芯片8与切断后的膜状粘接剂9’一起(带膜状粘接剂的半导体芯片)从粘合剂层12剥离拾取。
另一方面，图6为示意性地示出在使用现有半导体加工用片的情况下尝试拾取带膜状粘接剂的半导体芯片的状态的剖面图。
其中，图的6(a)中示出在与图的2(c)的情况同样地提拉半导体芯片8时，切断后的膜状粘接剂9’从半导体芯片8剥离，切断后的膜状粘接剂9’层叠于粘合剂层72的情况下，仅提拉半导体芯片8的状态。
另一方面，图6的(b)中示出在与图2的(c)的情况同样地要提拉半导体芯片8时，半导体芯片8通过切断后的膜状粘接剂9’层叠于粘合剂层72、不能提拉半导体芯片8的状态。
图6的(a)及图6的(b)这样的工序异常均在粘合剂层72对半导体晶片的粘合力超过200mn/25mm这种大值的情况下典型地可看到。而且，图6的(a)的状态在膜状粘接剂9’对半导体晶片的粘合力为较小值的情况下容易产生，图6的(b)的状态在膜状粘接剂9’对半导体晶片的粘合力为较大值的情况下容易产生。
在半导体装置的上述制造方法中，使用与切断后的膜状粘接剂9’一起剥离的(拾取的)半导体芯片8(带膜状粘接剂的半导体芯片)，以后通过与现有方法同样的方法制造半导体装置。例如，利用膜状粘接剂9’将上述半导体芯片8芯片接合于基板的电路面，根据需要，在该半导体芯片8进一步层叠1个以上半导体芯片，进行引线接合后，利用树脂将整体密封，由此制成半导体封装体(图示略)。然后，使用该半导体封装体制作目标半导体装置即可。
使用了本发明的半导体加工用片的半导体装置的制造方法不限定于引用图2进行说明的上述方法，可以在不损害本发明的效果的范围内在上述方法中变更、削除或追加一部分的构成。
需要说明的是，参照图5～图6进行说明的工序异常为一个例子，根据情况，有时也会发生其它工序异常。
与此相对，使用本发明的半导体加工用片的情况下，可抑制这样的工序异常的发生，其结果，能够通过比以往简化的方法廉价地制造半导体装置。
作为本发明的一实施方式的半导体加工用片的1个方面，
可列举出如下半导体加工用片：
其为在基材上具备粘合剂层的半导体加工用片，
上述粘合剂层由包含粘合性树脂(i)及交联剂(ii)的粘合剂组合物形成；
上述粘合性树脂(i)为至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸系聚合物，优选为具有选自源自(甲基)丙烯酸2-乙基己酯的结构单元、源自(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯的结构单元及源自(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯的结构单元中的至少1种结构单元的丙烯酸系聚合物；
上述交联剂(ii)为异氰酸酯系交联剂，优选为三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯三聚体加成物；
上述粘合性树脂(i)的含量相对于上述粘合剂层的总质量为45～90质量％、优选为55～87质量％、更优选为65～84质量％、特别优选为72～81质量％；
上述交联剂(ii)的含量相对于上述粘合性树脂(i)的含量100质量份为5～50质量份、优选为10～45质量份、更优选为15～40质量份、特别优选为22～38质量份；
将上述粘合剂层的厚度设为200μm时，上述厚度200μm的粘合剂层在0℃的储能模量为100mpa～1000mpa、优选为300mpa～1000mpa、更优选为500mpa～996mpa、特别优选为533mpa～994mpa；
将上述半导体加工用片贴附于半导体晶片的镜面时，上述粘合剂层对上述镜面的粘合力为10～200mn/25mm、优选为30～200mn/25mm、更优选为50～196mn/25mm、特别优选为55～194mn/25mm。
作为本发明的一实施方式的半导体加工用片的另一方面，
可列举出如下半导体加工用片：
其为在基材上具备粘合剂层的半导体加工用片，
上述粘合剂层由包含粘合性树脂(i)及交联剂(ii)的粘合剂组合物形成；
上述粘合性树脂(i)为具有选自源自(甲基)丙烯酸2-乙基己酯的结构单元及源自(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯的结构单元中的至少1种结构单元的丙烯酸系聚合物；
上述交联剂(ii)为三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯三聚体加成物；
上述粘合性树脂(i)的含量为76～81质量％；
上述交联剂(ii)的含量相对于上述粘合性树脂(i)的含量100质量份为22～31质量份；
将上述粘合剂层的厚度设为200μm时，上述厚度200μm的粘合剂层在0℃的储能模量为533mpa～873mpa；
将上述半导体加工用片贴附于半导体晶片的镜面时，上述粘合剂层对上述镜面的粘合力为94～194mn/25mm。
作为本发明的一实施方式的半导体加工用片的另一方面，
可列举出如下半导体加工用片：
其为在基材上具备粘合剂层的半导体加工用片，
上述粘合剂层由包含粘合性树脂(i)及交联剂(ii)的粘合剂组合物形成；
上述粘合性树脂(i)为具有选自源自(甲基)丙烯酸2-乙基己酯的结构单元及源自(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯的结构单元中的至少1种结构单元的丙烯酸系聚合物；
上述交联剂(ii)为三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯三聚体加成物；
上述粘合性树脂(i)的含量为70～75质量％；
上述交联剂(ii)的含量相对于上述粘合性树脂(i)的含量100质量份为35～39质量份；
将上述粘合剂层的厚度设为200μm时，上述厚度200μm的粘合剂层在0℃的储能模量为500mpa～994mpa；
将上述半导体加工用片贴附于半导体晶片的镜面时，上述粘合剂层对上述镜面的粘合力为50～60mn/25mm。
[实施例]
以下，通过具体的实施例对本发明详细地进行说明。但是，本发明不受以下所示的实施例的任何限定。
需要说明的是，以下，时间的单位“msec”是指“毫秒”。
以下示出粘合剂组合物的制造中使用的成分。
·粘合性树脂
粘合性树脂(i)-1：将丙烯酸-2-乙基己酯(以下，简记为“2eha”)(80质量份)、及丙烯酸-2-羟基乙酯(以下，简记为“hea”)(20质量份)共聚而成的丙烯酸系聚合物(重均分子量860000、玻璃化转变温度-61℃)。
粘合性树脂(i)-2：将2eha(80质量份)、及丙烯酸-4-羟基丁酯(以下，简记为“4hba”)(20质量份)共聚而成的丙烯酸系聚合物(重均分子量430000、玻璃化转变温度-63℃)。
粘合性树脂(i)-3：将2eha(60质量份)、甲基丙烯酸甲酯(以下，简记为“mma”)(30质量份)、及hea(10质量份)共聚而成的丙烯酸系聚合物(重均分子量430000、玻璃化转变温度-31℃)。
粘合性树脂(i)-4：将丙烯酸月桂酯(以下，简记为“la”)(80质量份)、及hea(20质量份)共聚而成的丙烯酸系聚合物(重均分子量720000、玻璃化转变温度-27℃)。
·交联剂
交联剂(ii)-1：三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯三聚体加成物(tosohcorporation制造“coronatel”)
·光聚合引发剂
光聚合引发剂(iii)-1：1-羟基环己基苯基酮(basf公司制“irgacure(注册商标)184”
[实施例1]
<半导体加工用片的制造>
(粘合剂组合物的制造)
相对于粘合性树脂(i)-1(100质量份)，加入交联剂(ii)-1(30.16质量份)，在23℃下进行搅拌，由此得到了非能量线固化性的粘合剂组合物。
需要说明的是，此处所示的配合份数全部为固体成分换算值。
将各配合成分及其配合量示于表1。需要说明的是，表1中的配合成分的栏的“-”这样的记载是指未配合该成分。
(半导体加工用片的制造)
在聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面通过有机硅处理进行了剥离处理的剥离膜(linteccorporation制造“sp-pet381031”、厚度38μm)的上述剥离处理面涂布上述得到的粘合剂组合物，在120℃下进行2分钟加热干燥，由此形成了厚度10μm的粘合剂层。
接着，使作为基材的厚度110μm的低密度聚乙烯(ldpe)制膜贴合于该粘合剂层的露出面，由此得到了具备剥离膜的半导体加工用片。
<半导体加工用片的评价>
(带膜状粘接剂的半导体芯片的鼓起/飞散的抑制效果)
进行了如下的半切割切割：使用切割装置(discocorporation制造“dfd6361”)，对8英寸的硅晶片(厚度720μm)的镜面，以描绘10mm×10mm大小的正方形的方式，利用切割刀切出切口至自其表面起80μm的深度为止，形成槽。此时，作为切割刀，使用discocorporation制造“27hecc”，将该切割刀的移动速度设为50mm/sec、旋转速度设为40000rpm。
接着，使用带层压机(linteccorporation制“rad-3510”)，在常温下(23℃)下、将背面研磨带(linteccorporation制造“adwille-3125kn”)利用其粘合层贴附于形成有上述槽的硅晶片的镜面。
接着，使用研磨机(disco公司制造“dfg8760”)，对硅晶片的与形成有上述槽的镜面处于相反侧的面进行了研磨。此时，以硅晶片的厚度成为50μm的方式进行研磨，同时将硅晶片分割而单片化为硅芯片。所得硅芯片彼此隔开约30μm的间隔，并固定在背面研磨带上。
接着，将加热至60℃的膜状粘接剂(linteccorporation制造“adwillle61-25*”、厚度25μm)贴附于所得硅芯片的上述研磨面，另外，将上述得到的半导体加工用片利用其粘合剂层在常温下(23℃)贴附于该膜状粘接剂，得到了层叠物。
接着，将所得层叠物通过其粘合剂层的露出面贴附固定于切割用环框，将背面研磨带从硅芯片剥离，由此得到了如下层叠结构体的试验片：在基材上具备粘合剂层而成的半导体加工用片的上述粘合剂层上层叠有未切断的膜状粘接剂，进行了预先单片化的多个半导体芯片整列设置于该膜状粘接剂上。
在扩片器(jcm公司制造“me-300b”)的扩片单元上设置上述得到的试验片，在0℃的环境下、在扩片量(扩张量)10mm、扩片速度(扩张速度)10mm/sec的条件下，将半导体加工用片及膜状粘接剂扩片，沿硅芯片的外形切断了膜状粘接剂。即，此处，使用上述得到的半导体加工用片作为扩展片。
接着，通过目视，对切断完的具备膜状粘接剂的硅芯片(带膜状粘接剂的半导体芯片)，确认自粘合剂层起的鼓起的有无、飞散的有无，这些异常全部没有观察到时，将鼓起/飞散的抑制效果判定为合格(a)，即使观察到一点点这些异常时，也将鼓起/飞散的抑制效果判定为不合格(b)。将结果示于表1中的“半导体芯片的鼓起/飞散的抑制”的栏。
(带膜状粘接剂的半导体芯片的拾取适合性)
使用拾取/芯片接合装置(canonmachineryinc.制造“bestemd02”)，对评价了上述“带膜状粘接剂的半导体芯片的鼓起/飞散的抑制效果”后的未观察到异常的带膜状粘接剂的半导体芯片，在上推量200μm、上推速度20mm/sec、抬起等待时间300msec的条件下，通过1针上推方式，进行了30次拾取。然后，30次拾取全部成功时，将拾取适合性判定为合格(a)，拾取失败1次以上时，将拾取适合性判定为不合格(b)。将结果示于表1中的“拾取适合性”的栏。
(包含粘合剂层的层叠体的储能模量)
使用上述得到的半导体加工用片，制作了将剥离了基材的粘合剂层以总厚度成为200μm的方式多层层叠而成的层叠体。然后，使用动态粘弹性测定装置(tainstrument公司制造“dmaq800”)，在升温速度10℃/分、频率11hz、温度-50～50℃的条件下，测定了该层叠体在0℃的储能模量(mpa)。将结果示于表1中的“储能模量”的栏。
(粘合剂层的粘合力)
将上述得到的半导体加工用片切断成25mm×150mm的大小，利用其粘合剂层在常温(23℃)下贴附于硅晶片的镜面。然后，对该温度条件下的半导体加工用片，进行以粘合剂层及硅晶片的彼此接触的面彼此成为180°的角度的方式、以剥离速度300mm/分剥离的、所谓180°剥离，测定此时的剥离力，将其测定值作为粘合力(mn/25mm)。将结果示于表1中的“粘合力”的栏。
[实施例2～4、比较例1～3]
<半导体加工用片的制造及评价>
将粘合剂组合物制造时的配合成分及其配合量设为表1所示，除此以外，通过与实施例1相同的方法制造半导体加工用片，进行评价。将结果示于表1。
需要说明的是，对于比较例3中的粘合剂层，虽然由粘合剂组合物的含有成分也可明确为能量线(紫外线)固化性，但在上述的粘合剂层的形成到半导体加工用片的评价期间，未进行基于能量线的照射的固化。
[表1]
根据上述结果可明确，实施例1～4中，0℃下的上述层叠体的储能模量为994mpa以下，在通过扩片而切断膜状粘接剂时，完全抑制了带膜状粘接剂的半导体芯片自粘合剂层的鼓起和飞散。另外，粘合剂层对半导体晶片的粘合力为194mn/25mm以下，即使不进行基于能量线照射等的固化，带膜状粘接剂的半导体芯片的拾取适合性也优异。
与此相对，在比较例1及2中，0℃下的上述层叠体的储能模量为1218mpa以上，未抑制带膜状粘接剂的半导体芯片的鼓起和飞散。
另外，在比较例3中，粘合剂层对半导体晶片的粘合力大为534mn/25mm，带膜状粘接剂的半导体芯片的拾取适合性不良。
需要说明的是，这里在上述的鼓起/飞散的抑制效果的评价时，使用切割刀，使用了进行硅晶片的半切割切割而得到的硅芯片。但是，即使使用采用例如上述的在半导体晶片(硅晶片)的内部形成改性层的方法来代替这样的在硅晶片形成槽的方法而得到的硅芯片，也可得到同样的评价结果。这是因为，只要评价中使用的半导体芯片没有异常，半导体芯片的制造方法(半导体晶片的分割方法)就不会给上述的评价工序带来影响。
工业实用性
本发明可用于半导体装置的制造，因此在产业上极其有用。
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