化学机械抛光浆料组合物及使用其制作半导体器件的方法与流程

本公开涉及一种化学机械抛光(cmp)浆料组合物及一种使用所述化学机械抛光浆料组合物制作半导体器件的方法，且更具体来说涉及一种包含抛光控制剂的化学机械抛光浆料组合物及一种使用所述化学机械抛光浆料组合物制作半导体器件的方法。

背景技术：

作为膜平坦化(planarization)工艺，可利用回蚀(etch-back)工艺、回流(reflow)工艺、化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing，cmp)工艺等。化学机械抛光工艺因其有利于进行大面积平坦化且具有优异的平坦度(flatness)而广泛用于大面积平坦化及高度集成电路。

在化学机械抛光工艺中，可将待抛光的物体安装在抛光器件上，且可在物体与抛光垫(polishingpad)之间提供含有磨料颗粒的浆料组合物。在其中物体接触抛光垫的状态下，可旋转物体以使物体的表面平坦化。举例来说，化学机械抛光工艺是通过使浆料组合物中所含有的磨料颗粒及抛光垫的表面突起对物体的表面进行机械摩擦来机械地抛光物体的表面的工艺，且同时是通过使物体的表面与浆料组合物中所含有的化学成分发生化学反应而以化学方式移除物体的表面的工艺。

具有相对高的选择性及相对高的移除速率的化学机械抛光浆料组合物可能难以控制具有小阶差(step)的区域中的平坦度，且化学机械抛光浆料组合物可造成凹陷(dishing)及刮擦。此类问题可在利用化学机械抛光工艺制造的半导体器件中造成各种缺陷，从而可能对半导体器件的良率及可靠性产生不利影响。

技术实现要素：

本发明概念的方面提供一种具有相对高的氧化物膜对半导体膜抛光选择性且能够改善凹陷及刮擦的化学机械抛光(cmp)浆料组合物。

本发明概念的方面还提供一种制作可靠性及良率提高的半导体器件的方法。

然而，本发明概念的方面并非仅限于本文所述的方面。通过参照下文给出的对本发明概念的详细说明，本发明概念的以上及其他方面将对本发明概念所属领域中的普通技术人员而言变得更显而易见。

根据本发明概念的一方面，提供一种化学机械抛光(cmp)浆料组合物，所述化学机械抛光浆料组合物包含：磨料颗粒；第一阳离子化合物，包含氨基酸、聚亚烷基二醇、与葡糖胺化合物键结的聚合物多糖及含有胺基的聚合物中的至少任一者；第二阳离子化合物，包含有机酸；以及非离子化合物，包含聚醚胺。

根据本发明概念的另一方面，提供一种化学机械抛光浆料组合物，以100重量％的化学机械抛光浆料组合物计，化学机械抛光浆料组合物包含0.1重量％到10重量％的磨料颗粒、0.001重量％到6重量％的阳离子化合物以及0.001重量％到1重量％的包含聚醚胺的非离子化合物。

根据本发明概念的另一方面，提供一种制作半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有多个沟槽的半导体图案；在半导体图案上形成绝缘膜以填充多个沟槽；以及使用化学机械抛光浆料组合物对绝缘膜进行抛光直到暴露出半导体图案的上表面，其中以100重量％的化学机械抛光浆料组合物计，化学机械抛光浆料组合物包含0.1重量％到10重量％的磨料颗粒、0.001重量％到6重量％的阳离子化合物及0.001重量％到1重量％的包含聚醚胺的非离子化合物。

附图说明

通过结合附图阅读以下对实施例的说明，这些方面及/或其他方面将变得显而易见且更易于理解，在附图中：

图1到图7是示出根据本发明概念的实施例的一种制作半导体器件的方法的操作的视图。

图8是示出根据本发明概念的示例性实施例的一种制造半导体器件的方法的流程图。

[符号的说明]

100：衬底

110：半导体图案

120：第一绝缘膜

120’：第一绝缘膜图案

200：第二绝缘膜

210：导电膜

210’：导电膜图案

210a：导电残余物

d1：第一凹陷

d2：第二凹陷

i：第一区域

ii：第二区域

p1：第一化学机械抛光工艺

p2：第二化学机械抛光工艺

s801、s803、s805：步骤

t1：沟槽

t2：接触孔

具体实施方式

以下，将参照示例性实施例及附图阐述根据本发明概念的实施例的一种化学机械抛光(cmp)浆料组合物。然而，本发明概念并非仅限于这些实施例及附图。

根据示例性实施例的化学机械抛光浆料组合物可包含磨料颗粒、阳离子化合物、非离子化合物及溶剂。

磨料颗粒可用作浆料组合物的磨料。磨料颗粒可包含金属氧化物。举例来说，磨料颗粒可包含金属氧化物、涂布有有机材料或无机材料的金属氧化物及胶态金属氧化物中的至少任一种。

另外，磨料颗粒可包含二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化铝、二氧化钛、钛酸钡、氧化锗、二氧化锰及氧化镁中的至少任一者。

磨料颗粒的形状可为球状、角状、针状或板状。优选地，磨料颗粒的形状可为球形。

根据示例性实施例，磨料颗粒的大小可为10nm到300nm。当磨料颗粒的大小小于10nm时，在化学机械抛光工艺中可能无法确保足够的移除速率。当磨料颗粒的大小超过300nm时，在化学机械抛光工艺中可能发生凹陷及刮擦。另外，可能难以调整移除速率及抛光选择性。

磨料颗粒可包括单一大小的颗粒，但也可包括两种或更多种大小的颗粒。举例来说，磨料颗粒的大小可在制作工艺期间进行调整，使得磨料颗粒可具有其中混合有两种类型的颗粒的双峰粒度分布(bimodalparticlesizedistribution)。作为另一选择，磨料颗粒可具有其中混合有三种类型的颗粒而显示出三个峰的粒度分布。由于在一些实施例中相对大的磨料颗粒与相对小的磨料颗粒混合在一起，因此可获得更好的可分散性。此外，此类磨料颗粒可减少对抛光目标的刮擦，改善凹陷，且改善抛光之后的清洁性质。

在一些实施例中，磨料颗粒可在其表面上具有正电荷。在其中磨料颗粒的表面带正电荷的情况下，氧化物膜的移除速率可进一步提高。

阳离子化合物可包含第一阳离子化合物及第二阳离子化合物。

第一阳离子化合物可包含氨基酸、聚亚烷基二醇、与葡糖胺化合物键结的聚合物多糖及含有胺基的聚合物中的至少任一者。

氨基酸可包括例如精氨酸。

与葡糖胺化合物键结的聚合物多糖可包括以下中的至少任一者的与葡糖胺化合物键结的聚合物多糖：甲壳质、壳聚糖、壳寡糖、粘多醣、蛋白多糖、肝素、海藻酸、纤维素、透明质酸、鹿角菜胶、β-葡聚糖及硫酸软骨素。

含有胺基的聚合物可包括例如一级胺化合物、二级胺化合物、三级胺化合物及四级胺化合物中的至少任一者。

第二阳离子化合物可包含有机酸。

有机酸可包括以下中的至少任一者：例如乳酸、乙酸、柠檬酸、苹果酸、马来酸、丙二酸、次氮基三乙酸(nitrilotriaceticacid)、吡啶甲酸(picolinicacid)、烟酸(nicotinicacid)、异烟酸(isonicotinicacid)、萎蔫酸(fusaricacid)、二烟酸(dinicotinicacid)、吡啶二羧酸(dipicolinicacid)、卢剔啶酸(lutidinicacid)、喹啉酸(quinolinicacid)、谷氨酸、丙氨酸、甘氨酸、胱氨酸、组氨酸、天冬酰胺、胍(guanidine)、肼(hydrazine)、甲酸(formicacid)、苯甲酸、草酸、琥珀酸、丙三酸(tricarballylicacid)、酒石酸(tartaricacid)、天冬氨酸、戊二酸、己二酸、辛二酸、富马酸(fumaricacid)、邻苯二甲酸(phthalicacid)及吡啶羧酸(pyridinecarboxylicacid)。

非离子化合物可包含聚醚胺。

在一些实施例中，聚醚胺可为含有环氧乙烷及环氧丙烷中的至少一者作为单体的聚醚胺。举例来说，聚醚胺可为通过对环氧乙烷或环氧丙烷进行聚合而形成的化合物。

在一些实施例中，聚醚胺可包含1到3个胺基。

举例来说，聚醚胺可包括由以下式(1)到式(3)表示的化合物中的至少一者。

其中x是2到10的自然数。

其中x、y及z分别为自然数，x与z的和是3到20，且y是5到40。

其中x、y及z分别为2到10的自然数。

溶剂可包括去离子水。溶剂也可充当分散介质。举例来说，溶剂可充当易于溶解在溶剂中的物质(例如第一抛光控制剂)的溶剂，但也可充当细颗粒(例如磨料颗粒)的分散介质。举例来说，溶剂可充当溶剂及分散介质二者，但为方便起见在本文中将被称为溶剂。

可按照化学机械抛光浆料组合物的余量来包含溶剂。

根据实施例的化学机械抛光浆料组合物还可包含阴离子化合物。

阴离子化合物可包含例如呈共振结构官能基形式的共聚物、含羧基的聚合物及含羧基的有机酸中的至少任一者。

阴离子化合物的一部分可环绕磨料颗粒的表面。举例来说，当磨料颗粒的表面带正电荷时，阴离子化合物的一部分可通过静电键结(electrostaticbonding)环绕磨料颗粒的表面。另外，阳离子化合物的一部分可环绕对磨料颗粒的表面进行环绕的阴离子化合物。因此，可形成在其表面上具有正电荷的磨料颗粒复合物。磨料颗粒复合物可进一步提高氧化物膜的移除速率。

在制作半导体器件期间对氧化物膜进行抛光的工艺中，可使用对氧化物膜具有相对高的选择性及对氧化物膜具有相对高的移除速率的化学机械抛光浆料。然而，化学机械抛光浆料难以控制具有小阶差的区域中的平坦度，且化学机械抛光浆料会在抛光之后的氧化物膜中造成凹陷及刮擦。此类问题会在利用化学机械抛光工艺制作的半导体器件中造成各种缺陷(例如短路)。

然而，根据本发明概念的实施例的化学机械抛光浆料组合物具有相对高的氧化物膜对半导体膜抛光选择性(氧化物膜的移除速率对半导体膜的移除速率的比率)及对氧化物膜相对高的的移除速率，且可显著改善凹陷及刮擦。

具体来说，阳离子化合物的一部分可吸附到氧化物膜的带负电荷的表面，从而保护氧化物膜的表面不被磨料颗粒过度抛光。举例来说，含有sio2的氧化物膜的表面可因氧原子(o)具有相对高的电负性(electronegativity)而带负电荷。阳离子化合物的一部分可静电吸附到氧化物膜的表面上以保护氧化物膜的表面，从而使凹陷及刮擦的发生最少化。

另外，非离子化合物可吸附到半导体膜上以保护半导体膜不被磨料颗粒损坏。举例来说，聚醚胺可通过与含有sige的半导体膜发生疏水相互作用(hydrophobicinteraction)而被吸附以保护半导体膜不被磨料颗粒损坏。因此，磨料颗粒对半导体膜的抛光可得到有效地抑制，且氧化物膜对半导体膜抛光选择性可得到提高。

以100重量％的化学机械抛光浆料组合物计，根据实施例的化学机械抛光浆料组合物可包含0.1重量％到10重量％的磨料颗粒、0.001重量％到6重量％的阳离子化合物以及0.001重量％到1重量％的非离子化合物。

当磨料颗粒的含量小于0.1重量％时，在化学机械抛光工艺中可能无法确保足够的移除速率。当磨料颗粒的含量超过10重量％时，可能因化学机械抛光工艺而造成过度凹陷及刮擦。

当阳离子化合物的含量小于0.001重量％时，可能无法充分改善待抛光的氧化物膜的凹陷及刮擦。当阳离子化合物的含量超过6重量％时，化学机械抛光浆料组合物的分散稳定性可能降低。

以100重量％的化学机械抛光浆料组合物计，第一阳离子化合物的含量可为0.01重量％到5重量％。另外，以100重量％的化学机械抛光浆料组合物计，第二阳离子化合物的含量可为0.001重量％到1重量％。

当非离子化合物的含量小于0.001重量％时，氧化物膜对半导体膜抛光选择性可能不够高。当非离子化合物的含量超过1重量％时，可能无法确保足够的移除速率，且可能发生过度凹陷及刮擦。

以下，将参照以下实例及比较例详细地阐述本发明概念。以下实例仅是对本发明概念的说明，且本公开并非仅限于这些实例。

[实例1]

通过将作为磨料颗粒的粒度为100nm的二氧化铈5重量％、作为第一阳离子化合物的精氨酸0.1重量％、作为第二阳离子化合物的乙酸0.07重量％及作为非离子化合物的4,7,10-三氧杂十三烷-1,13-二胺(4,7,10-trioxamidecane-1,13-diamine，ttd)0.01重量％混合而制备了化学机械抛光浆料组合物。

[比较例1]

除了不使用非离子化合物以外，以与实例1相同的方式制备了化学机械抛光浆料组合物。

[比较例2]

除了不使用第一阳离子化合物及第二阳离子化合物以外，以与实例1相同的方式制备了化学机械抛光浆料组合物。

实例1、比较例1及比较例2中的第一阳离子化合物的含量、第二阳离子化合物的含量、非离子化合物的含量、氧化物膜的移除速率、氧化物膜对半导体膜抛光选择性(氧化物膜移除的速率对半导体膜移除的速率的比率)及凹陷量(氧化物膜的高度的偏差)示于下表1中。

[表1]

[抛光条件]

1.抛光机：cts公司(ctscorporation)制造的ap-300

2.垫：罗姆及哈斯公司(rohm&hasscompany)制造的k7

3.抛光时间：60秒

4.压板转速(rpm)：87rpm

5.杆头转速：93rpm

6.流速：300ml/min

7.抛光目标：图案化晶片(的sige、到的sio2)

基于上述抛光条件，对移除速率、氧化物膜对半导体膜抛光选择性及凹陷量进行了测量。

参照表1，将实例1与比较例1进行比较，可以看到在使用非离子化合物的实例1中，氧化物膜对半导体膜抛光选择性显著增大。举例来说，与当化学机械抛光浆料组合物不含有非离子化合物时相比，当化学机械抛光浆料组合物中的非离子化合物的含量为0.1重量％时，氧化物膜对半导体膜抛光选择性增大约60％。

另外，将实例1与比较例2进行比较，可以看到在使用阳离子化合物的实例1中，凹陷量显著减少。举例来说，与当化学机械抛光浆料组合物不含有阳离子化合物时相比，当化学机械抛光浆料组合物中的第一阳离子化合物的含量为0.1重量％且化学机械抛光浆料组合物中的第二阳离子化合物的含量为0.07重量％时，凹陷量减少约75％以上。

现在将参照以下实例及比较例更详细地阐述本发明概念。以下实例仅是对本发明概念的说明，且本公开并非仅限于这些实例。

[实例2]

除了将非离子化合物的含量变为0.03重量％以外，以与实例1相同的方式制备了化学机械抛光浆料组合物。

[比较例3]

除了将非离子化合物的含量变为0.0005重量％以外，以与实例1相同的方式制备了化学机械抛光浆料组合物。

[比较例4]

除了将非离子化合物的含量变为1.2重量％以外，以与实例1相同的方式制备了化学机械抛光浆料组合物。

实例1、实例2、比较例3及比较例4中的非离子化合物的含量、移除速率、氧化物膜对半导体膜抛光选择性及凹陷量示于下表2中。

[表2]

参照表2，实例1及实例2具有为以上的相对高的移除速率、为20:1以上的相对高的氧化物膜对半导体膜抛光选择性及为以下的低的凹陷量。

具体来说，将实例1、实例2及比较例3进行比较，可以看到当非离子化合物的含量为0.001重量％以上时，氧化物膜对半导体膜抛光选择性显著增大。举例来说，与当化学机械抛光浆料组合物中的非离子化合物的含量为约0.0005重量％以下时相比，当化学机械抛光浆料组合物中的非离子化合物的含量为约0.01重量％以上时，氧化物膜对半导体膜抛光选择性增大约60％以上。

另外，将实例1、实例2及比较例4进行比较，可以看到当非离子化合物的含量为1重量％以下时，移除速率显著增大且凹陷量显著减少。举例来说，与当化学机械抛光浆料组合物中的非离子化合物的含量大于1重量％时相比，当化学机械抛光浆料组合物中的非离子化合物的含量为约0.01重量％但小于1重量％时，凹陷量减少约75％以上。另外，与当化学机械抛光浆料组合物中的非离子化合物的含量大于1重量％时相比，当化学机械抛光浆料组合物中的非离子化合物的含量为约0.01重量％但小于1重量％时，移除速率增大约35％以上。

以下，将参照图1到图7来阐述根据本发明概念的实施例的一种制作半导体器件的方法。本文所使用的半导体器件可指例如半导体芯片(例如，形成在从半导体晶片上切下的管芯上的存储器芯片及/或逻辑芯片)等器件。

图1到图7是示出根据本发明概念的示例性实施例的一种制作半导体器件的方法的操作的视图。

参照图1，提供半导体图案110。举例来说，可在衬底100上提供包括多个沟槽t1的半导体图案110。衬底100可为半导体晶体材料(例如，晶体硅晶片或晶体sige晶片)。

衬底100可包括第一区域i及第二区域ii。第一区域i可为例如其中形成有非易失性存储器的存储器单元区域。另外，第二区域ii可为其中设置有例如用于操作存储器单元区域所必需的电路元件的外围电路区域。

半导体图案110可形成在衬底100的第一区域i上。半导体图案110可为包括晶体管或导电布线层的多层结构。半导体图案110可包含使半导体材料或导电材料电绝缘或者覆盖半导体材料或导电材料的绝缘材料衬里(insulatingmaterialliner)。然而，本公开并非仅限于这种情况，且半导体图案110可依据所需要的半导体器件而具有各种结构。

半导体图案110可包括半导体膜。举例来说，半导体图案110可包括硅锗膜。然而，半导体图案110也可包括另一半导体膜(例如硅膜或砷化镓膜)。半导体图案110可包含例如氮化硅(sin)。半导体图案110可为(例如，通过从衬底100的表面外延生长晶体半导体图案)形成在衬底上的半导体膜，或半导体图案110可通过将半导体衬底100的表面图案化来形成(且因此与衬底100的剩余部分成一体且同质)。

参照图1及图2，在半导体图案110上形成第一绝缘膜120。第一绝缘膜120可被形成为填充半导体图案110中的沟槽t1。因此，半导体图案110的一些部分可被第一绝缘膜120分隔开。

可通过但不限于化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)工艺来形成第一绝缘膜120。

第一绝缘膜120可包括氧化物膜。第一绝缘膜120可由以下中的至少一者形成：氧化硅(sio2)膜、高密度等离子体(highdensityplasma，hdp)膜、未掺杂硅酸盐玻璃(undopedsilicateglass，usg)膜、氟化氧化硅(siof)膜、旋涂玻璃(spinonglass，sog)膜、富硅氧化物(siliconrichoxide，srox)膜、使用原硅酸四乙酯(tetraethylorthosilicate，teos)作为前体形成的膜(例如，sio2)、使用等离子体增强原硅酸四乙酯(plasmaenhancedtetraethylorthosilicate，peteos)形成的膜(例如，sio2膜)、磷硅石玻璃(phosphorussilicateglass，psg)膜、硼磷硅石玻璃(boro-phosphorussilicateglass，bpsg)膜及所述这些膜的组合。

参照图3，利用第一化学机械抛光工艺p1将第一绝缘膜120的上表面平坦化，直到暴露出半导体图案110的上表面。因此，可形成第一绝缘膜图案120’。

由于第一化学机械抛光工艺p1，第一绝缘膜图案120’的上表面可包括凹陷。此种凹陷可能随着半导体图案110的一些部分之间的间隙增大而加剧。举例来说，如图所示，可在形成在第二区域ii上的第一绝缘膜图案120’中形成第一凹陷d1。

第一化学机械抛光工艺p1使用根据本发明概念的实施例的化学机械抛光浆料组合物。举例来说，第一化学机械抛光工艺p1可使用以下化学机械抛光浆料组合物，所述化学机械抛光浆料组合物包含：第一阳离子化合物，包含氨基酸、聚亚烷基二醇、与葡糖胺化合物键结的聚合物多糖及含有胺基的聚合物中的至少任一者；第二阳离子化合物，包含有机酸；以及非离子化合物，包含聚醚胺。

因此，第一化学机械抛光工艺p1可确保相对高的移除速率，从而提高半导体器件制作工艺的生产率。另外，由于第一化学机械抛光工艺p1具有相对高的氧化物膜对半导体膜抛光选择性及少量的凹陷，因此第一绝缘膜图案120’的平坦度可得到提高。举例来说，第一化学机械抛光工艺p1可使第一凹陷d1的发生最少化。

参照图4，在半导体图案110及第一绝缘膜图案120’上形成第二绝缘膜200。

第二绝缘膜200可包括第二凹陷d2。由于第二绝缘膜200是形成在第一绝缘膜图案120’上，因此第二凹陷d2可形成在第一凹陷d1上。然而，由于根据实施例的制作半导体器件的方法利用第一化学机械抛光工艺p1，因此可通过使第一凹陷d1的发生最少化来使第二凹陷d2的发生最少化。在一些实施例中，可能不发生第二凹陷d2。

可通过但不限于化学气相沉积工艺来形成第二绝缘膜200。

第二绝缘膜200可包含例如氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的至少一者。

参照图5，在第二绝缘膜200中形成多个接触孔t2。

举例来说，可利用干式刻蚀工艺来形成接触孔t2中的每一者。具体来说，可在第二绝缘膜200上形成掩模图案。掩模图案可暴露出其中将形成每一接触孔t2的区域。接着，可通过对被掩模图案暴露出的区域进行刻蚀而在第二绝缘膜200中形成接触孔t2。

每一接触孔t2被设计成提供其中将形成之后将阐述的导电膜图案210’(参见图7)的空间。因此，每一接触孔t2可依据所需要的导电膜图案210’而具有各种形状。举例来说，每一接触孔t2可具有线形状或孔形状。举例来说，接触孔t2可被形成为穿透第二绝缘膜200且暴露出半导体图案110的至少一部分。

参照图6，在半导体图案110及第二绝缘膜200上形成导电膜210。

可通过但不限于化学气相沉积工艺、镀覆工艺或物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)工艺来形成导电膜210。导电膜210可被形成为填充接触孔t2。因此，导电膜210可接触半导体图案110。

导电膜210可包含例如铝(al)、铜(cu)、钨(w)、钛(ti)、钴(co)及这些材料的组合中的至少一种。

参照图6及图7，利用第二化学机械抛光工艺p2将导电膜210的上表面平坦化，直到暴露出第二绝缘膜200的上表面。因此，可形成被第二绝缘膜200分隔开的导电膜图案210’。

此处，导电残余物210a可残留在第二凹陷d2上。导电残余物210a可为导电膜210的由于第二凹陷d2而在第二化学机械抛光工艺p2中未被抛光的一部分。

如果不执行第一化学机械抛光工艺p1，则可能过度发生第一凹陷d1，从而导致导电残余物210a的过度形成。导电残余物210a会妨碍导电膜图案210’被第二绝缘膜200完全分隔开。因此，在所制造的半导体器件中可能出现缺陷(例如短路)，因此会降低半导体器件的可靠性及良率。

然而，由于根据示例性实施例的制作半导体器件的方法利用第一化学机械抛光工艺p1，因此可通过使第一凹陷d1的发生最少化来使导电残余物210a的形成最少化。在一些实施例中，导电残余物210a可能根本不会形成。因此，根据示例性实施例的制作半导体器件的方法可提高半导体器件的可靠性及良率。

图8是示出根据本发明概念的示例性实施例的一种制造半导体器件的方法的流程图。

在步骤s801中，在衬底(例如，半导体晶片w)上提供具有多个沟槽的半导体图案。半导体图案可为半导体图案110，且衬底可为根据以上所公开的示例性实施例的衬底100。衬底100可包括第一区域i及第二区域ii。第一区域i可为例如其中形成有非易失性存储器的存储器单元区域。另外，第二区域ii可为其中设置有例如用于操作存储器单元区域所必需的电路元件的外围电路区域。具有多个沟槽t1的半导体图案110可形成在衬底100的第一区域i上。

在步骤s803中，可在半导体图案110上形成绝缘膜。绝缘膜可为根据以上所公开的示例性实施例的第一绝缘膜120。第一绝缘膜120可填充所述多个沟槽t1。

在步骤s805中，可使用化学机械抛光浆料组合物对第一绝缘膜120进行抛光，直到暴露出半导体图案110的上表面。化学机械抛光浆料组合物可为根据以上所公开的示例性实施例的化学机械抛光浆料组合物。举例来说，以100重量％的化学机械抛光浆料组合物计，化学机械抛光浆料组合物可包含0.1重量％到10重量％的磨料颗粒、0.001重量％到6重量％的阳离子化合物以及0.001重量％到1重量％的可包含聚醚胺的非离子化合物。半导体芯片(其中形成有集成电路)可从晶片w上切下且形成半导体器件封装的元件。

尽管已参照本发明概念的示例性实施例特别示出并阐述了本发明概念，然而所属领域中的普通技术人员应理解，在不背离由以上权利要求书所界定的本发明概念的精神及范围的条件下，在本文中可作出各种形式及细节上的变化。因此，期望本发明实施例在所有方面均被视为说明性的而非限制性的，参照随附权利要求书而非上述说明来指示本发明的范围。