技术特征：
技术总结
本发明提供化学机械平面化(CMP)制剂，其为宽或高级节点铜或硅通孔(TSV)提供高的且可调的Cu去除速率和低的铜凹陷。所述CMP组合物提供Cu膜相对于其他阻挡层(例如Ta、TaN、Ti和TiN)和介电膜(例如TEOS、低k和超低k膜)的高选择性。所述CMP抛光制剂包含溶剂，磨料，选自氨基酸、氨基酸衍生物、有机胺及其组合的至少三种螯合剂；其中至少一种螯合剂是氨基酸或氨基酸衍生物。另外，在制剂中使用有机季铵盐、腐蚀抑制剂、氧化剂、pH调节剂和杀生物剂。
技术研发人员：史晓波;L·M·马兹;C·K-Y·李;M-S·蔡;P·C·潘;C·C-T·谢;R-J·杨;B·J·卢;M·L·奥尼尔;A·德雷克斯凯-科瓦奇
受保护的技术使用者：弗萨姆材料美国有限责任公司
技术研发日：2018.08.17
技术公布日：2019.03.01