1.一种核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供量子点核；
在所述量子点核表面进行n次壳层生长，制备n层壳层，得到核壳结构纳米晶，用于所述壳生长的壳源包括壳源阳离子前驱体和壳源阴离子前驱体，所述壳源阳离子前驱体为金属有机羧酸盐；在不同次序的m次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长；其中，n为大于等于2的正整数；m为正整数，且m的取值满足：n/3≤m≤n-1；
将所述核壳结构纳米晶分散在含有有机酸的溶液中进行加热处理。
2.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，将所述核壳结构纳米晶分散在含有有机酸的溶液中进行加热处理的步骤中，按照所述有机酸与所述量子点核的摩尔质量比为(5～10mmol):10mg，将所述核壳结构纳米晶分散在含有有机酸的溶液中。
3.如权利要求2所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，将所述核壳结构纳米晶分散在含有有机酸的溶液中进行加热处理的步骤中，将所述核壳结构纳米晶分散在含有有机酸的溶液中，在温度为240-320℃的条件下加热处理30-90min。
4.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，将所述核壳结构纳米晶分散在含有有机酸和有机膦的溶液中进行加热处理。
5.如权利要求4所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，将所述核壳结构纳米晶分散在含有有机酸和有机膦的溶液中进行加热处理的步骤中，按照所述有机酸与所述量子点核的摩尔质量比为(5～10mmol):10mg、所述有机膦与所述量子点核的摩尔质量比为(2～5mmol):10mg，将所述核壳结构纳米晶分散在含有有机酸和有机膦的溶液中。
6.如权利要求4所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，将所述核壳结构纳米晶分散在含有有机酸和有机膦的溶液中进行加热处理的步骤中，将所述核壳结构纳米晶分散在含有有机酸和有机膦的溶液中，在温度为100-320℃的条件下加热10-60min。
7.如权利要求1至6任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，所述有机酸选自含有末端羧基的直链羧酸。
8.如权利要求4所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，所述有机膦选自三辛基膦、三丁基膦中的至少一种。
9.如权利要求1至6任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，m＝n-1。
10.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，在所述的不同次序的m次相邻壳层生长步骤之间，包括在不同次序的l次的相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺和有机膦进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长，其中，l为正整数，且l≤m。
11.如权利要求10所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，l＝m＝n-1。
12.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，当m<n-1时，还包括在不同次序的s次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入进行加入、混合处理后，再进行后一壳层的生长的步骤，其中，所述s次相邻壳层生长步骤之间是指未向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺或有机胺和有机膦进行混合和加热的相邻壳层生长步骤之间，所述s为正整数，且1≤s≤(n-1)-m。
13.如权利要求1至6任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，制备的n层壳层中，每一层壳层厚度为0.1-2nm，n的取值范围为6-18。
14.如权利要求1、10或12任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，将用于生长当前次序的前一壳层的壳源加入壳层生长体系5-20min后，在每一次的所述不同次序的m次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长；
或，将用于生长当前次序的前一壳层的壳源加入壳层生长体系5-20min后，在每一次的所述不同次序的l次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺和有机膦进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长；
或，将用于生长当前次序的前一壳层的壳源加入壳层生长体系5-20min后，在每一次的所述不同次序的s次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机膦进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长。
15.如权利要求1、10或12任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，在不同次序的m次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺，在150～320℃条件下混合和加热5-20min后，再加入壳源进行后一壳层的生长；
或，在不同次序的l次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺和有机膦，在150～320℃条件下混合和加热5-20min后，再加入壳源进行后一壳层的生长；
或，在不同次序的s次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机膦，在150～320℃条件下混合和加热5-20min后，再加入壳源进行后一壳层的生长。