核壳结构纳米晶的制备方法与流程

文档序号:20451740发布日期:2020-04-17 23:07阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供量子点核;

在所述量子点核表面进行n次壳层生长,制备n层壳层,得到核壳结构纳米晶,用于所述壳生长的壳源包括壳源阳离子前驱体和壳源阴离子前驱体;

在不同次序的m次相邻壳层生长步骤之间,向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机羧酸进行混合并加热后,再进行后一壳层的生长;

其中,n为大于等于2的正整数;

m为正整数,且m的取值满足:n/3≤m≤n-1。

2.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,m=n-1。

3.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,在所述的不同次序的m次相邻壳层生长步骤之间,包括在不同次序的l次的相邻壳层生长步骤之间,向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机羧酸和第一有机膦进行混合并加热后,再进行后一壳层的生长,其中,l为正整数,且l≤m。

4.如权利要求3所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,l=m=n-1。

5.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,当m<n-1时,还包括在不同次序的s次相邻壳层生长步骤之间,向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入第一有机膦进行混合并加热后,再进行后一壳层的生长的步骤,其中,所述s次相邻壳层生长步骤之间是指未向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机羧酸或有机羧酸和第一有机膦进行混合并加热处理的相邻壳层生长步骤之间,所述s为正整数,且1≤s≤(n-1)-m。

6.如权利要求1至5任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,所述有机羧酸选自碳原子个数为8-18的有机羧酸。

7.如权利要求1至5任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,所述有机羧酸选自含有一个羧基的直链有机羧酸。

8.如权利要求3或5所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,所述第一有机膦选自三辛基膦、三丁基膦中的至少一种。

9.如权利要求1至5任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,所述量子点核为ii/vi族量子点核。

10.如权利要求1至5任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,所述在所述不同次序的m次相邻壳层生长步骤之间,在向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机羧酸进行混合并加热后,先将壳源阴离子前驱体加入已形成前一壳层的壳层生长反应体系后,再将壳源阳离子前驱体加入已形成前一壳层的壳层生长反应体系进行当前次序的后一壳层生长。

11.如权利要求1至5任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,所述壳源阳离子前驱体选自cd、zn和pb的有机金属羧酸盐中的至少一种,所述壳源阴离子前驱体选自将te、se和s单质分散到有机分子中形成的阴离子配合物或者硫醇。

12.如权利要求1至5任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,制备的n层壳层中,每一层壳层厚度为0.1-2nm,n的取值范围为6-18。

13.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,在不同次序的m次相邻壳层生长步骤之间,向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机羧酸进行混合并加热后,再进行后一壳层的生长的步骤中,按所述有机羧酸摩尔与所述量子点核的质量比为(0.2~0.9mmol):10mg向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机羧酸。

14.如权利要求3或4所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,在不同次序的l次的相邻壳层生长步骤之间,向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机羧酸和第一有机膦进行混合并加热后,再进行后一壳层的生长的步骤中,按所述有机羧酸和第一有机膦的摩尔量之和与所述量子点核的质量比为(0.2~0.9mmol):10mg向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机羧酸和第一有机膦。

15.如权利要求5所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,在不同次序的s次相邻壳层生长步骤之间,向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入第一有机膦进行混合并加热后,再进行后一壳层的生长的步骤中,按所述第一有机膦摩尔与所述量子点核的质量比为(0.2~0.9mmol):10mg向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入第一有机膦。

16.如权利要求1至5任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,按所述壳源阳离子前驱体与所述量子点核的质量比为(1~1.5mmol):10mg、所述壳源阴离子前驱体与所述量子点核的质量比为(1~1.5mmol):10mg添加壳源,进行每次壳层生长,制备每一层壳层。

17.如权利要求1、3或5任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,将用于生长当前次序的前一壳层的壳源加入壳层生长体系5-20min后,在每一次的所述不同次序的m次相邻壳层生长步骤之间,向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机羧酸进行混合并加热后,再进行后一壳层的生长;

或,将用于生长当前次序的前一壳层的壳源加入壳层生长体系5-20min后,在每一次的所述不同次序的l次相邻壳层生长步骤之间,向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机羧酸和第一有机膦进行混合并加热后,再进行后一壳层的生长;

或,将用于生长当前次序的前一壳层的壳源加入壳层生长体系5-20min后,在每一次的所述不同次序的s次相邻壳层生长步骤之间,向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入第一有机膦进行混合并加热后,再进行后一壳层的生长。

18.如权利要求1、3或5任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,在不同次序的m次相邻壳层生长步骤之间,向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机羧酸,在150~320℃条件下混合并加热5-20min后,再加入壳源进行后一壳层的生长;

或,在不同次序的l次相邻壳层生长步骤之间,向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机羧酸和第一有机膦,在150~320℃条件下混合并加热5-20min后,再加入壳源进行后一壳层的生长;

或,在不同次序的s次相邻壳层生长步骤之间,向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入第一有机膦,在150~320℃条件下混合并加热5-20min后,再加入壳源进行后一壳层的生长。

19.如权利要求1至5任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,在所述量子点核表面进行n次壳层生长,制备n层壳层,得到核壳结构纳米晶的步骤之后,还包括将所述核壳结构纳米晶分散在含有第二有机膦的溶液中加热的步骤。

20.如权利要求19所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,将所述核壳结构纳米晶分散在含有第二有机膦的溶液中进行加热的步骤中,按照所述第二有机膦与所述量子点核的摩尔质量比为(2~5mmol):10mg,将所述核壳结构纳米晶分散在含有第二有机膦的溶液中。

21.如权利要求19所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,将所述核壳结构纳米晶分散在含有第二有机膦的溶液中进行加热的步骤中,将所述核壳结构纳米晶分散在含有第二有机膦的溶液中,在温度为100-320℃的条件下加热10-60min。

22.如权利要求19所述的核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,所述第二有机膦选自三辛基膦、三丁基膦中的至少一种。


技术总结
本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法,包括:提供含有量子点核的溶液;在所述量子点核表面进行N次壳层生长,制备N层壳层,得到核壳结构纳米晶,用于所述壳生长的壳源包括壳源阳离子前驱体和壳源阴离子前驱体;在不同次序的M次相邻壳层生长步骤之间,向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机羧酸进行混合并加热后,再进行后一壳层的生长;其中,N为大于等于2的正整数;M为正整数,且M的取值满足:N/3≤M≤N‑1。

技术研发人员:程陆玲;杨一行
受保护的技术使用者:TCL集团股份有限公司
技术研发日:2018.10.09
技术公布日:2020.04.17
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