一种UV减粘胶的制作方法

本发明属于晶圆切割技术领域，具体涉及一种uv减粘胶。

背景技术：

半导体是家用数码产品及电子器件的关键部件。在大规模集成电路的制造和半导体器件的制造加工过程中，必不可少的基础材料是半导体芯片。半导体芯片是以单晶硅片加工而成的，单晶硅片简称晶圆。在对晶圆材料进行切割、磨削加工时，需要用一种特殊的保护膜进行粘结固定。加工完毕后，再把加工好的晶圆切片从固定胶膜上完全剥离下来，不影响晶圆材料本身。水晶(装饰玻璃)应用于灯具、服饰等日常生活，光学玻璃应用于光学仪器也需要经过切割和研磨，加工过程中同样需要保护膜进行固定，加工完成后再轻松剥离。

国内市场上用于晶圆切割和捡取工艺保护的uv减粘胶多以日本、台湾为主，国内uv减粘胶也有几家在研发推广，性能尚未完全稳定。而对于高性能钢化玻璃制程保护(如手机玻璃等)和手机金属后盖等镭射雕刻工艺的保护都是用绿胶带或金手指胶带来贴覆保护，制程中需要经过120℃或以上特殊工艺几分钟，这对保护膜耐高温性能具有很高的挑战。绿胶带或金手指胶带在经过高温后，胶黏剂层会变软，会更好的与被保护物体表面充分接触，这样就大大的增加了胶带对被保护物体表面的粘合力，也就增加了胶带后期剥离的难度，及可能性的在后期剥离时因粘合力过大而造成的轻微残胶等问题。而当前行业用于晶圆制程保护的uv减粘保护膜可以满足后期剥离时经过uv光照后，粘合力变小的特点而轻易剥离下来的性能。但该uv减粘保护膜不耐高温，若经过高温后，虽然后期剥离时再过uv灯光照粘合力变小，但仍然会存在胶黏剂层的小分子会残留被保护物体表面。

申请号为201210589842.6的中国专利公开了一种易于捡取的防静电晶圆切割膜，克服了传统晶圆制程保护的一些问题，但未解决耐高温性能，无法满足高性能钢化玻璃制程和金属手机后盖的镭射雕刻工艺保护；申请号为201420369939.0的中国专利公开了一种uv减粘膜的结构示意图，和传统的胶带示意图相类似，未解决uv减粘胶的实际性能需求；申请号为201510590693.9的中国专利公开了一种双组份固化uv减粘胶，也只是解决了减粘胶uv光照前高剥离力，uv光照后低剥离力的问题，而对耐高温性能未加以解决；申请号为201520242283.0的中国专利公开了一种具有防静电的新型uv切割膜，具体方法是在pet基材表层涂覆一层抗静电层，也未实际解决uv减粘胶的耐高温性能；介于此，公开号为cn105778806a的中国专利公开了一种耐热型uv减粘胶组合物及该组合物制备的uv减粘保护膜。该组合物由以下质量百分比的原料组成：多官能度低聚物或多官能度单体或其组合物1％～25％、溶剂型耐高温聚丙烯酸酯压敏胶粘剂30％～50％、交联剂a0.5％～1.5％、光引发剂0.3％～1.5％、溶剂35％～60％。该耐热型uv减粘保护膜包括基材(10)、涂覆于所述基材表面的底涂层、涂覆在所述底涂层上的uv减粘胶层和离型膜，该发明所制备的耐热型uv减粘保护膜能耐120℃高温，且具有uv光照前剥离力大、uv光照后剥离力低和不留残胶的优点，但是树脂与母胶混融性差，容易析出，且生产原料繁多。

技术实现要素：

本发明提供了一种uv减粘胶，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种uv减粘胶，包括光敏基团和聚丙烯酸酯，所述光敏基团和聚丙烯酸酯的质量比为：10-20％：80-90％，所述光敏基团和聚丙烯酸酯在光、热及引发剂条件下，使所述光敏基团引入到聚丙烯酸酯骨架链上。

优选的，所述光敏基团包含质量比为：50-70％的光敏树脂和1-5％的光引发剂以及25-50％活性稀释单体。

优选的，所述光敏树脂采用聚丙烯酸酯。

优选的，所述活性稀释单体为带异氰酸功能基团的单体，将其带异氰酸功能基团的单体接枝到丙烯酸酯基环氧树脂上，使用马来酸酐改性，制备带有光引发基团的水性丙烯酸酯基环氧树脂。

优选的，所述马来酸酐为光引发剂。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

将光敏基团直接引入到聚丙烯酸酯骨架链上，无需后续添加多官能树脂，经uv光照后其剥离力可从原有1600gf/25rm降低至25gf/25mm以下，无污染，无残留，同时可耐高温150c°一个小时，因此在使用后，可以很方便的将工件从胶带上脱离。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1为本发明的结构示意图。

图中：1、聚丙烯酸酯骨架链；2、光敏基团。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

请参阅图1，本发明提供以下技术方案：一种uv减粘胶，包括光敏基团和聚丙烯酸酯，所述光敏基团和聚丙烯酸酯的质量比为：10％：90％，所述光敏基团和聚丙烯酸酯在光、热及引发剂条件下，使所述光敏基团引入到聚丙烯酸酯骨架链上。

本实施例中，将光敏基团2直接引入到聚丙烯酸酯骨架链1上，无需后续添加多官能树脂，经uv光照后其剥离力可从原有1600gf/25rm降低至25gf/25mm以下，无污染，无残留，同时可耐高温150℃一个小时，因此在使用后，可以很方便的将工件从胶带上脱离，该减粘胶大大的增加了胶带对被保护物体表面的粘合力，而后期通过uv的照射，剥离力从原有1600gf/25rm降低至25gf/25mm以下，也就降低了胶带后期剥离的难度，避免了后期剥离时因粘合力过大而造成的轻微残胶等问题，且该uv减粘保护膜耐高温，可以在高温条件下使用。

具体的，所述光敏基团包含质量比为：50％的光敏树脂和1％的光引发剂以及49％活性稀释单体，将其带异氰酸功能基团的单体接枝到丙烯酸酯基环氧树脂上，使用马来酸酐改性，制备带有光引发基团的水性丙烯酸酯基环氧树脂，避免了在光周化以及使用过程中小分子的残留和迁移问题。

具体的，所述光敏树脂采用聚丙烯酸酯，聚丙烯酸酯能形成光泽好而耐水的膜，粘合牢固，不易剥落，在室温下柔韧而有弹性，耐候性好，聚丙烯酸酯有粘合性，可用作压敏性胶粘剂和热敏性胶粘剂。

实施例2

请参阅图1，本发明提供以下技术方案：一种uv减粘胶，包括光敏基团和聚丙烯酸酯，所述光敏基团和聚丙烯酸酯的质量比为：15％：85％，所述光敏基团和聚丙烯酸酯在光、热及引发剂条件下，使所述光敏基团引入到聚丙烯酸酯骨架链上。

本实施例中，将光敏基团2直接引入到聚丙烯酸酯骨架链1上，无需后续添加多官能树脂，经uv光照后其剥离力可从原有1600gf/25rm降低至22gf/25mm以下，无污染，无残留，同时可耐高温150℃一个小时，因此在使用后，可以很方便的将工件从胶带上脱离，该减粘胶大大的增加了胶带对被保护物体表面的粘合力，而后期通过uv的照射，剥离力从原有1600gf/25rm降低至22gf/25mm以下，也就降低了胶带后期剥离的难度，避免了后期剥离时因粘合力过大而造成的轻微残胶等问题，且该uv减粘保护膜耐高温，可以在高温条件下使用。

具体的，所述光敏基团包含质量比为：65％的光敏树脂和4％的光引发剂以及31％活性稀释单体，将其带异氰酸功能基团的单体接枝到丙烯酸酯基环氧树脂上，使用马来酸酐改性，制备带有光引发基团的水性丙烯酸酯基环氧树脂，避免了在光周化以及使用过程中小分子的残留和迁移问题。

具体的，所述光敏树脂采用聚丙烯酸酯，聚丙烯酸酯能形成光泽好而耐水的膜，粘合牢固，不易剥落，在室温下柔韧而有弹性，耐候性好，聚丙烯酸酯有粘合性，可用作压敏性胶粘剂和热敏性胶粘剂。

实施例3

请参阅图1，本发明提供以下技术方案：一种uv减粘胶，包括光敏基团和聚丙烯酸酯，所述光敏基团和聚丙烯酸酯的质量比为：20％：80％，所述光敏基团和聚丙烯酸酯在光、热及引发剂条件下，使所述光敏基团引入到聚丙烯酸酯骨架链上。

本实施例中，将光敏基团2直接引入到聚丙烯酸酯骨架链1上，无需后续添加多官能树脂，经uv光照后其剥离力可从原有1600gf/25rm降低至20gf/25mm以下，无污染，无残留，同时可耐高温150℃一个小时，因此在使用后，可以很方便的将工件从胶带上脱离，该减粘胶大大的增加了胶带对被保护物体表面的粘合力，而后期通过uv的照射，剥离力从原有1600gf/25rm降低至20gf/25mm以下，也就降低了胶带后期剥离的难度，避免了后期剥离时因粘合力过大而造成的轻微残胶等问题，且该uv减粘保护膜耐高温，可以在高温条件下使用。

具体的，所述光敏基团包含质量比为：70％的光敏树脂和5％的光引发剂以及25％活性稀释单体，将其带异氰酸功能基团的单体接枝到丙烯酸酯基环氧树脂上，使用马来酸酐改性，制备带有光引发基团的水性丙烯酸酯基环氧树脂，避免了在光周化以及使用过程中小分子的残留和迁移问题。

具体的，所述光敏树脂采用聚丙烯酸酯，聚丙烯酸酯能形成光泽好而耐水的膜，粘合牢固，不易剥落，在室温下柔韧而有弹性，耐候性好，聚丙烯酸酯有粘合性，可用作压敏性胶粘剂和热敏性胶粘剂。

最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。