本发明涉及半导体器件底部填充用环氧树脂组合物。
背景技术：
半导体封装是以使半导体芯片能够利用电子部件进行工作的方式进行封装化的技术，向半导体器件提供需要的电力，连接半导体器件之间的信号，释放在半导体器件中所产生的热，从自然、化学、热环境变化中保护半导体器件。近年来，随着电子部件和移动设备等急速向薄型化、高密度化、高功能化及超高速化发展，半导体封装技术也逐渐向微细化、薄型化及高聚集化等发展。
随着半导体封装技术的急速发展，一同需要能够实现这种技术的封装材料的技术发展，作为其中一种的底部填充剂(underfill)是用于完成封装技术的极为重要的要素中的一种。底部填充剂是指利用绝缘树脂将球栅阵列(bga，ballgridarray)、芯片级封装(csp，chipscalepackage)、倒装芯片等的组件底部完全封装的工法。底部填充剂位于电路板与半导体器件(芯片)之间，用于对因半导体器件与电路基板之间的热膨胀系数差异而产生的应力和变形进行再分配，并使湿气或对其他模块引起的电、磁环境的影响最小化。
在此情况下，在球栅阵列、芯片级封装等的组件不良的情况下，会发生从电路基板简单去除球栅阵列、芯片级封装等的组装体来进行再次作业的情况。如上所述，可用于底部填充再次作业的半导体器件底部填充用组合物为环氧树脂，为了再作业性而利用增塑剂。在韩国公开专利公报第2002-0036965号中揭示了利用环氧树脂和增塑剂的半导体组件，但是，未提及有关再作业性的内容，且未呈现出在常温条件下的固化特性。尤其，即使利用了增塑剂，也无法充分去除底部填充用环氧树脂，且会发生残留在基板等的再作业性并不良好的问题。并且，增塑剂的利用会对底部填充镀膜的耐热性、耐冲击性、耐湿性等产生不良的影响。
因此，实质上需要再作业性卓越且具有高耐热性、高耐冲击性、高耐湿性的半导体器件底部封装的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：韩国公开专利公报第2002-0036965号
技术实现要素：
技术问题
本发明的目的在于，提供可以轻松拆除球栅阵列、芯片级封装等的组装体的再作业性优异的半导体底部填充用环氧树脂组合物。
用于解决问题的技术方案
本发明提供半导体器件底部填充用环氧树脂组合物，所述半导体器件底部填充用环氧树脂组合物包含：(a)双酚类环氧树脂；(b)多官能环氧树脂；(c)液体端羧基丁腈橡胶改性环氧树脂；(d)固化剂；以及(e)潜伏性固化剂。
发明效果
本发明的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物中，代替以往半导体器件底部填充用环氧树脂组合物中的增塑剂，使用液体端羧基丁腈橡胶(ctbn，carboxylterminatedbutadieneacrylonitrile)改性环氧树脂，由此，在球栅阵列、芯片级封装组装体等的半导体组件存在不良的情况下，可以从电路基板轻松拆除所述组装体等，因而再作业性优异。
此外，在利用本发明的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物的情况下，与以往的环氧树脂组合物相比，在低温条件下可通过短时间的热固化来提高生产率，不仅如此，底部填充镀膜的耐热性、耐冲击性及耐湿性也会得到改善。
具体实施方式
以下，详细说明本发明。
本发明提供半导体器件底部填充用环氧树脂组合物。
所述半导体器件底部填充用环氧树脂组合物可包含：(a)双酚类环氧树脂；(b)多官能环氧树脂；(c)液体端羧基丁腈橡胶改性环氧树脂；(d)固化剂；以及(e)潜伏性固化剂。
(a)双酚类环氧树脂
本发明的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物中所包含的双酚类环氧树脂可通过与固化剂发生反应而起到粘结剂的作用。
所述双酚类环氧树脂可以包括源自通过以下化学式1至化学式3表示的化合物的单元的至少一个。
化学式1
化学式2
化学式3
所述双酚类环氧树脂可以包含源自通过所述化学式1至化学式3表示的化合物的单元。
所述双酚类环氧树脂可以包含源自通过以下化学式4表示的化合物的单元。
化学式4
在所述化学式4中，r1及r2相同或不相同，分别独立地为氢或碳数1至10的烷基。
所述r1及r2相同或不相同，可分别独立地为氢、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基或叔戊基。
所述r1及r2相同或不相同，可分别独立地为氢或甲基。
所述r1及r2可以为氢。
所述双酚类环氧树脂可以为双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂或这些的混合物。具体地，所述双酚类环氧树脂包含于所述半导体器件底部填充用环氧树脂组合物，从而可以提高半导体底部填充镀膜的耐热性、耐冲击性及耐湿性。
在此情况下，所述双酚类环氧树脂可以为液态的双酚类环氧树脂。在底部填充的情况下，需要完全填充组件内的微细缝隙(gap)，当填充时，需要抑制空隙(void)现象，因此具有低粘度，并且，为了提高半导体组件的产品可靠性，当填充时，重点在于控制粘度以防止底部填充剂过量而向半导体组件的外部流出。因此，优选地，用于本发明的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物的所述双酚类环氧树脂使用液态的双酚类环氧树脂。
在25℃的温度条件下，所述双酚类环氧树脂的粘度可以为2000cps至14000cps。在所述双酚类环氧树脂的粘度小于2000cps的情况下，难以从电路基板拆装半导体器件组装体，从而再作业性有可能发生问题，在粘度大于14000cps的情况下，因粘度高，作业性有可能发生问题。
并且，所述双酚类环氧树脂的当量(g/eq.)可以为80g/eq.至500g/eq.，具体地，可以为160g/eq.至190g/eq.。
相对于20重量比至40重量比的多官能环氧树脂，可以包含30重量比至55重量比的所述双酚类环氧树脂。在所述双酚类环氧树脂的含量小于30重量比的情况下，在固化后可塑性将会降低，从而可能会发生再作业性不良的问题，在大于55重量比的情况下，底部填充镀膜的耐热性可能存在问题。
(b)多官能环氧树脂
本发明的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物中所包含的多官能环氧树脂可起到降低所述半导体器件底部填充用环氧树脂组合物的粘度并赋予非结晶性的活性稀释剂的作用。
所述多官能环氧树脂可在形成重复单元的一个单元结构内包含3个以上的官能团(functionalgroup)。
所述官能团可以为羟基、烷氧基、卤素、醛基、羰基、羧基、胺基、腈基、硝基、酰氨基、酰亚氨基及环氧基。
所述多官能环氧树脂可以包含至少一个环氧基作为官能团。优选地，为了降低所述半导体器件底部填充用环氧树脂组合物的粘度，包含3个以上的环氧基作为官能团。
所述多官能环氧树脂可以为除所述双酚类环氧树脂之外的多官能环氧树脂。
所述多官能环氧树脂可包含源自通过以下化学式5表示的化合物的单元。
化学式5
在所述化学式5中，所述r3为碳数1至10的烷基，n、m及p相同或不相同，分别独立地为1至10的整数。
所述r3可以为碳数1至6的烷基。
所述r3可以为甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基或叔戊基。
所述r3可以为烷基。
所述n、m及p相同或不相同，可分别独立地为1至5的整数。
所述n、m及p可以为1的常数。
在25℃的温度条件下，所述多官能环氧树脂的粘度可以为50cps至700cps，具体地，可以为100cps至300cps。在所述多官能环氧树脂的粘度小于50cps的情况下，难以从电路基板拆装半导体器件组装体，从而再作业性有可能发生问题，在粘度大于700cps的情况下，可能因高粘度而引起作业性问题，并可能会引起再作业性问题。
所述多官能环氧树脂的环氧当量可以为105g/eq.至630g/eq.，具体地，可以为135g/eq.至150g/eq.。在所述多官能环氧树脂的环氧当量小于105g/eq.的情况下，难以从电路基板拆装半导体器件组装体，从而再作业性有可能发生问题，在环氧当量大于630g/eq.的情况下，交联密度将会降低，从而底部填充镀膜的耐热性、耐冲击性、耐湿性有可能发生问题。
以30重量比至55重量比的所述双酚类环氧树脂为基准，所述多官能环氧树脂可以包含20重量比至40重量比，具体地，可以包含20重量比至35重量比。在所述多官能环氧树脂的含量小于20重量比的情况下，在固化后可塑性将会降低，从而有可能发生再作业性不良的问题，在大于40重量比的情况下，底部填充镀膜的耐热性、耐冲击性、耐湿性有可能发生问题。
(c)液体端羧基丁腈橡胶(ctbn)改性环氧树脂
本发明的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物中所包含的液体端羧基丁腈橡胶环氧树脂可降低所述半导体器件底部填充用环氧树脂组合物的玻璃化转变温度(tg)来赋予柔韧性，并且利用所述半导体器件底部填充用环氧树脂组合物，从而拆除半导体器件组装体时拆装变得轻松，从而再作业性变得优异。
尤其，将所述液体端羧基丁腈橡胶改性环氧树脂包含于半导体器件底部填充用环氧树脂组合物，由此，即使不添加以往利用的增塑剂，也将会赋予柔韧性、粘结力、耐水性、耐油性等的物性来改善修整半导体器件组装体的封装过程中的再作业性。
所述液体端羧基丁腈橡胶改性环氧树脂可以包含3官能环氧树脂的3官能团改性成含有末端羧酸的丁二烯的环氧树脂。
在25℃的温度条件下，所述液体端羧基丁腈橡胶改性环氧树脂的粘度可以为1000cps至5000cps，具体地，可以为2000cps至3000cps。在所述液体端羧基丁腈橡胶改性环氧树脂的粘度小于1000cps的情况下，难以从电路板拆装半导体器件组装体，从而再作业性有可能发生问题，在粘度大于5000cps的情况下，有可能因高粘度而导致作业性问题。
所述液体端羧基丁腈橡胶改性环氧树脂的环氧当量可以为110g/eq.至850g/eq.，具体地，可以为175g/eq.至205g/eq.。在所述液体端羧基丁腈橡胶改性环氧树脂的环氧当量小于110g/eq.的情况下，难以从电路板拆装半导体器件组装体，从而再作业性有可能发生问题，有可能因高模量而耐冲击性发生问题。在环氧当量大于850g/eq.的情况下，交联密度可能会降低，从而导致底部填充镀膜的耐热性问题。
以30重量比至55重量比的所述双酚类环氧树脂为基准，可以包含5重量比至20重量比的所述液体端羧基丁腈橡胶改性环氧树脂。在所述液体端羧基丁腈橡胶改性环氧树脂的含量小于5重量比的情况下，在固化后无法向半导体器件底部填充用环氧树脂赋予柔韧性而导致再作业性不良的问题，有可能因高模量而导致耐冲击性问题。在所述液体端羧基丁腈橡胶改性环氧树脂的含量大于20重量比的情况下，有可能发生底部填充镀膜的耐热性问题。
(d)固化剂
本发明的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物中所包含的固化剂与所述双酚类环氧树脂发生反应而使所述半导体器件底部填充用环氧树脂组合物固化。
所述固化剂可以包含选自苯酚类固化剂和胺固化剂的至少一种。
并且，所述固化剂可以为液态的固化剂。如上所述，优选地，为了控制粘度，作为半导体器件的底部填充用途，利用液态的固化剂，而并非使用固态的固化剂。
1.苯酚类固化剂
所述苯酚类固化剂起到提高半导体器件底部填充用环氧树脂组合物的耐化学性、耐水性及耐热性的作用。
所述苯酚类固化剂可以为无溶剂液态的酚醛清漆树脂。具体地，所述苯酚类固化剂可以包含酚醛树脂。
在25℃的温度条件下，所述苯酚类固化剂的粘度可以为1500cps至3500cps。在所述苯酚类固化剂的粘度大于3500cps的情况下，有可能因高粘度而发生(再)作业性问题。
所述苯酚类固化剂的羟基当量可以为100g/eq.至200g/eq.，具体地，可以为139g/eq.至143g/eq.。在所述苯酚类固化剂的羟基当量小于100g/eq.的情况下，底部填充镀膜的再作业性有可能发生问题，在羟基当量大于200g/eq.的情况下，利用了半导体器件底部填充用环氧树脂组合物的耐热性有可能发生问题。
2.胺固化剂
所述胺固化剂起到提高半导体器件底部填充用环氧树脂组合物的交联密度，从而提高底部填充镀膜的耐化学性、耐水性及耐热性的作用。
所述胺固化剂可以包含脂肪胺化合物(或聚合物)。
所述胺固化剂可以为在两末端包含伯胺的脂肪胺化合物(或聚合物)，具体地，可以为在两末端包含伯胺的脂肪族聚醚胺化合物(或聚合物)。
优选地，考虑所述半导体器件底部填充用环氧树脂组合物的耐热性、耐冲击性、耐湿性这一方面，所述胺固化剂包含在两末端具有伯胺的聚氧丙二胺。
所述胺固化剂可以包含通过以下化学式6表示的化合物。
化学式6
在所述化学式6中，q为10至50的数。
所述q为30至40的数。
所述胺类固化剂的胺当量可以为0.3meq./g至3meq./g。在所述胺类固化剂的胺当量小于0.3meq./g的情况下，有可能基于与所述双酚类环氧树脂的交联反应的交联密度将会降低，从而底部填充镀膜的耐化学性、耐水性、耐热性等发生问题，在胺当量大于3meq./g的情况下，有可能因过固化而发生再作业性问题。
以30重量比至55重量比的所述双酚类环氧树脂为基准，可以包含10重量比至20重量比的所述固化剂。在所述固化剂的含量小于10重量比的情况下，利用了所述半导体器件底部填充用环氧树脂组合物的再作业性及耐冲击性有可能发生问题，在大于20重量比的情况下，存在底部填充镀膜的耐热性降低的忧虑。
并且，为了底部填充镀膜的优异物性，可利用所述半导体器件底部填充用环氧树脂组合物按5:1至10:1的重量比包含所述苯酚类固化剂和胺固化剂。在所述苯酚类固化剂与胺类固化剂的重量比小于5:1的情况下，低温下的固化性可能会发生问题，从而底部填充镀膜的耐热性、耐水性、耐冲击性等的物性可能会发生问题，在重量比大于10:1的情况下，有可能因过固化而导致底部填充地膜变得坚硬，从而再作业性变差。
(e)潜伏性固化剂
本发明的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物中所包含的潜伏性固化剂是作为通过热、光、压力、湿气等的外部刺激开始固化反应的固化剂，而包含于所述半导体器件底部填充用环氧树脂组合物，由此，与以往的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物相比，在低温(60℃以下)下，优选地，在常温(15℃-25℃)下也可以实现短时间的热固化。
所述潜伏性固化剂在分子内，除官能团(functionalgroup)之外，还包含活性氢(activehydrogen)，从而顺畅地向环氧树脂内分散，由此不仅可以提高本发明的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物的常温条件下的储存稳定性，也可以实现在常温条件下的迅速固化。
所述潜伏性固化剂可以包含选自微胶囊型潜伏性固化剂、胺加合物型潜伏性固化剂、双氰胺(dicyandiamide)及其衍生物中的至少一种。
并且，所述潜伏性固化剂可以为液态。与固态的潜伏性固化剂相比，当包含于本发明的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物时可以提高分散性。
所述微胶囊型潜伏性固化剂是指以固化剂为核并通过环氧树脂、聚氨酯树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰亚胺树脂等的高分子物质或环糊精等作为外壳(shell)覆盖，由此减少环氧树脂与固化剂之间的接触。双氰胺的衍生物是指在双氰胺结合各种化合物而成的物质，可以为与环氧树脂的反应物、与乙烯基化合物或丙烯酸化合物的反应物等。
作为微胶囊型潜伏性固化剂的市场销售品，可以使用“新星治疗(授权商标)”x-3721、hx-3722(以上，由旭化成化学(株)制备)等。
在所述微胶囊型潜伏性固化剂的情况下，固化剂被胶囊包围，在特定温度条件下，胶囊裂开，装在里面的反应性催化剂流出并开始进行反应。因此，具有低温速固化的特性且具有储存稳定性优异的效果。
出于使本发明的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物的常温固化变得简单的目的，所述胺加合物型潜伏性固化剂还可以包含作为胺化合物与环氧化合物的反应产物的胺环氧管型潜伏性固化剂。
具体地，所述胺加合物型潜伏性固化剂是利用具有伯氨基、仲氨基或叔氨基的化合物或多种咪唑衍生物等的活性成分使其与可以与其进行反应的化合物进行反应来实现高分子量化并在保存温度中不溶解的物质。
例如，用于所述胺加合物型潜伏性固化剂的制备的环氧化合物可以包含聚缩水甘油醚、聚缩水甘油酯、聚缩水甘油醚酯、缩水甘油胺化合物、单官能环氧化合物(丁基缩水甘油醚、苯基缩水甘油醚)或多官能环氧化合物(酚醛清漆树脂，甲酚酚醛清漆树脂等)，但并不局限于此。
并且，用于所述胺加合物型潜伏性固化剂的制备的胺化合物在分子内包含至少一个可以与环氧基发生反应的活性氢，只要在分子内包含至少一个胺基就可以无限制地使用。具体地，优选地，在分子内具有叔胺基的化合物提高与环氧树脂的常温条件下的固化反应性。
例如，所述胺化合物可以包含二甲基氨基丙胺、二乙基氨基丙胺、二丙基氨基丙胺、二丁基氨基丙胺、二甲基氨基乙胺、二乙氨基乙胺、n-甲基哌嗪、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-二甲基氨基乙醇、1-甲基-2-二甲基氨基乙醇、1-苯氧基甲基-2-二甲基氨基乙醇、2-二乙基氨基乙醇、1-丁氧基甲基-2-二甲基氨基乙醇、1-(2-羟基-3-苯氧基丙基)-2-甲基咪唑、1-(2-羟基-3-苯氧基丙基)-2-乙基-4-甲基咪唑、1-(2-羟基-3-丁氧基丙基)-2-甲基咪唑、1-(2-羟基-3-丁氧基丙基)-2-乙基-4-甲基咪唑、1-(2-羟基-3-苯氧基丙基)-2-苯基咪唑啉、1-(2-羟基-3-丁氧基丙基)-2-甲基咪唑啉、2-(二甲基氨基甲基)苯酚、2，4，6-三(二甲基氨基甲基)苯酚、n-β-羟乙基吗啉、2-二甲基氨基乙二醇、2-巯基吡啶、2-苯并咪唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噻唑、4-巯基吡啶、n，n-二甲基氨基苯甲酸、n，n-二甲基甘氨酸等。
作为胺加合物型潜伏性固化剂的市场销售品，可以使用“富士治疗(授权商标)”fxr-1030、fxr-1081、fxr1000、fxr1110、fxr1120(以上，由t&ktoka制备)等。
所述双氰胺的衍生物是指双氰胺与各种化合物的结合而成的物质，可以为与环氧树脂反应物、与乙烯基化合物或丙烯酸化合物的反应物等。
在作为所述潜伏性固化剂使用双氰胺的情况下，作为市场销售品可以是dicy-7、dicy-15(以上，由日本环氧树脂(株)制备)等。
以30重量比至55重量比的所述双酚类环氧树脂为基准，可以包含7重量比至35重量比的所述潜伏性固化剂，具体地，可以包含7重量比至30重量比。在所述潜伏性固化剂的含量小于7重量比的情况下，有可能在150℃的温度条件下在3分钟以内发生未固化，从而耐热性、耐冲击性等的物性可能会降低，在大于35重量比的情况下，常温稳定性不好，从而可能发生使用时间变短的问题。
可按0.4:1至2:1的重量比包含所述固化剂及所述潜伏性固化剂。在所述固化剂与潜伏性固化剂的重量比小于0.4:1的情况下，无法实现在常温条件下的迅速固化，底部填充镀膜的耐热性、耐冲击性等的物性可能会降低，在大于2:1的情况下，在常温条件下的稳定性不好，从而使用时间可能会变短。
(f)以外的添加剂
本发明的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物为了在常温条件下的稳定性、抑制及去除树脂内产生气泡并为了提高粘结力而包含添加剂。
所述添加剂可包含稳定剂、消泡剂、粘结力增强剂等。
所述稳定剂赋予所述半导体器件底部填充用环氧树脂组合物的常温条件下的稳定性，并可以使长期保存性及再作业性优秀，所述稳定剂为了实现所述效果而可以包含硼酸酯化合物。
以30重量比至55重量比的所述双酚类环氧树脂为基准，可以包含1重量比至5重量比的所述稳定剂。在所述稳定剂的含量小于1重量比的情况下，常温条件下的稳定性可能会降低，从而有可能发生(再)作业性问题，在大于5重量比的情况下，可能因未固化等而导致耐热性及耐冲击性降低的问题。
所述消泡剂起到抑制及去除在所述半导体器件底部填充用环氧树脂内产生的气泡的作用，所述消泡剂可以包含聚烷基硅氧烷。
以30重量比至55重量比的所述双酚类环氧树脂为基准，可以包含0.1重量比至5重量比的所述消泡剂。在所述消泡剂的含量满足所述范围的情况下，可通过去除半导体器件底部填充用环氧树脂内的气泡来提高底部填充镀膜的耐冲击性、耐热性、耐蚀性等的物性。
所述粘结力增强剂可以提高利用所述半导体器件底部填充用环氧树脂组合物的半导体器件底部填充剂的粘结力，为了实现所述效果，所述粘结力增强剂可以包含为了提高环氧树脂的粘结力而通常使用的硅烷偶联剂。
以30重量比至55重量比的所述双酚类环氧树脂为基准，可以包含0.1重量比至5重量比的所述粘结力增强剂。在所述粘结力增强剂的含量满足所述范围的情况下，可提高半导体器件底部填充的粘结力，在再作业之后，对电路板顺畅地执行半导体器件的底部填充作业。
以下，通过实施例，更加详细说明本发明。
但是，这些实施例仅用于帮助本发明的理解，本发明的范围并不局限于这些实施例。
实施例1至实施例4
通过以下表1所示的组合配合来制备了环氧树脂组合物。
比较例1
通过以下表2所示的组合配合来制备了环氧树脂组合物。
表1
表2
所述实施例及比较例中所使用的结构如下。
1)双酚类环氧树脂：与(氯甲基)环氧乙烷和苯酚的甲醛聚合物，casno.9003-36-5
2)多官能环氧树脂：yh-300(国都化学)
3)液体端羧基丁腈橡胶改性环氧树脂：kr-207(国都化学)
4)苯酚类固化剂：与2-(2-丙烯基)苯酚的甲醛聚合物，casno.27924-97-6
5)胺固化剂：聚氧丙二胺，casno.9046-10-0
6)潜伏性固化剂(胺加合物型)：t&ktoka制备，fujicurefxr-1081
7)潜伏性固化剂(微胶囊型)：asahichemical制备，novacurehxa-3932hp
8)咪唑固化剂：1-(2-氰乙基)-2-乙基-4-甲基咪唑
shikokuchemicals制备，2e4mz-cn，casno.23996-25-0
9)稳定剂：硼酸酯化合物
10)消泡剂：聚甲基烷基硅氧烷
11)粘结力增强剂：(3-glycidoxy丙基)三甲氧基硅烷
实验例
通过如下评价条件对所述实施例1至实施例5及比较例1至比较例8中所制备的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物及固化物(底部填充镀膜)的物性进行评价的结果呈现在以下表3及表4。
物性评价及测定条件
所制备的半导体器件底部填充用环氧树脂组合物及固化物的物性通过如下方法测定。
1.粘度(cps)：在25℃的温度条件下通过布鲁克菲尔德粘度计测定
2.流速(sec)：评价用组件底部填满所需要的时间
3.空隙：评价用组件底部填充之后，确认在固化前后是否包括空隙
4.贮存期：在常温条件下，与初期粘度相比上升2倍所需要的时间
5.再作业性：在250℃的温度条件下对评价用组件进行加热之后去除底部填充剂
6.粘结力：通过diesheartest或lapsheartest进行评价
表3
表4
以上，本发明仅对所记载的实施例进行了详细说明，本发明所属技术领域的普通技术人员可以在本发明的技术思想范围内进行多种变形及修改，这种变形及修改属于发明要求保护范围。