半导体晶圆封装膜的制作方法

本实用新型属于半导体晶圆的封装、切割工艺领域，尤其涉及半导体晶圆封装膜、其制备方法以及使用其制备半导体芯片的方法。

背景技术：

半导体芯片是通过对半导体晶圆切割得到，为保护电子组件，切割前需对半导体晶圆进行封装。同时，还需要使用切割胶带粘住晶圆，以避免切割过程中晶圆和芯片发生位移、脱落或飞散。目前惯用的晶圆封装和切割工艺较为繁琐，惯用工艺为：对晶圆的电路形成面进行封装，将切割胶带粘贴至晶圆背面；随后，从晶圆的电路形成面将晶圆切割分成为单个芯片。除了工艺繁琐，目前常用的切割胶带还普遍存在透光性差且容易导致芯片崩角和飞片的问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种同时具有封装和切割胶带功能的半导体晶圆封装膜，该半导体晶圆封装膜可以简化晶圆的封装和切割工艺，且可避免切割过程中的芯片崩角和飞片。

本实用新型提供的半导体晶圆封装膜为多层结构，依次包括离型层(100)、高分子复合物层(200)、抗静电uv粘合层(300)、tpu胶层(400)；高分子复合物层(200)预切有与晶圆匹配的切割道(500)；高分子复合物层(200)形成于离型层(100)之可剥离面上且完全或部分嵌入抗静电uv粘合层(300)内，且高分子复合物层(200)不接触tpu胶层(400)。

进一步的，高分子复合物层(200)的预切为过切，即部分切入离型层(100)内。

进一步的，高分子复合物层(200)为环氧硅聚合物层。

进一步的。tpu胶层(400)为热塑性聚氨酯弹性体橡胶层。

本实用新型中，tpu胶层(400)热塑性聚氨酯弹性体橡胶层，起到切割胶带的作用；抗静电uv粘合层(300)采用抗静电uv，用来粘合高分子复合物层(200)和tpu胶层(400)，高分子复合层(200)作为封装材料，用来附着于半导体晶圆上，对晶圆进行封装；离型层(100)用来对高分子复合层(200)进行保护。

使用时，首先除去离型层(100)，将高分子复合物层(200)粘附到晶圆背面。从晶圆正面进行切割；切割完成后，对该封装膜照紫外光，以对抗静电uv粘合层(300)进行固化；固化之后，即可容易分离出tpu胶层(400)和抗静电uv粘合层(300)，拾取仅附着有高分子复合层(200)的芯片，即封装的半导体芯片。需要说明的是，上述所提及“正面”，指晶圆的电路形成面；而所提及“背面”，指晶圆的电路形成面之反面。

和已有的半导体晶圆封装膜相比，本实用新型半导体晶圆封装膜具有如下优点和有益效果：

本实用新型封装膜集成了封装胶带和切割胶带的功能，利用tpu胶层的高透光性、优耐热性以及具消震缓冲特性，利用抗静电uv粘合层的抗静电性、优粘结性以及紫外固化特性，通过将tpu胶层和抗静电uv粘合层结合，可避免切割时芯片易崩角和飞片的问题。并且tpu的高透光性有利于抗静电uv粘合层的固化，固化后的抗静电uv粘合层可轻松的从高分子复合物层上剥离，极大简化了半导体晶圆的封装和切割工序，显著提高了作业效率。

附图说明

图1为本实用新型半导体晶圆封装膜结构之一的示意图；

图2～5为本实用新型半导体晶圆封装膜的制备工艺示意图。

图中，100-离型层，200-高分子复合物层，300-抗静电uv粘合层，400-tpu胶层，500-切割道。

具体实施方式

为了更清楚地说明本实用新型和/或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本实用新型的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

参见图1，所示为本实用新型半导体晶圆封装膜的一种具体结构，其依次包括一离型层(100)、一高分子复合物层(200)、一抗静电uv粘合层(300)、一tpu胶层(400)；高分子复合物层(200)预切有与晶圆匹配的切割道(500)，高分子复合物层(200)的预切为过切，即部分切入离型层(100)内；高分子复合层(200)形成于离型层(100)之可剥离面上且部分嵌入抗静电uv粘合层(300)内。实际上，高分子复合层(200)也可全部嵌入抗静电uv粘合层(300)内。

下面将结合附图提供本实用新型半导体晶圆封装膜的一种具体制备工艺，当然本实用新型半导体晶圆封装膜的制备工艺并不限于此，具体工艺步骤如下：

(1)提供一离型层(100)。

(2)将高分子复合物浆料涂覆于所述离型层(100)之可剥离面上，形成湿膜，经烘烤在离型层(100)上形成高分子复合物层(200)。本步骤所获半成品结构见图2所示。本实施例中高分子复合物浆料采用环氧硅聚合物浆料，显然本实用新型所采用的高分子复合物浆料并不限于此。

(3)对高分子复合物层(200)进行预切，在高分子复合物层(200)上形成和晶圆一致的切割道(500)。预切时，优选采用过切方式，即对高分子复合物层(200)进行预切时，应部分切入离型层(100)。预切后的半成品结构见图3所示。预切后的高分子复合物层(200)为周期分布的圆柱或方柱的集合。

(4)提供一切割胶带，见图4，所述切割胶带包括一抗静电uv粘合层(300)和一tpu胶层(400)。

(5)将高分子复合物层(200)铺于切割胶带的抗静电uv粘合层(300)上，参见图5，经层压使高分子复合物层(200)完全或部分压入抗静电uv粘合层(300)内，高分子复合物层(200)不管是完全还是部分压入抗静电uv粘合层(300)内，均不应接触tpu胶层(400)。

为突出本实用新型半导体晶圆封装膜的优点，本实施例还检测了①该封装膜的防静电电阻(antistatic)、②该封装膜在532nm和1064nm波长下的透光率(transmittance)、③该封装膜的雾度(haze)、以及④抗静电uv粘合层分别与高分子复合物层、tpu胶层的剥离力(peelingforce)，检测数据参见表1。从表中可以看出，本实用新型封装膜具有优异的防静电电阻，封装后不会影响半导体芯片的性能；极高的透光率有利于抗静电uv粘合层的紫外光固化；低雾度有利于在封装和切割工序中对半导体晶圆进行观察；抗静电uv粘合层分别与tpu胶层之间的剥离力高，可避免切割过程中的崩角和飞片等问题。

表1本实用新型封装膜检测数据

上述实施例仅为多种实施例中的一种，对于本领域内的技术人员，在上述说明基础上还可以做出其他不同形式的变化或变动，而这些属于本实用新型实质精神而衍生出的其他变化或变动仍属于本实用新型保护范围。