组合物、膜、层叠结构体、发光装置及显示器的制作方法

1.本发明涉及组合物、膜、层叠结构体、发光装置及显示器。本申请要求基于2018年10月26日在日本提出申请的特愿第2018
‑
202355号和2019年7月12日在日本提出申请的特愿第2019
‑
130562号的优先权，在此引用其内容。


背景技术：

2.近年来，作为发光材料，对于具有高量子产率的发光性半导体材料的关心正在提高。例如，报道了包含2种无机发光性粒子的组合物(非专利文献1)。现有技术文献非专利文献
3.[非专利文献1]chem.mater.，2016，28，第2902
‑
2906页


技术实现要素：

发明要解决的课题
[0004]
在使用非专利文献1中公开的组合物作为发光材料时，要求发光强度不易降低。
[0005]
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供发光强度不易降低的、具有发光性的组合物。另外，其目的还在于，提供使用上述组合物形成的膜、层叠结构体、发光装置及显示器。解决课题的手段
[0006]
即，本发明的实施方式包括下述[1]～[9]的发明。[1]一种具有发光性的组合物，其含有(1)成分、(2)成分和选自(3)成分、(4)成分和(4
‑
1)成分中的至少一种成分，其中，上述(2)成分中所含的氮原子相对上述(1)成分中所含的b的摩尔比为大于0且在0.55以下。(1)成分：以a、b和x为构成成分的钙钛矿化合物。(a是在钙钛矿型晶体结构中位于以b为中心的6面体的各顶点处的成分，是1价阳离子。x表示在钙钛矿型晶体结构中位于以b为中心的8面体的各顶点处的成分，是选自卤素离子(halide ion)和硫氰酸根离子中的至少1种阴离子。b是在钙钛矿型晶体结构中位于将a配置在顶点的6面体和将x配置在顶点的8面体的中心处的成分，是金属离子。)(2)成分：c
l
n
m
h
n
表示的化合物、c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子或c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子的盐(l、m和n各自独立地表示整数。)(3)成分：溶剂(4)成分：聚合性化合物(4
‑
1)成分：聚合物[2]一种具有发光性的组合物，其含有(1)成分、(2)成分和(10)成分，上述(2)成分
中所含的氮原子相对于上述(1)成分中所含的b的摩尔比为大于0且在0.55以下，上述(2)成分中所含的氮原子的质量与上述(10)成分的质量之比(氮原子/(10)成分)为0.5以下。(1)成分：以a、b和x为构成成分的钙钛矿化合物。(a是在钙钛矿型晶体结构中位于以b为中心的6面体的各顶点处的成分，是1价阳离子。x表示在钙钛矿型晶体结构中位于以b为中心的8面体的各顶点处的成分，是选自卤素离子和硫氰酸根离子中的至少1种阴离子。b是在钙钛矿型晶体结构中位于将a配置在顶点的6面体和将x配置在顶点的8面体的中心处的成分，是金属离子。)(2)成分：c
l
n
m
h
n
表示的化合物、c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子或c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子的盐(l、m和n各自独立地表示整数。)(10)成分：发光性半导体材料[3]根据[1]或[2]所述的组合物，其中，组合物还含有(6)成分。(6)成分：选自硅氮烷、硅氮烷改性体、下述式(c1)表示的化合物、下述式(c1)表示的化合物的改性体、下述式(c2)表示的化合物、下述式(c2)表示的化合物的改性体、下述式(a5
‑
51)表示的化合物、下述式(a5
‑
51)表示的化合物的改性体、下述式(a5
‑
52)表示的化合物、下述式(a5
‑
52)表示的化合物的改性体、硅酸钠和硅酸钠的改性体中的1种以上化合物。合物的改性体、硅酸钠和硅酸钠的改性体中的1种以上化合物。(式(c1)中，y5表示单键、氧原子或硫原子。y5为氧原子时，r
30
和r
31
各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基。y5为单键或硫原子时，r
30
表示碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基，r
31
表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基。式(c2)中，r
30
、r
31
和r
32
各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基。式(c1)和式(c2)中，r
30
、r
31
和r
32
表示的烷基、环烷基和不饱和烃基中所含的氢原子各自独立地可被卤原子或氨基取代。a是1～3的整数。a为2或3时，多个存在的y5可相同或不同。a为2或3时，多个存在的r
30
可相同或不同。a为2或3时，多个存在的r
32
可相同或不同。a为1或2时，多个存在的r
31
可相同或不同。)
(式(a5
‑
51)和式(a5
‑
52)中，a
c
是2价烃基，y
15
是氧原子或硫原子。r
122
和r
123
各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基或碳原子数为3～30的环烷基，r
124
表示碳原子数为1～20的烷基或碳原子数为3～30的环烷基，r
125
和r
126
各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为1～20的烷氧基或碳原子数为3～30的环烷基。r
122
～r
126
表示的烷基和环烷基中所含的氢原子各自独立地可被卤原子或氨基取代。)[4]根据[1]～[3]中任一项所述的组合物，其中，组合物还含有(5)成分。(5)成分：选自铵离子、胺、伯铵阳离子、仲铵阳离子、叔铵阳离子、季铵阳离子、铵盐、羧酸、羧酸根离子、羧酸盐(carboxylate salt)、由式(x1)～(x6)各自表示的化合物和由式(x2)～(x4)各自表示的化合物的盐中的至少一种化合物或离子。
(式(x1)中，r
18
～r
21
各自独立地表示碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为6～30的芳基，它们可具有取代基。m
－
表示抗衡阴离子。式(x2)中，a1表示单键或氧原子。r
22
表示碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为6～30的芳基，它们可具有取代基。式(x3)中，a2和a3各自独立地表示单键或氧原子。r
23
和r
24
各自独立地表示碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为6～30的芳基，它们可具有取代基。式(x4)中，a4表示单键或氧原子。r
25
表示碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为6～30的芳基，它们可具有取代基。式(x5)中，a5～a7各自独立地表示单键或氧原子。r
26
～r
28
各自独立地表示碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基、碳原子数为6～30的芳基、碳原子数为2～20的链烯基或碳原子数为2～20的炔基，它们可具有取代基。
式(x6)中，a8～a
10
各自独立地表示单键或氧原子。r
29
～r
31
各自独立地表示碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基、碳原子数为6～30的芳基、碳原子数为2～20的链烯基或碳原子数为2～20的炔基，它们可具有取代基。r
18
～r
31
各自表示的基团中所含的氢原子各自独立地可被卤原子取代。)[5]根据[4]所述的组合物，其中，上述(5)成分为(5
‑
1)成分。(5
‑
1)成分：选自铵离子、胺、伯铵阳离子、仲铵阳离子、叔铵阳离子、季铵阳离子、铵盐、羧酸、羧酸根离子和羧酸盐中的至少一种化合物或离子。[6]一种膜，其以[1]～[5]中任一项所述的组合物为形成材料。[7]一种层叠结构体，其包含[6]所述的膜。[8]一种发光装置，其具备[7]所述的层叠结构体。[9]一种显示器，其具备[7]所述的层叠结构体。发明效果
[0007]
根据本发明，可以提供发光强度不易降低的、具有发光性的组合物、膜、层叠结构体、发光装置及显示器。
附图说明
[0008]
图1是表示本发明的层叠结构体的一个实施方式的剖视图。图2是表示本发明的显示器的一个实施方式的剖视图。[附图标记]1a
…
第1层叠结构体、1b
…
第2层叠结构体、10
…
膜、20
…
第一基板、21
…
第二基板、22
…
封装层、2
…
发光装置、3
…
显示器、30
…
光源、40
…
液晶面板、50
…
棱镜片、60
…
导光板
具体实施方式
[0009]
以下，示出实施方式对本发明进行详细说明。＜组合物＞本实施方式的组合物具有发光性。“发光性”是指发出光的性质。发光性优选通过电子的激发而发光的性质，更优选通过基于激发光的电子激发而发光的性质。激发光的波长例如可为200nm～800nm，或者可为250nm～750nm，或者可为300nm～700nm。
[0010]
＜含有(1)成分、(2)成分和选自(3)成分、(4)成分及(4
‑
1)成分中的至少一种成分的组合物＞本实施方式的组合物的第1实施方式为含有(1)成分、(2)成分和选自(3)成分、(4)成分及(4
‑
1)成分中的至少一种成分的、具有发光性的组合物。上述(2)成分中所含的氮原子相对于上述(1)成分中所含的b的摩尔比为大于0且在0.55以下。(1)成分：以a、b和x为构成成分的钙钛矿化合物。(a是在钙钛矿型晶体结构中位于以b为中心的6面体的各顶点处的成分，是1价阳离子。x表示在钙钛矿型晶体结构中位于以b为中心的8面体的各顶点处的成分，是选自卤素离子和硫氰酸根离子中的至少1种阴离子。b是在钙钛矿型晶体结构中位于将a配置在顶点的6面体和将x配置在顶点的8面体
的中心处的成分，是金属离子。)(2)成分：c
l
n
m
h
n
表示的化合物、c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子或c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子的盐(l、m和n各自独立地表示整数。)(3)成分：溶剂(4)成分：聚合性化合物(4
‑
1)成分：聚合物
[0011]
上述其他实施方式为含有(1)成分、(2)成分和选自(3)成分、(4)成分及(4
‑
1)成分中的至少一种成分的、具有发光性的组合物。相对于上述组合物的总质量，上述(2)成分中所含的氮原子的含量为7600质量ppm以下。(1)成分：以a、b和x为构成成分的钙钛矿化合物。(2)成分：c
l
n
m
h
n
表示的化合物、c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子或c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子的盐(l、m和n各自独立地表示整数。)(3)成分：溶剂(4)成分：聚合性化合物(4
‑
1)成分：聚合物
[0012]
以下，对构成本实施方式的组合物的各成分进行说明。以下，有时将(1)成分记载为(1)钙钛矿化合物。有时将(2)成分记载为(2)胺化合物组。
[0013]
在以下的说明中，有时将(3)溶剂、(4)聚合性化合物和(4
‑
1)聚合物统称为“分散介质”。本实施方式的组合物可分散于这些分散介质中。
[0014]
本说明书中，“分散(
······
的状态)”是指(1)钙钛矿化合物浮游于分散介质中的状态，或(1)钙钛矿化合物悬浮于分散介质中的状态。在(1)钙钛矿化合物分散于分散介质中时，(1)钙钛矿化合物的一部分可沉淀。
[0015]
《(1)钙钛矿化合物》钙钛矿化合物具有以a、b和x为构成成分的钙钛矿型晶体结构。在以下的说明中，有时将具有钙钛矿结构的化合物半导体简称为“钙钛矿化合物”。
[0016]
a是在钙钛矿型晶体结构中位于以b为中心的6面体的各顶点处的成分，是1价的阳离子。b是在钙钛矿型晶体结构中位于将a配置在顶点的6面体和将x配置在顶点的8面体的中心处的成分，是金属离子。b是能够取x的8面体配位的金属阳离子。x表示在钙钛矿型晶体结构中位于以b为中心的8面体的各顶点处的成分，是选自卤素离子和硫氰酸根离子中的至少1种阴离子。
[0017]
作为以a、b和x为构成成分的钙钛矿化合物，没有特别限定，可为具有三维结构、二维结构、准二维(quasi
‑
2d)结构中的任一种结构的化合物。在三维结构的情况下，钙钛矿化合物的组成式用abx
(3+δ)
表示。在二维结构的情况下，钙钛矿化合物的组成式用a2bx
(4+δ)
表示。
[0018]
在此，δ是能够根据b的电荷平衡而适当变更的数，为
‑
0.7以上0.7以下。例如，在a为1价阳离子、b为2价阳离子、x为1价阴离子的情况下，可以对δ进行选择，以使钙钛矿化合物呈电中性。钙钛矿化合物呈电中性是指钙钛矿化合物的电荷为0。
[0019]
钙钛矿化合物包含以b为中心、将顶点设为x的8面体。8面体用bx6表示。在钙钛矿化合物具有三维结构的情况下，钙钛矿化合物中所含的bx6通过以晶体中相邻的2个8面体(bx6)共享8面体(bx6)中位于顶点的1个x而构成三维网络。
[0020]
在钙钛矿化合物具有二维结构的情况下，钙钛矿化合物中所含的bx6通过以晶体中相邻的2个8面体(bx6)共享8面体(bx6)中位于顶点的2个x而共享8面体的棱线，从而构成二维连接层。钙钛矿化合物中，具有由二维连接的bx6形成的层与由a形成的层交互层叠而成的结构。
[0021]
本说明书中，钙钛矿化合物的晶体结构可以通过x射线衍射图来确认。
[0022]
在钙钛矿化合物具有三维结构的钙钛矿型晶体结构的情况下，通常在x射线衍射图中，在2θ＝12～18
°
的位置确认到来自(hkl)＝(001)的峰。或者在2θ＝18～25
°
的位置确认到来自(hkl)＝(110)的峰。
[0023]
在钙钛矿化合物具有三维结构的钙钛矿型晶体结构的情况下，优选地，在2θ＝13～16
°
的位置确认到来自(hkl)＝(001)的峰，或者在2θ＝20～23
°
的位置确认到来自(hkl)＝(110)的峰。
[0024]
在钙钛矿化合物具有二维结构的钙钛矿型晶体结构的情况下，通常在x射线衍射图中，在2θ＝1～10
°
的位置确认到来自(hkl)＝(002)的峰。另外，优选在2θ＝2～8
°
的位置确认到来自(hkl)＝(002)的峰。
[0025]
钙钛矿化合物优选具有三维结构。
[0026]
(构成成分a)构成钙钛矿化合物的a是1价阳离子。作为a，可以举出铯离子、有机铵离子或脒鎓离子(amidinium ion)。
[0027]
(有机铵离子)作为a的有机铵离子，具体可以举出下述式(a3)表示的阳离子。
[0028][0029]
式(a3)中，r6～r9各自独立地表示氢原子、烷基或环烷基。其中，r6～r9中的至少1个为烷基或环烷基，r6～r9不会全部成为氢原子。
[0030]
r6～r9表示的烷基可为直链状，或者可为支链状。另外，r6～r9表示的烷基可各自独立地具有氨基作为取代基。
[0031]
r6～r9为烷基时，碳原子数各自独立地通常为1～20，优选为1～4，更优选为1～3，进一步优选为1。
[0032]
r6～r9表示的环烷基可各自独立地具有氨基作为取代基。
[0033]
r6～r9表示的环烷基的碳原子数各自独立地通常为3～30，优选为3～11，更优选为3～8。碳原子数包括取代基的碳原子数。
[0034]
作为r6～r9表示的基团，优选各自独立地为氢原子或烷基。
[0035]
钙钛矿化合物含有上述式(3)所示的有机铵离子作为a时，式(a3)中可含有的烷基
及环烷基的数量少为宜。另外，优选式(a3)中可含有的烷基及环烷基的碳原子数小为宜。由此，可以得到发光强度高的三维结构的钙钛矿化合物。
[0036]
在式(a3)表示的有机铵离子中，优选r6～r9表示的烷基及环烷基中所含的碳原子数的合计数为1～4。另外，在式(a3)表示的有机铵离子中，更优选地，r6～r9中的1个为碳原子数1～3的烷基，r6～r9中的3个为氢原子。
[0037]
作为r6～r9的烷基，可以示例甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、1
‑
甲基丁基、正己基、2
‑
甲基戊基、3
‑
甲基戊基、2,2
‑
二甲基丁基、2,3
‑
二甲基丁基、正庚基、2
‑
甲基己基、3
‑
甲基己基、2,2
‑
二甲基戊基、2,3
‑
二甲基戊基、2,4
‑
二甲基戊基、3,3
‑
二甲基戊基、3
‑
乙基戊基、2,2,3
‑
三甲基丁基、正辛基、异辛基、2
‑
乙基己基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基。
[0038]
作为r6～r9的环烷基，各自独立地可以举出r6～r9的烷基中示例的碳原子数为3以上的烷基形成环的环烷基。作为一例，可以示例环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、降冰片基、异冰片基、1
‑
金刚烷基、2
‑
金刚烷基、三环癸基等。
[0039]
作为由a表示的有机铵离子，优选ch3nh
3+
(也称为甲基铵离子。)、c2h5nh
3+
(也称为乙基铵离子。)或者c3h7nh
3+
(也称为丙基铵离子。)，更优选ch3nh
3+
或c2h5nh
3+
，进一步优选ch3nh
3+
。
[0040]
(脒鎓离子)作为由a表示的脒鎓离子，例如可以举出下述式(a4)所示的脒鎓离子。(r
10
r
11
n＝ch
‑
nr
12
r
13
)
+
···
(a4)
[0041]
式(a4)中，r
10
～r
13
各自独立地表示氢原子、可具有氨基作为取代基的烷基或可具有氨基作为取代基的环烷基。
[0042]
r
10
～r
13
表示的烷基各自独立地可为直链状，或者可为支链状。另外，由r
10
～r
13
表示的烷基各自独立地可具有氨基作为取代基。
[0043]
r
10
～r
13
表示的烷基的碳原子数各自独立地通常为1～20，优选为1～4，更优选为1～3。
[0044]
r
10
～r
13
表示的环烷基各自独立地可具有氨基作为取代基。
[0045]
r
10
～r
13
表示的环烷基的碳原子数各自独立地通常为3～30，优选为3～11，更优选为3～8。碳原子数包括取代基的碳原子数。
[0046]
作为r
10
～r
13
的烷基的具体例，各自独立地可以举出与r6～r9中示例的烷基相同的基团。作为r
10
～r
13
的环烷基的具体例，各自独立地可以举出与r6～r9中示例的环烷基相同的基团。
[0047]
作为r
10
～r
13
表示的基团，各自独立地优选氢原子或烷基。
[0048]
通过减少式(a4)中所含的烷基及环烷基的数量、以及减小烷基及环烷基的碳原子数，可以得到发光强度高的三维结构的钙钛矿化合物。
[0049]
在脒鎓离子中，r
10
～r
13
表示的烷基及环烷基中所含的碳原子数的合计数优选为1～4，进一步优选地，r
10
为碳原子数1的烷基，r
11
～r
13
为氢原子。
[0050]
在钙钛矿化合物中，a为铯离子、碳原子数为3以下的有机铵离子或碳原子数为3以
下的脒鎓离子时，通常钙钛矿化合物具有三维结构。
[0051]
在钙钛矿化合物中，a为碳原子数4以上的有机铵离子或碳原子数4以上的脒鎓离子时，钙钛矿化合物具有二维结构和准二维(quasi
‑
2d)结构中的任一种或两种。此时，钙钛矿化合物可以在晶体的一部分或整体上具有二维结构或准二维结构。若二维的钙钛矿型晶体结构多个层叠时，则等同于三维的钙钛矿型晶体结构(参考文献：p.pboix等，j.phys.chem.lett.2015，6，898
‑
907等)。
[0052]
钙钛矿化合物中的a优选铯离子、脒鎓离子。脒鎓离子中，优选r
10
～r
13
全部是氢原子的甲脒鎓离子。
[0053]
(构成成分b)构成钙钛矿化合物的b可为选自1价金属离子、2价金属离子和3价金属离子中的1种以上金属离子。b优选包含2价金属离子，更优选包含选自铅和锡中的1种以上金属离子，进一步优选铅。
[0054]
(构成成分x)构成钙钛矿化合物的x可为选自卤素离子和硫氰酸根离子中的至少一种阴离子。
[0055]
作为卤素离子，可以举出氯离子、溴离子、氟离子、碘离子。x优选溴离子。
[0056]
在x为2种以上的卤素离子的情况下，卤素离子的含有比率可以根据发光波长适当选择。例如，可以是溴离子和氯离子的组合、或者溴离子和碘离子的组合。
[0057]
x可以根据所希望的发光波长适当选择。
[0058]
x为溴离子的钙钛矿化合物可以发出在通常480nm以上(优选为500nm以上、更优选为520nm以上)的波长范围内具有强度的最大峰的荧光。
[0059]
另外，x为溴离子的钙钛矿化合物可以发出在通常700nm以下(优选为600nm以下、更优选为580nm以下)的波长范围内具有强度的最大峰的荧光。上述波长范围的上限值和下限值可以任意组合。
[0060]
在钙钛矿化合物中的x为溴离子的情况下，发出的荧光的峰通常为480～700nm，优选为500～600nm，更优选为520～580nm。
[0061]
x为碘离子的钙钛矿化合物可以发出在通常520nm以上(优选为530nm以上，更优选为540nm以上)的波长范围内具有强度的最大峰的荧光。
[0062]
另外，x为碘离子的钙钛矿化合物可以发出在通常800nm以下(优选为750nm以下，更优选为730nm以下)的波长范围内具有强度的最大峰的荧光。上述波长范围的上限值和下限值可以任意组合。
[0063]
在钙钛矿化合物中的x为碘离子的情况下，发出的荧光的峰通常为520～800nm，优选为530～750nm，更优选为540～730nm。
[0064]
x为氯离子的钙钛矿化合物可以发出在通常300nm以上(优选为310nm以上，更优选为330nm以上)的波长范围内具有强度的最大峰的荧光。
[0065]
另外，x为氯离子的钙钛矿化合物可以发出在通常600nm以下(优选为580nm以下，更优选为550nm以下)的波长范围内具有强度的最大峰的荧光。上述波长范围的上限值和下限值可以任意组合。
[0066]
在钙钛矿化合物中的x为氯离子的情况下，发出的荧光的峰通常为300～600nm，优选为310～580nm，更优选为330～550nm。
[0067]
(三维结构的钙钛矿化合物的示例)作为abx
(3+δ)
表示的三维结构的钙钛矿化合物的优选例，可以举出ch3nh3pbbr3、ch3nh3pbcl3、ch3nh3pbi3、ch3nh3pbbr
(3
‑
y)
i
y
(0<y<3)、ch3nh3pbbr
(3
‑
y)
cl
y
(0<y<3)、(h2n＝ch
‑
nh2)pbbr3、(h2n＝ch
‑
nh2)pbcl3、(h2n＝ch
‑
nh2)pbi3。
[0068]
作为三维结构的钙钛矿化合物的优选例，也可以举出ch3nh3pb
(1
‑
a)
ca
a
br3(0<a≦0.7)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
sr
a
br3(0<a≦0.7)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
la
a
br
(3+δ)
(0<a≦0.7,0<δ≦0.7)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
ba
a
br3(0<a≦0.7)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
dy
a
br
(3+δ)
(0<a≦0.7，0<δ≦0.7)。
[0069]
作为三维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出ch3nh3pb
(1
‑
a)
na
a
br
(3+δ)
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
li
a
br
(3+δ)
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0)。
[0070]
作为三维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出cspb
(1
‑
a)
na
a
br
(3+δ)
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0)、cspb
(1
‑
a)
li
a
br
(3+δ)
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0)。
[0071]
作为三维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出ch3nh3pb
(1
‑
a)
na
a
br
(3+δ
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0，0<y<3)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
li
a
br
(3+δ
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0，0<y<3)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
na
a
br
(3+δ
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0，0<y<3)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
li
a
br
(3+δ
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0，0<y<3)。
[0072]
作为三维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出(h2n＝ch
‑
nh2)pb
(1
‑
a)
na
a
br
(3+δ)
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0)、(h2n＝ch
‑
nh2)pb
(1
‑
a)
li
a
br
(3+δ)
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0)、(h2n＝ch
‑
nh2)pb
(1
‑
a)
na
a
br
(3+δ
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0，0<y<3)、(h2n＝ch
‑
nh2)pb
(1
‑
a)
na
a
br
(3+δ
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0，0<y<3)。
[0073]
作为三维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出cspbbr3、cspbcl3、cspbi3、cspbbr
(3
‑
y)
i
y
(0<y<3)、cspbbr
(3
‑
y)
cl
y
(0<y<3)。
[0074]
作为三维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出ch3nh3pb
(1
‑
a)
zn
a
br3(0<a≦0.7)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
al
a
br
(3+δ)
(0<a≦0.7，0≦δ≦0.7)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
co
a
br3(0<a≦0.7)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
mn
a
br3(0<a≦0.7)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
mg
a
br3(0<a≦0.7)。
[0075]
作为三维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出cspb
(1
‑
a)
zn
a
br3(0<a≦0.7)、cspb
(1
‑
a)
al
a
br
(3+δ)
(0<a≦0.7，0<δ≦0.7)、cspb
(1
‑
a)
co
a
br3(0<a≦0.7)、cspb
(1
‑
a)
mn
a
br3(0<a≦0.7)、cspb
(1
‑
a)
mg
a
br3(0<a≦0.7)。
[0076]
作为三维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出ch3nh3pb
(1
‑
a)
zn
a
br
(3
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，0<y<3)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
al
a
br
(3+δ
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，0<δ≦0.7，0<y<3)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
co
a
br
(3
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，0<y<3)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
mn
a
br
(3
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，0<y<3)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
mg
a
br
(3
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，0<y<3)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
zn
a
br
(3
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，0<y<3)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
al
a
br
(3+δ
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，0<δ≦0.7，0<y<3)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
co
a
br
(3+δ
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，0<y<3)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
mn
a
br
(3
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，0<y<3)、ch3nh3pb
(1
‑
a)
mg
a
br
(3
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，0<y<3)。
[0077]
作为三维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出(h2n＝ch
‑
nh2)zn
a
br3(0<a≦0.7)、(h2n＝ch
‑
nh2)mg
a
br3(0<a≦0.7)、(h2n＝ch
‑
nh2)pb
(1
‑
a)
zn
a
br
(3
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，0<y<3)、(h2n＝ch
‑
nh2)pb
(1
‑
a)
zn
a
br
(3
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，0<y<3)。
[0078]
上述三维结构的钙钛矿化合物中，更优选cspbbr3、cspbbr
(3
‑
y)
i
y
(0＜y＜3)、(h2n＝ch
‑
nh2)pbbr3，进一步优选(h2n＝ch
‑
nh2)pbbr3。
[0079]
(二维结构的钙钛矿化合物的示例)作为二维结构的钙钛矿化合物的优选例，可以举出(c4h9nh3)2pbbr4、(c4h9nh3)2pbcl4、(c4h9nh3)2pbi4、(c7h
15
nh3)2pbbr4、(c7h
15
nh3)2pbcl4、(c7h
15
nh3)2pbi4、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
li
a
br
(4+δ)
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
na
a
br
(4+δ)
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
rb
a
br
(4+δ)
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0)。
[0080]
作为二维结构的钙钛矿化合物的优选例，也可以举出(c7h
15
nh3)2pb
(1
‑
a)
na
a
br
(4+δ)
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0)、(c7h
15
nh3)2pb
(1
‑
a)
li
a
br
(4+δ)
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0)、(c7h
15
nh3)2pb
(1
‑
a)
rb
a
br
(4+δ)
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0)。
[0081]
作为二维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
na
a
br
(4+δ
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0，0<y<4)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
li
a
br
(4+δ
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0，0<y<4)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
rb
a
br
(4+δ
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0，0<y<4)。
[0082]
作为二维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
na
a
br
(4+δ
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0，0<y<4)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
li
a
br
(4+δ
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0，0<y<4)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
rb
a
br
(4+δ
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，
‑
0.7≦δ<0，0<y<4)。
[0083]
作为二维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出(c4h9nh3)2pbbr4、(c7h
15
nh3)2pbbr4。
[0084]
作为二维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出(c4h9nh3)2pbbr
(4
‑
y)
cl
y
(0<y<4)、(c4h9nh3)2pbbr
(4
‑
y)
i
y
(0<y<4)。
[0085]
作为二维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
zn
a
br4(0<a≦0.7)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
mg
a
br4(0<a≦0.7)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
co
a
br4(0<a≦0.7)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
mn
a
br4(0<a≦0.7)。
[0086]
作为二维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出(c7h
15
nh3)2pb
(1
‑
a)
zn
a
br4(0<a≦0.7)、(c7h
15
nh3)2pb
(1
‑
a)
mg
a
br4(0<a≦0.7)、(c7h
15
nh3)2pb
(1
‑
a)
co
a
br4(0<a≦0.7)、(c7h
15
nh3)2pb
(1
‑
a)
mn
a
br4(0<a≦0.7)。
[0087]
作为二维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
zn
a
br
(4
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，0<y<4)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
mg
a
br
(4
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，0<y<4)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
co
a
br
(4
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，0<y<4)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
mn
a
br
(4
‑
y)
i
y
(0<a≦0.7，0<y<4)。
[0088]
作为二维结构的钙钛矿化合物的优选例，还可以举出(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
zn
a
br
(4
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，0<y<4)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
mg
a
br
(4
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，0<y<4)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
co
a
br
(4
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，0<y<4)、(c4h9nh3)2pb
(1
‑
a)
mn
a
br
(4
‑
y)
cl
y
(0<a≦0.7，0<y<4)。
[0089]
((1)钙钛矿化合物的粒径)(1)钙钛矿化合物的平均粒径没有特别限定，但出于可以良好地维持晶体结构的理由而优选为1nm以上。钙钛矿化合物的平均粒径更优选为2nm以上，进一步优选为3nm以上。
[0090]
另外，由于容易维持所希望的发光特性，因而优选钙钛矿化合物的平均粒径为10μm以下。钙钛矿化合物的平均粒径更优选为1μm以下，进一步优选为500nm以下。另外，“发光特性”是指对钙钛矿化合物照射激发光而得到的转换光的量子产率、发光强度、色纯度等光学物性。色纯度可以用转换光的光谱的半值宽度来评价。
[0091]
钙钛矿化合物的平均粒径的上限值和下限值可以任意组合。
例如，钙钛矿化合物的平均粒径优选为1nm以上10μm以下，更优选为2nm以上1μm以下，进一步优选为3nm以上500nm以下。
[0092]
在本说明书中，钙钛矿化合物的平均粒径可以通过例如透射型电子显微镜(以下，也称为tem)或扫描型电子显微镜(以下，也称为sem)来测定。具体而言，可以通过tem或sem，测定20个钙钛矿化合物的最大费雷特直径(feret diameter)，并通过计算作为测定值的算术平均值的平均最大费雷特直径，从而求出平均粒径。在本说明书中，“最大费雷特直径”是指在tem或sem图像上，夹持钙钛矿化合物的两条平行直线的最大距离。
[0093]
(1)钙钛矿化合物的中值粒径(d50)没有特别限定，但出于可以良好地维持晶体结构的理由而优选为3nm以上。钙钛矿化合物的中值粒径更优选为4nm以上，进一步优选为5nm以上。
[0094]
另外，由于容易维持所希望的发光特性而优选钙钛矿化合物的中值粒径(d50)为5μm以下。钙钛矿化合物的中值粒径更优选为500nm以下，进一步优选为100nm以下。
[0095]
钙钛矿化合物的中值粒径(d50)的上限值和下限值可以任意组合。例如，钙钛矿化合物的中值粒径(d50)优选为3nm以上5μm以下，更优选为4nm以上500nm以下，进一步优选为5nm以上100nm以下。
[0096]
在本说明书中，钙钛矿化合物的粒度分布可以通过例如tem、sem来测定。具体而言，可以通过tem或sem对20个钙钛矿化合物的最大费雷特直径进行观察，由最大费雷特直径的分布求出中值粒径(d50)。
[0097]
在本实施方式中，可仅使用1种钙钛矿化合物，或者可并用2种以上钙钛矿化合物。
[0098]
《(2)胺化合物组》(2)胺化合物组为c
l
n
m
h
n
表示的化合物、c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子或c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子的盐(l、m和n各自独立地表示整数。)。在本实施方式的组合物中，上述(1)钙钛矿化合物的构成成分a为有机铵或脒鎓离子的上述(1)钙钛矿化合物与(2)胺化合物组是不同的成分。l、m和n各自独立地为正整数。l例如优选为1～30，更优选为1～18。m例如优选为1～5，更优选为1～3，进一步优选为1～2。n例如优选为4～60，更优选为4～40。关于c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子，例如，可以举出c
l
n
m
h
n
表示的化合物上结合1个以上的质子、1个以上的n原子带正电的铵离子、脒鎓离子。另外，关于c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子的盐，是指对于上述c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子中带正电的n结合抗衡阴离子而形成的化合物。作为抗衡阴离子，没有特别限定，例如，可以举出cl、br、i。作为c
l
n
m
h
n
表示的化合物的具体例，可以举出后述式(a11)表示的胺化合物；作为c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子的具体例，可以举出后述式(a1)表示的铵离子及式(a4
‑
1)表示的脒鎓离子；作为c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子的盐，可以举出后述式(a1)表示的铵离子及式(a4
‑
1)表示的脒鎓离子与抗衡阴离子结合而形成的盐。作为本实施方式中的(2)胺化合物组，可以举出如甲胺、乙胺、丙胺、油胺、正辛胺、壬胺、1
‑
氨基癸烷、十二烷基胺、十四烷基胺、1
‑
氨基十七烷之类的c
l
n
m
h
n
表示的化合物、上述c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子、式(a4
‑
1)表示的脒鎓离子、以及甲基铵离子、乙基铵离子、丙基铵离子、式(a4
‑
1)表示的脒鎓离子与抗衡阴离子结合而形成的盐等。其中，优选油胺、甲
胺、油基铵离子、甲基铵离子、甲脒鎓离子。其中，本实施方式的组合物中，上述(1)钙钛矿化合物与(2)胺化合物组不同。(r
10
r
11
n＝ch
‑
nr
12
r
13
)
+
···
(a4
‑
1)
[0099]
式(a4
‑
1)中，r
10
～r
13
与上述式(a4)中的r
10
～r
13
相同。各自独立地表示氢原子、可具有氨基作为取代基的烷基或可具有氨基作为取代基的环烷基。
[0100]
关于本实施方式的组合物的第1实施方式，从(1)钙钛矿化合物的发光特性的观点出发，(2)胺化合物组中所含的氮原子相对于(1)钙钛矿化合物中所含的b的摩尔比为0.55以下，优选为0.5以下，更优选为0.4以下，进一步优选为0.3以下。另外，上述摩尔比大于0，可为0.01以上，也可为0.03以上，还可为0.06以上，优选为0.1以上，更优选为0.13以上，进一步优选为0.16以上，进一步优选为0.20以上，进一步优选为0.23以上，特别优选为0.25以上。
[0101]
上述上限值和下限值可以任意组合，上述摩尔比为大于0且0.55以下，可为0.01以上0.5以下，可为0.02以上0.4以下，可为0.03以上0.3以下，可为0.06以上0.3以下，优选为0.10以上0.3以下，更优选为0.13以上0.3以下，进一步优选为0.16以上0.3以下，进一步优选为0.20以上0.3以下，进一步优选为0.23以上0.3以下，特别优选为0.25以上0.3以下。
[0102]
通过使上述摩尔比在该范围内，可以抑制组合物中所含的(1)钙钛矿化合物的发光光谱强度的降低，另外，在组合物包含(10)发光性的半导体材料的情况下，可以对提供组合物中所含的(10)发光性的半导体材料的发光光谱的最大发光强度的峰的半值宽度的增加进行抑制，因此，将使用组合物形成的膜作为发光材料的发光装置的发光色纯度提高。
[0103]
关于上述其他实施方式，相对于组合物的总质量，(2)胺化合物组中所含的氮原子的含量为7600质量ppm以下，优选为5000质量ppm以下，更优选为2000质量ppm以下，进一步优选为1000质量ppm以下，特别优选为300质量ppm以下。作为(2)胺化合物组中所含的氮原子的含量，相对于组合物的总质量，为0.1质量ppm以上，从维持(1)钙钛矿化合物的发光特性的观点出发，优选为1质量ppm以上，更优选为4质量ppm以上，进一步优选为10质量ppm以上，进一步优选为20质量ppm以上，特别优选为40质量ppm以上。例如，相对于组合物的总质量，(2)胺化合物组中所含的氮原子的含量优选为0.1质量ppm以上7600质量ppm以下，更优选为1质量ppm以上5000质量ppm以下，进一步优选为4质量ppm以上2000质量ppm以下，进一步优选为10质量ppm以上1000质量ppm以下，进一步优选为20质量ppm以上1000质量ppm以下，特别优选为40质量ppm以上300质量ppm以下。
[0104]
本实施方式的组合物的特征在于，(2)胺化合物组中所含的氮原子的含量相对于组合物的总质量而言在上述上限值以下的组合物，换言之，杂质的含量少的组合物。通过杂质少，由此例如，在与磷化铟等半导体材料并用的情况下，可以抑制发光强度的降低。
[0105]
本实施方式的组合物可含有上述下限值以上程度的(2)胺化合物组中所含的氮原子的含量。(2)胺化合物组中含有微量氮原子时，作为(1)钙钛矿化合物的表面改性剂起作用，组合物中的(1)钙钛矿化合物的分散性变得良好。
[0106]
作为(2)胺化合物组，具体可以举出在(1)钙钛矿化合物的制造工序中产生的制造残渣、作为任意成分而包含的(5)表面改性剂中所含的化合物的残渣。
[0107]
在本实施方式的组合物包含胺化合物组的情况下，可仅包含上述胺化合物组中的
1种，或者可包含上述胺化合物组中的2种以上。
[0108]
在减少本实施方式的组合物中所含的(2)胺化合物组的含量的情况下，例如，可以使用将作为原料的(1)钙钛矿化合物洗涤而预先除去的方法、组合物的稀释等方法来进行。
[0109]
(2)胺化合物组中所含的氮原子的质量可以通过使用xps、icp或用质谱分析仪(mass spectrometry(以下，也称为“ms”。))作为检测器的气相色谱仪等来测定。在本说明书中，将气相色谱仪测定称为gc
‑
ms测定。
[0110]
在本实施方式的组合物具有2种以上的(2)胺化合物组中含有的c
l
n
m
h
n
表示的化合物的情况下，(2)胺化合物组由2种以上的胺化合物组构成。上述组合物中的(2)胺化合物组中所含的氮原子的质量可由构成(2)胺化合物组的各胺化合物组中所含的氮原子的质量的总和来算出。
[0111]
在本实施方式的组合物中，在(1)钙钛矿化合物的构成成分a为铯离子的情况下，上述组合物中的(2)胺化合物组中所含的氮原子的质量可通过例如下述方法而求出。首先，通过本实施方式的组合物的x射线光电子光谱(xps)测定，算出组合物中所含的钙钛矿中的b成分(例如，pb)的物质量(单位：摩尔)与胺化合物组中的氮原子的物质量(单位：摩尔)之比(氮原子/b成分(例如，pb)(摩尔比))。
[0112]
xps测定优选在将含有钙钛矿的组合物延展于玻璃基板并干燥后进行。
[0113]
接着，通过下述式，由预先通过icp
‑
ms测定得到的组合物中所含的钙钛矿中的b成分(例如，pb)的含量(μg/g)，算出1g组合物中的胺化合物组中所含的氮原子的质量。组合物中的(2)胺化合物组中所含的氮原子的质量(μg/g)＝b成分(例如，pb)的含量(μg/g：icp测定值)
÷
b的原子量(g/mol)
×
(氮原子与b成分的摩尔比(n/b)：xps测定值)
×
氮原子量(g/mol)
[0114]
《分散介质》本实施方式的组合物含有选自(3)成分、(4)成分和(4
‑
1)成分中的至少一种分散介质。(3)成分：溶剂(4)成分：聚合性化合物(4
‑
1)成分：聚合物
[0115]
(3)溶剂溶剂只要是可以使(1)钙钛矿化合物分散的介质即可，没有特别限定，但优选难以溶解(1)钙钛矿化合物的溶剂。在本说明书中，“溶剂”是指在1个大气压、25℃下呈现液体状态的物质。其中，溶剂不包括后述的聚合性化合物和聚合物。
[0116]
作为溶剂，可以举出下述(a)～(k)。(a)酯(b)酮(c)醚(d)醇(e)二醇醚(f)具有酰胺基的有机溶剂
(g)具有氰基的有机溶剂(h)具有碳酸酯基的有机溶剂(i)卤代烃(j)烃(k)二甲基亚砜
[0117]
作为(a)酯，例如可以举出甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯和乙酸戊酯等。
[0118]
作为(b)酮，可以举出γ
‑
丁内酯、n
‑
甲基
‑2‑
吡咯烷酮、丙酮、二异丁基酮、环戊酮、环己酮、甲基环己酮等。
[0119]
作为(c)醚，可以举出二乙醚、甲基叔丁基醚、二异丙醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4
‑
二氧杂环己烷、1,3
‑
二氧戊环、4
‑
甲基二氧戊环、四氢呋喃、甲基四氢呋喃、茴香醚、苯乙醚等。
[0120]
作为(d)醇，可以举出甲醇、乙醇、1
‑
丙醇、2
‑
丙醇、1
‑
丁醇、2
‑
丁醇、叔丁醇、1
‑
戊醇、2
‑
甲基
‑2‑
丁醇、甲氧基丙醇、双丙酮醇、环己醇、2
‑
氟乙醇、2,2,2
‑
三氟乙醇、2,2,3,3
‑
四氟
‑1‑
丙醇等。
[0121]
作为(e)二醇醚，可以举出乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇单乙醚乙酸酯、三乙二醇二甲醚等。
[0122]
作为(f)具有酰胺基的有机溶剂，可以举出n,n
‑
二甲基甲酰胺、乙酰胺、n,n
‑
二甲基乙酰胺等。
[0123]
作为(g)具有氰基的有机溶剂，可以举出乙腈、异丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等。
[0124]
作为(h)具有碳酸酯基的有机溶剂，可以举出碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯等。
[0125]
作为(i)卤代烃，可以举出二氯甲烷、氯仿等。
[0126]
作为(j)烃，可以举出正戊烷、环己烷、正己烷、1
‑
十八碳烯、苯、甲苯、二甲苯等。
[0127]
这些溶剂中，考虑到(a)酯、(b)酮、(c)醚、(g)具有氰基的有机溶剂、(h)具有碳酸酯基的有机溶剂和(j)烃的极性低、难以溶解(1)钙钛矿化合物，因而优选。
[0128]
在本实施方式的组合物中，上述溶剂可仅使用1种，也可2种以上并用。
[0129]
(4)聚合性化合物本实施方式的组合物具有的聚合性化合物优选为在制造本实施方式的组合物的温度下，难以溶解(1)钙钛矿化合物者。
[0130]
在本说明书中，“聚合性化合物”是指具有聚合性基团的单体化合物(单体)。例如，聚合性化合物可以举出在1个大气压、25℃下呈液体状态的单体。
[0131]
例如，在室温、常压下制造组合物时，作为聚合性化合物，没有特别限制。作为聚合性化合物，例如可以举出苯乙烯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、丙烯腈等公知的聚合性化合物。其中，作为聚合性化合物，优选作为丙烯酸(酯)系树脂的单体的丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯中的任一种或两种。
[0132]
在本实施方式的组合物中，聚合性化合物可仅使用1种，也可2种以上并用。
[0133]
在本实施方式的组合物中，相对于全部的(4)聚合性化合物，丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯的合计量的比例可为10mol％以上。该比例可为30mol％以上，也可为50mol％以上，还可为80mol％以上，还可以为100mol％。
[0134]
(4
‑
1)聚合物本实施方式的组合物中所含的聚合物优选为在制造本实施方式的组合物的温度下，(1)钙钛矿化合物的溶解度低的聚合物。
[0135]
例如，在室温、常压下制造时，作为聚合物，没有特别限制，例如可以举出聚苯乙烯、丙烯酸(酯)系树脂、环氧树脂等公知的聚合物。其中，作为聚合物，优选丙烯酸(酯)系树脂。丙烯酸(酯)系树脂含有来源于丙烯酸酯的构成单元和来源于甲基丙烯酸酯的构成单元中的任一种或两种。
[0136]
在本实施方式的组合物中，相对于(4
‑
1)聚合物中所含的全部的构成单元，来源于丙烯酸酯的构成单元和来源于甲基丙烯酸酯的构成单元的合计量的比例可为10mol％以上。该比例可为30mol％以上，也可为50mol％以上，还可为80mol％以上，还可为100mol％。
[0137]
(4
‑
1)聚合物的重均分子量优选为100～1200000，更优选为1000～800000，进一步优选为5000～150000。
[0138]
在本实施方式的组合物中，聚合物可仅使用1种，也可2种以上并用。
[0139]
在本说明书中，“重均分子量”是指通过凝胶渗透色谱(gpc)法测定的聚苯乙烯换算值。
[0140]
＜关于各成分的混合比＞
[0141]
在本实施方式的组合物中，相对于组合物的总质量，(1)钙钛矿化合物的含有比例没有特别限定。
[0142]
从防止浓度猝灭的观点出发，上述含有比例优选为90质量％以下，更优选为40质量％以下，进一步优选为10质量％以下，特别优选为3质量％以下。
[0143]
另外，从得到良好的量子产率的观点出发，上述含有比例优选为0.0002质量％以上，更优选为0.002质量％以上，进一步优选为0.01质量％以上。
[0144]
上述上限值和下限值可以任意组合。
[0145]
相对于组合物的总质量，(1)钙钛矿化合物的含有比例通常为0.0002～90质量％。
[0146]
相对于组合物的总质量，(1)钙钛矿化合物的含有比例优选为0.001～40质量％，更优选为0.002～10质量％，进一步优选为0.01～3质量％。
[0147]
(1)钙钛矿化合物相对于组合物的总质量的含有比例在上述范围内的组合物，从难以发生(1)钙钛矿化合物的凝聚、发光性也能良好地发挥的观点出发是优选的。
[0148]
另外，在上述组合物中，相对于组合物的总质量，(1)钙钛矿化合物和分散介质的合计含有比例可为90质量％以上，也可为95质量％以上，还可为99质量％以上，还可为100质量％。
[0149]
在上述组合物中，(1)钙钛矿化合物相对分散介质的质量比[(1)钙钛矿化合物/(分散介质)]可为0.00001～10，也可为0.0001～2，还可为0.0005～1。(1)钙钛矿化合物与分散介质的混合比的范围在上述范围内的组合物，从难以发生(1)钙钛矿化合物的凝聚、良好地发光的观点出发是优选的。
[0150]
本实施方式的组合物可具有上述(1)钙钛矿化合物、(3)溶剂和(4)聚合性化合物、(4
‑
1)聚合物以外的成分(以下，称为“其他成分”。)。作为其他成分，例如，可以举出若干杂质、具有由构成(1)钙钛矿化合物的元素成分构成的非晶结构的化合物、聚合引发剂。
[0151]
相对于组合物的总质量，其他成分的含有比例优选为10质量％以下，更优选为5质量％以下，进一步优选为1质量％以下。
[0152]
作为本实施方式的组合物中所含的(4
‑
1)聚合物，可以采用上述的(4
‑
1)聚合物。
[0153]
在本实施方式的组合物中，(1)钙钛矿化合物优选分散在(4
‑
1)聚合物中。
[0154]
在上述组合物中，(1)钙钛矿化合物与(4
‑
1)聚合物的混合比只要是能够良好地发挥基于(1)钙钛矿化合物的发光作用的程度即可。上述混合比可以根据(1)钙钛矿化合物、(4
‑
1)聚合物的种类适当确定。
[0155]
在上述组合物中，(1)钙钛矿化合物相对于组合物的总质量的含有比例没有特别限定。出于可以防止浓度猝灭的理由，上述含有比例优选为90质量％以下，更优选为40质量％以下，进一步优选为10质量％以下，特别优选为3质量％以下。
[0156]
另外，出于可以得到良好的量子产率的理由，上述含有比例优选为0.0002质量％以上，更优选为0.002质量％以上，进一步优选为0.01质量％以上。
[0157]
上述上限值和下限值可以任意组合。
[0158]
(1)钙钛矿化合物相对于组合物的总质量的含有比例通常为0.0001～30质量％。
[0159]
(1)钙钛矿化合物相对于组合物的总质量的含有比例优选为0.0001～10质量％，更优选为0.0005～10质量％，进一步优选为0.001～3质量％。
[0160]
在上述组合物中，(1)钙钛矿化合物相对(4
‑
1)聚合物的质量比[(1)钙钛矿化合物/(4
‑
1)聚合物]可为0.00001～10，也可为0.0001～2，还可为0.0005～1。(1)钙钛矿化合物与(4
‑
1)聚合物的混合比的范围在上述范围内的组合物，从良好地发光的观点出发是优选的。
[0161]
关于本实施方式的组合物，例如，相对于组合物的总质量，(1)钙钛矿化合物和(4
‑
1)聚合物的合计量为90质量％以上。相对于组合物的总质量，(1)钙钛矿化合物和(4
‑
1)聚合物的合计量可为95质量％以上，也可为99质量％以上，还可为100质量％。
[0162]
本实施方式的组合物可含有与上述其他成分相同的成分。相对于组合物的总质量，其他成分的含有比例优选为10质量％以下，更优选为5质量％以下，进一步优选为1质量％以下。
[0163]
《含有(1)成分、(2)成分和(10)成分的组合物》本实施方式的组合物的第2实施方式是一种具有发光性的组合物，其含有(1)成分、(2)成分和(10)成分，上述(2)成分中所含的氮原子相对上述(1)成分中所含的b的摩尔比为大于0且在0.55以下，上述(2)成分中所含的氮原子的质量与上述(10)成分的质量之比(氮原子/(10)成分)为0.5以下。(1)成分：以a、b和x为构成成分的钙钛矿化合物。(a是在钙钛矿型晶体结构中位于以b为中心的6面体的各顶点处的成分，是1价阳离子。x表示在钙钛矿型晶体结构中位于以b为中心的8面体的各顶点处的成分，是选自卤素离子和硫氰酸根离子中的至少1种阴离子。b是在钙钛矿型晶体结构中位于将a配置在顶点的6面体和将x配置在顶点的8面体的中心处的成分，是金属离子。)(2)成分：c
l
n
m
h
n
表示的化合物、c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子或c
l
n
m
h
n
表示的化合物
的离子的盐(l、m和n各自独立地表示整数。)(10)成分：发光性的半导体材料
[0164]
本实施方式的组合物的第2实施方式中，(2)胺化合物组中所含的氮原子相对于(1)钙钛矿化合物中所含的b的摩尔比与本实施方式的组合物的第1实施方式相同，优选相同的范围。
[0165]
上述其他实施方式含有(1)成分、(2)成分和(10)成分，上述(2)成分中所含的氮原子的质量与(10)成分的质量之比(氮原子/(10)成分)为0.5以下。(1)：以a、b和x为构成成分的钙钛矿化合物。(a是在钙钛矿型晶体结构中位于以b为中心的6面体的各顶点处的成分，是1价阳离子。x表示在钙钛矿型晶体结构中位于以b为中心的8面体的各顶点处的成分，是选自卤素离子和硫氰酸根离子中的至少1种阴离子。b是在钙钛矿型晶体结构中位于将a配置在顶点的6面体和将x配置在顶点的8面体的中心处的成分，是金属离子。)(2)成分：c
l
n
m
h
n
表示的化合物、c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子或c
l
n
m
h
n
表示的化合物的离子的盐(l、m和n各自独立地表示整数。)(10)成分：发光性的半导体材料
[0166]
关于(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组的记载，与上述相同。对(10)成分的发光性的半导体材料进行说明。以下，有时将(10)成分记载为(10)半导体材料。
[0167]
《(10)半导体材料》作为本实施方式的组合物中所含的发光性的半导体材料，可以举出下述(i)～(vii)。(i)包含ii族
‑
vi族化合物半导体的半导体材料(ii)包含ii族
‑
v族化合物半导体的半导体材料(iii)包含iii族
‑
v族化合物半导体的半导体材料(iv)包含iii族
‑
iv族化合物半导体的半导体材料(v)包含iii族
‑
vi族化合物半导体的半导体材料(vi)包含iv族
‑
vi族化合物半导体的半导体材料(vii)包含过渡金属
‑
p区化合物半导体的半导体材料另外，(1)钙钛矿化合物不包括在(10)发光性的半导体材料中。
[0168]
＜(i)包含ii族
‑
vi族化合物半导体的半导体材料＞作为ii族
‑
vi族化合物半导体，可以举出包含周期表第2族元素和第16族元素的化合物半导体，以及包含周期表第12族元素和第16族元素的化合物半导体。另外，在本说明书中，“周期表”是指长周期型周期表。
[0169]
在以下说明中，有时将包含第2族元素和第16族元素的化合物半导体称为“化合物半导体(i
‑
1)”，将包含第12族元素和第16族元素的化合物半导体称为“化合物半导体(i
‑
2)”。
[0170]
化合物半导体(i
‑
1)中，作为二元系的化合物半导体，例如，可以举出mgs、mgse、
mgte、cas、case、cate、srs、srse、srte、bas、base或bate。
[0171]
另外，作为化合物半导体(i
‑
1)，可为(i
‑1‑
1)包含1种第2族元素、2种第16族元素的三元系的化合物半导体，(i
‑1‑
2)包含2种第2族元素、1种第16族元素的三元系的化合物半导体，(i
‑1‑
3)包含2种第2族元素、2种第16族元素的四元系的化合物半导体。
[0172]
化合物半导体(i
‑
2)中，作为二元系的化合物半导体，例如，可以举出zns、znse、znte、cds、cdse、cdte、hgs、hgse或hgte。
[0173]
另外，作为化合物半导体(i
‑
2)，可为(i
‑2‑
1)包含1种第12族元素、2种第16族元素的三元系的化合物半导体，(i
‑2‑
2)包含2种第12族元素、1种第16族元素的三元系的化合物半导体，(i
‑2‑
3)包含2种第12族元素、2种第16族元素的四元系的化合物半导体。
[0174]
ii族
‑
vi族化合物半导体可包含第2族元素、第12族元素和第16族元素以外的元素作为掺杂元素。
[0175]
＜(ii)包含ii族
‑
v族化合物半导体的半导体材料＞ii族
‑
v族化合物半导体包含第12族元素和第15族元素。
[0176]
ii族
‑
v族化合物半导体中，作为二元系的化合物半导体，例如，可以举出zn3p2、zn3as2、cd3p2、cd3as2、cd3n2或zn3n2。
[0177]
另外，作为ii族
‑
v族化合物半导体，可为(ii
‑
1)包含1种第12族元素、2种第15族元素的三元系的化合物半导体，(ii
‑
2)包含2种第12族元素、1种第15族元素的三元系的化合物半导体，(ii
‑
3)包含2种第12族元素、2种第15族元素的四元系的化合物半导体。
[0178]
ii族
‑
v族化合物半导体可包含第12族元素和第15族元素以外的元素作为掺杂元素。
[0179]
＜(iii)包含iii族
‑
v族化合物半导体的半导体材料＞iii族
‑
v族化合物半导体包含第13族元素和第15族元素。
[0180]
iii族
‑
v族化合物半导体中，作为二元系的化合物半导体，例如，可以举出bp、alp、alas、alsb、gan、gap、gaas、gasb、inn、inp、inas、insb、aln或bn。
[0181]
另外，作为iii族
‑
v族化合物半导体，可为(iii
‑
1)包含1种第13族元素、2种第15族元素的三元系的化合物半导体，(iii
‑
2)包含2种第13族元素、1种第15族元素的三元系的化合物半导体，(iii
‑
3)包含2种第13族元素、2种第15族元素的四元系的化合物半导体。
[0182]
iii族
‑
v族化合物半导体可包含第13族元素和第15族元素以外的元素作为掺杂元素。
[0183]
＜(iv)包含iii族
‑
iv族化合物半导体的半导体材料＞iii族
‑
iv族化合物半导体包含第13族元素和第14族元素。
[0184]
iii族
‑
iv族化合物半导体中，作为二元系的化合物半导体，例如，可以举出b4c3、al4c3、ga4c3。
[0185]
另外，作为iii族
‑
iv族化合物半导体，可为(iv
‑
1)包含1种第13族元素、2种第14族元素的三元系的化合物半导体，(iv
‑
2)包含2种第13族元素、1种第14族元素的三元系的化合物半导体，(iv
‑
3)包含2种第13族元素、2种第14族元素的四元系的化合物半导体。
[0186]
iii族
‑
iv族化合物半导体可包含第13族元素和第14族元素以外的元素作为掺杂元素。
[0187]
＜(v)包含iii族
‑
vi族化合物半导体的半导体材料＞iii族
‑
vi族化合物半导体包含第13族元素和第16族元素。
[0188]
iii族
‑
vi族化合物半导体中，作为二元系的化合物半导体，例如，可以举出al2s3、al2se3、al2te3、ga2s3、ga2se3、ga2te3、gate、in2s3、in2se3、in2te3或inte。
[0189]
另外，作为iii族
‑
vi族化合物半导体，可为(v
‑
1)包含1种第13族元素、2种第16族元素的三元系的化合物半导体，(v
‑
2)包含2种第13族元素、1种第16族元素的三元系的化合物半导体，(v
‑
3)包含2种第13族元素、2种第16族元素的四元系的化合物半导体。
[0190]
iii族
‑
vi族化合物半导体可包含第13族元素和第16族元素以外的元素作为掺杂元素。
[0191]
＜(vi)包含iv族
‑
vi族化合物半导体的半导体材料＞iv族
‑
vi族化合物半导体包含第14族元素和第16族元素。
[0192]
iv族
‑
vi族化合物半导体中，作为二元系的化合物半导体，例如，可以举出pbs、pbse、pbte、sns、snse或snte。
[0193]
另外，作为iv族
‑
vi族化合物半导体，可为(vi
‑
1)包含1种第14族元素、2种第16族元素的三元系的化合物半导体，(vi
‑
2)包含2种第14族元素、1种第16族元素的三元系的化合物半导体，(vi
‑
3)包含2种第14族元素、2种第16族元素的四元系的化合物半导体。
[0194]
iv族
‑
vi族化合物半导体可包含第14族元素和第16族元素以外的元素作为掺杂元素。
[0195]
＜(vii)包含过渡金属
‑
p区化合物半导体的半导体材料＞过渡金属
‑
p区化合物半导体包含过渡金属元素和p
‑
区元素。“p
‑
区元素”是指属于周期表的第13族至第18族的元素。
[0196]
过渡金属
‑
p区化合物半导体中，作为二元系的化合物半导体，例如，可以举出nis、crs。
[0197]
另外，作为过渡金属
‑
p区化合物半导体，可为(vii
‑
1)包含1种过渡金属元素、2种p
‑
区元素的三元系的化合物半导体，(vii
‑
2)包含2种过渡金属元素、1种p
‑
区元素的三元系的化合物半导体，(vii
‑
3)包含2种过渡金属元素、2种p
‑
区元素的四元系的化合物半导体。
[0198]
过渡金属
‑
p区化合物半导体可包含过渡金属元素和p
‑
区元素以外的元素作为掺杂元素。
[0199]
作为上述三元系的化合物半导体或四元系的化合物半导体的具体例，可以举出zncds、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、zncdsse、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste、ganp、ganas、gapas、alnp、alnas、alpas、innp、innas、inpas、gaalnp、gaalnas、gaalpas、gainnp、gainnas、
gainpas、inalnp、inalnas、cuins2或inalpas等。
[0200]
在本实施方式中，上述化合物半导体中，优选包含为第12族元素的cd的化合物半导体和包含为第13族元素的in的化合物半导体。另外，在本实施方式中，上述化合物半导体中，优选包含cd和se的化合物半导体，及包含in和p的化合物半导体。
[0201]
包含cd和se的化合物半导体优选为二元系的化合物半导体、三元系的化合物半导体、四元系的化合物半导体中的任一种。其中，特别优选作为二元系的化合物半导体的cdse。
[0202]
包含in和p的化合物半导体优选二元系的化合物半导体、三元系的化合物半导体、四元系的化合物半导体中的任一种。其中，特别优选作为二元系的化合物半导体的inp。
[0203]
在本实施方式中，优选包含cd的半导体材料或包含in的半导体材料，更优选cdse或inp。
[0204]
关于本实施方式的组合物的第2实施方式，(2)胺化合物组中所含的氮原子的质量与(10)半导体材料的质量比(氮原子/(10)成分)为0.5以下，优选为0.3以下，更优选为0.1以下，进一步优选为0.05以下，进一步优选为0.005以下，特别优选为0.001以下。作为(2)胺化合物组中所含的氮原子的质量与(10)半导体材料的质量比(氮原子/(10)成分)的下限值的例子，为0.0000001，从维持(1)钙钛矿化合物的发光特性的观点出发，优选为0.000001，更优选为0.00001，进一步优选为0.0001。例如，(2)胺化合物组中所含的氮原子的质量与(10)半导体材料的质量比(氮原子/(10)成分)优选为0.0000001以上0.5以下，更优选为0.000001以上0.3以下，进一步优选为0.00001以上0.1以下，进一步优选为0.0001以上0.05以下，进一步优选为0.0001以上0.005以下，特别优选为0.0001以上0.001以下。
[0205]
在上述第2实施方式中，组合物中的(10)发光性的半导体材料(μg)与(2)胺化合物组中所含的氮原子的质量(μg)的质量比可以通过下述式算出。(2)胺化合物组中所含的氮原子的质量(μg)/(10)发光性的半导体材料的质量(μg)＝组合物中的氮原子的质量(μg)/半导体材料的质量(μg)
[0206]
组合物中的氮原子的质量(μg)通过下述方法算出。(2)每1g组合物的胺化合物组中所含的氮原子的质量(μg/g)
×
组合物的质量(g)
[0207]
《(6)改性体组》本实施方式的组合物优选含有(6)改性体组作为任意成分。
[0208]
(6)改性体组为选自硅氮烷、硅氮烷改性体、下述式(c1)表示的化合物、下述式(c1)表示的化合物的改性体、下述式(c2)表示的化合物、下述式(c2)表示的化合物的改性体、下述式(a5
‑
51)表示的化合物、下述式(a5
‑
51)表示的化合物的改性体、下述式(a5
‑
52)表示的化合物、下述式(a5
‑
52)表示的化合物的改性体、硅酸钠、硅酸钠的改性体中的1种以上化合物。其中，从提高耐久性的观点出发，优选选自硅氮烷改性体、下述式(c1)表示的化合物的改性体、下述式(c2)表示的化合物的改性体、下述式(a5
‑
51)表示的化合物的改性体、下述式(a5
‑
52)表示的化合物的改性体和硅酸钠的改性体中的1种以上化合物，更优选硅氮烷改性体。
[0209]
在本实施方式中，可仅使用选自(6)改性体组的化合物中的1种，也可并用2种以上。
组合物中，(6)改性体组优选以表面的至少一部分被(5)表面改性剂包覆了的半导体材料为核，形成壳结构。具体地，(6)改性体组优选与包覆半导体材料表面的(5)表面改性剂重叠、包覆(5)表面改性剂的表面，也可在(5)表面改性剂没有包覆的半导体材料的表面进行包覆。
[0210]
在本实施方式中，包覆半导体材料或(5)表面改性剂的表面的(6)改性体组可以通过例如使用sem或tem等对组合物进行观察来确认。进而，可以通过使用sem或tem的edx测定来分析详细的元素分布。
[0211]
在本说明书中，“改性”是指具有si
‑
n键、si
‑
sr键(r为氢原子或有机基团)或si
‑
or键(r为氢原子或有机基团)的硅化合物水解，生成具有si
‑
o
‑
si键的硅化合物。si
‑
o
‑
si键可通过分子间的缩合反应生成，也可通过分子内的缩合反应生成。
[0212]
在本说明书中，“改性体”是指通过对具有si
‑
n键、si
‑
sr键或si
‑
or键的硅化合物进行改性而得到的化合物。
[0213]
(1.硅氮烷)硅氮烷为具有si
‑
n
‑
si键的化合物。硅氮烷可为直链状、支链状或环状中的任一种。
[0214]
硅氮烷可为低分子硅氮烷，也可为高分子硅氮烷。在本说明书中，将高分子硅氮烷记载为聚硅氮烷。
[0215]
在本说明书中，“低分子”是指数均分子量低于600。另外，在本说明书中，“高分子”是指数均分子量在600以上2000以下。
[0216]
在本说明书中，“数均分子量”是指通过凝胶渗透色谱(gpc)法测定的聚苯乙烯换算值。
[0217]
(1
‑
1.低分子硅氮烷)作为硅氮烷，例如，优选作为低分子硅氮烷的下述式(b1)表示的二硅氮烷。
[0218][0219]
式(b1)中，r
14
和r
15
各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为1～20的链烯基、碳原子数为3～20的环烷基、碳原子数为6～20的芳基或碳原子数为1～20的烷基甲硅烷基。
[0220]
r
14
和r
15
可具有氨基等取代基。多个存在的r
15
可相同或不同。
[0221]
作为式(b1)表示的低分子硅氮烷，可以举出1,3
‑
二乙烯基
‑
1,1,3,3
‑
四甲基二硅氮烷、1,3
‑
二苯基四甲基二硅氮烷和1,1,1,3,3,3
‑
六甲基二硅氮烷。
[0222]
(1
‑
2.低分子硅氮烷)作为硅氮烷，例如，还优选下述式(b2)表示的低分子硅氮烷。
[0223][0224]
式(b2)中，r
14
和r
15
与上述式(b1)中的r
14
和r
15
相同。
[0225]
多个存在的r
14
可相同或不同。多个存在的r
15
可相同或不同。
[0226]
式(b2)中，n1表示1以上20以下的整数。n1可是1以上10以下的整数，或者可是1或2。
[0227]
作为式(b2)表示的低分子硅氮烷，可以举出八甲基环四硅氮烷、2,2,4,4,6,6
‑
六甲基环三硅氮烷和2,4,6
‑
三甲基
‑
2,4,6
‑
三乙烯基环三硅氮烷。
[0228]
作为低分子硅氮烷，优选八甲基环四硅氮烷和1,3
‑
二苯基四甲基二硅氮烷，更优选八甲基环四硅氮烷。
[0229]
(1
‑
3.高分子硅氮烷)作为硅氮烷，例如，优选下述式(b3)表示的高分子硅氮烷(聚硅氮烷)。
[0230]
聚硅氮烷是具有si
‑
n
‑
si键的高分子化合物。式(b3)表示的聚硅氮烷的构成单元可是一种，也可是多种。
[0231][0232]
式(b3)中，r
14
和r
15
与上述式(b1)中的r
14
和r
15
相同。
[0233]
式(b3)中，＊表示结合键。在分子链末端的氮原子的结合键上，结合有r
14
。在分子链末端的si原子的结合键上，结合有r
15
。
[0234]
多个存在的r
14
可相同或不同。多个存在的r
15
可相同或不同。
[0235]
m表示2以上10000以下的整数。
[0236]
式(b3)表示的聚硅氮烷可为例如r
14
和r
15
均为氢原子的全氢聚硅氮烷。
[0237]
另外，式(b3)表示的聚硅氮烷可为例如至少1个r
15
为氢原子以外的基团的有机聚硅氮烷。可根据用途，适当选择全氢聚硅氮烷和有机聚硅氮烷，它们也可以混合使用。
[0238]
(1
‑
4.高分子硅氮烷)作为硅氮烷，例如，还优选具有下述式(b4)表示的结构的聚硅氮烷。
[0239]
聚硅氮烷的分子内的一部分可具有环结构，例如，可具有式(b4)表示的结构。
[0240][0241]
式(b4)中，*表示结合键。式(b4)的结合键可与式(b3)表示的聚硅氮烷的结合键或式(b3)表示的聚硅氮烷的构成单位的结合键结合。
[0242]
另外，聚硅氮烷的分子内含有多个式(b4)表示的结构时，式(b4)表示的结构的结合键可与其他式(b4)表示的结构的结合键直接结合。
[0243]
在没有与式(b3)表示的聚硅氮烷的结合键、式(b3)表示的聚硅氮烷的构成单元的结合键及其他式(b4)表示的结构的结合键中的任一者结合的氮原子的结合键上，结合有r
14
。
[0244]
在没有与式(b3)表示的聚硅氮烷的结合键、式(b3)表示的聚硅氮烷的构成单位的结合键及其他式(b4)表示的结构的结合键中的任一者结合的si原子的结合键上，结合有r
15
。
[0245]
n2表示1以上10000以下的整数。n2可是1以上10以下的整数，或者可是1或2。
[0246]
一般的聚硅氮烷具有例如存在直链结构和环结构(6元环或8元环等)的结构，即，具有上述(b3)、(b4)表示的结构。一般的聚硅氮烷的分子量以数均分子量(mn)表示为600～2000左右(聚苯乙烯换算)，根据分子量可以是液体或固体的物质。
[0247]
聚硅氮烷可使用市售品，作为市售品，可以举出nn120
‑
10、nn120
‑
20、nax120
‑
20、nn110、nax120、nax110、nl120a、nl110a、nl150a、np110、np140(az electronic materials株式会社制造)以及aznn
‑
120
‑
20、durazane(注册商标)1500slow cure、durazane1500 rapid cure、durazane1800及durazane1033(默克功能性材料株式会社制造)等。
[0248]
聚硅氮烷优选aznn
‑
120
‑
20、durazane1500 slow cure、durazane1500 rapid cure，更优选durazane1500 slow cure。
[0249]
关于式(b2)表示的低分子硅氮烷的改性体，相对于总硅原子，未与氮原子键合的硅原子的比例优选为0.1～100％。另外，未与氮原子键合的硅原子的比例更优选为10～98％，进一步优选为30～95％。
[0250]
另外，“未与氮原子键合的硅原子的比例”是使用后述的测定值，通过((si(摩尔))
‑
(sin键中的n(摩尔)))/si(摩尔)
×
100而求出。考虑到改性反应，“未与氮原子键合的硅原子的比例”是指“通过改性处理生成的硅氧烷键中所含的硅原子的比例”。
[0251]
关于式(b3)表示的聚硅氮烷的改性体，相对于总硅原子，未与氮原子键合的硅原子的比例优选为0.1～100％。另外，未与氮原子键合的硅原子的比例更优选为10～98％，进一步优选为30～95％。
[0252]
关于具有式(b4)表示的结构的聚硅氮烷的改性体，相对于总硅原子，未与氮原子
键合的硅原子的比例优选为0.1～99％。另外，未与氮原子键合的硅原子的比例更优选为10～97％，进一步优选为30～95％。
[0253]
改性体中的si原子数、sin键的数量可以通过x射线光电子光谱法(xps)测定。
[0254]
关于改性体，相对于总硅原子，使用由上述方法得到的测定值求出的“未与氮原子键合的硅原子的比例”优选为0.1～99％，更优选为10～99％，进一步优选为30～95％。
[0255]
作为硅氮烷的改性体，没有特别限制，从可以提高分散性、抑制凝聚的观点出发，优选有机聚硅氮烷的改性体。
[0256]
作为有机聚硅氮烷，例如可以是由式(b3)表示的有机聚硅氮烷，其中式(b3)中的r
14
和r
15
中的至少1个为碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的链烯基、碳原子数3～20的环烷基、碳原子数6～20的芳基或碳原子数1～20的烷基甲硅烷基。
[0257]
另外，作为有机聚硅氮烷，例如可是含有式(b4)表示的结构的有机聚硅氮烷，其中式(b4)中至少1个结合键与r
14
或r
15
键合，上述r
14
或r
15
中的至少1个为碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的链烯基、碳原子数3～20的环烷基、碳原子数6～20的芳基或碳原子数1～20的烷基甲硅烷基。
[0258]
有机聚硅氮烷优选式(b3)(式(b3)中的r
14
和r
15
中的至少1个为甲基)表示的有机聚硅氮烷，或者含有式(b4)(式(b4)中的至少1个结合键与r
14
或r
15
键合，上述r
14
和r
15
中的至少1个为甲基)表示的结构的聚硅氮烷。
[0259]
(2.式(c1)表示的化合物、式(c2)表示的化合物)在本实施方式中，可为下述式(c1)表示的化合物、下述式(c2)表示的化合物。
[0260][0261]
式(c1)中，y5表示单键、氧原子或硫原子。
[0262]
在y5为氧原子时，r
30
、r
31
各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基。
[0263]
在y5为单键或硫原子时，r
30
表示碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基，r
31
表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基。
[0264]
式(c2)中，r
30
、r
31
和r
32
各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基。
[0265]
式(c1)和式(c2)中，r
30
、r
31
和r
32
表示的烷基、环烷基、不饱和烃基中所含的氢原子各自独立地可被卤原子或氨基取代。
[0266]
作为可取代r
30
、r
31
和r
32
表示的烷基、环烷基、不饱和烃基中所含的氢原子的卤原子，例如，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，从化学稳定性的观点出发，优选氟原子。
[0267]
式(c1)和(c2)中，a是1～3的整数。
a为2或3时，多个存在的y5可相同或不同。a为2或3时，多个存在的r
30
可相同或不同。a为2或3时，多个存在的r
32
可相同或不同。a为1或2时，多个存在的r
31
可相同或不同。
[0268]
r
30
和r
31
表示的烷基可为直链状，也可为支链状。
[0269]
在式(c1)表示的化合物中，在y5为氧原子时，从改性迅速进行的观点出发，r
30
表示的烷基的碳原子数优选为1～20。另外，r
30
表示的烷基的碳原子数更优选为1～3，进一步优选为1。
[0270]
在式(c1)表示的化合物中，在y5为单键或硫原子时，r
30
表示的烷基的碳原子数优选为5～20，更优选为8～20。
[0271]
在式(c1)表示的化合物中，从改性迅速进行的观点出发，y5优选氧原子。
[0272]
在式(c2)表示的化合物中，从改性迅速进行的观点出发，r
30
和r
32
表示的烷基的碳原子数各自独立地优选为1～20。另外，r
30
和r
32
表示的烷基的碳原子数各自独立地更优选为1～3，进一步优选为1。
[0273]
在式(c1)表示的化合物和式(c2)表示的化合物中，r
31
表示的烷基的碳原子数优选为1～5，更优选为1～2，进一步优选为1。
[0274]
作为r
30
、r
31
和r
32
表示的烷基的具体例，可以举出在r6～r9表示的基团中示例的烷基。
[0275]
r
30
、r
31
和r
32
表示的环烷基的碳原子数优选为3～20，更优选为3～11。碳原子数包括取代基的碳原子数。
[0276]
在r
30
、r
31
和r
32
表示的环烷基中存在的氢原子各自独立地被烷基取代的情况下，环烷基的碳原子数为4以上。环烷基中其氢原子可被取代的烷基的碳原子数为1～27。
[0277]
作为r
30
、r
31
和r
32
表示的环烷基的具体例，可以举出在r6～r9表示的基团中示例的环烷基。
[0278]
r
30
、r
31
和r
32
表示的不饱和烃基可为直链状，也可为支链状，还可为环状。
[0279]
r
30
、r
31
和r
32
表示的不饱和烃基的碳原子数优选为5～20，更优选为8～20。
[0280]
作为r
30
、r
31
和r
32
表示的不饱和烃基，优选链烯基，更优选碳原子数为8～20的链烯基。
[0281]
作为r
30
、r
31
和r
32
表示的链烯基，可以示例在r6～r9表示的基团中示例的直链状或支链状的烷基中，任意一个的碳原子间的单键(c
‑
c)被双键(c＝c)取代而得的链烯基。链烯基中，双键的位置没有限定。
[0282]
作为这样的链烯基的优选例子，例如，可以举出乙烯基、丙烯基、3
‑
丁烯基、2
‑
丁烯基、2
‑
戊烯基、2
‑
己烯基、2
‑
壬烯基、2
‑
十二碳烯基、9
‑
十八碳烯基。
[0283]
r
30
和r
32
优选烷基或不饱和烃基，更优选烷基。
[0284]
r
31
优选氢原子、烷基或不饱和烃基，更优选烷基。
[0285]
r
31
表示的烷基、环烷基和不饱和烃基为上述碳原子数时，式(c1)表示的化合物、式(c2)表示的化合物容易被水解，容易生成改性体。由此，式(c1)表示的化合物的改性体和式(c2)表示的化合物的改性体容易包覆半导体材料的表面。其结果，(1)钙钛矿化合物不易劣化，可认为能够得到耐久性高的组合物。
[0286]
作为式(c1)表示的化合物，具体可以举出四乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四丁氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、3
‑
氨基丙基三乙氧基硅烷、3
‑
氨基丙基三甲氧基硅烷、三甲氧基苯基硅烷、乙氧基三乙基硅烷、甲氧基三甲基硅烷、甲氧基二甲基(苯基)硅烷、五氟苯基乙氧基二甲基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、3
‑
氯丙基二甲氧基甲基硅烷、(3
‑
氯丙基)二乙氧基(甲基)硅烷、(氯甲基)二甲氧基(甲基)硅烷、(氯甲基)二乙氧基(甲基)硅烷、二乙氧基二甲基硅烷、二甲氧基二甲基硅烷、二甲氧基二苯基硅烷、二甲氧基甲基苯基硅烷、二乙氧基二苯基硅烷、二甲氧基甲基乙烯基硅烷、二乙氧基(甲基)苯基硅烷、二甲氧基(甲基)(3,3,3
‑
三氟丙基)硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、(3
‑
溴丙基)三甲氧基硅烷、环己基三甲氧基硅烷、(氯甲基)三乙氧基硅烷、(氯甲基)三甲氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、三乙氧基乙基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、己基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、三甲氧基(甲基)硅烷、三乙氧基甲基硅烷、三甲氧基(1h,1h,2h,2h
‑
十七氟癸基)硅烷、三乙氧基
‑
1h,1h,2h,2h
‑
十三氟
‑
正辛基硅烷、三甲氧基(1h,1h,2h,2h
‑
九氟己基)硅烷、三甲氧基(3,3,3
‑
三氟丙基)硅烷、1h,1h,2h,2h
‑
全氟辛基三乙氧基硅烷等。
[0287]
其中，优选三甲氧基苯基硅烷、甲氧基二甲基(苯基)硅烷、二甲氧基二苯基硅烷、二甲氧基甲基苯基硅烷、环己基三甲氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、己基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、三甲氧基(1h，1h，2h，2h
‑
十七氟癸基)硅烷、三乙氧基
‑
1h，1h，2h，2h
‑
十三氟
‑
正辛基硅烷、三甲氧基(1h，1h，2h，2h
‑
九氟己基)硅烷、三甲氧基(3，3，3
‑
三氟丙基)硅烷、四乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四丁氧基硅烷、四异丙氧基硅烷，更优选四乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四丁氧基硅烷、四异丙氧基硅烷，最优选四甲氧基硅烷。
[0288]
进而，作为上述式(c1)表示的化合物，可为十二烷基三甲氧基硅烷、三甲氧基苯基硅烷。
[0289]
(3.式(a5
‑
51)表示的化合物、式(a5
‑
52)表示的化合物)在本实施方式中，可为下述式(a5
‑
51)表示的化合物、式(a5
‑
52)表示的化合物。
[0290]
[0291]
在式(a5
‑
51)和式(a5
‑
52)中，a
c
为2价烃基，y
15
为氧原子或硫原子。
[0292]
在式(a5
‑
51)和式(a5
‑
52)中，r
122
和r
123
各自独立地表示氢原子、烷基或环烷基。
[0293]
在式(a5
‑
51)和式(a5
‑
52)中，r
124
表示烷基或环烷基。
[0294]
在式(a5
‑
51)和式(a5
‑
52)中，r
125
和r
126
各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基或环烷基。
[0295]
在r
122
～r
126
为烷基的情况下，可为直链状，也可为支链状。烷基的碳原子数通常为1～20，优选为5～20，更优选为8～20。
[0296]
在r
122
～r
126
为环烷基的情况下，环烷基可具有烷基作为取代基。环烷基的碳原子数通常为3～30，优选为3～20，更优选为3～11。碳原子数包括取代基的碳原子数。
[0297]
r
122
～r
126
表示的烷基、环烷基中所含的氢原子各自独立地可被卤原子或氨基取代。
[0298]
作为可取代r
122
～r
126
表示的烷基、环烷基中所含的氢原子的卤原子，例如，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，从化学稳定性的观点出发，优选氟原子。
[0299]
作为r
122
～r
126
的烷基的具体例，可以举出在r6～r9中示例的烷基。
[0300]
作为r
122
～r
126
的环烷基的具体例，可以举出在r6～r9中示例的环烷基。
[0301]
作为r
125
和r
126
的烷氧基，可以示例在r6～r9中示例的直链状或支链状的烷基与氧原子结合的1价基团。
[0302]
在r
125
和r
126
为烷氧基的情况下，可以举出甲氧基、乙氧基、丁氧基等，优选甲氧基。
[0303]
a
c
表示的2价烃基只要是从烃化合物中除去2个氢原子而得的基团即可，上述烃化合物可为脂肪族烃，也可为芳香族烃，还可为饱和脂肪族烃。在a
c
为亚烷基的情况下，可为直链状，也可为支链状。亚烷基的碳原子数通常为1～100，优选为1～20，更优选为1～5。
[0304]
作为式(a5
‑
51)表示的化合物，优选三甲氧基[3
‑
(甲基氨基)丙基]硅烷、3
‑
氨基丙基三乙氧基硅烷、3
‑
氨基丙基二甲氧基甲基硅烷、3
‑
氨基丙基二乙氧基甲基硅烷、3
‑
氨基丙基三甲氧基硅烷。
[0305]
另外，作为式(a5
‑
51)表示的化合物，优选r
122
和r
123
为氢原子、r
124
为烷基、r
125
和r
126
为烷氧基的化合物。例如，更优选3
‑
氨基丙基三乙氧基硅烷、3
‑
氨基丙基三甲氧基硅烷。
[0306]
作为式(a5
‑
51)表示的化合物，进一步优选3
‑
氨基丙基三甲氧基硅烷。作为式(a5
‑
52)表示的化合物，进一步优选3
‑
巯基丙基三甲氧基硅烷、3
‑
巯基丙基三乙氧基硅烷。
[0307]
(硅酸钠改性体)作为具有硅氧烷键的无机硅化合物，可为硅酸钠(na2sio3)的改性体。硅酸钠可通过用酸处理进行水解而改性。
[0308]
本实施方式的组合物为具有发光性的组合物，其含有(1)成分、(2)成分和选自(3)成分、(4)成分及(4
‑
1)成分中的至少一种成分，且上述(2)成分中所含的氮原子相对于上述(1)成分中所含的b的摩尔比为大于0且在0.55以下，优选为还含有上述(6)成分的具有发光性的组合物。
[0309]
《(5)表面改性剂》本实施方式的组合物优选含有(5)表面改性剂作为任意成分。(5)表面改性剂含有选自铵离子、胺、伯铵阳离子、仲铵阳离子、叔铵阳离子、季铵
阳离子、铵盐、羧酸、羧酸根离子、羧酸盐、式(x1)～(x6)各自表示的化合物和式(x2)～(x4)各自表示的化合物的盐中的至少一种化合物或离子。其中，表面改性剂优选含有选自铵离子、胺、伯铵阳离子、仲铵阳离子、叔铵阳离子、季铵阳离子、铵盐、羧酸、羧酸根离子和羧酸盐中的至少一种，更优选含有选自胺和羧酸中的至少一种。
[0310]
在本实施方式中，表面改性剂为作为c
l
n
m
h
n
表示的化合物的伯铵阳离子、仲铵阳离子、叔铵阳离子、季铵阳离子或其铵盐时，(5)成分包含于(2)胺化合物组中。
[0311]
在本实施方式中，选自(5)表面改性剂的化合物可仅使用1种，也可2种以上并用。
[0312]
表面改性剂是在采用后述制造方法制造(1)钙钛矿化合物时，具有吸附于(1)钙钛矿化合物的表面、使(1)钙钛矿化合物在组合物中稳定分散的作用的化合物。
[0313]
＜铵离子、伯铵阳离子、仲铵阳离子、叔铵阳离子、季铵阳离子、铵盐＞作为表面改性剂的铵离子、伯铵阳离子、仲铵阳离子、叔铵阳离子、季铵阳离子由下述式(a1)表示。作为表面改性剂的铵盐为含有由下述式(a1)表示的离子的盐。
[0314][0315]
在式(a1)表示的离子中，r1～r4表示氢原子或1价烃基。
[0316]
r1～r4表示的烃基可为饱和烃基，也可为不饱和烃基。作为饱和烃基，可以举出烷基或环烷基。
[0317]
r1～r4表示的烷基可为直链状，也可为支链状。r1～r4表示的烷基的碳原子数通常为1～20，优选为5～20，更优选为8～20。
[0318]
环烷基的碳原子数通常为3～30，优选为3～20，更优选为3～11。碳原子数包括取代基的碳原子数。
[0319]
r1～r4的不饱和烃基可为直链状，也可为支链状。
[0320]
r1～r4的不饱和烃基的碳原子数通常为2～20，优选为5～20，更优选为8～20。
[0321]
r1～r4优选氢原子、烷基或不饱和烃基。作为不饱和烃基，优选链烯基。r1～r4优选碳原子数为8～20的链烯基。
[0322]
作为r1～r4的烷基的具体例，可以举出在r6～r9中示例的烷基。
[0323]
作为r1～r4的环烷基的具体例，可以举出在r6～r9中示例的环烷基。
[0324]
作为r1～r4的链烯基，可以示例在r6～r9中示例的上述直链状或支链状的烷基中，任意一个的碳原子间的单键(c
‑
c)被双键(c＝c)取代的链烯基，双键的位置没有限定。
[0325]
作为r1～r4的链烯基的优选例子，例如，可以举出乙烯基、丙烯基、3
‑
丁烯基、2
‑
丁烯基、2
‑
戊烯基、2
‑
己烯基、2
‑
壬烯基、2
‑
十二碳烯基、9
‑
十八碳烯基。
[0326]
在式(a1)表示的铵阳离子形成盐的情况下，作为抗衡阴离子，没有特别限制。作为抗衡阴离子，优选卤素离子或羧酸根离子等。作为卤素离子，可以举出溴离子、氯离子、碘离子、氟离子。
[0327]
作为具有式(a1)表示的铵阳离子和抗衡阴离子的铵盐，作为优选的例子可以举出正辛基铵盐、油基铵盐。
[0328]
＜胺＞作为为表面改性剂的胺，可以由下述式(a11)表示。
[0329][0330]
在上述式(a11)中，r1～r3表示与上述式(a1)所具有的r1～r3相同的基团。其中，r1～r3中的至少1个为1价烃基。
[0331]
作为为表面改性剂的胺，可为伯胺、仲胺、叔胺中的任一者，优选伯胺和仲胺，更优选伯胺。
[0332]
作为为表面改性剂的胺，优选油胺。
[0333]
＜羧酸、羧酸根离子、羧酸盐＞作为表面改性剂的羧酸根离子，由下述式(a2)表示。作为表面改性剂的羧酸盐，为含有下述式(a2)表示的离子的盐。r5‑
co2‑
···
(a2)
[0334]
作为表面改性剂的羧酸，可以举出上述式(a2)表示的羧酸根阴离子上键合质子(h
+
)而成的羧酸。
[0335]
在式(a2)表示的离子中，r5表示一价烃基。r5表示的烃基可是饱和烃基，也可是不饱和烃基。作为饱和烃基，可以举出烷基或环烷基。
[0336]
r5表示的烷基可为直链状，也可为支链状。
[0337]
r5表示的烷基的碳原子数通常为1～20，优选为5～20，更优选为8～20。
[0338]
环烷基的碳原子数通常为3～30，优选为3～20，更优选为3～11。碳原子数也包括取代基的碳原子数。
[0339]
r5表示的不饱和烃基可为直链状，也可为支链状。
[0340]
r5表示的不饱和烃基的碳原子数通常为2～20，优选为5～20，更优选为8～20。
[0341]
r5优选烷基或不饱和烃基。作为不饱和烃基，优选链烯基。
[0342]
作为r5的烷基的具体例，可以举出在r6～r9中示例的烷基。作为r5的环烷基的具体例，可以举出在r6～r9中示例的环烷基。
[0343]
作为r5的链烯基的具体例，可以举出在r1～r4中示例的链烯基。
[0344]
式(a2)表示的羧酸根阴离子优选油酸根阴离子。
[0345]
在羧酸根阴离子形成盐的情况下，作为抗衡阳离子，没有特别限制，作为优选例，可以举出碱金属阳离子、碱土类金属阳离子、铵阳离子等。
[0346]
作为为表面改性剂的羧酸，优选油酸。
[0347]
＜式(x1)表示的化合物＞
[0348]
[0349]
在式(x1)表示的化合物(盐)中，r
18
～r
21
各自独立地表示可具有取代基的碳原子数为1～20的烷基、可具有取代基的碳原子数为3～30的环烷基或可具有取代基的碳原子数为6～30的芳基。
[0350]
r
18
～r
21
表示的烷基可为直链状，也可为支链状。
[0351]
r
18
～r
21
表示的烷基优选具有芳基作为取代基。r
18
～r
21
表示的烷基的碳原子数通常为1～20，优选为5～20，更优选为8～20。碳原子数包括取代基的碳原子数。
[0352]
r
18
～r
21
表示的环烷基优选具有芳基作为取代基。r
18
～r
21
表示的环烷基的碳原子数通常为3～30，优选为3～20，更优选为3～11。碳原子数包括取代基的碳原子数。
[0353]
r
18
～r
21
表示的芳基优选具有烷基作为取代基。r
18
～r
21
表示的芳基的碳原子数通常为6～30，优选为6～20，更优选为6～10。碳原子数包括取代基的碳原子数。
[0354]
r
18
～r
21
表示的基团优选烷基。
[0355]
作为r
18
～r
21
表示的烷基的具体例，可以举出在r6～r9表示的烷基中示例的烷基。
[0356]
作为r
18
～r
21
表示的环烷基的具体例，可以举出在r6～r9表示的环烷基中示例的环烷基。
[0357]
作为r
18
～r
21
表示的芳基的具体例，可以举出苯基、苄基、甲苯基、邻二甲苯基等。
[0358]
r
18
～r
21
表示的基团中所含的氢原子各自独立地可被卤原子取代。作为卤原子，例如，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。由于用卤原子取代的化合物的化学稳定性高，因此优选氟原子作为取代的卤原子。
[0359]
在式(x1)表示的化合物中，m
‑
表示抗衡阴离子。作为抗衡阴离子，优选卤素离子或羧酸根离子等。作为卤素离子，可以举出溴离子、氯离子、碘离子、氟离子，优选溴离子。
[0360]
作为式(x1)表示的化合物的具体例，可以举出四乙基氯化鏻、四乙基溴化鏻、四乙基碘化鏻；四丁基氯化鏻、四丁基溴化鏻、四丁基碘化鏻；四苯基氯化鏻、四苯基溴化鏻、四苯基碘化鏻；四正辛基氯化鏻、四正辛基溴化鏻、四正辛基碘化鏻；三丁基正辛基溴化鏻；三丁基十二烷基溴化鏻；三丁基十六烷基氯化鏻、三丁基十六烷基溴化鏻、三丁基十六烷基碘化鏻。
[0361]
由于可以期待(1)钙钛矿化合物的热耐久性提高，因此作为式(x1)表示的化合物，优选三丁基十六烷基溴化鏻、三丁基正辛基溴化鏻，更优选三丁基正辛基溴化鏻。
[0362]
＜式(x2)表示的化合物、式(x2)表示的化合物的盐＞
[0363][0364]
在式(x2)表示的化合物中，a1表示单键或氧原子。
[0365]
在式(x2)表示的化合物中，r
22
表示可具有取代基的碳原子数为1～20的烷基、可具有取代基的碳原子数为3～30的环烷基或可具有取代基的碳原子数为6～30的芳基。
[0366]
r
22
表示的烷基可为直链状，也可为支链状。
[0367]
作为r
22
表示的烷基，可以采用与r
18
～r
21
表示的烷基相同的基团。
[0368]
作为r
22
表示的环烷基，可以采用与r
18
～r
21
表示的环烷基相同的基团。
[0369]
作为r
22
表示的芳基，可以采用与r
18
～r
21
表示的芳基相同的基团。
[0370]
r
22
表示的基团优选烷基。
[0371]
r
22
表示的基团中所含的氢原子各自独立地可被卤原子取代，作为卤原子，例如，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，从化学稳定性的观点出发，优选氟原子。
[0372]
在式(x2)表示的化合物的盐中，阴离子性基团由下述式(x2
‑
1)表示。
[0373][0374]
在式(x2)表示的化合物的盐中，作为与式(x2
‑
1)成对的抗衡阳离子，例如，可以举出铵离子。
[0375]
在式(x2)表示的化合物的盐中，作为与式(x2
‑
1)成对的抗衡阳离子，没有特别限制，例如，可以举出na
+
、k
+
、cs
+
等一价离子。
[0376]
作为式(x2)表示的化合物和式(x2)表示的化合物的盐，可以举出磷酸苯酯、磷酸苯酯二钠水合物、1
‑
萘基磷酸二钠水合物、1
‑
萘基磷酸一钠一水合物、月桂基磷酸酯、月桂基磷酸钠、油基磷酸酯、二苯甲基膦酸、癸基膦酸、十二烷基膦酸、乙基膦酸、十六烷基膦酸、庚基膦酸、己基膦酸、甲基膦酸、壬基膦酸、十八烷基膦酸、正辛基膦酸、苯膦酸、苯基膦酸二钠水合物、苯乙基膦酸、丙基膦酸、十一烷基膦酸、十四烷基膦酸、肉桂基膦酸。
[0377]
由于可以期待(1)钙钛矿化合物的热耐久性提高，因此，作为式(x2)表示的化合物，更优选油基磷酸酯、十二烷基膦酸、乙基膦酸、十六烷基膦酸、庚基膦酸、己基膦酸、甲基膦酸、壬基膦酸、十八烷基膦酸、正辛基膦酸，进一步优选十八烷基膦酸。
[0378]
＜式(x3)表示的化合物、式(x3)表示的化合物的盐＞
[0379][0380]
在式(x3)表示的化合物中，a2和a3各自独立地表示单键或氧原子。
[0381]
在式(x3)表示的化合物中，r
23
和r
24
各自独立地表示可具有取代基的碳原子数为1～20的烷基、可具有取代基的碳原子数为3～30的环烷基或可具有取代基的碳原子数为6～30的芳基。
[0382]
r
23
和r
24
表示的烷基各自独立地可为直链状或支链状。
[0383]
作为r
23
和r
24
表示的烷基，可以采用与r
18
～r
21
表示的烷基相同的基团。
[0384]
作为r
23
和r
24
表示的环烷基，可以采用与r
18
～r
21
表示的环烷基相同的基团。
[0385]
作为r
23
和r
24
表示的芳基，可以采用与r
18
～r
21
表示的芳基相同的基团。
[0386]
r
23
和r
24
各自独立地优选为烷基。
[0387]
r
23
和r
24
表示的基团中所含的氢原子各自独立地可被卤原子取代，作为卤原子，例如，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，从化学稳定性的观点出发，优选氟原子。
[0388]
在式(x3)表示的化合物的盐中，阴离子性基团由下述式(x3
‑
1)表示。
[0389][0390]
在式(x3)表示的化合物的盐中，作为与式(x3
‑
1)成对的抗衡阳离子，例如，可以举出铵离子。
[0391]
在式(x3)表示的化合物的盐中，作为与式(x3
‑
1)成对的抗衡阳离子，没有特别限制，例如，可以举出na
+
、k
+
、cs
+
等一价离子。
[0392]
作为式(x3)表示的化合物，可以举出二苯基次膦酸、磷酸二丁酯、磷酸二癸酯、磷酸二苯酯。作为式(x3)表示的化合物的盐，可以举出上述化合物的盐。
[0393]
由于可以期待(1)钙钛矿化合物的热耐久性提高，因此优选二苯基次膦酸、磷酸二丁酯、磷酸二癸酯，更优选二苯基次膦酸及它们的盐。
[0394]
＜式(x4)表示的化合物、式(x4)表示的化合物的盐＞
[0395][0396]
在式(x4)表示的化合物中，a4表示单键或氧原子。
[0397]
在式(x4)表示的化合物中，r
25
表示的基团表示可具有取代基的碳原子数为1～20的烷基、可具有取代基的碳原子数为3～30的环烷基或可具有取代基的碳原子数为6～30的芳基。
[0398]
作为r
25
表示的烷基，可以采用与r
18
～r
21
表示的烷基相同的基团。
[0399]
作为r
25
表示的环烷基，可以采用与r
18
～r
21
表示的环烷基相同的基团。
[0400]
作为r
25
表示的芳基，可以采用与r
18
～r
21
表示的芳基相同的基团。
[0401]
r
25
表示的基团优选烷基。
[0402]
r
25
表示的基团中所含的氢原子各自独立地可被卤原子取代，作为卤原子，例如，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，从化学稳定性的观点出发，优选氟原子。
[0403]
作为式(x4)表示的化合物，可以举出1
‑
辛烷磺酸、1
‑
癸烷磺酸、1
‑
十二烷磺酸、十六烷硫酸酯、月桂基硫酸酯、肉豆蔻基硫酸酯、月桂醇聚醚硫酸酯、十二烷基硫酸酯。
[0404]
在式(x4)表示的化合物的盐中，阴离子性基团由下述式(x4
‑
1)表示。
[0405][0406]
在式(x4)表示的化合物的盐中，作为与式(x4
‑
1)成对的抗衡阳离子，例如，可以举出铵离子。
[0407]
在式(x4)表示的化合物的盐中，作为与式(x4
‑
1)成对的抗衡阳离子，没有特别限制，例如，可以举出na
+
、k
+
、cs
+
等一价离子。
[0408]
作为式(x4)表示的化合物的盐，可以举出1
‑
辛烷磺酸钠、1
‑
癸烷磺酸钠、1
‑
十二烷磺酸钠、十六烷基硫酸钠、月桂基硫酸钠、肉豆蔻基硫酸钠、月桂醇聚醚硫酸钠、十二烷基硫酸钠。
[0409]
由于可以期待(1)钙钛矿化合物的热耐久性提高，因此优选十六烷基硫酸钠、十二烷基硫酸钠，更优选十二烷基硫酸钠。
[0410]
＜式(x5)表示的化合物＞
[0411][0412]
在式(x5)表示的化合物中，a5～a7各自独立地表示单键或氧原子。
[0413]
在式(x5)表示的化合物中，r
26
～r
28
各自独立地表示可具有取代基的碳原子数文1～20的烷基、可具有取代基的碳原子数为3～30的环烷基、可具有取代基的碳原子数为6～30的芳基、可具有取代基的碳原子数为2～20的链烯基或可具有取代基的碳原子数为2～20的炔基。
[0414]
r
26
～r
28
表示的烷基各自独立地可为直链状或支链状。
[0415]
作为r
26
～r
28
表示的烷基，可以采用与r
18
～r
21
表示的烷基相同的基团。
[0416]
作为r
26
～r
28
表示的环烷基，可以采用与r
18
～r
21
表示的环烷基相同的基团。
[0417]
作为r
26
～r
28
表示的芳基，可以采用与r
18
～r
21
表示的芳基相同的基团。
[0418]
r
26
～r
28
表示的链烯基各自独立地优选具有烷基或芳基作为取代基。r
26
～r
28
表示的链烯基的碳原子数通常为2～20，优选为6～20，更优选为12～18。碳原子数包括取代基的碳原子数。
[0419]
r
26
～r
28
表示的炔基各自独立地优选具有烷基或芳基作为取代基。r
26
～r
28
表示的炔基的碳原子数通常为2～20，优选为6～20，更优选为12～18。碳原子数包括取代基的碳原子数。
[0420]
r
26
～r
28
表示的基团各自独立地优选为烷基。
[0421]
作为r
26
～r
28
表示的链烯基的具体例，可以举出己烯基、辛烯基、癸烯基、十二碳烯基、十四碳烯基、十六碳烯基、十八碳烯基、二十碳烯基。
[0422]
作为r
26
～r
28
表示的炔基的具体例，可以举出己炔基、辛炔基、癸炔基、十二碳炔基、十四碳炔基、十六碳炔基、十八碳炔基、二十碳炔基。
[0423]
r
26
～r
28
表示的基团中所含的氢原子各自独立地可被卤原子取代，作为卤原子，例如，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，从化学稳定性的观点出发，优选氟原子。
[0424]
作为式(x5)表示的化合物，可以举出亚磷酸三油(醇)酯、亚磷酸三丁酯、亚磷酸三乙酯、亚磷酸三己酯、亚磷酸三异癸酯、亚磷酸三甲酯、环己基二苯基膦、二叔丁基苯基膦、二环己基苯基膦、二乙基苯基膦、三丁基膦、三叔丁基膦、三己基膦、三甲基膦、三正辛基膦、
三苯基膦。
[0425]
由于可以期待(1)钙钛矿化合物的热耐久性提高，因此优选亚磷酸三油(醇)酯、三丁基膦、三己基膦、亚磷酸三己酯，更优选亚磷酸三油(醇)酯。
[0426]
＜式(x6)表示的化合物＞
[0427][0428]
在式(x6)表示的化合物中，a8～a
10
各自独立地表示单键或氧原子。
[0429]
在式(x6)表示的化合物中，r
29
～r
31
各自独立地表示可具有取代基的碳原子数为1～20的烷基、可具有取代基的碳原子数为3～30的环烷基、可具有取代基的碳原子数为6～30的芳基、可具有取代基的碳原子数为2～20的链烯基或可具有取代基的碳原子数为2～20的炔基。
[0430]
r
29
～r
31
表示的烷基各自独立地可为直链状或支链状。
[0431]
作为r
29
～r
31
表示的烷基，可以采用与r
18
～r
21
表示的烷基相同的基团。
[0432]
作为r
29
～r
31
表示的环烷基，可以采用与r
18
～r
21
表示的环烷基相同的基团。
[0433]
作为r
29
～r
31
表示的芳基，可以采用与r
18
～r
21
表示的芳基相同的基团。
[0434]
作为r
29
～r
31
表示的链烯基，可以采用与r
26
～r
28
表示的链烯基相同的基团。
[0435]
作为r
29
～r
31
表示的炔基，可以采用与r
26
～r
28
表示的炔基相同的基团。
[0436]
r
29
～r
31
表示的基团各自独立地优选为烷基。
[0437]
r
29
～r
31
表示的基团中所含的氢原子各自独立地可被卤原子取代，作为卤原子，例如，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，从化学稳定性的观点出发，优选氟原子。
[0438]
作为式(x6)表示的化合物，可以举出三正辛基氧化膦、三丁基氧化膦、甲基(二苯基)氧化膦、三苯基氧化膦、三
‑
对甲苯基氧化膦、环己基二苯基氧化膦、磷酸三甲酯、磷酸三丁酯、磷酸三戊酯、磷酸三(2
‑
丁氧基乙基)酯、磷酸三苯酯、磷酸三(对甲苯酯)、磷酸三(间甲苯酯)、磷酸三(邻甲苯酯)。
[0439]
由于可以期待(1)钙钛矿化合物的热耐久性提高，因此优选三正辛基氧化膦、三丁基氧化膦，更优选三正辛基氧化膦。
[0440]
上述表面改性剂中，优选铵盐、铵离子、伯铵阳离子、仲铵阳离子、叔铵阳离子、季铵阳离子、羧酸盐、羧酸根离子。
[0441]
铵盐、铵离子中，更优选油胺盐、油基铵离子。
[0442]
羧酸盐、羧酸根离子中，更优选油酸盐、油酸阳离子。
[0443]
＜关于各成分的混合比＞在本实施方式的组合物中，可以根据各成分的种类等中，适当确定(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组、分散介质、(10)半导体材料、任意的(5)表面改性剂、(6)改性体组的混
合比。
[0444]
以下说明的组合物的各成分的混合比只要相对于组合物的总质量的(2)胺化合物组中所含的氮原子的质量为7600质量ppm以下，则没有特别限定。另外，在含有(10)半导体材料的情况下，只要(2)胺化合物组中所含的氮原子的质量与(10)半导体材料的质量比(氮原子/(10)成分)为0.5以下，则没有特别限定。
[0445]
·
含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组和分散介质的组合物关于含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组和分散介质的组合物的混合比的一例，上述(1)钙钛矿化合物与分散介质的质量比[(1)钙钛矿化合物/(分散介质)]优选为0.00001～10，更优选为0.0001～2，进一步优选为0.0005～1，进一步优选为0.001～0.05，最优选为0.0012～0.005。
[0446]
(1)钙钛矿化合物与分散介质的混合比的范围在上述范围内的组合物从难以发生(1)钙钛矿化合物的凝聚、发光性也能良好地发挥的观点出发是优选的。
[0447]
在本实施方式的组合物中，作为(1)钙钛矿化合物的b成分的金属离子与(6)改性体组的si元素的摩尔比[si/b]可为0.001～2000，也可为0.01～500。
[0448]
在本实施方式的组合物中，(6)改性体组为式(b1)或(b2)表示的硅氮烷及其改性体时，作为(1)钙钛矿化合物的b成分的金属离子与(6)改性体组的si的摩尔比[si/b]可为1～1000，也可为10～500，还可为20～300。
[0449]
在本实施方式的组合物中，(6)改性体组为具有式(b3)表示的结构的聚硅氮烷时，作为(1)钙钛矿化合物的b成分的金属离子与(6)改性体组的si元素的摩尔比[si/b]可为0.001～2000，也可为0.01～2000，还可为0.1～1000，还可为1～500，还可为2～300。
[0450]
(1)钙钛矿化合物与(6)改性体组的混合比的范围在上述范围内的组合物从特别良好地发挥由(6)改性体组带来的耐久性提高的作用的观点出发是优选的。
[0451]
作为上述钙钛矿化合物的b成分的金属离子与改性体的si元素的摩尔比[si/b]可以通过如下方法求出。
[0452]
作为钙钛矿化合物的b成分的金属离子的物质量(b)(单位：摩尔)通过电感耦合等离子体质谱法(icp
‑
ms)测定作为b成分的金属的质量，并将测定值换算成物质量而求出。
[0453]
改性体的si元素的物质量(si)根据将使用的改性体的原料化合物的质量换算成物质量的值和单位质量的原料化合物中所含的si量(物质量)而求出。关于原料化合物的单位质量，若原料化合物为低分子化合物，则是指原料化合物的分子量；若原料化合物为高分子化合物，则是指原料化合物的重复单元的分子量。
[0454]
根据si元素的物质量(si)和作为钙钛矿化合物的b成分的金属离子的物质量(b)，可以算出摩尔比[si/b]。
[0455]
·
含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组和(10)半导体材料的组合物作为含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组和(10)半导体材料的组合物的混合比的一例，上述(1)钙钛矿化合物与(10)半导体材料的质量比[(1)钙钛矿化合物/(10)半导体材料]优选为0.00001～10，更优选为0.0001～2，进一步优选为0.0005～1，进一步优选为0.001～0.5，进一步优选为0.005～0.1。
[0456]
(1)钙钛矿化合物与(10)半导体材料的混合比的范围在上述范围内的组合物从发光性也能良好地发挥的观点出发是优选的。
[0457]
·
含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组、分散介质和(6)改性体组的组合物作为含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组、分散介质和(6)改性体组的组合物的混合比的一例，上述(1)钙钛矿化合物与分散介质及(6)改性体组的合计量的质量比[(1)钙钛矿化合物/((分散介质)+(6)改性体组)]优选为0.00001～10，更优选为0.0001～2，进一步优选为0.0005～1，进一步优选为0.001～0.05，最优选为0.0012～0.03。
[0458]
(1)钙钛矿化合物与分散介质及(6)改性体组的合计量的混合比的范围在上述范围内的组合物，从难以发生(1)钙钛矿化合物的凝聚、发光性也能良好地发挥的观点出发是优选的。
[0459]
·
含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组、(10)半导体材料和(6)改性体组的组合物作为含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组、(10)半导体材料和(6)改性体组的组合物的混合比的一例，上述(1)钙钛矿化合物与(10)半导体材料及(6)改性体组的合计量的质量比[(1)钙钛矿化合物/((10)半导体材料+(6)改性体组)]优选为0.00001～10，更优选为0.0001～2，进一步优选为0.0005～1，进一步优选为0.001～0.5，进一步优选为0.005～0.1。
[0460]
(1)钙钛矿化合物与(10)半导体材料及(6)改性体组的合计量的混合比的范围在上述范围内的组合物，从难以发生(1)钙钛矿化合物的凝聚、发光性也能良好地发挥的观点出发是优选的。
[0461]
在本实施方式的组合物中，(5)表面改性剂为作为c
l
n
m
h
n
表示的化合物的伯铵阳离子、仲铵阳离子、叔铵阳离子、季铵阳离子或其铵盐时，将上述表面改性剂视为(2)胺化合物组，求出上述组合物中的各成分的混合比。
[0462]
·
含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组、分散介质和(5)表面改性剂的组合物作为含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组、分散介质和(5)表面改性剂的组合物的各成分的混合比的一例，上述(1)钙钛矿化合物与分散介质及(5)表面改性剂的合计量的质量比[(1)钙钛矿化合物/((分散介质)+(5)表面改性剂)]优选为0.00001～10，更优选为0.0001～2，进一步优选为0.0005～1，进一步优选为0.001～0.05，最优选为0.0012～0.005。
[0463]
(1)钙钛矿化合物与分散介质及(5)表面改性剂的合计量的混合比的范围在上述范围内的上述组合物，从难以发生(1)钙钛矿化合物的凝聚、发光性也能良好地发挥的观点出发是优选的。
[0464]
·
含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组、分散介质、(6)改性体组和(5)表面改性剂的组合物作为含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组、分散介质、(6)改性体组和(5)表面改性剂的组合物的混合比的一例，上述(1)钙钛矿化合物与分散介质、(6)改性体组及(5)表面改性剂的合计量的质量比[(1)钙钛矿化合物/((分散介质)+(6)改性体组+(5)表面改性剂)]优选为0.00001～10，更优选为0.0001～2，进一步优选为0.0005～1，进一步优选为0.001～0.05，最优选为0.0012～0.03。
[0465]
(1)钙钛矿化合物与分散介质、(6)改性体组、(5)表面改性剂的合计量的混合比的范围在上述范围内的组合物，从难以发生(1)钙钛矿化合物的凝聚、发光性也能良好地发挥
的观点出发是优选的。
[0466]
·
含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组、(10)半导体材料和(5)表面改性剂的组合物作为含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组、(10)半导体材料和(5)表面改性剂的组合物的混合比的一例，从抑制(10)半导体材料的劣化的观点出发，上述(1)钙钛矿化合物与(10)半导体材料及(5)表面改性剂的合计量的质量比[(1)钙钛矿化合物/((10)半导体材料+(5)表面改性剂)]优选为0.00001～100，更优选为0.0001～20，进一步优选为0.0005～10，进一步优选为0.001～5，进一步优选为0.005～3。
[0467]
(1)钙钛矿化合物与(10)半导体材料及(5)表面改性剂的合计量的混合比的范围在上述范围内的组合物，从难以发生(1)钙钛矿化合物的凝聚、发光性也良好地发挥的观点出发是优选的。
[0468]
·
含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组、(10)半导体材料、(6)改性体组和(5)表面改性剂的组合物作为含有(1)钙钛矿化合物、(2)胺化合物组、(10)半导体材料、(6)改性体组和(5)表面改性剂的组合物的各成分的混合比的一例，从抑制(10)半导体材料的劣化的观点出发，上述(1)钙钛矿化合物与(10)半导体材料、(6)改性体组及(5)表面改性剂的合计量的质量比[(1)钙钛矿化合物/((10)半导体材料+(5)表面改性剂+(6)改性体组)]优选为0.00001～100，更优选为0.0001～20，进一步优选为0.0005～10，进一步优选为0.001～5，进一步优选为0.005～3。
[0469]
(1)钙钛矿化合物与(10)半导体材料、(6)改性体组及(5)表面改性剂的合计量的混合比的范围在上述范围内的组合物，从难以发生(1)钙钛矿化合物的凝聚、发光性也能良好地发挥的观点出发是优选的。
[0470]
在上述各组合物中，相对于组合物的总质量，(1)钙钛矿化合物的含有比例没有特别限定。
[0471]
相对于组合物的总质量的(1)钙钛矿化合物的含有比例通常为0.0001～30质量％。相对于组合物的总质量的(1)钙钛矿化合物的含有比例优选为0.0001～10质量％，更优选为0.0005～5质量％，进一步优选为0.001～3质量％。相对于组合物的总质量的(1)钙钛矿化合物的含有比例在上述范围内的组合物，从难以发生(1)的凝聚、发光性也能良好地发挥的观点出发是优选的。
[0472]
在上述组合物中，分散介质可单独使用(3)溶剂，也可单独使用(4)聚合性化合物，也可单独使用(4
‑
1)聚合物。在组合2种以上的情况下，优选(3)溶剂与(4)聚合性化合物的组合、(3)溶剂与(4
‑
1)聚合物的组合、或溶剂与(4)聚合性化合物与(4
‑
1)聚合物的组合。上述(3)溶剂的混合量在混合2种以上使用的情况下，是指合计量。
[0473]
＜组合物的制造方法＞以下，关于本发明中的组合物的制造方法，示出实施方式进行说明。根据上述制造方法，能够制造本发明的实施方式的组合物。另外，本发明的组合物不局限于通过以下的实施方式的组合物的制造方法而制造得到的组合物。
[0474]
＜(1)钙钛矿化合物的制造方法＞(第1制造方法)作为(1)钙钛矿化合物的制造方法，可以举出包括下述工序的制造方法：将构成钙钛矿化合物的含有a成分的化合物、含有b成分的化合物和含有x成分的化合物溶解于第1溶剂中，得到溶液的工序；将得到的溶液与第2溶剂混合的工序。
[0475]
第2溶剂是对于钙钛矿化合物的溶解度比第1溶剂低的溶剂。另外，溶解度是指在进行将得到的溶液与第2溶液混合的工序的温度下的溶解度。
[0476]
作为第1溶剂和第2溶剂，可以举出选自作为上述(a)～(k)而举例的有机溶剂的组中的至少2种。
[0477]
例如，在室温(10℃～30℃)下进行将溶液与第2溶剂混合的工序时，作为第1溶剂，可以举出上述(d)醇、(e)二醇醚、(f)具有酰胺基的有机溶剂、(k)二甲基亚砜。
[0478]
另外，在室温(10℃～30℃)下进行将溶液与第2溶剂混合的工序时，作为第2溶剂，可以举出上述(a)酯、(b)酮、(c)醚、(g)具有氰基的有机溶剂、(h)具有碳酸酯基的有机溶剂、(i)卤化烃、(j)烃。
[0479]
以下，对第1制造方法进行具体说明。首先，将含有a成分的化合物、含有b成分的化合物和含有x成分的化合物溶解于第1溶剂中，得到溶液。“含有a成分的化合物”可含有x成分。“含有b成分的化合物”可含有x成分。
[0480]
接着，将得到的溶液与第2溶剂混合。将溶液与第2溶剂混合的工序可是(i)将溶液添加于第2溶剂中的工序，也可是(ii)将第2溶剂添加于溶液中的工序。由于第1制造方法中生成的钙钛矿化合物容易分散于溶液中，因此优选(i)将溶液添加于第2溶液中。
[0481]
将溶液与第2溶剂混合时，优选将一者滴加于另一者。另外，优选一边搅拌，一边将溶液与第2溶剂混合。
[0482]
在将溶液与第2溶剂混合的工序中，溶液与第2溶剂的温度没有特别限制。由于得到的钙钛矿化合物容易析出，因此优选为
‑
20℃～40℃的范围，更优选为
‑
5℃～30℃的范围。溶液的温度和第2溶剂的温度可相同或不同。
[0483]
第1溶剂与第2溶剂的对于钙钛矿化合物的溶解度之差优选为(100μg/溶剂100g)～(90g/溶剂100g)，更优选为(1mg/溶剂100g)～(90g/溶剂100g)。
[0484]
作为第1溶剂与第2溶剂的组合，优选第1溶剂为n，n
‑
二甲基乙酰胺等具有酰胺基的有机溶剂或二甲基亚砜，第2溶剂为卤代烃或烃。第1溶剂与第2溶剂为这些溶剂的组合时，例如，由于在进行室温(10℃～30℃)下混合的工序的情况下，容易将第1溶剂与第2溶剂的对于钙钛矿化合物的溶解度之差控制在(100μg/溶剂100g)～(90g/溶剂100g)而优选。
[0485]
通过将溶液与第2溶剂混合，在得到的混合液中，钙钛矿化合物的溶解度下降，钙钛矿化合物析出。由此可以得到含有钙钛矿化合物的分散液。
[0486]
对于得到的含有钙钛矿化合物的分散液，通过进行固液分离，可以回收钙钛矿化合物。作为固液分离的方法，可以举出过滤、利用溶液的蒸发而进行的浓缩等。通过进行固液分离，可以仅回收钙钛矿化合物。
[0487]
另外，在上述制造方法中，由于得到的钙钛矿化合物容易稳定地分散于分散液中，因此优选包括添加上述表面改性剂的工序。
[0488]
添加表面改性剂的工序优选在将溶液与第2溶剂混合的工序前进行。具体而言，表面改性剂可添加于第1溶剂中，可添加于溶液中，也可添加于第2溶剂中。另外，表面改性剂可添加于第1溶剂和第2溶剂两者中。
[0489]
另外，在上述制造方法中，优选在将溶液与第2溶剂混合的工序之后，包含通过离心分离、过滤等方法来除去粗颗粒的工序。通过除去工序而除去的粗颗粒的尺寸优选为10μm以上，更优选为1μm以上，进一步优选为500nm以上。
[0490]
(第2制造方法)作为钙钛矿化合物的制造方法，可以举出含有以下工序的制造方法：将构成钙钛矿化合物的含有a成分的化合物、含有b成分的化合物和含有x成分的化合物溶解于高温的第3溶剂中，得到溶液的工序，以及将溶液冷却的工序。
[0491]
以下，对第2制造方法进行具体说明。
[0492]
首先，将含有a成分的化合物、含有b成分的化合物和含有x成分的化合物溶解于高温的第3溶剂，得到溶液。“含有a成分的化合物”可含有x成分。“含有b成分的化合物”可含有x成分。本工序，可在高温的第3溶剂中添加各化合物使其溶解，得到溶液。另外，本工序，可在向第3溶剂中添加各化合物后，通过升温得到溶液。
[0493]
作为第3溶剂，可以举出可以溶解作为原料的含有a成分的化合物、含有b成分的化合物和含有x成分的化合物的溶剂。具体而言，作为第3溶剂，例如，可以举出上述第1溶剂、第2溶剂。
[0494]“高温”只要是各原料溶解的温度即可。例如，作为高温的第3溶剂的温度，优选为60～600℃，更优选为80～400℃。
[0495]
接着，将得到的溶液冷却。作为冷却温度，优选为
‑
20～50℃，更优选为
‑
10～30℃。作为冷却速度，优选为0.1～1500℃/分钟，更优选为10～150℃/分钟。
[0496]
通过将高温的溶液冷却，由此藉由由溶液的温度差引起的溶解度之差，可以使钙钛矿化合物析出。由此可以得到含有钙钛矿化合物的分散液。
[0497]
对于得到的含有钙钛矿化合物的分散液，通过进行固液分离，可以回收钙钛矿化合物。作为固液分离的方法，可以举出第1制造方法中所示的方法。
[0498]
另外，在上述制造方法中，由于得到的钙钛矿化合物容易稳定地分散于分散液中而优选含有添加上述表面改性剂的工序。
[0499]
添加表面改性剂的工序优选在冷却工序前进行。具体而言，表面改性剂可添加于第3溶剂中，或者可添加于含有含a成分的化合物、含b成分的化合物和含x成分的化合物中的至少1种的溶液中。
[0500]
另外，在上述制造方法中，优选在冷却工序后，包含第1制造方法中所示的通过离心分离、过滤等方法除去粗颗粒的工序。
[0501]
(第3制造方法)作为钙钛矿化合物的制造方法，可以举出含有如下工序的制造方法：使构成钙钛矿化合物的含有a成分的化合物和含有b成分的化合物溶解，得到第1溶液的工序；使构成钙钛矿化合物的含有x成分的化合物溶解，得到第2溶液的工序；将第1溶液与第2溶液混合，得
到混合液的工序；将得到的混合液冷却的工序。
[0502]
以下，对第3制造方法进行具体说明。
[0503]
首先，将含有a成分的化合物和含有b成分的化合物溶解于高温的第4溶剂中，得到第1溶液。
[0504]
作为第4溶剂，可以举出可以溶解含有a成分的化合物和含有b成分的化合物的溶剂。具体而言，作为第4溶剂，可以举出上述第3溶剂。
[0505]“高温”只要是含有a成分的化合物和含有b成分的化合物溶解的温度即可。例如，作为高温的第4溶剂的温度，优选为60～600℃，更优选为80～400℃。
[0506]
另外，将包含含有x成分的化合物的化合物溶解于第5溶剂中，得到第2溶液。含有x成分的化合物可含有b成分。
[0507]
作为第5溶剂，可以举出可以溶解含有x成分的化合物的溶剂。具体而言，作为第5溶剂，可以举出上述第3溶剂。
[0508]
然后，将得到的第1溶液与第2溶液混合，得到混合液。将第1溶液与第2溶液混合时，优选将一者滴加于另一者。另外，优选一边搅拌，一边将第1溶液与第2溶液混合。
[0509]
然后，将得到的混合液冷却。作为冷却温度，优选为
‑
20～50℃，更优选为
‑
10～30℃。作为冷却速度，优选为0.1～1500℃/分钟，更优选为10～150℃/分钟。
[0510]
通过将混合液冷却，由此藉由由混合液的温度差引起的溶解度之差，可以使钙钛矿化合物析出。由此可以得到含有钙钛矿化合物的分散液。
[0511]
对于得到的含有钙钛矿化合物的分散液，通过进行固液分离，可以回收钙钛矿化合物。作为固液分离的方法，可以举出第1制造方法中所示的方法。
[0512]
另外，在上述制造方法中，由于得到的钙钛矿化合物容易稳定地分散于分散液中，由此优选包含添加上述表面改性剂的工序。
[0513]
添加表面改性剂的工序优选在冷却工序前进行。具体而言，表面改性剂可添加于第4溶剂、第5溶剂、第1溶液、第2溶液、混合液中的任一者。
[0514]
另外，在上述制造方法中，优选在冷却工序之后，包含第1制造方法中所示的通过离心分离、过滤等方法来除去粗颗粒的工序。
[0515]
如上所述，有时会出现下述情况：在(1)钙钛矿化合物中，作为(1)钙钛矿化合物的制造工序中使用的原料的残渣，含有(2)胺化合物组。从减少(2)胺化合物组的含量的观点出发，优选选择第3制造方法。
[0516]
＜(10)半导体材料的制造方法＞(10)半导体材料、即上述(i)～(vii)的半导体材料可以通过对将构成半导体材料的元素的单体或构成半导体材料的元素的化合物与脂溶性溶剂混合而成的混合液进行加热的方法来制造。
[0517]
作为含有构成半导体材料的元素的化合物的例子，没有特别限制，可以举出氧化物、乙酸盐、有机金属化合物、卤化物、硝酸盐等。
[0518]
作为脂溶性溶剂，例如，可以举出具有碳原子数为4～20的烃基的含氮化合物、具有碳原子数为4～20的烃基的含氧化合物等。
[0519]
作为碳原子数为4～20的烃基，可以举出饱和脂肪族烃基、不饱和脂肪族烃基、脂
环式烃基、芳香族烃基。
[0520]
作为碳原子数为4～20的饱和脂肪族烃基，可以举出正丁基、异丁基、正戊基、辛基、癸基、十二烷基、十六烷基、十八烷基等。
[0521]
作为碳原子数为4～20的不饱和脂肪族烃基，可以举出油基。
[0522]
作为碳原子数为4～20的脂环式烃基，可以举出环戊基、环己基等。
[0523]
作为碳原子数为4～20的芳香族烃基，可以举出苯基、苄基、萘基、萘基甲基等。
[0524]
作为碳原子数为4～20的烃基，优选饱和脂肪族烃基和不饱和脂肪族烃基。
[0525]
作为含氮化合物，可以举出胺类或酰胺类。作为含氧化合物，可以举出脂肪酸类。
[0526]
这样的脂溶性溶剂中，优选具有碳原子数为4～20的烃基的含氮化合物。作为这样的含氮化合物，例如，优选正丁胺、异丁胺、正戊胺、正己胺、辛胺、癸胺、十二烷胺、十六烷胺、十八烷胺等烷基胺，或油胺等烯基胺。
[0527]
这样的脂溶性溶剂可以结合于通过合成而生成的半导体材料的表面。作为脂溶性溶剂结合于半导体材料的表面时的键，例如，可以举出共价键、离子键、配位键、氢键、范德华键等化学键。
[0528]
上述混合液的加热温度根据使用的原料(单体或化合物)的种类适当设定即可。混合液的加热温度，例如，优选为130～300℃，更优选为240～300℃。若加热温度在上述下限值以上，则晶体结构容易单一化，因而优选。若加热温度在上述上限值以下，则生成的半导体材料的晶体结构不易崩坏、容易得到目标物，因而优选。
[0529]
混合液的加热时间根据使用的原料(单体或化合物)的种类、加热温度适当设定即可。混合液的加热时间，例如，优选为数秒～数小时，更优选为1～60分钟。
[0530]
在上述半导体材料的制造方法中，通过将加热后的混合液冷却，可以得到含有作为目标物的半导体材料的沉淀物。通过将沉淀物分离并适当洗涤，可以得到作为目标物的半导体材料。
[0531]
对于分离了沉淀物的上清液，可添加所合成的半导体材料不溶或难溶的溶剂，使上清液中的半导体材料的溶解度降低，生成沉淀物，回收上清液中所含的半导体材料。作为“半导体材料不溶或难溶的溶剂”，例如，可以举出甲醇、乙醇、丙酮、乙腈等。
[0532]
在上述半导体材料的制造方法中，可将分离的沉淀物加入有机溶剂(例如，氯仿、甲苯、己烷、正丁醇等)中，制成含有半导体材料的溶液。
[0533]
<<组合物的制造方法1>>以下，为了易于理解所得组合物的性状，将通过组合物的制造方法1所得的组合物称为“液状组合物”。
[0534]
本实施方式的液状组合物可以通过包含如下工序的制造方法来制造：将(1)钙钛矿化合物、与(3)溶剂及(4)聚合性化合物中的任一者或两者混合的工序。
[0535]
在将(1)钙钛矿化合物与(3)溶剂混合时，优选一边搅拌一边进行。
[0536]
将(1)钙钛矿化合物与(4)聚合性化合物混合时，混合时的温度没有特别限制。出于(1)钙钛矿化合物容易均匀地混合的原因，优选0℃～100℃的范围，更优选10℃～80℃的范围。
[0537]
如上所述，有时会出现下述情况：(1)钙钛矿化合物中，作为(1)钙钛矿化合物的制
造工序中使用的原料的残渣，含有(2)胺化合物组。组合物的制造方法1中，可具有下述工序：对于使用的(1)钙钛矿化合物，预先减少(2)胺化合物组的含量的工序。作为减少(2)胺化合物组的含量的工序的具体方法，可以举出(1)钙钛矿化合物的洗涤。(1)钙钛矿化合物的洗涤优选使用作为上述(a)～(e)、(h)～(k)而举出的有机溶剂来进行，更优选使用(a)酯、(i)烃来进行。
[0538]
另外，如上所述，有时也会出现下述情况：作为任意成分而添加的(5)表面改性剂表现为(2)胺化合物组。
[0539]
因此，后述的各制造方法为了调整得到的组合物中的(2)胺化合物组的浓度，可包含对得到的组合物中所含的(2)胺化合物组的浓度进行调整的工序。作为调整(2)胺化合物组的浓度的工序的具体方法，可以举出通过分散介质对得到的组合物进行稀释的方法。
[0540]
(含有(3)溶剂的液状组合物的制造方法)在本实施方式的组合物含有(5)表面改性剂的情况下，作为组合物的制造方法，可是下述制造方法(a1)，也可是制造方法(a2)。
[0541]
制造方法(a1)是包含如下工序的组合物的制造方法：将(1)钙钛矿化合物与(3)溶剂混合的工序，和将得到的混合物与(5)表面改性剂混合的工序。
[0542]
制造方法(a2)是包含如下工序的组合物的制造方法：将(1)钙钛矿化合物与(5)表面改性剂混合的工序，和将得到的混合物与(3)溶剂混合的工序。
[0543]
制造方法(a1)、(a2)中使用的(3)溶剂优选上述难以溶解(1)钙钛矿化合物的溶剂。若使用这样的(3)溶剂，则制造方法(a1)中得到的混合物、制造方法(a1)(a2)中得到的组合物成为分散液。
[0544]
在本实施方式的组合物含有(6)改性体组的情况下，作为组合物的制造方法，可是使用(6a)成分的制造方法(a3)，也可是制造方法(a4)。(6a)成分：选自硅氮烷、式(c1)表示的化合物、式(c2)表示的化合物、式(a5
‑
51)表示的化合物、式(a5
‑
52)表示的化合物和硅酸钠中的1种以上化合物
[0545]
以下的说明中，将上述(6a)成分称为“(6a)原料化合物”。(6a)原料化合物通过实施改性处理而成为(6)改性体组。
[0546]
制造方法(a3)是包含如下工序的组合物的制造方法：将(1)钙钛矿化合物与(3)溶剂混合的工序，将得到的混合物、(5)表面改性剂及(6a)原料化合物混合的工序，和对得到的混合物实施改性处理的工序。
[0547]
制造方法(a4)是包含如下工序的组合物的制造方法：将(1)钙钛矿化合物、(5)表面改性剂及(6a)原料化合物混合的工序，将得到的混合物与(3)溶剂混合的工序，和对得到的混合物实施改性处理的工序。
[0548]
(4
‑
1)聚合物可溶解或分散在(3)溶剂中。
[0549]
在上述制造方法包括的混合工序中，从提高分散性的观点出发，优选进行搅拌。
[0550]
在上述制造方法包括的混合工序中，温度没有特别限制，从均匀混合的观点出发，优选为0℃以上100℃以下的范围，更优选为10℃以上80℃以下的范围。
[0551]
从提高(1)钙钛矿化合物的分散性的观点出发，组合物的制造方法优选制造方法(a1)或制造方法(a3)。
[0552]
(实施改性处理的方法)
改性处理的方法可以举出对(6a)原料化合物照射紫外线的方法和使(6a)原料化合物与水蒸气反应的方法等公知的方法。以下说明中，有时会将使(6a)原料化合物与水蒸气反应的处理称为“加湿处理”。
[0553]
其中，从在(1)钙钛矿化合物的附近形成更牢固的保护区域的观点出发，优选实施加湿处理。
[0554]
照射紫外线的方法中使用的紫外线的波长通常为10～400nm，优选为10～350nm，更优选为100～180nm。作为产生紫外线的光源，例如，可以举出金属卤化物灯、高压水银灯、低压水银灯、氙弧灯、碳弧灯、准分子灯、uv激光等。
[0555]
在实施加湿处理的情况下，例如可在后述的温度和湿度条件下将组合物静置或搅拌一定时间。
[0556]
加湿处理中的温度只要是充分进行改性的温度即可。加湿处理中的温度，例如，优选为5～150℃，更优选为10～100℃，进一步优选为15～80℃。
[0557]
加湿处理中的湿度只要是向组合物中的(6a)原料化合物充分供给水分的湿度即可。加湿处理中的湿度，例如，优选为30％～100％，更优选为40％～95％，进一步优选为60％～90％。上述湿度是指进行加湿处理的温度下的相对湿度。
[0558]
加湿处理所需的时间只要是充分进行改性的时间即可。加湿处理所需的时间例如优选为10分钟以上1周以下，更优选为1小时以上5天以下，进一步优选为2小时以上3天以下。
[0559]
从提高组合物中所含的(6a)原料化合物的分散性的观点出发，优选进行搅拌。
[0560]
加湿处理中的水的供给可通过使含有水蒸气的气体在反应容器中流通来进行，也可通过在含有水蒸气的气氛中进行搅拌而从界面供给水分。
[0561]
在使含有水蒸气的气体在反应容器中流通的情况下，为了提高得到的组合物的耐久性，含有水蒸气的气体流量优选0.01l/分钟以上100l/分钟以下，更优选0.1l/分钟以上10l/分钟以下，进一步优选0.15l/分钟以上5l/分钟以下。作为含有水蒸气的气体，例如，可以举出含有饱和量的水蒸气的氮气。
[0562]
在本实施方式的组合物的制造方法中，(5)表面改性剂、(3)溶剂和(6)改性体组可在上述(1)钙钛矿化合物的制造方法所包含的任一工序中使之混合。例如，可是下述制造方法(a5)，也可是下述制造方法(a6)。
[0563]
制造方法(a5)可以举出包含如下工序的制造方法：使构成钙钛矿化合物的含有b成分的化合物、含有x成分的化合物及含有a成分的化合物、和(5)表面改性剂、(6)改性体组溶解于第1溶剂中，得到溶液的工序；和将得到的溶液与第2溶剂混合的工序。第1溶剂、第2溶剂与上述溶剂相同。
[0564]
制造方法(a6)可以举出包含如下工序的制造方法：使构成钙钛矿化合物的含有b成分的化合物、含有x成分的化合物及含有a成分的化合物、和(5)表面改性剂、(6)改性体组溶解于高温的第3溶剂中，得到溶液的工序；和将溶液冷却的工序。第3溶剂与上述溶剂相同。
[0565]
这些制造方法所包含的各工序的条件与上述(1)钙钛矿化合物的制造方法中的第1制造方法及第2制造方法中的条件相同。
[0566]
另外，在本实施方式的组合物含有(10)半导体材料的情况下，在上述制造方法
(a1)～(a4)中，优选适当设定“混合(10)半导体材料的工序”。
[0567]
具体而言，在制造方法(a1)中，优选在将混合物与(5)表面改性剂混合的工序之后，设定混合(10)半导体材料的工序。
[0568]
在制造方法(a2)中，优选在将混合物与(3)溶剂混合的工序之后，设定混合(10)半导体材料的工序。
[0569]
在制造方法(a3)中，优选在将混合物与(5)表面改性剂混合的工序之后，在实施改性处理的工序之后，设定混合(10)半导体材料的工序。
[0570]
在制造方法(a4)中，优选在将混合物与(3)溶剂混合的工序之后，在实施改性处理的工序之后，设定混合(10)半导体材料的工序。
[0571]
(含有(4)聚合性化合物的液状组合物的制造方法)含有(1)钙钛矿化合物、(4)聚合性化合物、(5)表面改性剂和(6)改性体组的组合物的制造方法，可以举出例如下述制造方法(c1)～(c3)。
[0572]
制造方法(c1)是包含如下工序的制造方法：使(1)钙钛矿化合物分散于(4)聚合性化合物中，得到分散体的工序；和将得到的分散体与(5)表面改性剂、(6)改性体组混合的工序。
[0573]
制造方法(c2)是包含如下工序的制造方法：使(5)表面改性剂和(6)改性体组分散于(4)聚合性化合物中，得到分散体的工序；和将得到的分散体与(1)钙钛矿化合物混合的工序。
[0574]
制造方法(c3)是包含如下工序的制造方法：使(1)钙钛矿化合物、(5)表面改性剂和(6)改性体组的混合物分散于(4)聚合性化合物中的工序。
[0575]
在制造方法(c1)～(c3)中，从提高(1)钙钛矿化合物的分散性的观点出发，优选制造方法(c1)。
[0576]
在制造方法(c1)～(c3)中，得到各分散体的工序中，可将(4)聚合性化合物滴加至各材料中，也可将各材料滴加至(4)聚合性化合物中。出于容易均匀分散的理由，优选将(1)钙钛矿化合物、(5)表面改性剂、(6)改性体组的中至少一者滴加至(4)聚合性化合物中。
[0577]
在制造方法(c1)～(c3)中，在各混合工序中，可将分散体滴加至各材料中，也可将各材料滴加至分散体中。出于容易均匀分散的理由，优选将(1)钙钛矿化合物、(5)表面改性剂、(6)改性体组中的至少一者滴加至分散体中。
[0578]
(3)溶剂和(4
‑
1)聚合物中的至少任一者可溶解或分散在(4)聚合性化合物中。
[0579]
溶解或分散(4
‑
1)聚合物的溶剂没有特别限定。作为溶剂，优选难溶解(1)钙钛矿化合物的溶剂。
[0580]
作为(4
‑
1)聚合物溶解的溶剂，例如，可以举出与上述第1～3溶剂相同的溶剂。
[0581]
其中，第2溶剂因被认为极性低、难溶解(1)钙钛矿化合物而优选。
[0582]
第2溶剂中，更优选烃。
[0583]
另外，本实施方式的组合物的制造方法可是下述制造方法(c4)，也可是制造方法(c5)。
[0584]
制造方法(c4)是具有如下工序的组合物的制造方法：使(1)钙钛矿化合物分散于
(3)溶剂中，得到分散液的工序；在得到的分散液中混合(4)聚合性化合物，得到混合液的工序；和将得到的混合液与(5)表面改性剂、(6)改性体组混合的工序。
[0585]
制造方法(c5)是具有如下工序的组合物的制造方法：使(1)钙钛矿化合物分散于(4)聚合性化合物中，得到分散液的工序；将得到的分散液与(5)表面改性剂、(6a)原料化合物混合，得到混合液的工序；对得到的混合液实施改性处理，得到含有(6)改性体组的混合液的工序；和将得到的混合液与(4)聚合性化合物混合的工序。
[0586]
在本实施方式的组合物含有(10)半导体材料的情况下，上述制造方法(c1)～(c5)中，优选适当设定“混合(10)半导体材料的工序”。
[0587]
具体而言，在制造方法(c1)、(c2)、(c4)、(c5)中，优选在混合工序之后，设定混合(10)半导体材料的工序。
[0588]
在制造方法(c3)中，优选在分散工序之后，设定混合(10)半导体材料的工序。
[0589]
<<组合物的制造方法2>>本实施方式的组合物可以通过包含如下工序的制造方法来制造：将(1)钙钛矿化合物与(4)聚合性化合物混合的工序，和使(4)聚合性化合物聚合的工序。
[0590]
例如，作为本实施方式的组合物的制造方法，可以举出包含如下工序的制造方法：将(1)钙钛矿化合物、(5)表面改性剂、(4)聚合性化合物、(6)改性体组混合的工序，和使(4)聚合性化合物聚合的工序。
[0591]
关于由组合物的制造方法2所得的组合物，相对于组合物的总质量，(1)钙钛矿化合物、(5)表面改性剂、(4
‑
1)聚合物、(6)改性体组的合计优选为90质量％以上。
[0592]
另外，作为本实施方式的组合物的制造方法，还可以举出包含如下工序的制造方法：将(1)钙钛矿化合物、(5)表面改性剂、溶解于(3)溶剂中的(4
‑
1)聚合物、(6)改性体组混合的工序，和除去(3)溶剂的工序。
[0593]
在上述制造方法包含的混合工序中，可以采用与上述组合物的制造方法1中所示的方法相同的混合方法。
[0594]
关于组合物的制造方法，例如，可以举出下述(d1)～(d6)的制造方法。
[0595]
制造方法(d1)是包含如下工序的制造方法：使(1)钙钛矿化合物分散于(4)聚合性化合物中，得到分散体的工序；将得到的分散体与(5)表面改性剂、(6)改性体组混合的工序；和使(4)聚合性化合物聚合的工序。
[0596]
制造方法(d2)是包含如下工序的制造方法：使(1)钙钛矿化合物分散于溶解了(4
‑
1)聚合物的(3)溶剂中，得到分散体的工序；将得到的分散体与(5)表面改性剂、(6)改性体组混合的工序；和除去溶剂的工序。
[0597]
制造方法(d3)是包含如下工序的制造方法：使(5)表面改性剂和(6)改性体组分散于(4)聚合性化合物中，得到分散体的工序；将得到的分散体与(1)钙钛矿化合物混合的工序；和使(4)聚合性化合物聚合的工序。
[0598]
制造方法(d4)是包含如下工序的制造方法：使(5)表面改性剂和(6)改性体组分散于溶解了(4
‑
1)聚合物的(3)溶剂中，得到分散体的工序；将得到的分散体与(1)钙钛矿化合物混合的工序；和除去溶剂的工序。
[0599]
制造方法(d5)是包含如下工序的制造方法：使(1)钙钛矿化合物、(5)表面改性剂和(6)改性体组的混合物分散于(4)聚合性化合物中的工序，和使(4)聚合性化合物聚合的
工序。
[0600]
制造方法(d6)是包含如下工序的制造方法：使(1)钙钛矿化合物、(5)表面改性剂和(6)改性体组的混合物分散于溶解了(4
‑
1)聚合物的(3)溶剂中的工序，和除去溶剂的工序。
[0601]
制造方法(d2)、(d4)和(d6)中包含的除去(3)溶剂的工序可是在室温下静置、自然干燥的工序，也可是使用真空干燥机的减压干燥，也可是通过加热使(3)溶剂蒸发的工序。
[0602]
关于除去(3)溶剂的工序，例如，可以通过在0℃以上300℃以下干燥1分钟以上7天以下，从而除去(3)溶剂。
[0603]
制造方法(d1)、(d3)和(d5)中包含的使(4)聚合性化合物聚合的工序可以通过适当使用自由基聚合等公知的聚合反应来进行。
[0604]
例如，自由基聚合的情况下，可以通过在(1)钙钛矿化合物、(5)表面改性剂、(4)聚合性化合物和(6)改性体组的混合物中添加自由基聚合引发剂，产生自由基，从而进行聚合反应。
[0605]
自由基聚合引发剂没有特别限定，例如，可以举出光(致)自由基聚合引发剂等。
[0606]
作为上述光(致)自由基聚合引发剂，例如，可以举出双(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基)
‑
苯基氧化膦等。
[0607]
在本实施方式的组合物含有(10)半导体材料的情况下，优选在上述制造方法(d1)～(d6)中，适当设定“混合(10)半导体材料的工序”。
[0608]
具体而言，在制造方法(d1)～(d4)中，优选在混合工序之后，设定混合(10)半导体材料的工序。
[0609]
在制造方法(d5)、(d6)中，优选在分散工序之后，设定混合(10)半导体材料的工序。
[0610]
<<组合物的制造方法3>>另外，本实施方式的组合物的制造方法还可以采用下述(d7)～(d11)的制造方法。
[0611]
制造方法(d7)是包含如下工序的制造方法：将(1)钙钛矿化合物、(5)表面改性剂和(4
‑
1)聚合物熔融混炼的工序。
[0612]
制造方法(d8)是包含如下工序的制造方法：将(1)钙钛矿化合物、(5)表面改性剂、(4
‑
1)聚合物和(6a)原料化合物熔融混炼的工序，和在(4
‑
1)聚合物熔融的状态下实施改性处理的工序。
[0613]
制造方法(d9)是包含如下工序的制造方法：制造含有(1)钙钛矿化合物和(5)表面改性剂的液状组合物的工序，从得到的液状组合物中提取固体成分的工序，和将得到的固体成分和(4
‑
1)聚合物熔融混炼的工序。
[0614]
制造方法(d10)是包含如下工序的制造方法：制造含有(1)钙钛矿化合物、(5)表面改性剂和(6)改性体组的液状组合物的工序，从得到的液状组合物中提取固体成分的工序，和将得到的固体成分和(4
‑
1)聚合物熔融混炼的工序。
[0615]
制造方法(d11)是包含如下工序的制造方法：制造含有(1)钙钛矿化合物和(5)表面改性剂的液状组合物的工序，从得到的液状组合物中提取固体成分的工序，和将得到的固体成分与(6)改性体组、(4
‑
1)聚合物熔融混炼的工序。
[0616]
在制造方法(d7)～(d11)的熔融混炼的工序中，可将(4
‑
1)聚合物与其他材料的混
合物熔融混炼，也可在熔融的(4
‑
1)聚合物中添加其他材料。“其他材料”是指(4
‑
1)聚合物以外在各制造方法中使用的材料，具体是指(1)钙钛矿化合物、(5)表面改性剂、(6a)原料化合物和(6)改性体组。
[0617]
制造方法(d11)的熔融混炼的工序中添加的(6)改性体组可以通过对(6a)原料化合物进行改性处理而得到。
[0618]
作为在制造方法(d7)～(d11)中将(4
‑
1)聚合物熔融混炼的方法，作为聚合物的混炼方法，可以采用公知的方法。例如，可以采用使用单轴挤出机或双轴挤出机的挤出加工。
[0619]
制造方法(d8)的实施改性处理的工序可以采用上述的方法。
[0620]
制造方法(d9)和(d11)的制造液状组合物的工序可以采用上述制造方法(a1)或(a2)。
[0621]
制造方法(d10)的制造液状组合物的工序可以采用上述制造方法(a3)或(a4)。
[0622]
关于制造方法(d9)～(d11)的提取固体成分的工序，例如，通过加热、减压、送风及这些的组合，将构成液状组合物的(3)溶剂和(4)聚合性化合物从液状组合物中除去而进行。
[0623]
在本实施方式的组合物含有(10)半导体材料的情况下，优选在上述制造方法(d7)～(d11)中，适当设定“混合(10)半导体材料的工序”。
[0624]
具体而言，优选在制造方法(d7)、(d8)中，将(1)钙钛矿化合物与(10)半导体材料和(4
‑
1)聚合物一同熔融混炼。
[0625]
在制造方法(d9)～(d11)中，制造液状组合物的工序中可包含混合(10)半导体材料的工序，或者可将(1)钙钛矿化合物与(10)半导体材料和(4
‑
1)聚合物一同熔融混炼。
[0626]
《发光性的半导体材料的测定》本发明的组合物中所含的发光性的半导体材料的量通过干燥质量法算出固体成分浓度(质量％)。
[0627]
《钙钛矿化合物的固体成分浓度测定》对于本实施方式的组合物中的钙钛矿化合物的固体成分浓度，对分别通过再分散而得到的含有钙钛矿化合物和溶剂的分散液进行干燥，然后，测定残留的质量，代入下述式而算出。固体成分浓度(质量％)＝干燥后的质量
÷
干燥前的质量
×
100
[0628]
《发光强度的测定》发光强度使用绝对pl量子产率测定装置(hamamatsu photonics株式会社制造，c9920
‑
02)，在激发光450nm、室温、大气下测定。
[0629]
<<膜>>本实施方式的膜以上述组合物作为形成材料。例如，本实施方式的膜含有(1)钙钛矿化合物和(4
‑
1)聚合物，(1)钙钛矿化合物和(4
‑
1)聚合物的合计相对于膜的总质量为90质量％以上。
[0630]
膜的形状没有特别限定，可以是片状、条棒状等任意形状。在本说明书中，“条棒状的形状”是指例如单向延伸的平面视角下为带状的形状。作为平面视角下为带状的形状，可以示例各边的长度不同的板状的形状。
[0631]
膜的厚度可为0.01μm～1000mm，也可为0.1μm～10mm，也可为1μm～1mm。
[0632]
本说明书中，膜的厚度是指，将膜的纵、横、高中值最小的边作为“厚度方向”时的、膜的厚度方向的表面与背面之间的距离。具体而言，使用测微计在膜的任意3点测定膜的厚度，将3点测定值的平均值作为膜的厚度。
[0633]
膜可为单层或多层。在多层的情况下，各层可使用相同种类的组合物，也可使用互不相同种类的组合物。
[0634]
膜，例如可以通过后述的层叠结构体的制造方法(e1)～(e3)，得到在基板上形成的膜。另外，膜可以从基板上剥离而得到。
[0635]
<<层叠结构体>>本实施方式的层叠结构体具有多个层，至少一层是上述的膜。
[0636]
层叠结构体所具有的多个层中，作为上述膜以外的层，可以举出基板、阻挡层、光散射层等任意的层。层叠的膜的形状没有特别限定，可以是片状、条棒状等任意的形状。
[0637]
(基板)基板没有特别限制，可是膜。基板优选具有透光性。包含具有透光性的基板的层叠结构体由于容易取出(1)钙钛矿化合物发出的光而优选。
[0638]
作为基板的形成材料，例如，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚合物、玻璃等公知的材料。例如，在层叠结构体中，可在基板上设置上述膜。
[0639]
图1是示意性地表示本实施方式的层叠结构体的结构的剖视图。关于第1层叠结构体1a，在第一基板20和第二基板21之间设置有本实施方式的膜10。膜10由封装层22封装。
[0640]
本发明的一个侧面是一种层叠结构体1a，该层叠结构体1a具有第一基板20、第二基板21、位于第一基板20和第二基板21之间的本实施方式的膜10、封装层22，其特征在于，封装层22配置在膜10的不与第一基板20及第二基板21接触的面上。
[0641]
(阻挡层)作为本实施方式的层叠结构体可具有的层，没有特别限制，可以举出阻挡层。从保护上述组合物不受外部气体的水蒸气和大气中的空气的影响的观点出发，可含有阻挡层。
[0642]
阻挡层没有特别限制，但从取出发光的光的观点出发，优选透明的阻挡层。作为阻挡层，例如可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚合物、玻璃膜等公知的阻挡层。
[0643]
(光散射层)作为本实施方式的层叠结构体可具有的层，没有特别限制，可以举出光散射层。从有效利用入射光的观点出发，可包含光散射层。光散射层没有特别限制，但从取出发光的光的观点出发，优选透明的光散射层。作为光散射层，可以使用二氧化硅粒子等光散射粒子、增强扩散膜等公知的光散射层。
[0644]
<<发光装置>>本实施方式的发光装置可以通过将本实施方式的膜或层叠结构体与光源组合而得到。发光装置是通过将从光源发出的光照射到设置于光源的光射出方向上的膜或层叠结构体，使膜或层叠结构体发光、取出光的装置。
[0645]
在发光装置中的层叠结构体所具有的多个层中，作为上述膜、基板、阻挡层、光散射层以外的层，可以举出光反射部件、亮度增强部、棱镜片、导光板、要素间的介质材料层等
任意的层。
[0646]
本发明的一个侧面是将棱镜片50、导光板60、第1层叠结构体1a和光源30按该顺序层叠而成的发光装置2。
[0647]
(光源)作为构成本实施方式的发光装置的光源，使用射出(1)钙钛矿化合物的吸收波长带中所包含的光的光源。例如，从使上述膜或层叠结构体中的钙钛矿化合物发光的观点出发，优选具有600nm以下的发光波长的光源。作为光源，例如可以使用蓝色发光二极管等发光二极管(led)、激光、el等公知的光源。
[0648]
(光反射部件)作为构成本实施方式的发光装置的层叠结构体可具有的层，没有特别限制，可以举出光反射部件。具有光反射部件的发光装置可以有效地向膜或层叠结构体照射光源的光。
[0649]
光反射部件没有特别限制可为反射膜。作为反射膜，例如可以使用反射镜、反射粒子膜、反射金属膜或反射体等公知的反射膜。
[0650]
(亮度增强部)作为构成本实施方式的发光装置的层叠结构体可具有的层，没有特别限制，可以举出亮度增强部。从将光的一部分朝向光被传送的方向反射回去的观点出发，可包含亮度增强部。
[0651]
(棱镜片)作为构成本实施方式的发光装置的层叠结构体可具有的层，没有特别限制，可以列举棱镜片。棱镜片代表性地具有基材部和棱镜部。另外，基材部可根据邻接的部件而省略。
[0652]
棱镜片可以经由任意适当的粘接层(例如，粘接剂层、粘合剂层)贴合于邻接的部件。
[0653]
将发光装置用于后述的显示器的情况下，棱镜片是将向与观看侧相反一侧(背面侧)凸出的多个单元棱镜并列而构成的。通过将棱镜片的凸部朝向背面侧配置，透过棱镜片的光容易聚光。另外，如果将棱镜片的凸部朝向背面侧配置，则与将凸部朝向观看侧配置的情况相比，不入射到棱镜片而反射的光少，能够得到亮度高的显示器。
[0654]
(导光板)作为构成本实施方式的发光装置的层叠结构体可具有的层，没有特别限制，可以举出导光板。作为导光板，例如可以使用在背面侧形成有透镜图案以使来自横向的光能够向厚度方向偏转的导光板、在背面侧和观看侧中的任一者或两者形成有棱镜形状等的导光板等任意适当的导光板。
[0655]
(要素间的介质材料层)作为构成本实施方式的发光装置的层叠结构体可具有的层，没有特别限制，可以举出在邻接的要素(层)间的光路上由1个以上的介质材料形成的层(要素间的介质材料层)。
[0656]
对要素间的介质材料层中所含的1个以上的介质没有特别限制，包括真空、空气、气体、光学材料、粘接剂、光学粘接剂、玻璃、聚合物、固体、液体、凝胶、固化材料、光学结合
材料、折射率匹配或折射率不匹配材料、梯度折射率材料、包覆或抗包覆材料、间隔物、硅胶、亮度强化材料、散射或扩散材料、反射或抗反射材料、波长选择性材料、波长选择性抗反射材料、滤色器(color filter)、或上述技术领域中已知的合适的介质。
[0657]
作为本实施方式的发光装置的具体例，例如可以举出具备el显示器或液晶显示器用的波长转换材料的发光装置。具体而言，可以举出以下(e1)～(e4)的各结构。
[0658]
结构(e1)：将本实施方式的组合物放入玻璃管等中进行封装，将其配置在作为光源的蓝色发光二极管和导光板之间，以使其沿着导光板的端面(侧面)，将蓝色光转换为绿色光或红色光的背光源(边缘(on edge)型背光源)。
[0659]
结构(e2)：将本实施方式的组合物片材化，用2张阻挡膜将其夹持封装成膜，将该膜设置在导光板上，将从置于导光板的端面(侧面)的蓝色发光二极管通过导光板照射到上述片材上的蓝色光转换为绿色光或红色光的背光源(表面贴装型背光源)。
[0660]
结构(e3)：将本实施方式的组合物分散在树脂等中，设置在蓝色发光二极管的发光部附近，将照射的蓝色的光转换为绿色光或红色光的背光源(芯片封装(on chip)型背光源)。
[0661]
结构(e4)：将本实施方式的组合物分散于抗蚀剂中，设置于滤色器上，将从光源照射的蓝色的光转换为绿色光或红色光的背光源。
[0662]
另外，作为本实施方式的发光装置的具体例，可以举出将本实施方式的组合物成形，配置在作为光源的蓝色发光二极管的后段，将蓝色光转换为绿色光或红色光、发出白色光的照明。
[0663]
<<显示器>>如图2所示，本实施方式的显示器3从观看侧依次具备液晶面板40和上述的发光装置2。发光装置2具备第2层叠结构体1b和光源30。第2层叠结构体1b是上述第1层叠结构体1a上还具备棱镜片50和导光板60的层叠结构体。显示器还可具备任意适当的其他部件。
[0664]
本发明的一个侧面是液晶面板40、棱镜片50、导光板60、上述第1层叠结构体1a和光源30依次层叠而成的液晶显示器3。
[0665]
(液晶面板)上述液晶面板代表性地具备液晶单元、配置在液晶单元的观看侧的观看侧偏(振)光板(polarizing plate)、和配置在液晶单元的背面侧的背面侧偏(振)光板。观看侧偏(振)光板及背面侧偏(振)光板可配置成各自的吸收轴实质上正交(垂直相交)或平行。
[0666]
(液晶单元)液晶单元具有一对基板和夹持在一对基板之间的作为显示介质的液晶层。在一般的结构中，在一个基板上设置有滤色器和黑矩阵，在另一个基板上设置有控制液晶的光电特性的开关元件、向该开关元件提供栅极信号的扫描线和提供源极信号的信号线、像素电极和对电极。上述基板的间隔(单元间隙)可以通过间隔物等进行控制。在上述基板的与液晶层接触的一侧，例如可以设置由聚酰亚胺形成的取向膜等。
[0667]
(偏(振)光板)偏(振)光板代表性地具有偏(振)光片(polarizer))和配置在偏(振)光片的两侧的保护层。偏(振)光片代表性的是吸收型偏(振)光片。
[0668]
作为偏(振)光片，可以使用任意适当的偏(振)光片。例如，可以举出在聚乙烯醇系膜、部分缩甲醛化聚乙烯醇系膜、乙烯
‑
乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化膜等亲水性高分子膜上吸附碘或二色性染料等二色性物质并单轴拉伸而成者、聚乙烯醇的脱水处理物或聚氯乙烯的脱盐酸处理物等聚烯系取向膜等。其中，在聚乙烯醇系膜上吸附碘等二色性物质并进行单轴拉伸而得到的偏(振)光片的偏光二色性比高，是特别优选的。
[0669]
<<组合物的用途>>作为本实施方式的组合物的用途，可以举出如下用途。
[0670]
＜led＞本实施方式的组合物可以用作例如发光二极管(led)的发光层的材料。
[0671]
作为含有本实施方式的组合物的led，例如可以举出如下方式：具有混合本实施方式的组合物和zns等导电性粒子层叠为膜状、在一面层叠n型传输层、在另一面层叠p型传输层的结构，通过流通电流，在接合面的组合物中所含的(1)钙钛矿化合物中，p型半导体的空穴和n型半导体的电子将电荷抵消，由此进行发光。
[0672]
＜太阳能电池＞本实施方式的组合物可以用作太阳能电池的活性层中所含的电子传输性材料。
[0673]
作为上述太阳能电池，对构成没有特别限定，例如可以举出依次具有氟掺杂的氧化锡(fto：fluorine
‑
doped tin oxide)基板、氧化钛致密层、多孔氧化铝层、含有本发明的组合物的活性层、2,2’,7,7
’‑
四(n,n
’‑
二对甲氧基苯胺)
‑
9,9
’‑
螺二芴(spiro
‑
meotad)等空穴传输层和银(ag)电极的太阳能电池。
[0674]
氧化钛致密层具有电子传输功能、抑制fto的粗糙度的效果、以及抑制逆向电子转移(back electron transfer)的功能。
[0675]
多孔氧化铝层具有提高光吸收效率的功能。
[0676]
活性层中所含的本实施方式的组合物具有电荷分离和电子传输的功能。
[0677]
＜传感器＞本实施方式组合物可以用作包含于x射线拍摄装置及cmos图像传感器等固体拍摄装置用的图像检测部(图像传感器)、指纹检测部、脸部检测部、静脉检测部及虹膜检测部等检测生物体的一部分特定特征的检测部、脉搏血氧仪等光学生物传感器的检测部中所使用的光电转换元件(光检测元件)材料。
[0678]
<<膜的制造方法>>膜的制造方法可以举出例如下述(e1)～(e3)的制造方法。
[0679]
制造方法(e1)是包括下述工序的膜的制造方法：涂覆液状组合物、获得涂膜的工序；和自涂膜除去(3)溶剂的工序。
[0680]
制造方法(e2)是包括下述工序的膜的制造方法：涂覆含有(4)聚合性化合物的液状组合物、获得涂膜的工序；和使得到的涂膜中所含的(4)聚合性化合物进行聚合的工序。
[0681]
制造方法(e3)：对上述的制造方法(d1)～(d6)中所得的组合物进行成形加工的膜的制造方法。
[0682]
由上述制造方法(e1)、(e2)所制造的膜可从制造位置剥离而使用。
[0683]
<<层叠结构体的制造方法>>层叠结构体的制造方法可以举出例如下述(f1)～(f3)的制造方法。
[0684]
制造方法(f1)是包含以下工序的层叠结构体的制造方法：制造液状组合物的工序，将得到的液状组合物涂覆于基板上的工序，和从得到的涂膜中除去(3)溶剂的工序。
[0685]
制造方法(f2)是包含以下工序的层叠结构体的制造方法：将膜贴合于基板的工序。
[0686]
制造方法(f3)是包含以下工序的制造方法：制造含有(4)聚合性化合物的液状组合物的工序，将得到的液状组合物涂覆于基板上的工序，和使得到的涂膜中所含的(4)聚合性化合物聚合的工序。
[0687]
制造方法(f1)、(f3)中制造液状组合物的工序可以采用上述制造方法(c1)～(c5)。
[0688]
制造方法(f1)、(f3)中的将液状组合物涂覆于基板上的工序没有特别限制，可以使用凹版涂布法、棒涂法、印刷法、喷涂法、旋涂法、浸渍法、模涂法等公知的涂布、涂覆方法。
[0689]
制造方法(f1)中除去(3)溶剂的工序可以为与上述制造方法(d2)、(d4)、(d6)中包含的除去(3)溶剂的工序相同的工序。
[0690]
制造方法(f3)中使(4)聚合性化合物聚合的工序可以为与上述制造方法(d1)(d3)(d5)中包含的使(4)聚合性化合物聚合的工序相同的工序。
[0691]
制造方法(f2)中将膜贴合于基板的工序中，可以使用任意粘接剂。
[0692]
粘接剂只要是不溶解(1)钙钛矿化合物和(10)半导体材料的物质就没有特别限制，可以使用公知的粘接剂。
[0693]
层叠结构体的制造方法可包含：在得到的层叠结构体上，进一步贴合任意的膜的工序。
[0694]
作为贴合的任意膜，例如可以举出反射膜、扩散膜。
[0695]
在贴合膜的工序中，可以使用任意的粘接剂。
[0696]
上述粘接剂只要是不溶解(1)钙钛矿化合物和(10)半导体材料的物质就没有特别限制，可以使用公知的粘接剂。
[0697]
<<发光装置的制造方法>>例如，可以举出包含在上述光源和从光源射出的光的光路上设置上述膜或层叠结构体的工序的制造方法。实施例
[0698]
以下，基于实施例和比较例对本发明进行更具体的说明，但本发明并不限定于以下的实施例。
[0699]
(钙钛矿化合物的固体成分浓度测定)实验例1～4、实施例1～4及比较例1、2中所得的组合物中的钙钛矿化合物的固体成分浓度是使分别通过再分散而得到的含有钙钛矿化合物及溶剂的分散液于105℃下干燥3小时后，测定残存的质量并代入下述式中而算出。固体成分浓度(质量％)＝干燥后的质量
÷
干燥前的质量
×
100
[0700]
(组合物中的发光性的半导体材料的发光强度测定)使用绝对pl量子产率测定装置(hamamatsu photonics株式会社制造，c9920
‑
02)，于激发光450nm、室温、大气下测定实验例1～4、实施例1～4及比较例1、2中所得组合物的发
光光谱。来自发光性的半导体材料的发光强度采用成为来自半导体材料的发光峰的顶点的波长的强度。
[0701]
(组合物中的钙钛矿化合物的浓度测定)实验例1～4、实施例1～4及比较例1、2中所得的组合物中的(1)钙钛矿化合物的浓度通过下述的方法而测定。首先，向通过再分散而得到的含有钙钛矿化合物及溶剂的分散液中，添加n,n
‑
二甲基甲酰胺，从而溶解钙钛矿化合物。然后，使用icp
‑
ms(perkinelmer公司制造，elan drcii)测定pb、cs，使用离子色谱仪(thermo fisher scientific株式会社制造，integrion)测定br，并进行合计而算出钙钛矿化合物的浓度。
[0702]
((2)胺化合物组中所含的氮原子的质量的算出方法1)通过实验例1～4、实施例1、2及比较例1中所得的组合物的x射线光电子光谱(xps)测定，算出组合物总量中所含的钙钛矿中的pb的摩尔与组合物中的胺化合物组中所含的氮原子的摩尔之比(氮原子/pb(摩尔比))。测定条件如下所示。xps测定是将含有钙钛矿的组合物0.05ml延展于1cm
×
1cm的玻璃基板并干燥后进行。另外，利用下述式，由通过上述icp
‑
ms测定所得的组合物中所含的钙钛矿中的pb的含量(μg/g)算出组合物中的胺化合物组中所含的氮原子的质量。组合物中的胺化合物组中所含的氮原子的质量(μg/g)＝pb的含量(μg/g：icp测定值)
÷
pb原子量(g/mol)
×
(氮原子与pb的摩尔比(n/pb)：xps测定值)
×
氮原子量(g/mol)
[0703]
·
测定条件quantera sxm，ulvac
‑
phi株式会社制造。将alkα射线光电子提取角设为45度、孔径设为100μm、归属于表面污染烃的c1s的峰设为284.6ev，用作带电校正的基准。
[0704]
((2)胺化合物组中所含的氮原子的质量的算出方法2)通过实施例3～4及比较例2中所得的组合物的gc
‑
ms测定，测定组合物总量中所含的组合物中的胺化合物组的质量后，算出氮原子的质量。测定条件如下所示。gc
‑
ms(agilent 6890n，柱rtx
‑
5amine 30m长、0.25mmφ、膜厚1μm，于加热50℃下保持1min后，以20℃/min升温至300℃，保持5min，进样口300℃，检测器315℃，进样量1μl，分流比：10：1)在本实施方式的组合物中所含的(2)胺化合物组由1种胺化合物组构成的情况下，上述组合物中的(2)胺化合物组中所含的氮原子的质量可以通过本实施方式的组合物的gc
‑
ms测定，测定上述组合物中的(2)胺化合物组的质量后，利用下述式而算出。(2)胺化合物组中所含的氮原子的质量(μg/g)＝胺化合物组的质量(gc
‑
ms测定值，μg/g)
×
氮原子量(g/mol)
×
胺化合物组的c
l
n
m
h
n
表示的化合物中所含的氮原子数/胺化合物组的c
l
n
m
h
n
表示的化合物的分子量(g/mol)
[0705]
(发光性的半导体材料与胺化合物组中所含的氮原子的质量比的算出方法)实验例1～4、实施例1～4及比较例1、2中所得的组合物中的发光性的半导体材料(μg)与组合物中的胺化合物组中所含的氮原子的质量(μg)的质量比利用下述式而算出。
氮原子的质量/半导体材料的质量(μg/μg)＝组合物中的胺化合物组中所含的氮原子的质量(μg)
÷
半导体材料的质量(μg)
[0706]
(胺化合物组中所含的氮原子相对于钙钛矿化合物中所含的b的摩尔比的算出方法1)实施例1～2及比较例1、2中所得的组合物的胺化合物组中所含的氮原子相对于钙钛矿化合物中所含的pb的摩尔比的算出方法通过上述x射线光电子光谱(xps)测定而算出。
[0707]
(胺化合物组中所含的氮原子相对于钙钛矿化合物中所含的b的摩尔比的算出方法2)实施例3～4中所得的组合物的胺化合物组中所含的氮原子相对于钙钛矿化合物中所含的pb的摩尔比的算出方法是算出通过上述gc
‑
ms测定所得的组合物中所含的组合物中的胺化合物组的含量。
[0708]
另外，利用下述式，由通过上述icp
‑
ms测定所得的组合物中所含的钙钛矿中的pb的含量(μg/g)算出组合物中的胺化合物组中所含的氮原子的质量。
[0709]
胺化合物组中所含的氮原子相对于钙钛矿化合物中所含的pb的摩尔比＝组合物中的胺化合物组的质量(gc
‑
ms测定值，μg/g)
÷
组合物中的胺化合物组的分子量(g/mol)
×
组合物中的胺化合物组的1分子中所含的氮原子数
÷
pb(μg/g：icp测定值)
×
pb(g/mol)
[0710]
(组合物中的发光性的半导体材料的发光光谱变化的评价)使用绝对pl量子产率测定装置(hamamatsu photonics株式会社制造，c9920
‑
02)，于激发光450nm、室温、大气下对实施例1～4及比较例1、2中所得的组合物中的发光性的半导体材料进行测定。
[0711]
通过下述式算出提供来自半导体材料的发光光谱的最大发光强度的峰(峰a)的混合1小时后的半值宽度的增加量。(峰a的半值宽度的增加量)＝(混合1小时后的峰a的半值宽度)－(刚混合后的峰a的半值宽度)
[0712]
从抑制将组合物用作显示器时的色域降低的观点出发，作为发光性的组合物，优选组合物中的发光性的半导体材料的峰a的半值宽度的增加量为
‑
0.2以上1.03以下。
[0713]
(组合物中的钙钛矿化合物的发光强度的评价)使用绝对pl量子产率测定装置(hamamatsu photonics株式会社制造，c9920
‑
02)，于激发光450nm、室温、大气下对实施例1～4及比较例1、2中所得的组合物中的钙钛矿化合物进行测定。来自钙钛矿化合物的发光强度使用成为来自钙钛矿化合物的发光峰的顶点的波长的强度。
[0714]
通过下述式算出提供来自钙钛矿化合物的发光光谱的最大发光强度的峰(峰b)的刚混合后与混合1小时后的发光强度比。(刚混合后与混合1小时后的峰b的发光强度比)＝(混合1小时后的峰b的发光强度)/(刚混合后的峰b的发光强度)从维持用作发光材料时的发光强度的观点出发，作为发光性的组合物，优选在组合物中的钙钛矿化合物的发光光谱中，刚混合后与混合1小时后的峰b的发光强度比为0.5以上1.0以下。
[0715]
(耐久性的评价)
将实验例1～4、实施例1～4及比较例1、2中所得的组合物与半导体材料混合后进行搅拌。1小时后分取样品，用甲苯进行稀释后，使用绝对pl量子产率测定装置(hamamatsu photonics株式会社制造，c9920
‑
02)，于激发光450nm、室温、大气下测定发光光谱。作为耐久性的指标，用[(1小时后的来自半导体材料的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光强度)]的值进行评价。
[0716]
(组合物的合成)[实验例1]将碳酸铯0.814g、1
‑
十八碳烯的溶剂40ml及油酸2.5ml混合。利用磁力搅拌器进行搅拌，一边通入氮气一边于150℃下加热1小时，制备碳酸铯溶液。
[0717]
将溴化铅(pbbr2)0.276g与1
‑
十八碳烯的溶剂20ml混合。利用磁力搅拌器进行搅拌，一边通入氮气一边于120℃的温度下加热1小时后，添加油酸2ml和油胺2ml，制备溴化铅分散液。将溴化铅分散液升温至160℃的温度后，添加上述碳酸铯溶液1.6ml。添加后，将反应容器浸渍于冰水中，由此降温至室温，得到分散液。
[0718]
然后，将分散液以10000rpm离心分离5分钟，分离沉淀物，由此得到沉淀物的钙钛矿化合物。使钙钛矿化合物分散于甲苯5ml中，得到钙钛矿分散液1。
[0719]
由icp
‑
ms和离子色谱仪测定所得的钙钛矿分散液1而得的钙钛矿化合物的浓度为15000ppm(μg/g)。来自上述含有钙钛矿的分散液中所含的胺化合物组的氮原子的含量由通过xps所测定的氮原子/pb和通过icp
‑
ms所测定的pb量算出，为290ppm(μg/g)。
[0720]
将0.1ml的市售的inp/zns的甲苯分散液(发光性的半导体材料的固体成分浓度5％：发光波长630nm)与所得的0.25ml钙钛矿分散液1混合，得到分散液组合物。分散液组合物的来自胺化合物组的氮原子的含量为207ppm(μg/g)，分散液组合物中的发光性的半导体材料与胺化合物组中的氮原子的质量比为0.0145。
[0721]
耐久试验的结果[(1小时后的来自半导体材料的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光强度)]的值为0.36。关于发光光谱的测定，将来自胺化合物组的氮原子量为207ppm(μg/g)的上述分散液组合物与甲苯2.25ml进行混合而稀释后，对从其中进而分取0.01ml并混合甲苯2.99ml而成的溶液进行测定。
[0722]
[实验例2]将通过与实验例1同样的方法而得到的0.25ml钙钛矿分散液1与0.25ml市售的inp/zns的甲苯分散液(发光性的半导体材料的固体成分浓度5％：发光波长630nm)混合，得到来自胺化合物组的氮原子量为145ppm(μg/g)的含有inp和钙钛矿的分散液组合物。分散液组合物中的发光性的半导体材料与胺化合物组中的氮原子的质量比为0.0058。
[0723]
耐久试验的结果[(1小时后的来自半导体材料的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光强度)]的值为0.40。关于发光光谱的测定，将来自胺化合物组的氮原子的含量为145ppm(μg/g)的上述分散液组合物与甲苯2.25ml进行混合而稀释后，对从其中进而分取0.01ml并混合甲苯2.99ml而成的溶液进行测定。
[0724]
[实验例3]
将通过与实验例1同样的方法得到的0.25ml钙钛矿分散液1与0.5ml市售的inp/zns的甲苯分散液(发光性的半导体材料的固体成分浓度5％：发光波长630nm)混合，得到来自胺化合物组的n量为97ppm(μg/g)的分散液组合物。
[0725]
分散液组合物中的发光性的半导体材料与胺化合物组中的n的质量比为0.00290。组合物中的发光性的半导体材料与由icp
‑
ms所测定的钙钛矿中的铅原子的质量比为0.0715。
[0726]
耐久试验的结果[(1小时后的来自半导体材料的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光强度)]的值为0.49。[(1小时后的来自半导体材料的发光的半值宽度)－(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光的半值宽度)]的值为1.04nm。[(1小时后的来自钙钛矿化合物的发光的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自钙钛矿化合物的发光强度)]的值为1.0。
[0727]
关于发光光谱的测定，将来自胺化合物组的n量为97ppm的上述分散液组合物与甲苯2.25ml进行混合而稀释后，对从其中进而分取0.01ml并混合甲苯2.99ml而成的溶液进行测定。
[0728]
(组合物的合成)[实验例4]将通过与实验例1同样的方法得到的钙钛矿分散液1分取0.25ml与油胺10μl混合。来自上述含有钙钛矿的分散液中所含的胺化合物组的氮原子的含量由通过xps所测定的氮原子/pb和通过icp
‑
ms所测定的铅量算出，为2188ppm(μg/g)。
[0729]
将市售的inp/zns的甲苯分散液(发光性的半导体材料的固体成分浓度5％：发光波长630nm)0.1ml添加至上述含有钙钛矿、溶剂和胺化合物组的分散液组合物中，得到来自胺化合物组的氮原子量为1579ppm(μg/g)、包含inp、含有钙钛矿的分散液组合物、胺化合物组和溶剂的分散液组合物。
[0730]
组合物中的胺化合物组中所含的氮原子的质量与发光性的半导体材料中的氮原子的质量比(氮原子/(10)成分)为0.11。耐久试验的结果[(1小时后的来自半导体材料的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光强度)]的值为0.30。
[0731]
关于发光光谱的测定，将来自胺化合物组的氮原子量为1579ppm(μg/g)的上述分散液组合物与甲苯2.25ml进行混合而稀释后，对从其中进而分取0.01ml并混合甲苯2.99ml而成的溶液进行测定。
[0732]
(组合物的合成)[实施例1]将通过与实验例1同样的方法得到的钙钛矿分散液1以10000rpm离心分离5分钟，分离沉淀物后，使沉淀分散于乙酸乙酯5ml和甲苯15ml的混合溶液中，然后以10000rpm离心分离5分钟，洗涤沉淀物。通过进行3次洗涤而得到沉淀物的钙钛矿化合物后，使之再分散于甲苯中。
[0733]
由icp
‑
ms和离子色谱仪所测定的钙钛矿化合物的浓度为15000ppm(μg/g)。分取上述含有钙钛矿的分散液0.05ml。来自上述含有钙钛矿的分散液中所含的胺化合物组的氮量
与pb的摩尔比(n/pb)通过xps而测定，为0.3。来自上述含有钙钛矿的分散液中所含的胺化合物组的氮量由通过xps所测定的n/pb和通过icp
‑
ms所测定的pb量算出，为145ppm(μg/g)。
[0734]
将市售的inp/zns的甲苯分散液(发光性的半导体材料的固体成分浓度5％：发光波长630nm)0.1ml添加至上述含有钙钛矿、溶剂和胺化合物组的分散液组合物中，得到来自胺化合物组的氮原子量为48ppm(μg/g)、包含inp、含有钙钛矿的分散液组合物、胺化合物组和溶剂的分散液组合物。组合物中的发光性的半导体材料与胺化合物组中的氮原子的质量比为0.00145。组合物中的发光性的半导体材料与通过icp
‑
ms所测定的钙钛矿中的铅原子的质量比为0.0715。
[0735]
耐久试验的结果[(1小时后的来自半导体材料的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光强度)]的值为0.68。[(1小时后的来自半导体材料的发光的半值宽度)－(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光的半值宽度)]的值为0.90nm。[(1小时后的来自钙钛矿化合物的发光的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自钙钛矿化合物的发光强度)]的值为1.0。
[0736]
关于发光光谱的测定，将来自胺化合物组的氮原子量为48ppm(μg/g)的上述分散液组合物与甲苯2.25ml进行混合而稀释后，对从其中进而分取0.01ml并混合甲苯2.99ml而成的溶液进行测定。
[0737]
(组合物的合成)[实施例2]使通过与实施例1同样的方法得到的经洗涤的钙钛矿化合物再分散于甲苯中，得到含有钙钛矿化合物的分散液。通过icp
‑
ms和离子色谱仪所测定的钙钛矿化合物的浓度为15000ppm(μg/g)。
[0738]
来自上述含有钙钛矿的分散液中所含的胺化合物组的氮量与pb的摩尔比(n/pb)通过xps而测定，为0.3。来自上述含有钙钛矿的分散液中所含的胺化合物组的氮量由通过xps所测定的n/pb和通过icp
‑
ms所测定的pb量算出，为145ppm(μg/g)。
[0739]
向上述分散液中添加聚硅氮烷(aznn
‑
120
‑
20，merck performance materials株式会社制造)后，利用磁力搅拌器搅拌1小时进行反应。由通过icp
‑
ms所测定的pb量、si量算出的si/pb(摩尔比)为15.9。
[0740]
将市售的inp/zns的甲苯分散液(发光性的半导体材料的固体成分浓度5％：发光波长630nm)0.5ml添加至上述含有钙钛矿、溶剂和胺化合物组的分散液组合物0.25ml中，得到来自胺化合物组的氮原子量为48ppm(μg/g)、包含inp、含有钙钛矿的分散液组合物、胺化合物组和溶剂的分散液组合物。组合物中的发光性的半导体材料与胺化合物组中的氮原子的质量比为0.00145。组合物中的发光性的半导体材料与由icp
‑
ms所测定的钙钛矿中的铅原子的质量比为0.0715。
[0741]
耐久试验的结果[(1小时后的来自半导体材料的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光强度)]的值为0.92。[(1小时后的来自半导体材料的发光的半值宽度)－(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光的半值宽度)]的值为0.57nm。[(1小时后的来自钙钛矿化合物的发光的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来
自钙钛矿化合物的发光强度)]的值为0.87。
[0742]
关于发光光谱的测定，将来自胺化合物组的氮原子量为48ppm(μg/g)的上述分散液组合物与甲苯2.25ml进行混合而稀释后，对从其中进而分取0.01ml并混合甲苯2.99ml而成的溶液进行测定。
[0743]
(组合物的合成)[实施例3]将油胺25ml与乙醇200ml混合后，一边进行冰浴冷却一边进行搅拌，同时添加氢溴酸溶液(48％)17.12ml后，进行减压干燥，得到沉淀。对于沉淀，使用二乙醚洗涤后，进行减压干燥，得到溴化油基铵。
[0744]
对溴化油基铵21g混合甲苯200ml，制备含有溴化油基铵的溶液。将乙酸铅
·
三水合物1.52g、甲脒乙酸盐1.56g、1
‑
十八碳烯的溶剂160ml与油酸40ml混合。进行搅拌，一边通入氮气一边加热至130℃后，添加上述含有溴化油基铵的溶液53.4ml。添加后，将溶液降温至室温，得到分散液。
[0745]
通过过滤将对分散液混合有甲苯40ml和乙酸乙酯40ml的溶液进行固液分离后，将过滤后的固体成分用混合有甲苯40ml和乙酸乙酯40ml的溶液回流2次进行洗涤后，用甲苯使过滤后的固体成分分散，得到含有钙钛矿化合物的分散液。
[0746]
来自上述含有钙钛矿的分散液中所含的胺化合物组的氮量通过gc
‑
ms而测定，pb量通过icp
‑
ms而测定。由所得的测定值算出氮量与pb量的摩尔比(n/pb)，结果为0.16。来自上述含有钙钛矿的分散液中所含的胺化合物组的氮量通过gc
‑
ms而测定，为78.6ppm(μg/g)。
[0747]
将市售的inp/zns的甲苯分散液(发光性的半导体材料的固体成分浓度5％：发光波长630nm)0.5ml添加至上述含有钙钛矿、溶剂和胺化合物组的分散液组合物0.25ml中，得到来自胺化合物组的氮原子量为26.2ppm(μg/g)、包含inp、含有钙钛矿的分散液组合物、胺化合物组和溶剂的分散液组合物。组合物中的发光性的半导体材料与胺化合物组中的氮原子的质量比为0.000786。组合物中的发光性的半导体材料与由icp
‑
ms所测定的钙钛矿中的铅原子的质量比为0.0715。
[0748]
耐久试验的结果[(1小时后的来自半导体材料的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光强度)]的值为0.75。[(1小时后的来自半导体材料的发光的半值宽度)－(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光的半值宽度)]的值为0.59nm。[(1小时后的来自钙钛矿化合物的发光的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自钙钛矿化合物的发光强度)]的值为0.75。
[0749]
关于发光光谱的测定，将来自胺化合物组的氮原子量为26.2ppm(μg/g)的上述分散液组合物与甲苯2.25ml进行混合而稀释后，对从其中进而分取0.01ml并混合甲苯2.99ml而成的溶液进行测定。
[0750]
(组合物的合成)[实施例4]通过与实施例3同样的方法得到含有钙钛矿的分散液。来自上述含有钙钛矿的分散液中所含的胺化合物组的氮量通过gc
‑
ms而测定，pb量通过icp
‑
ms而测定。由所得的测定
值算出氮量与pb量的摩尔比(n/pb)，结果为0.16。来自上述含有钙钛矿的分散液中所含的胺化合物组的氮量通过gc
‑
ms而测定，为78.6ppm(μg/g)。向上述分散液中添加聚硅氮烷(aznn
‑
120
‑
20，merck performance materials株式会社制造)后，用磁力搅拌器搅拌1小时进行反应。由通过icp
‑
ms所测定的pb量、si量算出的si/pb(摩尔比)为15.9。
[0751]
将市售的inp/zns的甲苯分散液(发光性的半导体材料的固体成分浓度5％：发光波长630nm)0.5ml添加至上述含有钙钛矿、溶剂和胺化合物组的分散液组合物0.25ml中，得到来自胺化合物组的氮原子量为26.2ppm(μg/g)、包含inp、含有钙钛矿的分散液组合物、胺化合物组和溶剂的分散液组合物。组合物中的发光性的半导体材料与胺化合物组中的氮原子的质量比为0.000786。组合物中的发光性的半导体材料与由icp
‑
ms所测定的钙钛矿中的铅原子的质量比为0.0715。
[0752]
耐久试验的结果[(1小时后的来自半导体材料的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光强度)]的值为0.82。[(1小时后的来自半导体材料的发光的半值宽度)－(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光的半值宽度)]的值为
‑
0.16nm。[(1小时后的来自钙钛矿化合物的发光的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自钙钛矿化合物的发光强度)]的值为0.80。
[0753]
关于发光光谱的测定，将来自胺化合物组的氮原子量为26.2ppm(μg/g)的上述分散液组合物与甲苯2.25ml进行混合而稀释后，对从其中进而分取0.01ml并混合甲苯2.99ml而成的溶液进行测定。
[0754]
(组合物的合成)[比较例1]将碳酸铯0.814g、1
‑
十八碳烯的溶剂40ml和油酸2.5ml混合。用磁力搅拌器进行搅拌，一边通入氮气一边于150℃下加热1小时，制备碳酸铯溶液。将溴化铅(pbbr2)0.276g与1
‑
十八碳烯的溶剂20ml混合。用磁力搅拌器进行搅拌，一边通入氮气一边于120℃的温度下加热1小时后，添加油酸2ml和油胺2ml，制备溴化铅分散液。
[0755]
将溴化铅分散液升温至160℃的温度后，添加上述碳酸铯溶液1.6ml。添加后，将反应容器浸渍于冰水中，从而降温至室温，得到分散液。然后，将分散液以10000rpm离心分离5分钟，分离沉淀物，从而得到沉淀物的钙钛矿化合物。
[0756]
通过icp
‑
ms和离子色谱仪所测定的钙钛矿化合物的浓度为15000ppm(μg/g)。将上述含有钙钛矿的分散液分取0.25ml与油胺50μl混合。来自上述含有钙钛矿的分散液中所含的胺化合物组的氮量与pb的摩尔比(n/pb)通过xps而测定，为21.1。来自上述含有钙钛矿的分散液中所含的胺化合物组的氮量由通过xps所测定的氮原子/pb和通过icp
‑
ms所测定的铅量算出，为8573ppm(μg/g)。
[0757]
将市售的inp/zns的甲苯分散液(发光性的半导体材料的固体成分浓度5％：发光波长630nm)0.1ml添加至上述含有钙钛矿、溶剂和胺化合物组的分散液组合物中，得到来自胺化合物组的氮原子量为7610ppm(μg/g)、包含inp、含有钙钛矿的分散液组合物、胺化合物组和溶剂的分散液组合物。组合物中的胺化合物组中所含的氮原子的质量与发光性的半导
体材料中的氮原子的质量比(氮原子/(10)成分)为0.53。[(1小时后的来自钙钛矿化合物的发光的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自钙钛矿化合物的发光强度)]的值为1.0。耐久试验的结果[(1小时后的来自半导体材料的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光强度)]的值为0.28。
[0758]
关于发光光谱的测定，将来自胺化合物组的氮原子量为7610ppm(μg/g)、包含inp、含有钙钛矿的分散液组合物、胺化合物组和溶剂的分散液组合物与甲苯2.25ml进行混合而稀释后，对从其中进而分取0.01ml并混合甲苯2.99ml而成的溶液进行测定。
[0759]
(组合物的合成)[比较例2]将溴化铅194.4mg、溴化铯109.8mg与二甲基亚砜混合，制备2g的溶液。一边用磁力搅拌器进行搅拌，一边与上述二甲基亚砜溶液1.3g及甲苯8.7g混合，反应1小时，从而得到含有钙钛矿化合物的分散液。
[0760]
来自上述含有钙钛矿的分散液中所含的胺化合物组的氮量通过gc
‑
ms而测定，为0ppm(μg/g)。来自上述含有钙钛矿的分散液中所含的胺化合物组的氮量与pb的摩尔比(n/pb)由通过gc
‑
ms而测定并算出的来自胺化合物组的氮量和通过icp
‑
ms所测定的pb量算出，为0。
[0761]
将市售的inp/zns的甲苯分散液(发光性的半导体材料的固体成分浓度5％：发光波长630nm)0.5ml添加至上述含有钙钛矿和溶剂的分散液组合物0.25ml中，得到包含inp、含有钙钛矿的分散液组合物和溶剂的分散液组合物。组合物中的发光性的半导体材料与胺化合物组中的氮原子的质量比为0。组合物中的发光性的半导体材料与钙钛矿中的铅原子的质量比为0.0715。
[0762]
耐久试验的结果[(1小时后的来自半导体材料的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光强度)]的值为0.84。[(1小时后的来自半导体材料的发光的半值宽度)－(刚混合半导体材料后的来自半导体材料的发光的半值宽度)]的值为1.29nm。[(1小时后的来自钙钛矿化合物的发光的发光强度)/(刚混合半导体材料后的来自钙钛矿化合物的发光强度)]的值为0。
[0763]
关于发光光谱的测定，将含有inp、钙钛矿和溶剂的分散液组合物与甲苯2.25ml进行混合而稀释后，对从其中进而分取0.01ml并混合甲苯2.99ml而成的溶液进行测定。
[0764]
[参考例1]将实验例1～4及实施例1～4中记载的组合物放入至玻璃管等中并封装后，将其配置于作为光源的蓝色发光二极管与导光板之间，从而制造可以将蓝色发光二极管的蓝色光转换为绿色光或红色光的背光源。
[0765]
[参考例2]通过将实验例1～4及实施例1～4中记载的组合物片材化可以得到树脂组合物，将用2张阻挡膜将其夹持封装而成的膜设置于导光板上，从而制造可以将从置于导光板的端面(侧面)的蓝色发光二极管通过导光板照射至上述片材的蓝色的光转换为绿色光或红色光的背光源。
[0766]
[参考例3]将实验例1～4及实施例1～4中记载的组合物设置于蓝色发光二极管的发光部附近，从而制造可以将所照射的蓝色的光转换为绿色光或红色光的背光源。
[0767]
[参考例4]将实验例1～4及实施例1～4中记载的组合物与抗蚀剂混合后，除去溶剂，从而可以得到波长转换材料。将得到的波长转换材料配置于作为光源的蓝色发光二极管与导光板之间、或作为光源的oled的后段，从而制造可以将光源的蓝色光转换为绿色光或红色光的背光源。
[0768]
[参考例5]将实验例1～4及实施例1～4中记载的组合物与zns等导电性粒子混合并进行成膜，在一面层叠n型传输层，在另一面层叠p型传输层，从而得到led。通过流通电流，在接合面的钙钛矿化合物中，p型半导体的空穴和n型半导体的电子将电荷抵消，由此可以进行发光。
[0769]
[参考例6]在氟掺杂的氧化锡(fto)基板的表面上层叠氧化钛致密层，在其上方层叠多孔氧化铝层，在其上方层叠实验例1～4及实施例1～4中记载的组合物，除去溶剂后，在其上层叠2,2
‑
,7,7
‑
四
‑
(n,n
’‑
二对甲氧基苯胺)
‑
9,9
‑
螺二芴(spiro
‑
ometad)等空穴传输层，在其上方层叠银(ag)层，制作太阳能电池。
[0770]
[参考例7]通过除去实验例1～4及实施例1～4中记载的组合物的溶剂并成形，可以得到本实施方式的组合物，通过将其设置于蓝色发光二极管的后段，从而制造将从蓝色发光二极管照射至组合物的蓝色的光转换为绿色光或红色光、发出白色光的激光二极管照明。
[0771]
[参考例8]通过除去实验例1～4及实施例1～4中记载的组合物的溶剂并成形，可以得到本实施方式的组合物。通过将得到的组合物作为光电转换层的一部分，从而制造包含于检测光的检测部中所使用的光电转换元件(光检测元件)材料。光电转换元件材料可被用于x射线拍摄装置和cmos图像传感器等固体拍摄装置用的图像检测部(图像传感器)、指纹检测部、脸部检测部、静脉检测部及虹膜检测部等检测生物体的一部分特定特征的检测部、脉搏血氧仪等光学生物传感器。