1.一种近红外线荧光体，由以下通式(i)所表示：
la3(1-z)ga5(1-w-x)ge1-yo14:5wcr3+,ysn4+,3zae2+,5xsc3+通式(i)，
其中ae选自be、mg、ca、sr、ba及ra的一或多者，0<w≤0.1，0<y≤0.9，0<z≤0.1，以及0≤x≤0.1。
2.根据权利要求1所述的近红外线荧光体，其中，0<x≤0.1。
3.一种光电子装置，其包含：
半导体芯片，其用于在所述光电子装置工作期间发射初级辐射；以及
光转换元件，其包含如权利要求1所述的近红外线荧光体，用于在所述光电子装置工作期间将初级辐射转换成次级辐射。
4.根据权利要求3所述的光电子装置，其中所述初级辐射的波长为200纳米至500纳米，且所述次级辐射的波长为600纳米至1500纳米。
5.根据权利要求3所述的光电子装置，其中所述近红外线荧光体具有600纳米至1100纳米的宽发射峰值。
6.根据权利要求5所述的光电子装置，其中所述近红外线荧光体具有650纳米至1050纳米的宽发射峰值。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的光电子装置，其是发光二极管。
8.一种制造光电子装置的方法，包含如下步骤：
提供半导体芯片，其可于所述光电子装置工作期间提供初级辐射；
提供光转换元件，其包含如权利要求1或2所述的近红外线荧光体；以及
将所述光转换元件施加于所述半导体芯片上，使得所述初级辐射可于所述光电子装置工作期间通过所述光转换元件转换为次级辐射。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述初级辐射的波长为200纳米至500纳米，且所述次级辐射的波长为600纳米至1500纳米。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述近红外线荧光体通过以下方法制造：
基于通式(i)的元素比例，以化学计量比秤取提供所述近红外线荧光体各元素的前驱物；
混合各前驱物并研磨，以提供前驱物混合物；以及
将所述前驱物混合物于空气气氛中在1150℃至1350℃的温度下烧结。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述前驱物混合物烧结时间介于5至10小时之间。