用于高质量Micro-LED器件绿色荧光粉及其制备的制作方法

文档序号:22798018发布日期:2020-11-04 03:53阅读:374来源:国知局
用于高质量Micro-LED器件绿色荧光粉及其制备的制作方法

本发明属于显示发光技术领域,涉及一种可应用于高质量的micro-led器件的绿色荧光粉及其制备方法。



背景技术:

micro-led显示的彩色化是一个重要的研究方向,目前可以利用uv/蓝光led+发光介质法实现,而bam-em(bamgal10o17:eu,mn)荧光粉可在紫外或近紫外光激发下发出绿色荧光。因此,亚微米级的bamem荧光粉可以安装在nuv(近紫外线)micro-led芯片上,用于头戴式显示器(hmd)、智能手机等方面的应用。

由于micro-led芯片比传统的led芯片小得多,因此包含在micro-led芯片中的发光材料的粒径必须小于2~3微米,这意味着现有技术中粒径为10~20微米的led荧光粉不能应用在micro-led芯片上。近年来,提出用inp/zns、pbs、钙钛矿、石墨烯等尺寸为10~50nm的量子点(qd)作为micro-led的发光介质。但是,量子点的不稳定性还没有得到很好的解决,一些亮度比较高的量子点,如cdse/zns具有很强的毒性,因此,应用于micro-led产品的量子点是一个困难的课题。



技术实现要素:

本发明的目的是提供一种稳定性较好的能应用于高质量micro-led器件的绿色荧光粉。

本发明的另一个目的是提供一种上述绿色荧光粉的制备方法。

为实现上述目的,本发明所采用的技术方案是:一种用于高质量micro-led器件绿色荧光粉,其化学式为ba1-xeuxmg1-ymnyal10o17;其中0<x<1,0<y<1;该绿色荧光粉的平均粒径小于1μm;其400nm处的激发强度与绿色发射峰对应的250~500nm范围内的激发波长的最大激发强度之比为0.4~1。

优选,0.25≤x≤0.5,0.1≤y≤0.7;此时,该绿色荧光粉400nm处的激发强度与绿色发射峰对应的250~500nm范围内的激发波长的最大激发强度之比为0.6~1。

本发明所采用的另一个技术方案是:一种上述绿色荧光粉的制备方法,具体按以下步骤进行:

1)按照化学式ba1-xeuxmg1-ymnyal10o17中各元素的化学计量比,准确称取eu2o3、ba(no3)2、mg(no3)2·6h2o、al(no3)3·9h2o和mncl2;

将eu2o3溶解于质量分数65~68%的浓硝酸中,得第一溶液;

2)将第一溶液、ba(no3)2、mg(no3)2·6h2o、al(no3)3·9h2o和mncl2加入去离子水中,在加热的条件下以400~500r/min的速率搅拌,至固体颗粒完全溶解,得金属离子混合溶液;

将nh4hco3加入去离子水中,在加热的条件下以400~500r/min的速率搅拌至固体颗粒完全溶解,得摩尔体积浓度为3mol/l的碳酸氢铵溶液;

3)按体积比1︰1~2,分别取金属离子混合溶液和碳酸氢铵溶液,在搅拌的条件下将金属离子混合溶液逐滴滴加至碳酸氢铵溶液中,然后,加入氨水溶液调节沉淀体系的ph值为9~10,离心分离,得沉淀物,将沉淀物置于60~70℃的烘箱中烘干20~24小时,制得白色的前驱体蓬松粉末;

4)分别取前驱体蓬松粉末和nh4cl(助熔剂),混合均匀,得混合粉末,该混合粉末中nh4cl的质量分数为0.2~5wt%,将混合粉末转移到刚玉坩埚中,再置于通入还原性气氛的管式炉中,以5℃/min的升温速率升温至1200~1450℃煅烧8h,随炉冷却,研磨产物,制得用于高质量micro-led器件绿色荧光粉。

还原性气氛,按体积比由95%的n2和5%的h2混合而成。

本发明制备方法首先在ba2+、eu3+、mg2+、mn2+、al3+共沉淀体系中加入nh4cl,在煅烧过程中制备出新的发光材料。nh4cl经常被用作合成ba3mgsi2o8:eu或(ba,sr)2sio4:eu等氧化物荧光粉的助熔剂。也就是说,nh4cl被用来减少荧光粉的粒径。在常规工艺条件下,当nh4cl(0.2~5wt%)与共沉淀前驱体的混合物在低于固相合成温度(1200~1450℃)的还原气氛下煅烧时,形成的氧化物颗粒并没有聚集,而是彼此分离的单个小颗粒。因此,可以认为nh4cl在煅烧加热过程中分解为气相,形成的气体在细小氧化物颗粒之间,可以避免细小氧化物颗粒之间的聚集。

其次,与常规bam-em相比,本发明bam-em中eu2+和mn2+的含量异常大,导致激发波长延长,在400nm的nuv波长处激发强度显著增大。当eu和mn的取值从x=0.09和y=1.3(bam-em的常规比值)变为x=0.4和y=0.58时,激发强度(400nm处的激发强度)/(最大激发强度)的比值从16%变为67%。这使得微米级的bam-em成为nuv微型led的荧光粉。当mn/eu比值为1.44时,eu的含量由0.09变为0.4时,发射强度(绿色发射)/(蓝色发射+绿色发射)的比值由75%变为99%。这可能是由于随着eu和mn的增加,eu-mn平均距离大大减小,eu2+→mn2+能量转移增强的现象。

本发明绿色荧光粉具有高浓度的铕离子eu2+(x=0.4)和高浓度的锰离子mn2+(y=0.58),且具有亚微米尺度(粒径小于1μm),对400nm近紫外太阳光具有超强吸收,并能发出超强绿色荧光的铝酸镁钡基bam荧光粉。较大的x值和y值,将该荧光粉的激发波长红移至400nm的近紫外区域,发射光谱的450nm范围的蓝光发射大大降低,提高了512nm左右的绿光发射。

本发明制备方法利用共沉淀法制备亚微米级bam-em(ba1-xeuxmg1-ymnyal10o17,0.25≤x≤0.5和0.1≤y≤0.7荧光粉,反应温度有了大幅度降低(200~300℃左右);通过加入比传统固相法制备的ba1-xeuxmg1-ymnyal10o17(x=0.1,y=0.1~0.2)更多的eu2+和mn2+,使得eu2+→mn2+之间的能量传递更有效率,在制备亚微米级晶粒的同时尽可能的保证亮度。另外加入nh4cl作为助熔剂使bamem微米颗粒减少团聚。同时,由于所得bamem荧光材料为亚微米尺度,可以很轻易地将其应用在micro-led芯片上。

附图说明

图1是本发明实施例1和实施例2制得的荧光粉的x射线粉末衍射图。

图2是本发明实施例1制得的荧光粉的sem图。

图3是本发明实施例2制得的荧光粉的sem图。

图4是本发明实施例2制得的荧光粉的激发和发射光谱图。

图5是本发明实施例1和2制得的荧光粉的激发光谱对比图。

图6是本发明实施例1和2制得的荧光粉在波长400nm激发光激发下的发射光谱对比图。

具体实施方式

实施例1

按照化学式ba0.91eu0.09mg0.87mn0.13al10o17中各元素的化学计量比,准确称取0.032克eu2o3、0.4756克ba(no3)2、0.4461克mg(no3)2·6h2o、7.5026克al(no3)3·9h2o和0.04278克mncl2,所称取化合物的纯度均为分析纯;将eu2o3溶解于质量分数65%的浓硝酸中,得第一溶液;将第一溶液、ba(no3)2、mg(no3)2·6h2o、al(no3)3·9h2o和mncl2加入去离子水中,磁力搅拌器的温度调至40℃左右,转速为400r/min,加热搅拌至固体颗粒完全溶解,得金属离子混合溶液。将11.858克nh4hco3加入100ml去离子水中,磁力搅拌器的温度调至40℃左右,转速为400r/min,加热搅拌至固体颗粒完全溶解,得摩尔体积浓度3mol/l的碳酸氢铵溶液。按体积比1︰1,分别取金属离子混合溶液和碳酸氢铵溶液,在搅拌碳酸氢铵溶液的同时向其中缓慢滴加金属离子混合溶液,滴加完成之后,加入氨水调节沉淀体系的ph值为9。沉淀反应完成后离心分离,将沉淀物置于60℃的烘箱中烘干24小时,得到白色的前驱体蓬松粉末。分别取前驱体蓬松粉末和nh4cl,混合均匀,得混合粉末,该混合粉末中nh4cl的质量分数为1wt%,将该混合粉末转移到刚玉坩埚中,再放到通入还原性气氛的管式炉中,该还原性气氛按体积比由95%的n2和5%的h2混合而成,以5℃/min的升温速率升温至1350℃煅烧8h,随炉冷却,研磨产物,制得一种用于高质量micro-led器件绿色荧光粉ba0.91eu0.09mg0.87mn0.13al10o17。

实施例2

按照化学式ba0.6eu0.4mg0.42mn0.58al10o17中各元素的化学计量比,准确称取0.01407克eu2o3、0.3136克ba(no3)2、0.2156克mg(no3)2·6h2o、7.5026克al(no3)3·9h2o和0.1459克mncl2,所称取化合物的纯度均为分析纯;将eu2o3溶解于质量分数68%的浓硝酸中,得第一溶液;将第一溶液、ba(no3)2、mg(no3)2·6h2o、al(no3)3·9h2o和mncl2加入去离子水中,磁力搅拌器的温度调至40℃左右,转速为500r/min,加热搅拌,直到固体颗粒完全溶解,得金属离子混合溶液。将11.858克nh4hco3溶解于100ml去离子水中,磁力搅拌器的温度调至40℃左右,转速为500r/min,加热搅拌至固体颗粒完全溶解,得摩尔体积浓度为3mol/l的碳酸氢铵溶液。按体积比1︰1,分别取金属离子混合溶液和碳酸氢铵溶液,搅拌碳酸氢铵溶液的同时向其中缓慢滴加金属离子混合溶液,滴加完成之后,加入少量氨水调节沉淀体系的ph值为10。沉淀反应完成后离心分离,倒掉上层清液,将沉淀物置于60℃的烘箱中烘干3小时,得到白色的前驱体蓬松粉末。分别取白色前驱体蓬松粉末和nh4cl,混合均匀,得混合粉末,该混合粉末中nh4cl的质量分数为5wt%,将混合粉末转移到刚玉坩埚中,再放到通入还原性气氛的管式炉中,该还原性气氛按体积比由95%的n2和5%的h2混合而成,以5℃/min的升温速率升温至1350℃煅烧8h,随炉冷却,研磨产物,制得一种用于高质量micro-led器件绿色荧光粉ba0.6eu0.4mg0.42mn0.58al10o17。

实施例1和实施例2制得的荧光粉的x射线粉末衍射图,如图1所示。图中显示,实施例制备的样品的峰值与标准pdf卡片峰值对比一致,说明得到的样品为bam,且没有其他杂峰,说明没有杂质。

如图2,实施例1制得的绿色荧光粉的sem图。从图中可以看出颗粒分布均匀,粒径大小一致且小于1μm,且没有团聚,说明本发明制备方法成功得到了可以应用在mrico-led上的荧光粉。

实施例2所制得的ba0.6eu0.4mg0.42mn0.58al10o17荧光粉的sem图,如图3。从图中可以看出颗粒分布均匀,粒径大小一致且小于1μm,且没有团聚,说明成功得到了可以应用在mrico-led上的荧光粉。

实施例2制得的荧光粉的激发和发射光谱图,如图4所示。从图4可以看出,该荧光粉在波长381nm和400nm的激发条件下,都可以得到发射峰在518nm的绿色发射峰,说明激发峰为350nm~400nm的宽峰。也说明,采用本发明制备方法制得的荧光粉为绿色荧光粉。

实施例1和实施例2制得的绿色荧光粉的激发光谱对比图,见图5。从图中可以看出,通过加入大量的eu和mn离子,使样品的发射峰红移,让样品的激发峰至400nm,可以与近紫外芯片相结合。

实施例1和实施例2制得的绿色荧光粉在波长400nm激发下的发射光谱对比图,如图6所示。从图中可以看出,通过加入大量的eu和mn离子,实施例2制得的荧光粉的发射强度明显提高。

实施例3

按照化学式ba0.75eu0.25mg0.9mn0.1al10o17中各元素的化学计量比,准确称取eu2o3、ba(no3)2、mg(no3)2·6h2o、al(no3)3·9h2o和mncl2;

将eu2o3溶解于质量分数66%的浓硝酸中,得第一溶液;将第一溶液、ba(no3)2、mg(no3)2·6h2o、al(no3)3·9h2o和mncl2加入去离子水中,在加热的条件下以500r/min的速率搅拌,直至固体颗粒完全溶解,得金属离子混合溶液;将nh4hco3加入去离子水中,在加热的条件下以450r/min的速率搅拌,至固体颗粒完全溶解,得摩尔体积浓度为3mol/l的碳酸氢铵溶液;按体积比1︰2,分别取金属离子混合溶液和碳酸氢铵溶液,在搅拌的条件下将金属离子混合溶液逐滴滴加至碳酸氢铵溶液中,然后,加入氨水溶液调节沉淀体系的ph值为9.5,离心分离,得沉淀物,将沉淀物置于70℃的烘箱中烘干20小时,制得白色的前驱体蓬松粉末;分别取前驱体蓬松粉末和nh4cl,混合均匀,得混合粉末,该混合粉末中nh4cl的质量分数为0.2wt%,将混合粉末转移到刚玉坩埚中,再置于通入还原性气氛的管式炉中,还原性气氛,按体积比由95%的n2和5%的h2混合而成。以5℃/min的升温速率升温至1200℃煅烧8h,随炉冷却,研磨产物,制得用于高质量micro-led器件绿色荧光粉。

实施例4

按照化学式ba0.5eu0.5mg0.6mn0.4al10o17中各元素的化学计量比,准确称取eu2o3、ba(no3)2、mg(no3)2·6h2o、al(no3)3·9h2o和mncl2;

将eu2o3溶解于质量分数67%的浓硝酸中,得第一溶液;将第一溶液、ba(no3)2、mg(no3)2·6h2o、al(no3)3·9h2o和mncl2加入去离子水中,在加热的条件下以460r/min的速率搅拌,直至固体颗粒完全溶解,得金属离子混合溶液;将nh4hco3加入去离子水中,在加热的条件下以450r/min的速率搅拌,至固体颗粒完全溶解,得摩尔体积浓度为3mol/l的碳酸氢铵溶液;按体积比1︰1.5,分别取金属离子混合溶液和碳酸氢铵溶液,在搅拌的条件下将金属离子混合溶液逐滴滴加至碳酸氢铵溶液中,然后,加入氨水溶液调节沉淀体系的ph值为9.1,离心分离,得沉淀物,将沉淀物置于65℃的烘箱中烘干22小时,制得白色的前驱体蓬松粉末;分别取驱体蓬松粉末和nh4cl,混合均匀,得混合粉末,该混合粉末中nh4cl中的质量分数为2.6wt%,将混合粉末转移到刚玉坩埚中,再置于通入还原性气氛的管式炉中,还原性气氛,按体积比由95%的n2和5%的h2混合而成。以5℃/min的升温速率升温至1450℃煅烧8h,随炉冷却,研磨产物,制得用于高质量micro-led器件绿色荧光粉。

实施例5

按照化学式ba0.625eu0.375mg0.3mn0.7al10o17中各元素的化学计量比,准确称取eu2o3、ba(no3)2、mg(no3)2·6h2o、al(no3)3·9h2o和mncl2;将eu2o3溶解于质量分数67%的浓硝酸中,得第一溶液;将第一溶液、ba(no3)2、mg(no3)2·6h2o、al(no3)3·9h2o和mncl2加入去离子水中,在加热的条件下以490r/min的速率搅拌,直至固体颗粒完全溶解,得金属离子混合溶液;将nh4hco3加入去离子水中,在加热的条件下以480r/min的速率搅拌,至固体颗粒完全溶解,得摩尔体积浓度为3mol/l的碳酸氢铵溶液;按体积比1︰1,分别取金属离子混合溶液和碳酸氢铵溶液,在搅拌的条件下将金属离子混合溶液逐滴滴加至碳酸氢铵溶液中,然后,加入氨水溶液调节沉淀体系的ph值为9.9,离心分离,得沉淀物,将沉淀物置于68℃的烘箱中烘干21小时,制得白色的前驱体蓬松粉末;分别取驱体蓬松粉末和nh4cl,混合均匀,得混合粉末,该混合粉末中nh4cl的质量分数为4wt%,将混合粉末转移到刚玉坩埚中,再置于通入还原性气氛的管式炉中,还原性气氛,按体积比由95%的n2和5%的h2混合而成。以5℃/min的升温速率升温至1325℃煅烧8h,随炉冷却,研磨产物,制得用于高质量micro-led器件绿色荧光粉。

实施例3~5中制得的绿色荧光粉的粒径范围在1μm以下,发光亮度的最高强度可以达到2.6×106a.u.。

近年来,新型led器件被提出并开始发展,它是由微小尺寸的发光材料颗粒和小于100微米(通常约30微米)的led微型芯片组成的微型led器件。

micro-led具有自发光的高能效,不需要太大的电能,即使在室外阳光下也能显示出色彩和色度都很鲜明的明亮显示屏,其芯片尺寸可以与显示屏中图像像素的大小相对应。因此,与现有的lcd或oled相比,micro-led具有成为高质量显示的理论潜力。micro-led芯片尺寸很小,且不仅有蓝色的micro-led芯片,而且nuv(近紫外线)micro-led芯片也是可能的。绿色和红色的发光介质安装在前者。蓝色、绿色和红色发光介质安装在后者中。这两种装置都能产生蓝色、绿色和红色的激发光。

我们研究了不同于量子点(qd)的micro-led发光介质(bamem),以eu2+激活的绿色氧化物荧光粉bamgal10o17:eu,mn为目标,bamem比量子点稳定得多,它能产生尖锐的绿色发射峰(峰值:510~525nm)(半高宽:36~7nm)。众所周知,在bamem中,eu2+→mn2+发生能量转移,发射颜色由蓝色变为绿色。该材料可以应用于高质量的micro-led器件,具有鲜明的色彩和色度。那么如何使小尺寸的bamem保持亮度并使尺寸小于2~3微米。现有技术中的一些将10~20微米的荧光粉粉碎成几个微米的方法,由于大量缺陷的形成,会导致荧光粉亮度降低到30%以下。经过努力,本发明最终成功地创造了一种方法,在保持荧光粉亮度的情况下使荧光粉颗粒的粒径小于2~3um。本发明制备方法采用共沉淀法制备在近紫外(nuv)辐照下能发射出超强绿色荧光的亚微米级bam荧光粉,其化学通式为:ba1-xeuxmg1-ymnyal10o17,其中x是铕离子(eu2+)取代钡离子(ba2+)的摩尔比,优选0.25≤x≤0.5;y是锰离子(mn2+)取代镁离子(mg2+)的摩尔比,优选0.1≤y≤0.7。本发明制备方法通过加入比现有技术中固相法制备的ba1-xeuxmg1-ymnyal10o17(x=0.1,y=0.1~0.2)更多的eu2+和mn2+,使得eu2+→mn2+之间的能量传递更有效率,使激发波长变长,然后在400nm(nuv)下激发良好,在制备亚微米晶粒时尽可能保证亮度。在制备亚微米级晶粒的同时尽可能的保证亮度。另外发现加入nh4cl作为助熔剂使bamem微米颗粒减少团聚。同时,由于所得bamem荧光材料为亚微米尺度(小于1um),因此可以很轻易地将其应用在micro-led芯片上。

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