一种抗静电触摸屏保护膜的制作方法

1.本发明属于触摸屏保护膜技术领域，具体涉及一种抗静电触摸屏保护膜及其制备方法。


背景技术：

2.触摸屏作为一种新的电脑输入设备，它是简单、方便、自然的一种人机交互方式，它赋予了多媒体以崭新的面貌，是极富吸引力的全新多媒体交互设备，主要应用于公共信息的查询、工业控制、军事指挥、电子游戏、多媒体教学等方面，触摸屏在使用时，表面需要覆盖保护膜对触摸屏保护。
3.保护膜按照用途可以分为数码产品保护膜，汽车保护膜，家用保护膜，食品保鲜保护膜等，随着手机等数码产品在中国的普及，保护膜已经慢慢的成为屏幕保护膜的一种统称，其在屏幕保护膜领域的功能也是五花八门，高清防刮、耐磨性能、防蓝光等等，但是现有的保护膜抗静电性能较差，表面容易吸附大量灰尘，难以清理，迫切需要新技术克服上述问题。


技术实现要素：

4.(一)解决的技术问题
5.本发明的目的是提供一种抗静电触摸屏保护膜及其制备方法，解决了触摸屏保护膜抗静电性能较差的问题。
6.(二)技术方案
7.为解决上述问题，本发明提供一种抗静电触摸屏保护膜，包括离型膜层、胶粘剂层、抗静电层、基材层，所述离型膜层是氟素离型膜，所述抗静电层由层状的硫化锰
‑
二氧化铈、镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯、双三氟甲磺酰亚胺锂熔融混合后热压成膜，再于室温下冷压制得，所述基材是热塑性聚氨酯弹性体橡胶膜。
8.一种抗静电触摸屏保护膜的制备方法，包括以下步骤：
9.(1)称取六水合硝酸铈加入到蒸馏水中，再加入尿素、乙二胺、十二硫醇、十二胺、硫化银催化剂、二丁基二硫代氨基甲酸锰混合，搅拌后转入反应釜中反应，反应结束后用水和酒精交替洗涤各三遍，最后退火，制得层状的硫化锰
‑
二氧化铈；
10.(2)将镍粉末、聚苯硫醚粉末充分混合，将混合后的粉末置于模具中，并在200千克力/厘米的压力下压制，进行热处理，将复合材料再次压制，然后在250℃退火以消除残余应力，研磨后得到直径为4英寸的圆形镍
‑
聚苯硫醚靶材，以聚四氟乙烯薄膜为基底，沉积上镍
‑
聚苯硫醚进行中频磁控溅射，得到镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯；
11.(3)称取层状的硫化锰
‑
二氧化铈、镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯、双三氟甲磺酰亚胺锂加入混合容器中，熔融混合后热压成膜，再于室温下冷压制得抗静电层，将离型膜层、胶粘剂层、抗静电层、基材层依次叠加组装，得到抗静电触摸屏保护膜。
12.优选的，所述步骤(1)中六水合硝酸铈、蒸馏水、尿素、乙二胺、十二硫醇、十二胺、
硫化银催化剂、二丁基二硫代氨基甲酸锰混合的质量比是1.4
‑
1.6:25
‑
30:4.2
‑
4.9:8
‑
12:7
‑
10:4
‑
7:1
‑
4:0.02
‑
0.10，搅拌时间是30
‑
45min，反应温度为120
‑
160℃，反应时间为48
‑
50h，退火温度为380
‑
400℃，退火时间为4
‑
5h。
13.优选的，所述步骤(2)中镍粉末、聚苯硫醚粉末的质量比是10
‑
20:15
‑
25，镍粉末的尺寸为5
‑
20微米，聚苯硫醚粉末的尺寸为20
‑
25微米，热处理温度为300
‑
375℃，靶材与基底之间的距离为22
‑
24cm，溅射功率密度是3.52
‑
4.32w/cm2。
14.优选的，所述步骤(3)中层状的硫化锰
‑
二氧化铈、镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯、双三氟甲磺酰亚胺锂的质量比是20
‑
30:70
‑
80:0.6
‑
1。
15.优选的，所述步骤(3)中熔融温度为180
‑
190℃，熔融混合转速是40
‑
50rpm，熔融混合时间是3
‑
6min，热压温度是180
‑
200℃，热压压力是8
‑
10mpa，冷压压力是2
‑
4mpa，胶粘剂层是丙烯酸酯胶粘剂。
16.(三)与现有技术相比，本发明方法的有益效果是：
17.(1)本发明提供一种防静电触摸屏保护膜及其制备方法，通过磁控溅射在聚四氟乙烯膜上沉积了镍
‑
聚苯硫醚，降低了薄层电阻，实现了抗静电功能，层状的硫化锰
‑
二氧化铈的层状结构提供了离子传输通道，提高了触摸屏保护膜的抗静电性能。
18.(2)本发明提供一种防静电触摸屏保护膜及其制备方法，通过水热反应合成了层状的硫化锰
‑
二氧化铈，将层状的硫化锰
‑
二氧化铈、镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯、双三氟甲磺酰亚胺锂熔融混合后热压成膜，再于室温下冷压制得抗静电层，再将离型膜层、胶粘剂层、抗静电层、基材层依次叠加组装得到防静电触摸屏保护膜。
具体实施方式
19.下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
20.实施例1
21.一种抗静电触摸屏保护膜的制备方法，包括以下步骤：
22.质量配比：六水合硝酸铈、蒸馏水、尿素、乙二胺、十二硫醇、十二胺、硫化银催化剂、二丁基二硫代氨基甲酸锰混合的质量比是1.4:25:4.2:8:7:4:1:0.02，镍粉末、聚苯硫醚粉末的质量比是10:15，层状的硫化锰
‑
二氧化铈、镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯、双三氟甲磺酰亚胺锂的质量比是20:70:0.6。
23.(1)称取六水合硝酸铈加入到蒸馏水中，再加入尿素、乙二胺、十二硫醇、十二胺、硫化银催化剂、二丁基二硫代氨基甲酸锰混合，搅拌后转入反应釜中反应，搅拌时间是30min，反应温度为120℃，反应时间为48h，反应结束后用水和酒精交替洗涤各三遍，最后退火，退火温度为380℃，退火时间为4h，制得层状的硫化锰
‑
二氧化铈；
24.(2)将镍粉末、聚苯硫醚粉末充分混合，镍粉末的尺寸为5微米，聚苯硫醚粉末的尺寸为20微米，将混合后的粉末置于置于模具中，并在200千克力/厘米的压力下压制，进行热处理，热处理温度为300℃，将复合材料再次压制，然后在250℃退火以消除残余应力，研磨后得到直径为4英寸的圆形镍
‑
聚苯硫醚靶材，以聚四氟乙烯薄膜为基底，沉积上镍
‑
聚苯硫
醚进行中频磁控溅射，靶材与基底之间的距离为22cm，溅射功率密度是3.52w/cm2，得到镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯；
25.(3)称取层状的硫化锰
‑
二氧化铈、镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯、双三氟甲磺酰亚胺锂加入混合容器中，熔融混合后热压成膜，热压温度是180℃，热压压力是8mpa，熔融温度为180℃，熔融混合转速是40rpm，熔融混合时间是3min，再于室温下冷压制得抗静电层，冷压压力是2mpa，将离型膜层、丙烯酸酯胶粘剂、抗静电层、基材层依次叠加组装，得到抗静电触摸屏保护膜。
26.实施例2
27.一种抗静电触摸屏保护膜的制备方法，包括以下步骤：
28.质量配比：六水合硝酸铈、蒸馏水、尿素、乙二胺、十二硫醇、十二胺、硫化银催化剂、二丁基二硫代氨基甲酸锰混合的质量比是1.45:26:4.4:9:8:5:2:0.03，镍粉末、聚苯硫醚粉末的质量比是12:16，层状的硫化锰
‑
二氧化铈、镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯、双三氟甲磺酰亚胺锂的质量比是22:72:0.7。
29.(1)称取六水合硝酸铈加入到蒸馏水中，再加入尿素、乙二胺、十二硫醇、十二胺、硫化银催化剂、二丁基二硫代氨基甲酸锰混合，搅拌后转入反应釜中反应，搅拌时间是32min，反应温度为130℃，反应时间为48.5h，反应结束后用水和酒精交替洗涤各三遍，最后退火，退火温度为395℃，退火时间为4.2h，制得层状的硫化锰
‑
二氧化铈；
30.(2)将镍粉末、聚苯硫醚粉末充分混合，镍粉末的尺寸为6微米，聚苯硫醚粉末的尺寸为21微米，将混合后的粉末置于置于模具中，并在200千克力/厘米的压力下压制，进行热处理，热处理温度为315℃，将复合材料再次压制，然后在250℃退火以消除残余应力，研磨后得到直径为4英寸的圆形镍
‑
聚苯硫醚靶材，以聚四氟乙烯薄膜为基底，沉积上镍
‑
聚苯硫醚进行中频磁控溅射，靶材与基底之间的距离为22.5cm，溅射功率密度是3.72w/cm2，得到镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯；
31.(3)称取层状的硫化锰
‑
二氧化铈、镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯、双三氟甲磺酰亚胺锂加入混合容器中，熔融混合后热压成膜，热压温度是185℃，热压压力是8.5mpa，熔融温度为185℃，熔融混合转速是42rpm，熔融混合时间是4min，再于室温下冷压制得抗静电层，冷压压力是2.5mpa，将离型膜层、丙烯酸酯胶粘剂、抗静电层、基材层依次叠加组装，得到抗静电触摸屏保护膜。
32.实施例3
33.一种抗静电触摸屏保护膜的制备方法，包括以下步骤：
34.质量配比：六水合硝酸铈、蒸馏水、尿素、乙二胺、十二硫醇、十二胺、硫化银催化剂、二丁基二硫代氨基甲酸锰混合的质量比是1.5:28:4.8:11:9:6:3:0.08，镍粉末、聚苯硫醚粉末的质量比是18:19，层状的硫化锰
‑
二氧化铈、镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯、双三氟甲磺酰亚胺锂的质量比是28:78:0.8。
35.(1)称取六水合硝酸铈加入到蒸馏水中，再加入尿素、乙二胺、十二硫醇、十二胺、硫化银催化剂、二丁基二硫代氨基甲酸锰混合，搅拌后转入反应釜中反应，搅拌时间是44min，反应温度为150℃，反应时间为49h，反应结束后用水和酒精交替洗涤各三遍，最后退火，退火温度为390℃，退火时间为4.8h，制得层状的硫化锰
‑
二氧化铈；
36.(2)将镍粉末、聚苯硫醚粉末充分混合，镍粉末的尺寸为18微米，聚苯硫醚粉末的
尺寸为24微米，将混合后的粉末置于置于模具中，并在200千克力/厘米的压力下压制，进行热处理，热处理温度为365℃，将复合材料再次压制，然后在250℃退火以消除残余应力，研磨后得到直径为4英寸的圆形镍
‑
聚苯硫醚靶材，以聚四氟乙烯薄膜为基底，沉积上镍
‑
聚苯硫醚进行中频磁控溅射，靶材与基底之间的距离为23cm，溅射功率密度是4.12w/cm2，得到镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯；
37.(3)称取层状的硫化锰
‑
二氧化铈、镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯、双三氟甲磺酰亚胺锂加入混合容器中，熔融混合后热压成膜，热压温度是190℃，热压压力是9mpa，熔融温度为185℃，熔融混合转速是48rpm，熔融混合时间是5min，再于室温下冷压制得抗静电层，冷压压力是3.5mpa，将离型膜层、丙烯酸酯胶粘剂、抗静电层、基材层依次叠加组装，得到抗静电触摸屏保护膜。
38.实施例4
39.一种抗静电触摸屏保护膜的制备方法，包括以下步骤：
40.质量配比：六水合硝酸铈、蒸馏水、尿素、乙二胺、十二硫醇、十二胺、硫化银催化剂、二丁基二硫代氨基甲酸锰混合的质量比是1.6:30:4.9:12:10:7:4:0.10，镍粉末、聚苯硫醚粉末的质量比是20:25，层状的硫化锰
‑
二氧化铈、镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯、双三氟甲磺酰亚胺锂的质量比是30:80:1。
41.(1)称取六水合硝酸铈加入到蒸馏水中，再加入尿素、乙二胺、十二硫醇、十二胺、硫化银催化剂、二丁基二硫代氨基甲酸锰混合，搅拌后转入反应釜中反应，搅拌时间是45min，反应温度为160℃，反应时间为50h，反应结束后用水和酒精交替洗涤各三遍，最后退火，退火温度为400℃，退火时间为5h，制得层状的硫化锰
‑
二氧化铈；
42.(2)将镍粉末、聚苯硫醚粉末充分混合，镍粉末的尺寸为20微米，聚苯硫醚粉末的尺寸为25微米，将混合后的粉末置于置于模具中，并在200千克力/厘米的压力下压制，进行热处理，热处理温度为375℃，将复合材料再次压制，然后在250℃退火以消除残余应力，研磨后得到直径为4英寸的圆形镍
‑
聚苯硫醚靶材，以聚四氟乙烯薄膜为基底，沉积上镍
‑
聚苯硫醚进行中频磁控溅射，靶材与基底之间的距离为24cm，溅射功率密度是4.32w/cm2，得到镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯；
43.(3)称取层状的硫化锰
‑
二氧化铈、镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯、双三氟甲磺酰亚胺锂加入混合容器中，熔融混合后热压成膜，热压温度是200℃，热压压力是10mpa，熔融温度为190℃，熔融混合转速是50rpm，熔融混合时间是6min，再于室温下冷压制得抗静电层，冷压压力是4mpa，将离型膜层、丙烯酸酯胶粘剂、抗静电层、基材层依次叠加组装，得到抗静电触摸屏保护膜。
44.对比例1
45.一种触摸屏保护膜的制备方法，包括以下步骤：
46.质量配比：镍粉末、聚苯硫醚粉末的质量比是10:15，镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯、双三氟甲磺酰亚胺锂的质量比是70:0.6。
47.(1)将镍粉末、聚苯硫醚粉末充分混合，镍粉末的尺寸为5微米，聚苯硫醚粉末的尺寸为20微米，将混合后的粉末置于置于模具中，并在200千克力/厘米的压力下压制，进行热处理，热处理温度为300℃，将复合材料再次压制，然后在250℃退火以消除残余应力，研磨后得到直径为4英寸的圆形镍
‑
聚苯硫醚靶材，以聚四氟乙烯薄膜为基底，沉积上镍
‑
聚苯硫
醚进行中频磁控溅射，靶材与基底之间的距离为22cm，溅射功率密度是3.52w/cm2，得到镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯；
48.(2)称取镍
‑
聚苯硫醚沉积的聚四氟乙烯、双三氟甲磺酰亚胺锂加入混合容器中，熔融混合后热压成膜，热压温度是180℃，热压压力是8mpa，熔融温度为180℃，熔融混合转速是40rpm，熔融混合时间是3min，再于室温下冷压制得抗静电层，冷压压力是2mpa，将离型膜层、丙烯酸酯胶粘剂、抗静电层、基材层依次叠加组装，得到触摸屏保护膜。
49.以上实施例与对比例制备的防静电层中各组分材料的比例详见下表1：
50.表1
[0051][0052]
对实施例与对比例中制备的触摸屏保护膜进行性能测试：
[0053]
粘着性能测试标准为23℃、50％rh条件下，180
°
剥离，速度为300mm/min。表面电阻测试标准为23℃、50％rh条件下，用日本simco公司的表面抵抗计st
‑
4进行测试。其中，每平米样品随机测试20个点。粘着性能和表面电阻测试结果见表2：
[0054]
表2
[0055][0056]
从表2可以得出，实施例1
‑
4制备的触摸屏保护膜粘着力大于对比例1，实施例1
‑
4制备的触摸屏保护膜的表面电阻低于对比例1，并且都在抗静电范围，实施例1
‑
4的抗静电性能均高于对比例1，说明本发明制备的触摸屏保护膜具有较佳的抗静电性能。
[0057]
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在
不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
[0058]
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。