技术特征：
1.一种近红外发光材料，其特征在于，所述近红外发光材料的化学通式为ab2m
2-x
cr
xv3
o
12
，其中，a为li、na、k和ag元素中的一种，b为ca、sr和ba元素中的一种或多种，m为ca、mg和zn元素中的一种或多种；x为cr元素的摩尔分数，其中0≤x≤0.1。2.根据权利要求1所述的近红外发光材料，其特征在于，所述近红外发光材料的形态为单晶、粉晶、玻璃和陶瓷中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的近红外发光材料，其特征在于，所述近红外发光材料的激发光波长为300～400nm的紫外光和/或近紫外光。4.根据权利要求1所述的近红外发光材料，其特征在于，所述近红外发光材料的发射光为波长400～700nm的可见光和波长700～1100nm的近红外光。5.一种制备权利要求1～4中任意一项所述的近红外发光材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：s1：按照化学式ab2m
2-x
cr
xv3
o
12
中的化学计量比，分别称量含有a元素、b元素、m元素、cr元素和v元素的化合物原料；s2：将所述化合物原料置于玛瑙研钵中研磨15～45min，得到原料混合物；s3：将混合均匀的所述原料混合物转移到刚玉坩埚中，在300～500℃条件下煅烧3～5h，取出充分研磨后，在600～800℃条件下煅烧3～5h，再次取出研磨后在800～1000℃条件下煅烧3～5h，冷却后研磨得到所述近红外荧光材料。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤s1中，所述化合物原料选自氧化物、氢氧化物、碳酸盐和硝酸盐中的一种或多种。7.一种近红外光源，其特征在于，所述近红外光源含有权利要求1～4中任意一项所述的近红外发光材料或者采用权利要求5～6所述的方法制备的近红外发光材料。8.根据权利要求7所述的近红外光源，其特征在于，所述近红外光源还含有led芯片，所述led芯片的发光波长为300～400nm的紫外光和/或近紫外光led芯片或450～600nm黄绿蓝led芯片，或者650～750nm的红光芯片。9.根据权利要求7所述的近红外光源，其特征在于，所述led芯片为ingan或gan半导体芯片。
技术总结
本发明公开了一种近红外发光材料和制备方法以及使用其的近红外光源，所述近红外发光材料的化学通式为AB2M
技术研发人员：宿彦京 蒋立朋
受保护的技术使用者：北京科技大学
技术研发日：2021.12.27
技术公布日：2022/4/8