抗静电半导体芯片切割保护膜的制作方法

1.本实用新型涉及芯片保护膜技术领域，具体而言，涉及抗静电半导体芯片切割保护膜。


背景技术：

2.随着芯片产业的发展，在芯片生产制造过程中需要多种生产工序，且芯片的生产制造成本较高，由于芯片的体积较小，生产完成后，在运输的过程中需要将其包装保护起来，此时就需要使用一种芯片的保护膜，传统使用的保护膜在保护芯片的同时无法防护外界产生静电，且在使用裁切时，不方便根据保护膜需要使用的大小进行裁切，因此我们提出了抗静电半导体芯片切割保护膜。


技术实现要素：

3.本实用新型的主要目的在于提供抗静电半导体芯片切割保护膜，可以有效解决背景技术中的问题。
4.为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：
5.抗静电半导体芯片切割保护膜，包括保护膜，所述保护膜上表面设置有上防灰膜，所述保护膜下表面设置有下防灰膜，所述上防灰膜与下防灰膜上均开设有若干安装槽，每个所述安装槽内部固定连接有固定块，每个所述安装槽内部均设置有折叠板，每个所述折叠板均折叠设置在安装槽的内部，每个所述折叠板下表面均设置有凹槽。
6.作为优选，每个所述折叠板上均贯穿设置有固定槽，每个所述固定槽内壁与每个固定块的外壁滑动连接。
7.作为优选，每个所述安装槽的一侧均设置有距离标尺，每个所述距离标尺均通过冲压制作而成。
8.作为优选，每个所述距离标尺的一端均设置有冲压缝，每个所述冲压缝均通过冲压或者切割制作而成。
9.作为优选，所述保护膜包括抗静电离型涂层、聚对苯二甲酸乙二醇酯层、聚氯乙烯层和抗静电亚克力胶层，所述抗静电离型涂层下表面设置有聚对苯二甲酸乙二醇酯层。
10.作为优选，所述聚对苯二甲酸乙二醇酯层下表面设置有聚氯乙烯层，所述聚氯乙烯层下表面设置有抗静电亚克力胶层。
11.作为优选，所述抗静电离型涂层是通过丙烯酸树脂、环氧型固化剂、异氰酸酯固化剂、抗静电剂和溶剂混合制作而成，所述抗静电亚克力胶层是通过丙烯酸树脂、环氧型固化剂、异氰酸酯固化剂、抗静电剂和溶剂混合制作而成。
12.与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：
13.(1)通过抗静电离型涂层与抗静电亚克力胶层的组成材料均有抗静电剂，从而增加保护膜的双面抗静电的效果，从而防止外界静电进入芯片内部使芯片损坏而造成损失。
14.(2)可以根据距离标尺从而判断保护膜的大小，接着通过距离标尺一端设置的冲
压缝将保护膜撕扯取下，从而辅助人们使用保护膜，并且大大提升了保护膜的实用性。
附图说明
15.图1为本实用新型抗静电半导体芯片切割保护膜的整体结构示意图；
16.图2为本实用新型抗静电半导体芯片切割保护膜的a处放大结构示意图；
17.图3为本实用新型抗静电半导体芯片切割保护膜的保护膜结构示意图；
18.图4为本实用新型抗静电半导体芯片切割保护膜的b处放大结构示意图。
19.图中：1、保护膜；2、上防灰膜；3、下防灰膜；4、安装槽；5、固定块；6、折叠板；7、固定槽；8、凹槽；9、距离标尺；10、冲压缝；101、抗静电离型涂层；102、聚对苯二甲酸乙二醇酯层；103、聚氯乙烯层；104、抗静电亚克力胶层。
具体实施方式
20.下面将结合本实用新型实施例，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
21.实施例
22.如图1-4所示，抗静电半导体芯片切割保护膜，包括保护膜1，保护膜1上表面设置有上防灰膜2，保护膜1下表面设置有下防灰膜3，上防灰膜2与下防灰膜3上均开设有若干安装槽4，每个安装槽4内部固定连接有固定块5，每个安装槽4内部均设置有折叠板6，每个折叠板6均折叠设置在安装槽4的内部，每个折叠板6下表面均设置有凹槽8。
23.通过上述技术方案，在使用时，根据芯片需要使用的保护膜的大小，从而通过设备冲压或者裁切产生的冲压缝10，将需要使用的保护膜1撕下，接着通过下防灰膜3和上防灰膜2上开设安装槽4，安装槽4内部设置的折叠板6，通过外力移动折叠板6下表面设置的凹槽8，从而使折叠板6折叠翻转过来，接着通过外力拉动折叠板6，从而带动上防灰膜2或者下防灰膜3移动，从而将上防灰膜2与下防灰膜3取下，接着将保护膜1黏贴在芯片的表面，从而使保护膜1将芯片保护起来。
24.在本实施例中，每个折叠板6上均贯穿设置有固定槽7，每个固定槽7内壁与每个固定块5的外壁滑动连接，通过折叠板6上开设的固定槽7，固定槽7的内壁与固定块5的内壁滑动连接，当折叠板6折叠翻转到安装槽4内部时，使折叠板6的一端与安装槽4的内壁摩擦，固定槽7的内壁与固定块5的外壁摩擦，从而使折叠板6固定在安装槽4内部。
25.需要说明的是每个安装槽4的一侧均设置有距离标尺9，每个距离标尺9均通过冲压制作而成，通过每个安装槽4的一侧均设置有距离标尺，从而使人们在使用时根据距离标尺9从而判断保护膜的大小。
26.其中，每个距离标尺9的一端均设置有冲压缝10，每个冲压缝10均通过冲压或者切割制作而成，通过每个距离标尺9一侧均设置有的冲压缝10，在需要使用保护膜1时，可以根据距离标尺9从而判断保护膜1的大小，接着通过冲压缝10将保护膜1撕扯取下，从而方便保护膜1的使用。
27.在具体设置时，保护膜1包括抗静电离型涂层101、聚对苯二甲酸乙二醇酯层102、
聚氯乙烯层103和抗静电亚克力胶层104，抗静电离型涂层101下表面设置有聚对苯二甲酸乙二醇酯层102，聚对苯二甲酸乙二醇酯层102下表面设置有聚氯乙烯层103，聚氯乙烯层103下表面设置有抗静电亚克力胶层104，聚对苯二甲酸乙二醇酯层102具有良好的力学性能，抗冲击强度是其他薄膜的3～5倍，其耐折性好，且具有良好的耐腐蚀性，从而防止外界的冲击力和外界液体的腐蚀，聚氯乙烯层103具有较好阻燃性和耐高温性，其成产成本低，应用广泛，可以根据不同的用途可以加入不同的添加剂，从而改变聚氯乙烯层103的力学性能，从而达到保护芯片的目的。
28.可以理解，在本技术中，抗静电离型涂层101是通过丙烯酸树脂、环氧型固化剂、异氰酸酯固化剂、抗静电剂和溶剂混合制作而成，抗静电亚克力胶层104是通过丙烯酸树脂、环氧型固化剂、异氰酸酯固化剂、抗静电剂和溶剂混合制作而成，通过抗静电离型涂层101与抗静电亚克力胶层104的组成材料均有抗静电剂，从而增加保护膜1的双面抗静电的效果。
29.该抗静电半导体芯片切割保护膜的工作原理：
30.在使用时，根据芯片需要使用的保护膜的大小，从而通过设备冲压或者裁切产生的冲压缝10，将需要使用的保护膜1撕下，接着通过下防灰膜3和上防灰膜2上开设安装槽4，安装槽4内部设置的折叠板6，通过外力移动折叠板6下表面设置的凹槽8，从而使折叠板6折叠翻转过来，接着通过外力拉动折叠板6，从而带动上防灰膜2或者下防灰膜3移动，从而将上防灰膜2与下防灰膜3取下，接着将保护膜1黏贴在芯片的表面，从而使保护膜1将芯片保护起来。
31.以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。