技术特征：
1.一种荧光体组合物，其包含：氮化物荧光体、和氟氧化物，所述氮化物荧光体在组成中包含元素m、硅、氮及铈，所述元素m为选自除铈以外的稀土类元素中的至少1种，所述氟氧化物的含有比率基于x射线衍射法的参考强度比法为1.5质量％以上且10质量％以下。2.根据权利要求1所述的荧光体组合物，其中，所述氮化物荧光体具有下述式(1)表示的组成，m
p
si
q
n
r
:ce
s
ꢀꢀ
(1)式中，m包含选自sc、y、la、gd、tb及lu中的至少1种，p满足2.5≤p≤3.3，q满足5.4≤q≤6.6，r满足10≤r≤12，s满足0＜s≤0.8。3.根据权利要求1或2所述的荧光体组合物，其中，根据x射线衍射法的参考强度比法，所述氟氧化物的含有比率为3质量％以上且6.7质量％以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体组合物，其中，相对于所述氮化物荧光体1摩尔，所述氟氧化物的含量为0.15摩尔以上且0.26摩尔以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的荧光体组合物，其中，所述氟氧化物具有下述式(2)表示的组成，mo
t
f
u
ꢀꢀ
(2)式中，m包含选自sc、y、la、gd、tb及lu中的至少1种，t满足0＜t≤2.0，u满足0＜u≤3.5。6.根据权利要求1～5中任一项所述的荧光体组合物，其中，所述元素m为选自la、y及gd中的至少1种。7.根据权利要求1～6中任一项所述的荧光体组合物，其体积平均粒径为5μm以上且35μm以下。8.权利要求1～7中任一项所述的荧光体组合物的制造方法，该方法包括：准备包含元素m源、铈源、硅源以及金属氟化物的原料混合物，所述元素m源包含作为选自除铈以外的稀土类元素中的至少1种的元素m；和将所述原料混合物升温，以超过1200℃且为1800℃以下的范围内的给定温度进行热处理，得到热处理物，在所述原料混合物的热处理中，从1200℃至给定温度为止的升温速度为每小时小于50℃。9.根据权利要求8所述的荧光体组合物的制造方法，其中，在所述原料混合物的热处理中，至1200℃为止的升温速度为每小时400℃以下。10.根据权利要求8或9所述的荧光体组合物的制造方法，其中，所述原料混合物的热处理的气氛为还原气氛。11.根据权利要求8～10中任一项所述的荧光体组合物的制造方法，该方法还包括：在得到所述热处理物后，将所述热处理物分散于液体介质中而得到分散物；和
将所述分散物固液分离而得到固体成分。12.根据权利要求11所述的荧光体组合物的制造方法，该方法还包括：使所述固体成分接触包含酸成分的液体介质；和将附着于所述固体成分的酸成分的至少一部分除去。
技术总结
本发明提供发光特性优异的荧光体。一种荧光体组合物，其包含：在组成中包含作为选自除铈以外的稀土类元素中的至少1种的元素M、硅、氮及铈的氮化物荧光体、和氟氧化物。荧光体组合物中的氟氧化物的含有率基于X射线衍射法的参考强度比法为1.5质量％以上且10质量％以下。下。下。
技术研发人员：吉田茂希 渡边浩之 细川昌治
受保护的技术使用者：日亚化学工业株式会社
技术研发日：2021.05.17
技术公布日：2023/1/30