复合材料及其制备方法、光转换薄膜及显示器件与流程

本技术涉及显示，尤其涉及一种复合材料及其制备方法、光转换薄膜及显示器件。

背景技术：

1、量子点是一种纳米级别的半导体，对量子点施加一定的电场或光压时，它们便会发出特定频率的光，而发出的光的频率会随着这种半导体的尺寸的改变而变化，因而通过调节这种纳米半导体的尺寸就可以控制其发出的光的颜色，由于这种纳米半导体拥有限制电子和电子空穴(electron hole)的特性，这一特性类似于自然界中的原子或分子，因而被称为量子点。

2、目前量子点已经被广泛应用到发光领域各个方面，比如作为发光材料应用在显示器件中等。但量子点在发光时会产生热量，即会导致量子点表面局部温度过高的“热点”存在，导致量子点的结构损伤，荧光稳定性下降等问题，从而影响包含量子点的显示器件的性能，影响和制约了量子点的广泛应用。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术提供一种复合材料及其制备方法、光转换薄膜及显示器件，旨在提供一种新的复合材料，具有较好的散热性能。

2、本技术实施例是这样实现的，提供一种复合材料，所述复合材料包括量子点发光材料，其中，所述量子点发光材料中包含量子点以及树枝状纳米氧化物，所述树枝状纳米氧化物表面连接有第一化合物，所述第一化合物包含巯基，所述树枝状纳米氧化物通过所述巯基与所述量子点连接。

3、可选的，在本技术的一些实施例中，所述量子点为核壳结构量子点，所述核壳结构量子点包括核以及包覆所述核的壳层，其中，所述核壳结构量子点的平均粒径大于等于10nm，所述核与所述核壳结构量子点的粒径之比小于等于0.5；和/或，所述树枝状纳米氧化物在所述量子点发光材料中的质量百分比为2～10％；和/或，所述量子点发光材料在所述复合材料中的质量比为8～15％；和/或，所述树枝状纳米氧化物选自二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化锌中的一种或多种；和/或，所述树枝状纳米氧化物包括第一化合物，所述第一化合物包含巯基，所述树枝状纳米氧化物通过所述巯基与所述量子点连接。

4、可选的，在本技术的一些实施例中，所述核壳结构量子点的平均粒径为10～20nm，所述核与所述核壳结构量子点的粒径之比为0.15～0.5；和/或，所述第一化合物包含的所述巯基包括3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基甲基二乙氧基硅烷中的一种或多种；和/或，所述树枝状纳米氧化物的平均粒径为50～400nm。

5、可选的，在本技术的一些实施例中，所述核的材料以及所述壳层的材料分别选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种。

6、可选的，在本技术的一些实施例中，所述复合材料中还包括第一树脂，所述第一树脂由第二树脂在光引发剂的作用下，交联固化得到；其中，所述第二树脂包括pmma、pvdf、pu或pet中的一种或多种；和/或，所述光引发剂包括苯偶姻或其衍生物、苯偶酰或其衍生物、α-羟基酮衍生物、α-胺基酮衍生物、酰基膦氧化物和钛茂中的一种或多种；和/或，所述光引发剂和所述第二树脂的质量比为1：(16～45)。

7、相应的，本技术实施例还提供复合材料的制备方法，包括：提供量子点发光材料、光引发剂、第二树脂及溶剂；其中，所述量子点发光材料中包含量子点以及树枝状纳米氧化物，所述树枝状纳米氧化物表面连接有第一化合物，所述第一化合物包含巯基，所述树枝状纳米氧化物通过所述巯基与所述量子点连接；将所述量子点发光材料、所述光引发剂、所述第二树脂及所述溶剂混合，固化得到复合材料；其中，所述复合材料包括所述量子点发光材料及第一树脂，所述第一树脂由第二树脂在光引发剂的作用下，交联固化得到。

8、可选的，在本技术的一些实施例中，所述量子点发光材料、所述光引发剂和所述第二树脂的质量比为(8～15)：(2～5)：(80～90)；和/或，所述树枝状纳米氧化物在所述量子点发光材料中的质量百分比为2～10％；和/或，所述量子点为核壳结构量子点，所述核壳结构量子点包括核以及包覆所述核的壳层，其中，所述核壳结构量子点的平均粒径大于等于10nm，所述核与所述核壳结构量子点的粒径之比小于等于0.5；和/或，所述树枝状纳米氧化物选自二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化锌中的一种或多种；和/或，所述树枝状纳米氧化物包括第一化合物，所述第一化合物包含巯基；和/或，所述树枝状纳米氧化物的平均粒径为50～400nm。

9、可选的，在本技术的一些实施例中，所述核壳结构量子点的平均粒径为10～20nm，所述核与所述核壳结构量子点的粒径之比为0.15～0.5；和/或，所述核的材料以及所述壳层的材料分别选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种。

10、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第二树脂包括pmma、pvdf、pu或pet中的一种或多种；和/或，所述光引发剂包括苯偶姻或其衍生物、苯偶酰或其衍生物、α-羟基酮衍生物、α-胺基酮衍生物、酰基膦氧化物和钛茂中的一种或多种；和/或，所述溶剂包括二甲苯、三甲苯、n,n-二甲基甲酰胺(dmf)、甲苯、氯仿、乙腈等中的一种或多种；和/或，所述溶剂与所述第二树脂的质量比为(1～10)：20。

11、相应的，本技术实施例还提供一种光转换薄膜，包括上述的复合材料，或者包括由上述的复合材料的制备方法制得的复合材料。

12、相应的，本技术实施例还提供一种显示器件，包括上述的光转换薄膜。

13、本技术的复合材料，所述树枝状纳米氧化物具有较大的比表面积，可以提供了较多的连接位点，与多个所述量子点连接。所述量子点与所述树枝状纳米氧化物连接，缩小了多个所述量子点之间的间隙，由于所述量子点之间的热传导系数满足连续介质理论，热传导系数随着间距减小而增大，从而提高了所述复合材料的热导率，所述量子点在产生了热量后，热量可以通过所述树枝状纳米氧化物快速被分散，提高了所述复合材料的散热性能。热量被迅速分散，能够避免所述复合材料中的所述量子点因局域温度过高而出现结构损伤和性能损伤，比如量子点的荧光稳定性下降等问题，进而提高了所述量子点的性能，包括发光性能和稳定性能等，使所述复合材料具备较好的发光性能和散热性能。