1.一种量子点材料，其特征在于，所述量子点材料的结构为核壳结构，所述量子点材料包括：
2.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述内壳层的数量至少为两个。
3.如权利要求1或2所述的量子点材料，其特征在于，所述量子点材料中，沿所述内核至所述外壳层方向，导带底能级从所述内核到所述内壳层逐步增加，导带底能级从所述内壳层到所述外壳层逐步减小；和/或
4.如权利要求1或2所述的量子点材料，其特征在于，所述量子点材料选自ⅱ-ⅵ族化合物、ⅲ-ⅴ族化合物、ⅱ-ⅴ族化合物、ⅲ-ⅵ族化合物、ⅳ-ⅵ族化合物、ⅰ-ⅲ-ⅵ族化合物、ⅱ-ⅳ-ⅵ族化合物以及ⅳ族单质中的一种或多种。
5.如权利要求4所述的量子点材料，其特征在于，所述内核的材料选自cdse、cds、znse、zns、cdte、cdzns、cdznse、znses、znsete、zntes、cdses、cdsete、cdtes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdseste、znseste、cdznseste、inp、inas以及inasp中的至少一种，所述壳层的材料选自cds、znse、zns、cdses以及znses中的至少一种。
6.一种量子点材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.如权利要求6所述的量子点材料的制备方法，其特征在于，制备内核具体包括以下步骤：
8.如权利要求7所述的量子点材料的制备方法，其特征在于，在所述内核的外表面上形成至少一内壳层具体包括以下步骤：
9.如权利要求8所述的量子点材料的制备方法，其特征在于，在所述中间壳层的外表面上形成外壳层具体包括以下步骤：
10.一种发光器件，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括：
12.如权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述外壳层的导带底能级小于所述空穴传输层的lumo能级，所述外壳层的价带顶能级小于所述空穴传输层的homo能级。
13.如权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述外壳层的导带底能级小于所述电子传输层的导带底能级，所述外壳层的价带顶能级大于所述电子传输层的价带顶能级。
14.如权利要求10至13中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述阳极的材料包括ito、izo以及au中的至少一种；和/或
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10至14中任一项所述的发光器件。